基板的異物去除裝置以及基板的異物去除方法

2023-12-07 01:11:41 4

專利名稱：基板的異物去除裝置以及基板的異物去除方法
技術領域：
本發明涉及對附著在半導體元件製造工藝中所使用的由矽或化合 物形成的基板、平板顯示器等中所使用的由玻璃或樹脂形成的基板等 上的異物進行去除的技術。
背景技術：
在將半導體元件製造在由矽、玻璃或樹脂等構成的基板上時，因 存在有在該製造裝置內附著的、或在裝置間的移動中附著的灰塵、微 粒等異物，而導致其成品率降低的問題。近年來，不僅要求對形成半 導體元件的表面、而且還要求對反面(即在向製造裝置裝填時或在移 送機構中的搬運時與構成製造裝置或移送機構的部件相接觸的面)的異物進行控制。這是因為可能會由於異物夾在晶片(基板)的反面 和保持晶片的工作檯(基板吸附面)之間，不能很好地安裝而使一部 分突起，從而會引起在曝光裝置中的焦點偏移，或者，在蝕刻裝置中 附著在反面的異物可能劃傷靜電吸盤的電極的絕緣層從而導致靜電吸 盤的電極層因放電而不能修復。而且，也考慮到在CVD裝置等中在 形成薄膜時異物混入到其形成層中的問題。一般來說，在半導體元件等的製造前會對晶片進行某種清洗處理， 但是，存在例如在清洗晶片的清洗槽中脫離的異物會附著到其他的晶 片上、導致異物汙染擴散的問題。特別是，在異物為金屬質的情況下， 當半導體接合區域被金屬異物汙染時，其接合位勢變動，元件的特性 偏離了設計值，從而導致作為最終產品的集成電路會發生動作不良。鑑於這些情況，由稱作國際半導體技術藍圖(ITRS)的機構總結 出了國際化的指導，並公布在該機構的網際網路頁上(URL是 http〃public.itrs.net/)。例如，相對於在公元2004年版的前端處理中尤其對微粒要求嚴格的平版印刷和檢查器，2006年的晶片反面的容許 微粒的指導為在直徑為300mm的晶片上微粒大小為0.12jim、每一片 晶片的微粒個數為400個。另外，關於表面的微粒，臨界微粒大小為 35nm、微粒個數為64個。進而優選MOS電晶體的柵氧化物中的金 屬異物在0.5xl0"atm/cm2以下。但是，原則上來說剛製造出的晶片不會有微粒附著，並且一般在 半導體製造工廠中的裝置之間的移送是在潔淨度高的環境下進行的， 所以認為晶片的異物附著主要在半導體製造裝置內或各裝置之間的移 動過程中產生。在裝置內進行各種處理，在此在為了剝離使用的光致 抗蝕膜、形成金屬等薄膜而在晶片表面堆積材料的過程中、以及在去 除晶片的一部分的蝕刻等過程中，會增加該異物附著的概率。作為去除附著在晶片上的異物的方法一般已知RCA洗淨法這種 方法。這是稱作溼洗淨的處理中的一種，使用氨水和雙氧水的混合液 去除微粒，然後用鹽酸和雙氧水的混合液去除金屬離子，這樣組合這 兩種處理來進行。另一方面，還已知稱作乾洗淨的處理，提出了例如 為了去除附著在半導體晶片的反面(基板吸附面側)的異物而貼附粘 著帶、然後將其剝離的方法(參照專利文獻1、 2)。另外，還提出了 使等離子與晶片接觸、藉助等離子中的原子團去除附著在晶片的反面 的異物的方法(參照專利文獻3)， 一邊使塗敷有規定的洗淨液的晶片 旋轉一邊供給純水等來衝洗洗淨液的方法(參照專利文獻4);通過從 規定方向向晶片的表面噴出惰性氣體來去除異物的方法(參照專利文 獻5 )，以及一邊用刷子刷洗晶片的表面 一邊噴射由純水形成的噴射水 流從而去除異物的方法(參照專利文獻6)。但是，關於上述說明的溼洗淨，如上所述，可能會附著洗淨液中 的新的異物。另外，由於洗淨液的準備和該廢液的處理會花費大量成 本，所以從現今的環保角度考慮不優選。另一方面，在乾洗淨中的貼 附粘著帶的方法中，在剝離該帶時因作用於晶片上的力而會使晶片破 損。特別是近年來由於晶片的大口徑化導致每片晶片的總成本上升(大 約幾百萬 一千萬日元)，從而從萬一產生^^損等的情況考慮，該方法的風險很高。另外，在等離子處理和噴射惰性氣體的方法中，存在暫 時飛散的異物再次附著的可能性、或容易導致處理中會附著新的異物。特別是在等離子處理中由於離子的激烈沖撞而導致處理室中的部件會 因噴濺而飛散，在噴射惰性氣體的方法中另外還需要對使用的氣體的 雜質濃度等進行控制。本案申請人已經對異物去除裝置提出了申請(參照專利文獻7)。專利文獻1:日本特開平6 - 232108號7>才艮專利文獻2:日本專利第3534847號公報專利文獻3:日本特開平6 - 120175號>^才艮專利文獻4:日本特開平7 - 94462號z〉才艮專利文獻5:日本特開平8 - 222538號公報專利文獻6:日本特開平11 - 102849號公報專利文獻7:日本特開2006 - 32876號^^才艮發明內容對附著在半導體製造工序、液晶面板製造工序等中使用的基板上 的異物的管理越來越嚴格，這就要求有可簡便且切實地去除異物的方 法。在此，本發明者們認真研究了既能夠排除再次附著異物的可能性 從而切實地去除異物、並且對於大口徑的基板也能夠儘量避免基板破 損的異物去除手段，結果發現能夠通過將作為處理對象的基板隔著樹 脂片吸附在靜電吸盤上、將吸附在基板上的異物轉移到樹脂片進行去 除來解決上述問題，於是完成了本發明。因此，本發明的目的在於提供一種基板的異物去除裝置，該裝置 能夠將附著在基板上的異物切實地去除並排除再次附著的可能性、且 對於大型的基板也能夠避免基板破損地切實地去除異物。另外，本發明的另一目的在於提供一種基板的異物去除方法，該 方法能夠切實地去除附著在基板上的異物並排除再次附著的可能性、 且用於大型的基板時不會出現基板破損。即，本發明是基板的異物去除裝置，將附著在基板上的異物去除,其特徵在於，具有形成有吸附基板的基板吸附面的靜電吸盤、向基 板吸附面供給樹脂片的樹脂片供給裝置、回收供給出的樹脂片的樹脂 片回收裝置和進行基板的輸送的基板輸送裝置，其中，將藉助基板輸 送裝置供給到靜電吸盤的基板隔著樹脂片吸附在基板吸附面上，將附 著在該基板的基板吸附面側的異物轉移到樹脂片從而去除。本發明是基板的異物去除方法，將附著在基板上的異物去除，其 特徵在於，向形成有吸附基板的基板吸附面的靜電吸盤供給基板，隔 著樹脂片使基板吸附在基板吸附面上，將吸附在該基板的基板吸附面 側的異物轉移到樹脂片從而去除。在本發明中，去除異物的基板沒有特別限定，以在半導體裝置、 平板顯示器等的製造中所處理的各種基板為對象，例如能夠舉出矽晶 片、GaAs、 SiC等半導體基板、玻璃基板、樹脂基板、有機EL用基 板等。另外，對於處理的基板的形狀也沒有特別限制。另一方面，作 為去除對象的異物是指在各種製造工序等中需要從基板去除的物質， 例如作為代表例可以舉出微粒、灰塵、保護層的附著物、腔室內的生 成物等。在本發明中，對於使基板經由樹脂片吸附在靜電吸盤上、使異物 轉移到樹脂片從而去除的具體裝置沒有特別限定，優選下述例示出的 構成例。即，作為第一構成例，如圖1所示能夠例示出的異物去除裝置是 形成基板吸附面的靜電吸盤被至少分成吸附基板1的中央部的中央靜 電吸盤2、和吸附基板的周邊部的周邊靜電吸盤3。即，由至少具有中 央靜電吸盤2和周邊靜電吸盤3的多個靜電吸盤形成一個基板吸附面 4，隔著由樹脂片供給裝置供給的樹脂片將基板1吸附在該基板吸附面 4上，去除吸附在基板1的基板吸附面側的異物。只要是中央靜電吸 盤2至少與基板的中央部對應、周邊吸盤3與基板的周邊部對應地吸 附一個基板即可，例如，也可以如圖2所示，夾著中央靜電吸盤地在 其兩側配置周邊靜電吸盤。另外，它們的形狀並不限定於圖1、2所示， 能夠根據吸附的基板的大小、形狀等適當進行設計，例如除了平面形狀為矩形還可以是圓形以及其他形狀。在靜電吸盤被分成中央靜電吸盤和周邊靜電吸盤的情況下，優選 異物去除裝置具有高度方向調整裝置，該高度方向調整裝置能夠使中 央靜電吸盤在基板吸附面的垂直方向上相對於周邊靜電吸盤突出、與 此同時在基板的端部和樹脂片之間形成規定的間隙。通過由多個靜電 吸盤形成基板吸附面、並使這些靜電吸盤中的至少一部分能夠上升下 降，由此能夠使基板的裝設和回收變得容易。即，在使基板吸附在基 板吸附面上來去除異物後，用高度方向調整裝置使中央靜電吸盤的高 度相對變高、且在基板的端部和樹脂片之間形成規定的間隙，由此能 夠利用基板和樹脂片之間的間隙容易地回收異物去除後的基板。關於 形成於基板的端部和樹脂片之間的規定的間隙，只要是能夠利用後述 的基板輸送裝置回收基板的間隙即可。關於上述高度調整裝置，詳細而言，包括能夠使周邊靜電吸盤從 基板吸附面向垂直方向下方側下降的周邊吸盤升降機構、和能夠使與 周邊靜電吸盤對應的至少一部分的樹脂片的高度位置調整成位於基板 吸附面的下方側的樹脂高度調整機構，從而可使中央靜電吸盤相對突 出、並在基板的端部和樹脂片之間形成規定的間隙。或者，還可以是 包括能夠使中央靜電吸盤從基板吸附面向垂直方向上方側上升的中央 吸盤升降機構，從而可使中央靜電吸盤相對突出、並在基板的端部和 樹脂片之間形成規定的間隙。關於周邊吸盤升降機構和中央吸盤升降 機構，只要能夠使各靜電吸盤升降即可，沒有特別限定，例如可以是 將氣缸、螺線管、馬達驅動的滾珠絲槓和螺母等與各靜電吸盤連接以能夠升降。關於樹脂片高度調整機構，可以設置與例如上述的升降機 構連接的導向輥等。另外，以基板吸附面為基準的上下方向是指，以 基板吸附面為基準將基板側作為上方、將其相反側作為下方。另外，本發明的異物去除裝置具有基板輸送裝置。關於該基板輸 送裝置，只要能夠將用於處理的基板供給到靜電吸盤、且能夠將處理 後的基板從靜電吸盤迴收即可。在靜電吸盤由中央靜電吸盤和周邊靜 電吸盤構成的情況下，優選在該基板輸送裝置的前端具有基板保持部，其中，該基板保持部能夠利用由上述高度方向調整裝置在基板的端部 和樹脂片之間形成的間隙來保持基板。通過具有基板保持部，能夠可 靠且容易地供給用於處理的基板和回收處理後的基板。詳細而言，可 以是具有能夠夾持基板的端部的夾持部的機械手、或是具有叉的機械 手，該叉能夠插入形成在基板和樹脂片之間的間隙、從而可載置回收 基板。該機械手可以使用在基板的輸送等中常用的機械手。即，為了能夠將基板供給到靜電吸盤並從靜電吸盤迴收，優選具有可在x-y 方向上移動的機構，根據需要可以具有能夠使基板相對於基板吸附面 在垂直方向上抬起、放下的上升下降機構。關於基板輸送機構，還可 以分別具有用於供給和用於回收的機構。另外，異物去除裝置還可以具有基板抬起裝置，該基板抬起裝置 能夠插入由高度方向調整裝置形成的在基板和樹脂片之間的間隙並抬 起基板。這樣能夠使得處理後的基板的回收通過具有夾持部或叉的機 械手更可靠且簡便地進行。關於這種基板抬起裝置沒有特別限定，可 以舉出例如能夠從基板吸附面的方向將基板上推的推頂銷等。另外， 在向靜電吸盤供給基板的情況下，只要進行與基板的回收相反的動作 即可。即，將基板載置在基板抬起裝置上，將基板供給到鋪設在由高 度調整裝置而突出的中央靜電吸盤的樹脂片上。這時，在不具有基板 抬起裝置的情況下，只要直接將基板供給到中央靜電吸盤上即可。接 下來，藉助高度方向調整裝置調整中央靜電吸盤和周邊靜電吸盤的高 度而形成基板吸附面，使各個靜電吸盤通電進行基板的吸附。在本發明中，隔著樹脂片吸附在基板吸附面上並將附著在該基板 的基板吸附面側的異物轉移到樹脂片，由此去除異物。關於使用的樹 脂片，只要採用由至少比所吸附的基板柔軟的材質構成的樹脂片即可。 一般來說，靜電吸盤的最表面(即基板吸附面)需要是硬表面，例如 在由氧化鋁、碳化矽、氮化鋁等陶瓷形成的情況下，它們的努氏硬度 為2000Hk左右(例如碳化矽為2500Hk、氧化鋁為2100Hk)。另一方 面，矽晶片的努氏硬度通常為960Hk左右。並且，在構成灰塵、微粒 等異物的組成中、對半導體製造最為有害的鐵的努氏硬度為300Hk左右，所以樹脂片的努氏硬度優選為20~200Hk。特別是，在吸附的基 板是用於液晶裝置等的玻璃基板的情況下，努氏硬度為315Hk左右、 與作為異物的鐵的硬度程度相當，所以優選使用努氏硬度為20~ 100Hk的樹脂片。通過隔著該樹脂片吸附基板，能夠將附著在基板吸 附面側的異物轉移到樹脂片側從而去除。這樣的樹脂片不 一定要具有 粘著性的表面。因此，施加於基板上的力與在通常的半導體製造裝置 中使用的靜電吸盤的吸附力相同，較之像以往去除異物那樣使用粘著 帶的情況，從原理上看在剝離時根本不會有施加於基板上的力。因此， 不僅對於例如直徑為300mm的現今主流的半導體晶片、並且對於被 稱作新一代的450mm的大口徑晶片等，也能夠不使基板破損地去除 異物。上述樹脂片的材質，例如可以舉出聚乙烯醇、低密度聚乙烯、聚 乙烯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、 乙酸纖維素、聚碳酸酯、尼龍、聚醯亞胺、芳族聚醯胺及聚碳化二亞 胺等。其中，從廉價的觀點出發，優選聚乙烯醇、低密度聚乙烯、聚 乙烯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯以及聚對苯二曱酸乙二醇酯。 除上述之外，還能夠使用矽等的橡膠類材料。關於樹脂片的厚度，優 選5 100nm、更優選5 30nm。這是因為當比lOOjim厚時靜電吸盤 的吸附力就會變小。相反，當比5jun薄時難以處理這樣的樹脂片，可 能會破損。另外，樹脂片當然是需要在對微粒進行控制的環境下製造 出的。當樹脂片的體積電阻值下降時，基板會更強烈地被靜電吸盤吸附， 特別是會出現靜電吸盤發揮詹森拉別克力的情況。即，來自形成靜 電吸盤的電極的孩i小電流遍及該電極周邊以及基板吸附面地流過基 板，在基板和基板吸附面之間的微小間隙中產生很大的靜電吸附力。 因此，雖然由上述例示的材質構成的樹脂片具有很高的電絕緣性(體 積電阻率在1015~1018ft.cm的範圍內)，但是若使用在其中混入導電 性的填充物等而使體積電阻值成為109~1013ft.cm左右的範圍內的樹 脂片的情況下，能夠增加基板向靜電吸盤的吸附力。另外，關於樹脂片供給裝置，只要能夠將片狀的樹脂片或巻成巻 筒狀的樹脂片等供給到基板吸附面上即可，沒有特別限定。但是，優 選具有裝設有巻成巻筒狀的樹脂片的送出輥、和將從送出輥送出的樹 脂片向基板吸附面側引導的供給側導向輥。另外，關於樹脂片回收裝 置，只要能夠將供給到基板吸附面上的樹脂片回收即可，沒有特別限 定。但是，優選具有巻取樹脂片的巻取輥、和將從基板吸附面送出的 樹脂片向巻取輥側引導的回收側導向輥。通過使樹脂片供給裝置和樹 脂片回收裝置與巻筒狀的樹脂片對應，能夠縮小異物去除裝置自身所 佔的平面區域(佔有面積)。另外，能夠一邊回收在基板吸附面使異物 轉移了的使用過的樹脂片一邊向基板吸附面供給未使用的樹脂片，所 以能夠連續地進行基板的異物去除。即，能夠根據異物的附著量向一片基板連續供給未使用的樹脂片、由此反覆多次地進行異物去除；另 外，還能夠將進行了一次異物去除的基板通過基板輸送裝置回收、並 供給新的其他的基板來進行異物去除，這樣連續地處理多個基板。在本發明中，關於形成基板吸附面的靜電吸盤，能夠使用一般的 靜電吸盤，但是優選是雙極型靜電吸盤，這種吸盤具有可施加相互存 在電位差的電壓的兩個電極。即，在由中央靜電吸盤和周邊靜電吸盤 形成基板吸附面的情況下，優選各個靜電吸盤由雙極型靜電吸盤構成。另外，關於靜電吸盤，還可以由形成靜電吸盤的電極來形成基板 吸附面。即，基板吸附面可以由形成中央靜電吸盤的電極和形成周邊 靜電吸盤的電極來形成。 一般來說，靜電吸盤為了確保基板和電極之 間的絕緣性，具備由具有電絕緣性的電介質材料構成的絕緣電介質層， 該絕緣電介質層通常形成靜電吸盤的基板吸附面(最表面)。該絕緣電 介質層除了確保電絕緣性之外、還起到保護電極不受到機械損傷的作 用、和防止產生來自電極的金屬沾染的作用。在本發明中，在樹脂片 為電絕緣性的情況下，該樹脂片能夠兼有 一般的靜電吸盤中的絕緣電 介質層的作用。於是，可以使形成靜電吸盤的電極在最表面露出，由 該電極形成基板吸附面。若電極在靜電吸盤的最表面露出、形成基板 吸附面，則基板和電極之間的距離縮小，從而能夠提高靜電吸盤所發揮的吸附力。因此，即便為低電壓也能夠得到同等的吸附力，能夠降 低電源成本，抑制產生不需要的靜電，進而能夠儘量避免因高電壓導 致電極的放電短路問題。在電極形成基板吸附面的情況下，優選由肖氏硬度為20~90Hs、 體積電阻率為100~ lxl0_5ft*cm的彈性電極構成。另外，體積電阻率 更優選在1x10 2~ 1x10 Sftcm的範圍內。關於具有這種特性的電極，能夠舉出例如在矽制橡膠中混入碳、 碳納米管等導電性填充物而製成的電極等。作為橡膠的原料，除上述 之外還可以使用氟類、二甲苯基類、氟矽類等，但是從減少對作為被 吸附物的基板的沾染的影響來看優選矽制橡膠。橡膠的硬度一般以肖 氏硬度來表示，肖氏硬度20Hs左右大約為人皮膚的柔軟度，若為90Hs 就會感到堅硬。矽晶片、玻璃基板等的材質一般不用肖氏硬度表示， 但是普遍認為比這些橡膠硬很多。因此，從相對於吸附的基板可發揮 足夠的柔軟性的觀點出發，優選在上述的範圍內。另外，關於電極的 體積電阻率優選較低，但是為了成為具有柔軟性的電極，需要在橡膠 中混入導電性填充物，所以優選在上述的範圍。另外，將電極的材質所有的部位都成為等電位。另外，在由電極形成基板吸附面的情況下，關於電極的厚度(電 極深度方向)優選在0.05~3mm、更優選在0.2 ~ 3mm的範圍內。電 極的柔軟性和厚度相關，從而薄的電極其柔軟性就不好。相反地，厚 的電極不僅成本變高、而且由於具有柔軟性其厚度可能會過於變化、 導致在供給/回收基板時因與基板輸送裝置之間的關係而產生問題，從 而在基板的輸送系統中產生問題。綜合考慮這些問題，優選採用上述 厚度。通過由上述的彈性電極形成基板吸附面，能夠更切實地將附著在 基板上的異物轉移到樹脂片上從而去除。通過使形成基板吸附面的電 極具有上述肖氏硬度那種程度的柔軟性，能夠進一步提高基板相對於 基板吸附面的緊密貼合性，能夠使異物容易地轉移到樹脂片上。例如直徑為200mm的矽晶片，通常具有20nm左右的翹曲或撓曲，並且存 在幾jim左右的局部凸凹。因此，在靜電吸盤的基板吸附面(最表面) 具有陶瓷那樣的硬度時，僅以靜電吸盤的吸附力是難以使該晶片的整 個面緊密貼合的。特別是在矽晶片的反面附著有微粒等異物時，該微 粒的存在也會妨礙基板的緊密貼合性。因此，通過使基板隔著樹脂片 吸附在由上述的彈性電極構成的基板吸附面上，就能夠解決這些問題， 能夠遍及整個基板地更加切實地去除異物。另外，彈性電極不僅耐衝 擊性優良，並且即便暫時與一個基板相適應而沿著該基板的形狀變形， 也能夠在脫離該基板後復原、立即適應吸附其他的基板。但是，考慮到在異物去除後將基板從樹脂片剝離時會因接觸而在 基板和樹脂片之間伴隨有剝離帶電。當基板或樹脂片帶電時，轉移到 樹脂片上的異物會因靜電從樹脂片脫離，從而存在再次附著在基板側 的危險。因此，可以在異物去除裝置上安裝離子發生器等中和靜電的 設備，向基板和樹脂片之間、或樹脂片和靜電吸盤之間噴射作為中和 化粒子的正或負離子。當噴射這種中和化粒子時，樹脂片的表面被活 性化、樹脂片變得更加易於吸附異物，能夠預期異物去除的效果提高。接下來，作為本發明的異物去除裝置的第二構成例，可舉出至少 具備形成第一基板吸附面的第一靜電吸盤和形成第二基板吸附面的第 二靜電吸盤這兩個靜電吸盤的異物去除裝置。即，通過具有兩個以上 的基板吸附面來形成多個吸附工作檯，由此能夠同時進行與該工作檯 數(靜電吸盤數)對應的基板的異物去除作業，不僅能夠提高裝置的 處理能力，還能夠將進行一次效果不夠時的異物去除效果更加完善。 只要沒有特別說明，異物去除裝置的第 一 構成例中說明的內容也能夠 應用於該第二構成例的裝置。另外，下面說明了具備多個靜電吸盤且 該靜電吸盤分別單獨地具有基板吸附面的異物去除裝置由兩個靜電吸 盤構成的情況，但是本發明並不限定於此，還可以具有三個以上的靜 電吸盤(第三靜電吸盤以上)。在至少具有第一靜電吸盤和第二靜電吸盤的異物去除裝置的情況 下，優選具備能夠相對於基板吸附面在水平方向上調整基板的朝向的基板旋轉裝置。改變在第一靜電吸盤上去除了異物的基板的朝向、然 後藉助基板輸送裝置供給到第二靜電吸盤，由此能夠遍及基板的整個 面地更切實地去除附著的異物。即，在形成第一靜電吸盤的電極投影 到被吸附在第一基板吸附面上的基板側時、存在該基板和投影的電極 不重合的基板的非吸附區域的情況下，藉助基板旋轉裝置調整基板的 朝向，使得該非吸附區域全都包括在形成第二靜電吸盤的電極投影到 基板側而得的電極投影區域，然後由該第二靜電吸盤去除異物，這樣 就能夠遍及整個基板地去除異物。例如，以相對於靜電吸盤的基板吸附面留出基板的端部的方式進 行吸附，由此能夠利用該端部可靠且正確地通過基板輸送裝置進行基 板的供給和回收。即，將基板吸附在第一基板吸附面上，使得在形成 第一靜電吸盤的電極投影到吸附在第一基板吸附面上的基板側時、該 基板和投影的電極沒有重合的基板的非吸附區域包括該基板的端部， 並且，基板輸送裝置由具有能夠夾持該基板的端部的夾持部的機械手 構成。同樣地，將基板吸附在第二基板吸附面上，使得在形成第二靜 電吸盤的電極投影到吸附在第二基板吸附面上的基板側時、該基板和 投影的電極不重合的基板的非吸附區域包括該基板的端部，並且，基 板輸送裝置由具有能夠夾持該基板的端部的夾持部的機械手構成。這 樣，不具備第一構成例那樣的高度方向調整裝置、基板抬起裝置，能 夠簡便且切實地進行基板的供給和回收。另外，在第一靜電吸盤和第二靜電吸盤是由雙極型靜電吸盤構成、 該雙極型靜電吸盤具有施加相互存在電位差的電壓的兩個電極的情況 下，與第一靜電吸盤的兩個電極的間隔對應的區域，相當於在這兩個 電極投影於吸附在該第 一基板吸附面上的基板側時、該基板和投影的 兩個電極不重合的基板的非吸附區域，因此，藉助基板旋轉裝置調整 基板的朝向，使得該基板的非吸附區域被包括在形成第二靜電吸盤的 兩個電極投影到基板側而得的電極投影區域中，然後用第二靜電吸盤 進行異物去除。另外，在留出基板的端部進行吸附的情況下，優選基 板輸送裝置是具有能夠夾持該基板的端部的夾持部的機械手。所使用的樹脂片可以釆用與第一構成例相同的樹脂片。另外，樹 脂片供給裝置和樹脂片回收裝置也與第 一構成例中說明的相同。優選 的是，樹脂片供給裝置具有裝設有巻成巻筒狀的樹脂片的送出輥、和 將從送出輥送出的樹脂片向第 一基板吸附面側引導的供給側導向輥， 樹脂片回收裝置具有巻取樹脂片的巻取輥和將從第二基板吸附面送來 樹脂片向巻取輥側引導的回收側導向輥。另外，第一基板吸附面可以由形成第一靜電吸盤的電極形成，同 樣第二基板吸附面可以由形成第二靜電吸盤的電極形成。即，在第二 構成例中，同樣可以如第一構成例中說明的那樣，樹脂片兼有一般靜 電吸盤中的絕緣電介質層的作用，從而能夠由形成各個靜電吸盤的電 極來形成基板吸附面。在該情況下，形成基板吸附面的電極優選由肖氏硬度為20~ 90Hs、體積電阻率為100~ lxl(T5￡l'cm的彈性電極構成， 關於其厚度優選在0.05~3mm、更優選在0.2 3mm的範圍內。另外， 體積電阻率更優選在lxl(T2~ lxl0-5ft'cm的範圍內。在第一、第二構成例中，將基板吸附在靜電吸盤上的時間根據附 著在基板上的異物的大小、量而不同，通常在1~60秒內就能夠將異 物轉移到樹脂片側。在每單位面積的異物的量多的情況下，有效的方 法是使吸附時間增長。另外，若裝置中使用的靜電吸盤是雙極型靜電 吸盤，則能夠通過變化施加在電極上的電壓來調整吸附力，所以在異 物的量少的情況下降低電壓或使吸附時間變短等、就能夠根據條件進 行應對，以使每片的處理時間最短的方式使運行參數最優化。這時， 優選相對於每單位面積的基板的吸附力在10 ~ 300gf/cm2的範圍內。另外，本發明的異物去除裝置，不需要特別在真空中進行工作， 能夠在大氣壓或稍加壓下進行使用。因此，省略了用於真空化、大氣 開放的步驟，從而能夠縮短裝置的處理時間。在本發明的異物去除裝置中，將附著在基板上的異物(附著在基 板吸附面側的異物)轉移到樹脂片上並將該樹脂片回收，從而能夠盡 量排除被去除的異物再次附著在基板上的危險。另外，由於不使用粘 著帶等地去除異物，所以根本不會有以往成為問題的在與基板分離時所施加的負荷，也能夠適用於大型化的基板，不會使基板破損。另夕卜， 若使用巻筒狀的樹脂片，可顯著發揮連續處理的效果，故特別在用於 要求處理能力的半導體元件的生產現場等中十分有效。並且，若根據 附著在基板上的異物的量或大小而將作為參數的施加在靜電吸盤上的 電位、吸附時間等最優化，就能夠高效地去除異物，從而能夠使每片 基板所需的處理時間最短化。並且，通過使用廉價的樹脂片，能夠將 維持費用抑制得很低。


圖1是表示由中央靜電吸盤和周邊靜電吸盤形成基板吸附面的情 況的一個例子的俯禍/沈明圖。圖2是表示由中央靜電吸盤和周邊靜電吸盤形成基板吸附面的情 況的一個例子的俯視說明圖。圖3是由中央靜電吸盤和周邊靜電吸盤形成基板吸附面的情況的 異物去除裝置的剖視說明圖(局部)。圖4是表示將基板吸附在異物去除裝置上的狀態的剖視說明圖。圖5是表示藉助高度方向調整裝置使中央靜電吸盤突出並在基板 的端部和樹脂片之間形成間隙的狀態的剖視說明圖。圖6是表示回收異物去除後的基板的狀態的剖視說明圖。圖7是將供給側基板盒和回收側基板盒與異物去除裝置組合而構 成的異物去除系統的俯視說明圖。圖8是將供給側基板盒和回收側基板盒與異物去除裝置組合而構 成的異物去除系統的立體說明圖(外觀圖)。圖9是表示由中央靜電吸盤和周邊靜電吸盤形成基板吸附面的異 物去除裝置的變形例的剖視說明圖(局部)。圖10是表示具有各自形成基板吸附面的第一靜電吸盤和第二靜 電吸盤的異物去除裝置的一個例子的俯視說明圖(局部)。圖11是將SMIF與異物去除裝置組合而構成的異物去除系統的俯 視說明圖。
具體實施方式
下面，參照附圖具體說明本發明的優選實施方式。首先，對將形成基板吸附面的靜電吸盤分成中央靜電吸盤和周邊 靜電吸盤的情況下的異物去除裝置進行具體說明。圖3示出了具有圖2所示的由中央靜電吸盤2和周邊靜電吸盤3 形成的基板吸附面4的異物去除裝置X的局部剖視圖(圖2的A - A， 剖面)。即，該異物去除裝置X由中央靜電吸盤2和周邊靜電吸盤3a、 3b形成了平面形狀為四邊形的基板吸附面4，其中，中央靜電吸盤2 與基板1的中央部對應、具有較寬的部分，周邊靜電吸盤3a、 3b配置 在該中央靜電吸盤2的兩側、與基板l的周邊部對應。並且，在該基 板吸附面4上鋪設有厚度為l(Him的聚乙烯醇制的樹脂片5。該樹脂 片5以在其長度方向上順次配置著周邊靜電吸盤3a、中央靜電吸盤2、 周邊靜電吸盤3a的方式由樹脂片供給裝置9供給到基板吸附面4上。 該樹脂片供給裝置9，包括裝設有巻成巻筒狀的樹脂片5的送出輥6、 將從送出輥6送出的樹脂片5引導向基板吸附面側4的一對供給側導 向輥7、和配置在它們之間進行樹脂片5的張力調整的供給側調整輥8。 另外，供給到基板吸附面4的樹脂片5由樹脂片回收裝置13回收，該 裝置13包括巻取輥IO、將從基板吸附面4送出的樹脂片5引導向 巻取輥10側的一對回收側導向輥11、和配置在它們之間進行樹脂片5 的張力調整的回收側調整輥12。上述中央靜電吸盤2和兩個周邊靜電吸盤3a、3b分別由雙極型靜 電吸盤構成，中央靜電吸盤2具有第一電極14和第二電極15兩個電 極，這兩個電極14、 15與電源16連接、並與用於接通/關斷電源16 的電壓的開關17串聯。同樣，周邊靜電吸盤3a的第一電極18和第二 電極19、以及周邊靜電吸盤3b的第一電極20和第二電極21也分別 經由開關17與電源16連接。其中，在周邊靜電吸盤3a、 3b上分別連 接有圖未示的升降機構(高度方向調整裝置)以能夠在基板吸附面4 的垂直方向(圖中所示的兩箭頭方向)上升下降。並且，在供給側導向輥7和回收側導向輥11上也分別連接有同樣的圖未示的升降機構 (高度方向調整裝置)。並且還包括具有對基板1進行栽置的叉的機械 手(圖未示)，供給要在基板吸附面4進行處理的基板1、並回收處理 後的基板l。說明採用這樣構成的異物去除裝置X從基板1去除異物的步驟。 圖3示出了由圖未示的機械手(基板輸送裝置)供給的基板1 (在基 板吸附面側附著有異物22)被載置在基板吸附面4的樹脂片5上的狀 態。這時電源16的開關17為關斷狀態，在任何靜電吸盤上都沒有施 加電壓，基板l還沒有被吸附。圖4示出了將電源16的開關17設為 接通狀態、在各靜電吸盤的第一電極和第二電極之間同時施加同等的 電壓、隔著樹脂片5將基板1吸附在基板吸附面4上的狀態。這時， 異物22呈嵌入樹脂片5的狀態。吸附時間和電源16的電壓能夠調節， 例如吸附時間可以在1~60秒的範圍內變化，電源16的端子間的電壓 可以在0~8kV的範圍內變化。特別是，若為雙極型靜電吸盤，還能 夠在電極間施加正負電位，所以在該情況下與上述相當的電位差為 0~±4kV。另夕卜，對於各靜電吸盤、輥等所有的機構和電源、開關等，， 可以通過對它們的動作進行管理的圖未示的控制器進行控制。在上述的設定條件下使基板1吸附規定時間後關斷開關17，然後， 如圖5所示，藉助高度方向調整裝置，在基板吸附面4的垂直方向上 使中央靜電吸盤2相對於周邊靜電吸盤3a、 3b突出，與此同時在基板 1的端部和樹脂片5之間形成了間隙。即，分別使具有圖未示的升降 機構的周邊靜電吸盤3a、 3b、供給側導向輥7和回收側導向輥11從 基板吸附面4向垂直方向下方側(基板吸附面4的相反側)下降，由 此能夠成為上述圖5的狀態。若利用形成在基板l和樹脂片5之間的 間隙，則能夠藉助機械手回收基板1。這時，若通過使基板推頂銷23 (基板抬起裝置)從基板1的兩端側進入上述間隙之間，將基板1向垂 直方向上方抬起，則能夠使基板1的回收更加簡便、切實地進行。在 該圖5中，示出了附著在基板1上的異物22轉移到樹脂片5上的狀態。關於回收去除異物後的基板1,如圖6所示，在由基板推頂銷23抬起的基板1和樹脂片5的間隙中插入設置在機械手的前端的叉24， 將基板載置在該叉24上、用機械手(圖未示)回收即可。另外，在基 板吸附面4上使異物22轉移了的樹脂片5能夠藉助巻取輥IO巻取來 回收，同時，從送出輥6側送出的新樹脂片5供給到基板吸附面4(圖 中的箭頭方向)，從而能夠進行接下來的異物處理。為了處理附著有異物22的其他基板1，將載置在叉24上的基板1 移放到基板推頂銷23上，使基板推頂銷23下降、放置在中央靜電吸 盤2上的新樹脂片5上。接下來，分別藉助升降機構使周邊靜電吸盤 3a和3b上升、與中央靜電吸盤2—起形成基板吸附面4。這時，使供 給側導向輥8和回收側導向輥11也通過升降機構一起上升。在送出輥 6的樹脂片5全都使用完的情況下，只要裝設新的樹脂片5、廢棄巻取 輥10所回收的使用過的樹脂片5即可。另外，本發明的異物去除裝置X,如圖7所示，可以在機械手25 的可動區域內設置放入未處理(異物去除前)的基板l的供給用基板 盒26和回收處理後(異物去除後)的基板1的回收用基板盒27,由 此構成基板的異物去除系統。圖8示出了如上所述構成包括異物去除 裝置X和各基板盒26、 27的異物去除系統的情況下的外觀圖。下面，對將形成基板吸附面的靜電吸盤分成中央靜電吸盤和周邊 靜電吸盤而成的異物去除裝置的變形例進行具體說明。在圖9所示的異物去除裝置X中，由形成中央靜電吸盤2和周邊 靜電吸盤3a、 3b的電極來形成基板吸附面4。即，在中央靜電吸盤2 中，平板狀的第一電極31和第二電極32隔著厚度為50nm以上的工 程塑料制的絕緣片(圖未示)貼附在鋁製的金屬基座33上，其中，第 一電極和第二電極由厚度為lmm、體積電阻率為1x10 —4n'cm、肖氏 硬度為70Hs的含碳矽制導電性橡膠(彈性電極)構成。同樣，在周 邊靜電吸盤3a中，由同上的導電性橡膠構成的平板狀的第一電極34 和第二電極35分別貼附在鋁製的金屬基座36上，在周邊靜電吸盤3b 中，由同上的導電性橡膠構成的第一電極37和第二電極38分別貼附 在鋁製的金屬基座39上。這些第一電極31、 34、 37和第二電極32、35、 38露出、形成吸附基板l的基板吸附面4。另外，在上述第一電 極和上述第二電極與絕緣片之間、以及在上述絕緣片與金屬基座之間 分別採用粘接劑貼附。在該變形例中，從提高吸附時與晶片的接觸率的觀點出發，優選 例如改變之前的樹脂片的材質，使用厚度為20nm的由低密度聚乙烯 構成的樹脂片5。另外，由於由各靜電吸盤的第一電極31、 34、 37和 第二電極32、 35、 38直接形成基板吸附面4，所以用比之前的例子低 的施加電壓就能夠發揮同等的吸附力，因此優選例如吸附時間的可變 範圍在1 60秒，電源16的端子間的電壓在0 4kV的範圍內。特別 是在雙極型靜電吸盤的情況下，由於在電極間施加正負的電位，所以 在該情況下與上述相當的電位差為0~±2kV。其他的裝置結構、異物 去除的步驟等與之前說明的異物去除裝置的情況相同。接下來，具體說明具有多個吸附工作檯的異物去除裝置。 圖10是表示具有形成第一基板吸附面45的第一靜電吸盤41和形 成第二基板吸附面48的第二靜電吸盤42這兩個靜電吸盤的基板的異 物去除裝置X的俯視說明圖(局部)。這些第一靜電吸盤41和第二靜 電吸盤42均由雙極型靜電吸盤構成，其中，電極隔著厚度為50nm以 上的聚乙烯制的絕緣片貼附在鋁製的金屬基座上、從而形成各個基板 吸附面，所述電極由厚度為lmm、體積電阻率為lxlO"ft'cm、肖氏 硬度為70Hs的含碳矽制導電性橡膠(彈性電極)構成。在形成各靜 電吸盤的電極與絕緣片之間、以及在絕緣片與金屬基座之間分別採用 粘接劑貼附。下面說明去除作為要處理的基板1的示例、即一般的直徑為 300mm的矽晶片1的異物的情況。在第一靜電吸盤41中，長216mmx 寬150mm的平板狀的第一電極43和同樣為長216mmx寬150mm的 平板狀的第二電極44以將矽晶片1 二等分的方式相互隔開5mm的間 隔地配置。由該第一電極43和第二電極44構成的第一基板吸附面45 沒有吸附上述矽晶片1的整個面，而是使矽晶片1的兩端部分別超出 30~40mm地設置有非吸附區域。另外，與第一電極43和第二電極44的間隔相當的間隙部分也是基板的非吸附區域。另一方面，第二靜 電吸盤42具有在後述的樹脂片5的送出方向上為310mm、在寬度方 向上為216mm的H型平板狀的第一電極46、和長70mmx寬200mm 的兩個平板狀的第二電極47，以填入該H型的第一電極46的兩個空 間部分的方式將兩個第二電極47分別與第一電極46隔開5mm的間 隔地配置。並且，在第一靜電吸盤41和第二靜電吸盤42的各自的第 一電極和第二電極之間連接電源16。向第一靜電吸盤41和第二靜電吸盤42供給厚度為20~40nm、 寬度為220 ~ 230mm的聚乙烯制的樹脂片5。該樹脂片5巻成巻筒狀 地裝設在送出輥6上，如圖中的箭頭所示，經由供給側導向輥7引導 向第一基板吸附面45和第二基板吸附面48，經由回收側導向輥ll被 巻取輥10巻取。這些送出輥6、供給側導向輥7、回收側導向輥11 和巻取輥10可以舉出例如直徑為10~50mm、長度為220mm以上、 材質為不鏽鋼等的部件。可以在樹脂片供給裝置側，在送出輥6和供 給側導向輥7之間設置清潔空氣離子發生器，使蓄積有剝離帶電等的 樹脂片5的電荷中和。還可以使用電暈放電器來代替離子發生器。如圖ll所示，在上述的基礎上，還具備具有能夠夾持基板的端 部的夾持部的機械手50、和能夠相對於基板吸附面在水平方向上調整 矽晶片1的朝向的對準器(基板旋轉裝置)51,利用這樣的異物去除 裝置X,去除附著在矽晶片l上的異物。首先，藉助機械手50將附著 有異物的矽晶片l供給到第一靜電吸盤41的第一基板吸附面45上。 接著，在第一電極43和第二電極44之間施加士1.5kV的電壓從而吸附 矽晶片1，這樣將吸附維持30秒。然後，停止向各電極施加電壓，利 用矽晶片1的作為非吸附區域的兩端部、用機械手50的夾持部進行保 持，將矽晶片l移送到對準器51。然後，在藉助對準器51將晶片l旋轉90。後，再次將該晶片l用 機械手50保持、供給到第二靜電吸盤42的第二基板吸附面48上。這 時，在第一基板吸附面45沒有被吸附的晶片1的兩端部、和第一電極 43與第二電極44之間的間隙部分都被包括在將第二靜電吸盤42的第一電極46和第二電極47投影到晶片側而得的電極投影區域中。然後， 在第二靜電吸盤42中，與第一靜電吸盤41的情況相同地吸附晶片1， 使異物轉移到樹脂片5側從而去除。在用第二靜電吸盤42進行了異物 去除後，與第一靜電吸盤41的情況相同地，利用從第二基板吸附面 48伸出的晶片1的兩端部、由機械手50進行保持，從而回收。釆用具有如上所述的第一靜電吸盤41和第二靜電吸盤42的基板 的異物去除裝置X進行晶片l的異物去除是因為例如可能在第一靜 電吸盤41沒有對晶片l施加足夠吸附力的非吸附區域中，異物向樹脂 片5側的轉移不夠充分，所以至少使該非吸附區域在第二靜電吸盤42 切實地進行吸附，由此來用多個靜電吸盤補充完善異物去除效果。另 外，還具有提高晶片處理的能力的優點。在圖10中，示出了被第一靜 電吸盤41吸附的晶片1的缺口的位置在圖面中朝上、而在旋轉90。後 在第二靜電吸盤42中缺口被調整成在圖面中朝向左的狀態。可以在機械手50的活動範圍內設置多個SMIF52來構成異物去除 系統。即，將未處理的樹脂片5鋪設在各基板吸附面上，將從一個 SMIF52取出的晶片l在第一靜電吸盤41進行異物去除，藉助機械手 50暫時將晶片l移送到對準器51。在此，將晶片1旋轉90°,再次借 助機械手50將晶片l移送到第二靜電吸盤42進行異物去除。在異物 去除完成後，藉助機械手50再次移送到對準器51,反轉90°,返回到 到初始的SMIF52。對於其他的SMIF52進行同樣的操作，由此能夠 高效地處理晶片。將對準器51也設置多個，由此能夠進一步提高生產 效率。關於各靜電吸盤中的晶片1的吸附和脫離，可以根據異物的附 著情況等，對同一晶片l反覆進行多次。對於使異物轉移了的樹脂片 5,既可以在每次晶片1的吸附/脫離時更換成新的樹脂片5，也可以反 復使用後更換。本發明的異物去除裝置，能夠在半導體晶片製造工廠、半導體元 件製造工廠、玻璃基板製造工廠、使用了液晶、等離子以及有機材料 等的薄型顯示器裝置的製造工廠等中，應用於在處理各種基板時所需 的異物去除作業。
權利要求
1.一種基板的異物去除裝置，將附著在基板上的異物去除，其特徵在於，具有形成有吸附基板的基板吸附面的靜電吸盤、向基板吸附面供給樹脂片的樹脂片供給裝置、回收供給出的樹脂片的樹脂片回收裝置和進行基板的輸送的基板輸送裝置，其中，將藉助基板輸送裝置供給到靜電吸盤的基板隔著樹脂片吸附在基板吸附面上，將該基板的附著在基板吸附面側的異物轉移到樹脂片從而去除。
2. 如權利要求1所述的基板的異物去除裝置，其中靜電吸盤被 至少分成吸附基板的中央部的中央靜電吸盤和吸附基板的周邊部的周 邊靜電吸盤；該基板的異物去除裝置具備能夠使中央靜電吸盤在基板 吸附面的垂直方向上相對於周邊靜電吸盤突出、與此同時在基板的端 部和樹脂片之間形成間隙的高度方向調整裝置；基板輸送裝置由具有 基板保持部的機械手構成，該基板保持部能夠利用形成於基板和樹脂 片之間的間隙來保持基板。
3. 如權利要求2所述的基板的異物去除裝置，其中，高度方向調 整裝置包括周邊吸盤升降機構，其能夠使周邊靜電吸盤從基板吸附 面向垂直方向下方側下降；和樹脂片高度調整機構，其能夠將與周邊 靜電吸盤對應的至少一部分的樹脂片的高度位置調整成位於基板吸附 面的下方側。
4. 如權利要求2所述的基板的異物去除裝置，其中，還具有基板 抬起裝置，該基板抬起裝置能夠插入由高度方向調整裝置形成的在基 板和樹脂片之間的間隙、將基板抬起。
5. 如權利要求2所述的基板的異物去除裝置，其中，樹脂片供給 裝置具有裝設有巻成巻筒狀的樹脂片的送出輥、和將從送出輥送出的 樹脂片引導向基板吸附面側的供給側導向輥；樹脂片回收裝置具有巻 取樹脂片的巻取輥、和將從基板吸附面送來的樹脂片引導向巻取輥側 的回收側導向輥。
6. 如權利要求2所述的基板的異物去除裝置，其中，樹脂片由選自聚乙烯醇、低密度聚乙烯、聚乙烯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、聚 丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙酸纖維素、聚碳酸酯、尼龍、聚醯 亞胺、芳族聚醯胺及聚碳化二亞胺的組的一種或兩種以上的材質形成，厚度在5 ~ 100nm的範圍內。
7. 如權利要求2所述的基板的異物去除裝置，其中，基板吸附面 是由形成靜電吸盤的電極形成的。
8. 如權利要求2所述的基板的異物去除裝置，其中，基板吸附面 由形成靜電吸盤的電極形成；該電極由肖氏硬度為20~90Hs、體積電 阻率為100~ lxlO_5Q'cm的彈性電極構成，厚度在0.05 ~3mm的範 圍內。
9. 如權利要求1所述的基板的異物去除裝置，其中至少具有形 成第一基板吸附面的第一靜電吸盤和形成第二基板吸附面的第二靜電 吸盤這兩個靜電吸盤；並且具有能夠相對於基板吸附面在水平方向上 調整基板的朝向的基板旋轉裝置；將在第一靜電吸盤去除了異物後的 基板藉助基板旋轉裝置調整朝向，然後供給到第二靜電吸盤進一步進 行異物的去除。
10. 如權利要求9所述的基板的異物去除裝置，其中藉助基板 旋轉裝置調整基板的朝向，使得形成第 一靜電吸盤的電極投影到吸附 在第一基板吸附面的基板側時不與該基板重合的基板的非吸附區域、 全都包括在形成第二靜電吸盤的電極投影到基板側而得的電極投影區 域中，然後用第二靜電吸盤進行異物的去除。
11. 如權利要求9所述的基板的異物去除裝置，其中第一靜電 吸盤和第二靜電吸盤由雙極型靜電吸盤構成，這種雙極型靜電吸盤具 有被施加相互存在電位差的電壓的兩個電極；藉助基板旋轉裝置調整 基板的朝向，使得與形成第一靜電吸盤的兩個電極的間隔對應的基板 的非吸附區域包括在形成第二靜電吸盤的兩個電極投影到基板側而得 到的電極投影區域中，然後用第二靜電吸盤進行異物的去除。
12. 如權利要求9所述的基板的異物去除裝置，其中形成第一 靜電吸盤的電極投影在吸附於第 一基板吸附面的基板側時不與該基板重合的基板的非吸附區域、和形成第二靜電吸盤的電極投影在吸附於 第二基板吸附面的基板側時不與該基板重合的基板的非吸附區域，都包括基板的端部；基板輸送裝置由具有基板保持部的機械手構成，該 基板保持部能夠利用該基板的端部來保持基板。
13. 如權利要求9所述的基板的異物去除裝置，其中樹脂片由 選自聚乙烯醇、低密度聚乙烯、聚乙烯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯、 聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、乙酸纖維素、聚碳酸酯、尼龍、聚 醯亞胺、芳族聚醯胺及聚碳化二亞胺的組的一種或兩種以上的材質形 成，厚度在5 100nm的範圍內。
14. 如權利要求9所述的基板的異物去除裝置，其中樹脂片供 給裝置具有裝設有巻成巻筒狀的樹脂片的送出輥、和將從送出輥送出 的樹脂片引導向第 一基板吸附面側的供給側導向輥；樹脂片回收裝置 具有巻取樹脂片的巻取輥、和將從第二基板吸附面送來的樹脂片引導 向巻取輥側的回收側導向輥。
15. 如權利要求9所述的基板的異物去除裝置，其中，第一基板 吸附面和第二基板吸附面由形成各個靜電吸盤的電極形成。
16. 如權利要求9所述的基板的異物去除裝置，其中第一基板 吸附面和第二基板吸附面由形成各個靜電吸盤的電極形成；該電極由 肖氏硬度為20~90Hs、體積電阻率為100 ~ 1x10 —5ft.cm的彈性電極 構成，厚度在0.05 3mm的範圍內。
17. —種基板的異物去除方法，將附著在基板上的異物去除，其 特徵在於，向形成有吸附基板的基板吸附面的靜電吸盤供給基板，隔 著樹脂片使基板吸附在基板吸附面上，將附著在該基板的基板吸附面 側的異物轉移到樹脂片從而去除。
全文摘要
提供切實地去除附著在基板上的異物並排除再次附著的可能性、且也能夠應用於大型基板的基板的異物去除裝置、以及異物去除方法。該異物去除裝置具備形成使基板(1)吸附的基板吸附面(4)的靜電吸盤(2、3)、向基板吸附面(4)供給樹脂片(5)的樹脂片供給裝置(9)、回收供給出的樹脂片(5)的樹脂片回收裝置(13)和進行基板(1)的輸送的基板輸送裝置，其中，將藉助基板輸送裝置供給到靜電吸盤(2、3)上的基板(1)隔著樹脂片(5)吸附在基板吸附面(4)上，使附著在該基板(1)的基板吸附面(4)側的異物(22)轉移到樹脂片(5)上從而去除。
文檔編號H01L21/683GK101223637SQ20068002539
公開日2008年7月16日 申請日期2006年7月11日 優先權日2005年7月12日
發明者原野理一郎, 宮下欣也, 藤澤博, 辰己良昭 申請人:創意科技股份有限公司