晶片的製造方法和粘接帶的製作方法
2023-11-04 07:28:42 1
專利名稱：晶片的製造方法和粘接帶的製作方法
技術領域：
本發明涉及在適用於IC卡和智慧卡等膜化磨削加工中，晶片的膜化磨削和膜化的晶片運送等晶片製造方法和其中使用的粘接帶。
背景技術：
作為半導體晶片，通常熟知矽和鎵-砷等化合物半導體，其中多數使用矽。該矽晶片可由通過單晶拉伸法得到的高純度矽錠切割為約500～1000μm的厚度來製造。通過各種方法加工這樣製造的矽晶片，並在晶片上形成多種集成電路圖案。然後，當形成該電路圖案的晶片採用各種裝置或者採用各種安裝方式進行包裝密封時，首先，為了變薄成規定的厚度，使用稱作背砂研磨機的裝置，磨削加工晶片裡表面而進行膜化。另外，根據需要，有時也進行以化學腐蝕、CMP(化學·機械·研磨)等為代表的應力釋放處理，以除去磨削加工時破碎層等磨削形變。
這時，在電路圖案表面上貼合保護用粘接帶，目的是防止來自磨削加工和應力釋放處理中的磨削粉塵以及防止化學汙染和磨削加工時的衝擊造成的晶片自身的破損。晶片裡表面的磨削加工結束後，在紫外線固化型粘接帶的情況下，對該表面貼合的保護用粘接帶預先進行紫外線照射後，剝離除此以外的保護用粘接帶而不需要特別的後處理，存放在晶片盒中後，運送到切塊工序。
可是，在這些現有的晶片裡表面磨削加工方式中，裡表面磨削後晶片厚度達到300μm以上時，由該晶片的磨削加工，產生晶片本身難以產生的彎度或者撓度。因此，磨削加工後的晶片與不進行磨削加工的晶片同樣是平坦形狀的晶片，所以，可將磨削加工後的晶片以原有的形狀在運送到下一個工序的同時存放在晶片盒中。
另一方面，近年來，隨著對移動儀器的安裝使用擴大，以組合型CSP(晶片·尺寸·包裝)為代表的三維高密度安裝型組件正快速地普及起來。據此，隨著晶片面積和組件投影面積的同一化和組件厚度的膜化，安裝的晶片本身必須膜化，即必須將半導體晶片本身的厚度極端減薄為25～100μm。但是，這樣膜化的晶片在原樣地磨削加工後，難以保持磨削加工前的平坦形狀。即，磨削加工後產生顯著的彎度·撓度，晶片的頂端易彎曲變形為所謂炸馬鈴薯薄片形狀。因此，使用背砂研磨機的晶片裡表面磨削加工結束後，在吸附固定晶片的載置臺上進行拆卸時，晶片本身容易變形為炸馬鈴薯薄片那樣的形狀。因此，由於這樣的變形，容易在用於向下一個工序運送晶片的吸附支架上產生真空吸附誤差，另外，在向晶片盒存放時，由於晶片彎曲，產生本身不能進行存放等問題。
作為解決這些問題的方法，例如，現已提出了預先在切塊工序中使用的框架等比晶片直徑還大的環狀框架，並在全部表面上貼合表面保護帶，在該帶的中央部分貼合固定晶片的方法(特開平6-302569號公報)。根據該方法，將膜化磨削加工結束後的晶片形狀通過環狀框架保持為平坦形狀，並將晶片連環狀框架一起運送。
另外，特開2001-93864公報等公開了的方法是，預先使晶片介於石英玻璃或藍寶石玻璃等硬質且平坦的襯底和兩面帶或蠟等粘合劑之間，或者通過由在襯底上設置的孔等吸引而使晶片和襯底貼合或者粘合，連該襯底一起進行晶片裡表面磨削加工，保持膜化的晶片形狀平坦，能夠以在襯底上粘合的狀態向下一個工序或在盒等中存放。
但是，這樣的膜化的晶片形狀的保持、運送方法在使用環狀框架時，隨著晶片直徑的加大，在環狀框架的大小適應於晶片直徑的同時，需要增大背砂研磨機自身的吸附固定載置臺。因此，必須重新開發與通用裝置極為不同的特別裝置，另外，也需要連環狀框架一起存放的特別的盒或者存放方法。
另外，在貼合硬質襯底的晶片形狀的保持、運送方法中，在晶片和硬質襯底的界面上不捲入氣泡等進行粘合是困難的。另外，晶片的膜化磨削加工結束後，在現有裝置中從襯底剝離晶片是困難的，而且剝離時容易引起晶片發生破損等新問題。
發明概要本發明的目的在於提供維持這些膜化的晶片形狀保持和運送方面的性能，同時確保成為問題的晶片貼合以及從晶片剝離等與現有裝置的適應性的晶片膜化磨削和膜化晶片運送方法。
另外本發明的目的在於提供適合於上述方法中使用的膜化磨削加工時的晶片粘接帶。
本發明的上述及其它目的、特徵和優點通過與附加的附圖一起考慮，由下述的記載會變得更加清楚。
附圖的簡單說明
圖1是本發明的晶片粘接帶的晶片形狀保持層的DSC圖之一例。
圖2是表示本發明的晶片粘接帶的剖面圖之一例。
發明詳述本發明人為了克服這種現有的半導體晶片膜化磨削和膜化晶片運送方法中的問題，進行了各種深入研究，結果發現，在晶片磨削前，預先在電路圖案表面上貼合具有晶片形狀保持層的粘接帶，晶片的裡表面磨削加工結束後，從吸附固定磨削裝置的晶片卡盤工作檯取出晶片前，使該粘接帶的晶片形狀保持層由柔軟的狀態，固化為可以保持膜化的晶片形狀的硬度，通過將該晶片連該粘接帶一起從該卡盤工作檯上拆卸並進行運送，可以原樣地保持平坦形狀的晶片，而且可以防止由於運送時造成的晶片的破損，同時可以存放在原有的晶片盒中，基於該發現，完成本發明。
即，本發明提供(1)一種晶片製造方法，其特徵在於，具有(a)在磨削前，預先在晶片表面上貼合粘接帶的工序，和(b)在晶片的磨削加工結束後，使該粘接帶的晶片形狀保持層固化為能夠以平坦形狀原樣地保持晶片形狀的硬度的工序。
(2)按照(1)項記載的晶片製造方法，其特徵在於，上述粘接帶作為構成膜狀支撐體的其中至少一層，或者在膜狀支撐體和在該膜狀支撐體上塗敷的粘合劑層的中間，具有能夠將膜化的晶片形狀保持為平坦形狀的晶片形狀保持層。
(3)按照(1)或者(2)項記載的晶片製造方法，其特徵在於，上述晶片形狀保持層可通過氛圍氣體溫度可逆地進行軟化-固化變化。
(4)按照(1)～(3)項中任一項記載的晶片製造方法，其特徵在於，在使上述的晶片形狀保持層固化的工序中，晶片磨削結束後，由磨削時發熱產生的加熱狀態將該粘接帶冷卻到晶片形狀保持層可以平坦地保持晶片形狀的溫度。
(5)按照(3)項記載的晶片製造方法，其特徵在於，構成上述粘接帶的晶片形狀保持層由至少一層以上的樹脂層構成，其中含有在熔融開始溫度Ti下進行軟化-固化變化的側鏈晶性聚合物。
(6)按照(1)～(5)項中任一項記載的晶片製造方法，其中，具有在原樣地貼合上述粘接帶的狀態下進行運送的工序。
(7)一種晶片製造方法，其特徵在於，具有在晶片的磨削前，預先在該晶片表面上一邊加熱至構成粘接帶的晶片形狀保持層的樹脂的玻璃化溫度以上一邊使上述晶片形狀保持層軟化而貼合粘接帶的工序；和在晶片磨削後，通過從磨削時發熱產生的加熱狀態將該粘接帶冷卻到晶片形狀保持層構成樹脂的玻璃化溫度以下而使其固化的工序。
(8)按照(7)項記載的晶片製造方法，其特徵在於，上述晶片形狀保持層作為構成膜狀支撐體的其中至少一層，或者在膜狀支撐體和在該膜狀支撐體上塗敷的粘合劑層的中間，由至少一層以上的樹脂層構成，使用具有構成粘接帶的膜狀支撐體的玻璃化溫度以下的玻璃轉化溫度的樹脂，通過冷卻到該樹脂的玻璃化溫度以下進行固化，從而可逆地變化為能夠將膜化的晶片形狀保持為平坦形狀的狀態。
(9)一種晶片膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，作為構成膜狀支撐體的其中至少一層，或者在膜狀支撐體和在該膜狀支撐體上塗敷的粘合劑層的中間，具有能夠將膜化的晶片形狀保持為平坦形狀的晶片形狀保持層。
(10)按照(9)項記載的晶片膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，上述的晶片形狀保持層可通過氛圍氣體溫度可逆地進行軟化-固化變化。
(11)按照(10)項記載的晶片膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，上述晶片形狀保持層通過冷卻進行固化。
(12)按照(10)～(11)項中任一項記載的膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，上述晶片形狀保持層由至少一層以上的樹脂層構成，該樹脂層含有側鏈晶性聚合物，通過將該聚合物冷卻到第一次熔融轉化溫度Tm以下進行固化。
(13)按照(10)～(11)項中任一項記載的膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，上述晶片形狀保持層由至少一層以上的樹脂層構成，該樹脂層含有構成粘接帶的膜狀支撐體的玻璃化溫度以下的玻璃化溫度的樹脂，通過冷卻到該樹脂的玻璃化溫度以下進行固化。
在本說明書中，就側鏈晶性聚合物而言，所謂熔融開始溫度Ti是指由樹脂軟化狀態實際上變化為固化狀態結束的溫度，換句話說，是加熱前有序排列的穩定的樹脂的特定部分通過加熱到開始變為無序狀態的溫度。用圖1進行說明。如果按照通常的條件，在升溫速度10℃/分鐘、空氣氛圍氣體下進行本發明的粘接帶的晶片形狀保持層的DSC(差示掃描量熱法)測定，則得到如圖1中所示的熔化-溫度曲線。本發明的粘接帶中的晶片形狀保持層隨著溫度的上升，顯示出大的吸熱峰。觀察吸熱峰的前後，熔化-溫度曲線幾乎是平坦的，把吸熱前熔化-溫度曲線為平坦部分的點A和吸熱後熔化-溫度曲線為平坦部分的點B用直線連接。把該直線作為基線。如果從點A再提高溫度，則熱量-溫度曲線的斜率變為最大。在該點C引出切線，該切線與上述基線的交點是熔融開始溫度Ti。如果越過點C，再使溫度上升，則吸熱曲線到達頂峰。該點是初期熔融轉化溫度Tm。在本發明中，所謂初始熔融轉化溫度Tm是指把加熱前有序排列的穩定的聚合物的特定部分通過加熱產生無序狀態的溫度。如果溫度再上升，則到達熔化結束點B。這時的溫度是熔化結束溫度Te。
在本說明書中，所謂「保持膜化的晶片形狀平坦」是指在用吸附支架運送和向晶片盒存放的情況下，磨削加工後的晶片實際上沒有彎度等變形和撓度地保持粘接帶。
另外，在本說明書中所謂「軟化-固化變化」，是指不具有儘可能保持膜化的晶片形狀平坦的硬度，即從柔性的某種狀態固化變化為僅僅足以能夠保持該晶片形狀的硬度。
即，本發明的方法是把具有可逆地引起固化和軟化的，可以保持膜化的晶片形狀平坦的硬度的晶片形狀保持層的粘接帶，以晶片形狀保持層的柔軟狀態預先貼合在進行磨削加工前的晶片上，膜化磨削加工結束後，在背砂研磨機的晶片吸附固定載置臺上以平坦狀態原樣地固定晶片，通過使粘接帶的晶片形狀保持層固化，從而可以將晶片連粘接帶一起以平坦的狀態保持、運送和向盒內等存放的方法。另外，本發明的方法是，為了使粘接帶的晶片形狀保持層的硬度進行可逆地變化，粘接帶從膜化的晶片上剝離時，在原有的粘接帶剝離裝置中，在吸附晶片的狀態下，在粘接帶彎曲180度方向的狀態下進行剝離，從而可以容易地製造膜化的晶片的方法。
本發明的晶片製造方法中可以使用的粘接帶，其特徵在於，作為構成膜狀支撐體的其中至少一層，或者在膜狀支撐體和在該膜狀支撐體上塗敷的粘合劑層的中間，通過賦予加熱或者冷卻的溫度差，硬度可逆地進行變化，即，具有從柔軟的狀態固化為可以保持膜化的晶片形狀平坦的硬度的性質，並由具有晶片形狀保持層形成。
在本發明說明書中，所謂「可以保持晶片形狀平坦的溫度」是指構成晶片形狀保持層的樹脂由軟化的狀態實際上變化為固化狀態結束的溫度。在該溫度以下可以維持固化狀態。該溫度只要是構成晶片形狀保持層的樹脂的第一次熔融轉化溫度或者玻璃化溫度以下的溫度即可，可以任意設定。「可以保持晶片形狀平坦的溫度」優選選自10～30℃的範圍，但設定在與進行磨削加工場所的室溫同樣是優選的。
對於該粘接帶，圖2表示為剖面圖的一個例子，1是膜狀支撐體，2是上述的晶片形狀保持層，3是粘合晶片的粘接劑層。
本發明中粘接帶的晶片形狀保持層具有的性質是通過冷卻固化(硬質化)，可以得到保持膜化的晶片形狀平坦的硬度。該晶片形狀保持層是由通過氛圍氣體溫度而可逆地引起軟化-固化的變化的材料組成。軟化點根據用途、使用方法等而稍微不同，但是優選選自30～100℃的範圍，更優選選自40～60℃的範圍，但是重要的不僅在規定的溫度範圍內可以引起軟化-固化，而且可以選擇與該溫度範圍不同的溫度。
本發明的粘接帶的形狀保持層由於具有可逆地進行軟化-固化變化的性質，所以，在通過背砂研磨機磨削加工晶片的裡表面時，隨著加工溫度的上升，構成晶片形狀保持層的樹脂本身，由於過熱而軟化並可以得到適度的緩衝性，從而呈現了防止晶片破損的效果。而且，之後在粘接帶從晶片上剝離時，通過使其軟化、賦予粘接帶本身柔軟性，從而可採用原有的粘接帶剝離裝置，使該帶彎曲至180度方向的剝離方法。
該粘接帶的晶片形狀保持層，優選含有可在熔融開始溫度Ti下進行軟化-固化變化的側鏈晶性的聚合物。該聚合物通過加熱至比熔融開始溫度Ti高的溫度進行軟化，在比該溫度低的溫度下進行固化。
側鏈晶性的聚合物，優選以丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯為主要成分的聚合物，作為側鏈優選的是碳原子數10以上的直鏈烷基，更優選的是碳原子數10以上24以下的直鏈烷基。作為上述丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯，具體地可以舉出(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸-2-氰基乙酯、丙烯腈等，但是並不限於這些。
另外，作為粘接帶的晶片形狀保持層，也優選使用在玻璃化溫度範圍內進行軟化-固化變化的熱塑性樹脂。該樹脂通過加熱至比玻璃化溫度高的溫度而軟化，通過冷卻至該溫度以下而固化。作為這樣的熱塑性樹脂，可以舉出苯乙烯-丁二烯共聚物。但是，在晶片形狀保持層中使用的熱塑性樹脂的玻璃化溫度，在構成粘接帶的膜狀支撐體的玻璃化溫度以下。這樣的熱塑性樹脂通過至少冷卻到玻璃化溫度而固化，達到儘可能保持膜化的晶片形狀平坦的硬度。
對於構成粘接帶的晶片形狀保持層的樹脂，並不限於上述的樹脂，只要是通過氛圍氣體溫度在規定的溫度範圍內進行軟化-固化變化的即可，而不管哪種樹脂都可以。
另外，作為粘接帶的晶片形狀保持層也可以混合使用紫外線固化型樹脂等通過化學反應進行硬化的樹脂，但這時晶片形狀保持層至少由兩種樹脂構成，優選的是，由各自通過放射線照射進行固化的放射線固化型樹脂和具有通過冷卻至規定的溫度進行結晶的性質的側鏈晶性的聚合物，和/或通過加熱至比玻璃化溫度高的溫度進行軟化的熱塑性樹脂組成。作為這樣的放射線固化型樹脂，例如可以廣泛使用通過光照射可以三維網狀化的在分子內至少具有兩個以上的光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物，具體的，可以廣泛適用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯、三丙烯酸季戊四醇酯、四丙烯酸季戊四醇酯、五丙烯酸二季戊四醇一羥基酯、六丙烯酸二季戊四醇酯、二丙烯酸1，4-丁二醇酯、二丙烯酸1，6-己二醇酯、聚二丙烯酸乙二醇酯和丙烯酸低聚酯等。
另外，除了上述的丙烯酸酯類化合物外，還可以使用尿烷丙烯酸酯類低聚物。尿烷丙烯酸酯類低聚物，可以舉出，聚酯型或者聚醚型等多元醇化合物和，多價異氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯基二異氰酸酯、2，6-甲苯基二異氰酸酯、1，3-二甲苯基二異氰酸酯、1，4-二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷4，4-二異氰酸酯等)反應得到的末端異氰酸酯尿烷預聚物，與具有羥基的丙烯酸酯或者甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、聚丙烯酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸乙二醇酯等)反應得到的產物等。
晶片形狀保持層的厚度，只要是固化時在其層厚中可以保持晶片形狀的厚度即可而沒有特別地限制，如果滿足這一點，則越薄越好。優選10～200μm，更優選30～100μm。
在本發明方法使用的粘接帶中，膜狀支撐體通常優選使用塑料、橡膠等。膜狀支撐體，在晶片形狀保持層或者粘合劑中使用放射線固化型的樹脂或者粘合劑時，在通過紫外線照射使放射線透過性物質固化時，選擇光透過性良好的。作為這樣的膜狀支撐體，可以舉出，例如聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙稀共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或者共聚物或者它們的混合物、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等工程塑料、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯-或者戊烯類共聚物等熱塑性彈性體等，可以根據膜狀支撐體的要求特性任意選擇。
這些膜狀支撐體可以使用現有已知的擠壓法製造，但是在通過層壓各種樹脂得到膜狀支撐體的情況下，可以使用共擠出法、層壓法等製造，這時在通常的層壓膜的製法中像平常那樣進行，還可以在樹脂和樹脂之間設置粘接層。這樣的膜狀支撐體的厚度，從強度·伸度特性、放射線透過性的觀點考慮，通常30～300μm是合適的。
作為在膜狀支撐體上設置的粘合劑，在從膜化磨削加工結束後的晶片上剝離粘接帶時，只要不產生由於該晶片破損和晶片表面的粘合劑殘留而產生的汙染等不良狀態即可而未作特別地限制，但通過放射線，或通過紫外線固化，粘合劑呈現三維網狀化，粘合力降低，同時在剝離後的晶片表面上難以產生粘合劑等殘留物的紫外線固化型的粘合劑是優選的。作為這樣的紫外線固化型粘合劑，只要顯示出希望的紫外線固化性即可而未作特別地限制，但是，可以舉出，例如，相對於100重量份的由丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸正丁酯的共聚物組成的丙烯酸類粘合劑，含有5～200重量份具有紫外線固化性的碳-碳雙鍵的(甲基)丙烯酸酯化合物，並混合光引發劑和光敏劑、其它現有已知的粘合賦予劑、軟化劑、抗氧劑等形成的組成。
在該膜狀支撐體上設置的放射線固化性粘合劑層的厚度，為了使得與圖案表面的粘合性變得良好，通常10～200μm是優選的。
對於由本發明的製造方法進行加工的晶片，沒有特別地限制，可以使用任意的晶片。其中，特別是半導體晶片，作為半導體晶片，例如，已知矽和鎵-砷等化合物半導體。另外，在本說明書中，所謂晶片既包括通過加工在其上形成集成電路圖案的晶片，也包括不採用這樣的加工的晶片。在磨削形成電路圖案的晶片時，通過將本發明的粘接帶與作為保護粘接帶的電路圖案表面貼合，可以防止磨削加工和應力釋放處理中的磨削粉塵或者化學物質汙染，另外，可以防止由於磨削加工時的衝擊產生的晶片本身的破損。
採用本發明的晶片製造方法磨削的晶片適用於IC卡和智慧卡等。該半導體用晶片的膜化磨削加工，例如由下面的工序組成。
(a)在晶片的裡表面磨削前，預先在電路圖案表面上一邊加熱一邊粘合粘接帶，沿著晶片形狀順著切開該粘接帶的工序(b)通過裡表面磨削晶片進行膜化的工序(c)在晶片的裡表面磨削結束後，從磨削裝置的卡盤工作檯取出晶片前，把構成該粘接帶的晶片形狀保持層的至少一層的樹脂層，從磨削時發熱的加熱狀態開始冷卻該粘接帶，將該晶片形狀保持層固化為可以保持晶片形狀平坦的硬度的工序(d)以貼合該粘接帶的原樣狀態進行運送的工序本發明中，在上述的工序(a)中，在晶片的裡表面磨削前，預先在電路圖案表面上粘合表面保護帶時，優選一邊加熱到構成晶片形狀保持層的樹脂的第一次熔融轉化溫度或者玻璃化溫度以上，一邊粘合粘接帶。另外，作為這些形狀保持層，在混合使用紫外線固化型樹脂等通過化學反應進行硬質化的樹脂時，作為進行上述工序(a)和(b)的中間工序，即採用預先規定的方法對該紫外線固化樹脂等照射紫外線，進行硬化的工序是優選的。
本發明的晶片製造方法在用於IC卡和智慧卡等的顯著膜化的晶片的磨削和運送中其效果特別明顯，通過保持膜化的晶片為平坦形狀，可以有效地防止引起粘合的粘接帶剝離等問題和存放的不便。而且，根據該方法，可以原樣地使用原有的生產線、裝置來進行膜化晶片的製造。
另外，本發明的晶片粘接帶具有晶片形狀保持層，可以通過加熱條件的不同，引起晶片粘接帶的軟化-硬化變化，採用上述的膜化晶片的製造方法是合適的。
下面基於實施例更加詳細地說明本發明，但是本發明並不限於這些實施例。
而且，作為晶片形狀保持層，除了使用在約50℃具有第一次熔融轉化溫度的側鏈晶性的聚合物，即以碳原子數10以上的直鏈烷基作為側鏈的甲基丙烯酸酯作為主要成分的聚合物以外，與上述進行相同的試驗的結果是，可得到相同的結果。
實施例2作為膜狀支撐體，在厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜上，塗敷厚度30μm的在約50℃下具有由第一次熔融轉化溫度的側鏈晶性的聚合物組成的與實施例1相同的丙烯酸酯作為主要成分的聚合物組成的樹脂層作為晶片形狀保持層和，厚度30μm的紫外線固化型樹脂層(在100重量份的由丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸正丁酯共聚物組成的丙烯酸類粘合劑中，混合了80重量份的六丙烯酸二季戊四醇酯和1重量份作為光引發劑的α-羥基-環己基苯基酮而得到的產物)和作為粘合劑層的由厚度30μm的丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸正丁酯的共聚物組成的丙烯酸類粘合劑，製成粘接帶。與實施例1同樣在半導體晶片表面上貼合該粘接帶後，從粘接帶表面照射100mJ/cm2的紫外線。另外，除了在剝離粘接帶時不進行紫外線照射外，與實施例1同樣試驗膜磨削加工處理後的晶片運送性和剝離性。其結果示於下述表1中。
實施例3作為膜狀支撐體，在厚度100μm的等規聚丙烯上，塗敷作為晶片形狀保持層的厚度100μm的玻璃化溫度為60℃的苯乙烯-丁二烯共聚物組成的樹脂層和、作為粘合劑層的厚度30μm的丙烯酸2-乙基己酯和丙烯酸正丁酯的共聚物組成的丙烯酸類粘合劑，製成粘接帶。該粘接帶與實施例2同樣，試驗膜磨削加工處理後的晶片運送性和剝離性。其結果示於下述表1中。
比較例1除了不設置實施例1中的晶片形狀保持層以外，製成與實施例1同樣的粘接帶，試驗膜磨削加工處理後的晶片運送性和剝離性。其結果示於下述表1中。
比較例2
除了不設置實施例2中的晶片形狀保持層以外，製成與實施例2同樣的粘接帶，試驗膜磨削加工處理後的晶片運送性和剝離性。其結果示於下述表1中。
比較例3除了不設置實施例3中的晶片形狀保持層的苯乙烯-丁二烯共聚物的玻璃化溫度為120℃以外，製成與實施例3同樣的粘接帶，試驗膜磨削加工處理後的晶片運送性和剝離性。其結果示於下述表1中。
還有，下面各試驗的評價標準如下所示。
(1)原有貼合裝置適合性○沒有捲入氣泡，可以在晶片上貼合×有氣泡捲入(2)50μm膜磨削性○沒有發生晶片的破損和細微裂縫×發生了晶片的破損或者細微裂縫(3)BG裝置內運送性○在真空吸附支架上可以吸附並運送×在真空吸附支架上產生吸附誤差(4)晶片盒保存性○可以良好地保存，而且不與上下段的晶片接觸×不能良好地保存或者保存後由於晶片的彎曲，與上下段的晶片接觸(5)原有剝離裝置適合性○可以沒有損壞地剝離晶片×不能從晶片上剝離或者剝離後的晶片上有損壞表1
※-在前面的工序中由於發生意外情況而未進行評價由上述表1的比較例1和2的結果顯而易見的是，在使用不具有晶片形狀保持層的粘接帶時，在晶片運送中從運送用的真空吸附支架上發生脫落，不能進行之後的工序。另外，在比較例3中由於晶片形狀保持層是玻璃化120℃的苯乙烯-丁二烯共聚物，所以，由於晶片形狀保持層柔軟化時的加熱溫度，該粘接帶的膜狀支撐體本身熔融並吸附在貼合壓板上，所以在晶片和粘接帶界面上產生捲入氣泡的問題，從而不能使用原有的貼合裝置，也不能在膜磨削和粘合時由於氣泡捲入產生的細微裂縫的狀態下使用。
針對於此，在根據本發明方法的實施例1-3中，原有粘合裝置適合性、50μm膜磨削性、BG裝置內運送性、晶片盒保存性、原有剝離裝置適合性中任一項都是良好的，進而可以有效地實現膜化晶片的製造。
與其實施方式一起對本發明進行說明，但是我們認為並沒有特別限定，在說明我們的發明的細節中也沒有構成限定，可以認為在不違反附加的權利要求的範圍中所示的發明的精神和範圍的情況下進行適當廣泛的解釋。
權利要求
1.一種晶片製造方法，其特徵在於，具有(a)在磨削前，預先在晶片表面上貼合粘接帶的工序，和(b)在晶片的磨削加工結束後，使該粘接帶的晶片形狀保持層固化為能夠以平坦形狀原樣地保持晶片形狀的硬度的工序。
2.按照權利要求1記載的晶片製造方法，其特徵在於，上述粘接帶作為構成膜狀支撐體的其中至少一層，或者在膜狀支撐體和在該膜狀支撐體上塗敷的粘合劑層的中間，具有能夠保持膜化的晶片形狀為平坦形狀的晶片形狀保持層。
3.按照權利要求1記載的晶片製造方法，其特徵在於，上述晶片形狀保持層可通過氛圍氣體溫度可逆地進行軟化-固化變化。
4.按照權利要求1記載的晶片製造方法，其特徵在於，在使上述晶片形狀保持層固化的工序中，晶片磨削結束後，由磨削時發熱產生的加熱狀態將該粘接帶冷卻到晶片形狀保持層可以保持晶片形狀平坦的溫度。
5.按照權利要求3記載的晶片製造方法，其特徵在於，構成上述粘接帶的晶片形狀保持層由至少一層以上的樹脂層構成，其中含有在熔融開始溫度Ti下進行軟化-固化變化的側鏈晶性聚合物。
6.按照權利要求1～5中任一項記載的晶片製造方法，其中，具有在原樣地粘合上述粘接帶的狀態下進行運送的工序。
7.按照權利要求1記載的晶片製造方法，其特徵在於，具有在晶片的磨削前，預先在該晶片表面上通過一邊加熱至構成粘接帶的晶片形狀保持層的樹脂的玻璃化溫度以上一邊使上述晶片形狀保持層軟化而貼合粘接帶的工序；和在晶片磨削後，通過從磨削時發熱產生的加熱狀態冷卻到晶片形狀保持層構成樹脂的玻璃化溫度以下而使該粘接帶固化的工序。
8.按照權利要求7記載的晶片製造方法，其特徵在於，上述晶片形狀保持層作為構成膜狀支撐體的其中至少一層，或者在膜狀支撐體和在該膜狀支撐體上塗敷的粘合劑層的中間，由至少一層以上的樹脂層構成，使用的是具有構成粘接帶的膜狀支撐體的玻璃化溫度以下的玻璃轉化溫度的樹脂，通過冷卻至該樹脂的玻璃化溫度以下進行固化，從而可逆地變化為能夠將膜化的晶片形狀保持為平坦形狀的狀態。
9.一種晶片膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，作為構成膜狀支撐體的其中至少一層，或者在膜狀支撐體和在該膜狀支撐體上塗敷的粘合劑層的中間，具有能夠保持膜化的晶片形狀為平坦形狀的晶片形狀保持層。
10.按照權利要求9記載的晶片膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，上述的晶片形狀保持層通過氛圍氣體溫度可逆地進行軟化-固化變化。
11.按照權利要求10記載的晶片膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，上述晶片形狀保持層通過冷卻進行固化。
12.按照權利要求10～11中任一項記載的晶片膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，上述晶片形狀保持層由至少一層以上的樹脂層構成，其中含有側鏈晶性聚合物，通過將該聚合物冷卻到第一次熔融轉化溫度Tm以下進行固化。
13.按照權利要求10～11中任一項記載的晶片膜化磨削加工時的粘接帶，其特徵在於，上述晶片形狀保持層由至少一層以上的樹脂層構成，其中含有具有構成粘接帶的膜狀支撐體的玻璃化溫度以下的玻璃化溫度的樹脂，通過冷卻到該樹脂的玻璃化溫度以下進行固化。
全文摘要
一種晶片的製造方法以及其中使用的粘接帶，該法具有(a)在磨削前，預先在晶片表面粘合粘接帶的工序；和(b)晶片的磨削加工結束後，使該粘接帶的晶片形狀保持層固化為能夠以平坦形狀原樣地保持晶片形狀的硬度的工序。
文檔編號H01L21/304GK1472773SQ03145428
公開日2004年2月4日 申請日期2003年6月12日 優先權日2002年6月12日
發明者石渡伸一 申請人:古河電氣工業株式會社