基底傳送盒的製作方法
2023-12-04 16:58:11
專利名稱：基底傳送盒的製作方法
技術領域：
本發明涉及基底傳送盒的結構，尤其涉及在半導體晶片製造環境中存放或傳送物
件，如半導體晶片。
背景技術：
在半導體晶片製造環境中，為了保護晶片免於受到來自環境中微粒 汙染物(particulate contaminants)的汙染，晶片會暫時性地存放在密封容 器(hermetically-sealed containers)中傳送。晶片的密封容器稱之為前開式 晶盒(front-opening unified pod， FOUP)或傳送盒，且具有國際標準化的規格 (specifications)。 —般，空氣純化裝置(air-purifying device)會自FOUP內部空氣中，移除溼氣及 化學氣體，以進一步保護晶片免於受到可能進入FOUP的微粒汙染物及化學汙染物的汙染。 然而，國際標準化的FOUP的密封效果對於溼氣與化學氣體的防護是不足的。當FOUP放置 於公知潔淨室(cleam room)中一段時間後，潔淨室中的一些溼氣及化學氣體會通過配置於 FOUP的底板中的通風孔(ventilation holes)而進入F0UP，且可能會粘附於FOUP內部的 晶片的表面上。因而造成晶片缺陷，並降低生產合格率。 在一些情形中，於晶片製造的某些階段，來自FOUP中所傳送的晶片上的有機薄膜 化學溢氣(chemical outgas)及化學氣體的部分成分會粘附在FOUP的內側表面(interior surface)。接著，在隨後的工藝步驟中，這些化學汙染物可能會因晶片進出FOUP，而又傳回 晶片的表面。如此的交叉汙染(cross-contamination)可造成工藝期間的缺陷，而使晶片 更嚴重地損失。為了將交叉汙染的問題減到最小，在晶片工藝期間，FOUP內部可以氮氣淨 化(purged with nitrogen)及/或以新的FOUP置換。然而，這樣的方法花費昂貴。
發明內容
本發明的目的在於提供一種基底傳送盒，以克服現有技術的缺陷。 本發明實施例提供一種基底傳送盒，適用於在半導體晶片製造期間存放或傳送半
導體晶片基底，傳送盒包括主體，該主體包括多個側面，其中至少一側面包括一部分是由
一半透膜所構成；以及門，提供半導體晶片進入及離開傳送盒的路徑。 所述的基底傳送盒，其中半透膜包括多個孔隙，其最大直徑為0. 01 m。 所述的基底傳送盒，其中半透膜包括孔隙，其直徑介於0. 005 ii m至0. 01 ii m。 所述的基底傳送盒，其中由半透膜所構成的部分佔至少一側面的表面積的至少
50%。 所述的基底傳送盒，其中由半透膜所構成的部分大於至少一側面的表面積的 50%。 所述的基底傳送盒，其中當門關閉時，半透膜允許腐蝕性氣體分子自傳送盒擴散 出來。
所述的基底傳送盒，其中當門關閉時，半透膜避免微粒汙染物進入傳送盒。
在本發明實施例的基底傳送盒100中，在乾淨空氣擴散進入時，基底傳送盒100中 的環境氣體的氟分子或任何易揮發的有機氣體分子60將擴散出去。基底傳送盒100的改 良結構可防止基底送盒100與晶片基底30之間的交叉汙染。
圖1顯示本發明一實施例的基底傳送盒的立體圖。
圖2顯示圖1的基底傳送盒的沿切線A-A的剖面圖。
圖3顯示本發明一實施例的半透膜的示意圖。
其中，附圖標記說明如下 100 基底傳送盒;11、12、13、14、15U6 側面；42 門；40 前凸緣部分；30 基底；lla、12a、13a、14a、16a 半透膜部分；20 結構部分；70 微粒汙染物；60 氣體分 子；50 箭頭。
具體實施例方式
圖1及圖2顯示本發明一實施例的基底傳送盒(substrate transportpod) 100。 基底傳送盒100包括多個側面H、12、13、14、15、及16，形成了傳送盒的主體。可對門42提 供前凸緣部分(front flange portion) 40，可將門42開啟以允許多個基底30放置於基底 傳送盒100中，或自基底傳送盒100中取出。 為了解決公知FOUP中晶片基底交叉汙染的問題，在多個側面11、 12、 13、 14、 15、 及16中，至少一側面(或稱為側壁板，side panel)的一部分由半透膜(semi-permeable membrane) 10形成。在顯示於圖1及圖2的實施例中，每一側面11、 12、 13、 14、及16均有一 部分均由半透膜IO形成。側面H、12、13、14、及16的半透膜部分分別以標號11a、12a、13a、 14a、及16a標示。雖未顯示，然而圖1中的遠側面15也可以半透膜10形成。半透膜部分 11a、12a、13a、14a、及16a的尺寸可有多種變化，但半透膜部分lla、 12a、 13a、 14a、及16a之 間仍保留一些結構部分(structural portions) 20，使基底傳送盒100可維持其結構完整 性(structural integrity)。 半透膜10包含微小的孔隙(microscopic pores)，具有精準控制的孔隙尺寸 (pore size)。在一實施例中，半透膜10的孔隙中，其具有的最大直徑是0. 01 y m。在一實 施例中，孔隙的直徑介於0. 005 ii m至0. 01 ii m之間。 如圖3所示，半透膜10中的微小孔隙的尺寸小到足以阻擋並避免環境空氣 (ambient air)中的微粒汙染物70遷移進入基底傳送盒100中，但孔隙的尺寸大小足以讓 任何被導入於基底傳送盒100內部的腐蝕性氣體分子60擴散出來。半透膜10中的微小孔 隙允許乾淨的氣體穿過基底傳送盒100而流入及流出，如圖1中的箭頭50所示。任何半滲 透部分lla、 12a、 13a、 14a、及16a所允許穿過F0UP側面的氣流將有助於腐蝕性氣體分子60 的擴散。F0UP的每一側面上的半透膜10所佔的部分包括側面的表面積的至少50X。在一 實施例中，F0UP的每一側面上的半透膜10所佔的部分包括大於側面的表面積的50%。
例如，當半導體晶片剛結束幹蝕刻工藝而放置於公知F0UP時，F0UP中的環境空 氣的氟濃度將增加。封於公知的密封FOUP中，將造成半導體晶片上的一些銅金屬結構(copper metal features)腐蝕。然而，在本發明實施例的基底傳送盒100中，在乾淨空氣 (其流向即箭頭50所指)擴散進入時，基底傳送盒100中的環境氣體的氟分子或任何易揮 發的有機氣體分子60將擴散出去。基底傳送盒100的改良結構可防止基底送盒100與晶 片基底30之間的交叉汙染。 半透膜10的特定材料選擇取決於特定晶片基底製造環境的情況及其需要。然而， 只要可滿足孔隙尺寸上的需求，本發明實施例的半透膜io可以任何與特定晶片基底製造 環境相容的材料製作。 雖然本發明已以數個優選實施例揭示如上，然而其並非用以限定本發明，任何本 領域普通技術人員，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作任意的更動與潤飾，因此本發 明的保護範圍當視隨附的權利要求所界定的範圍為準。
權利要求
一種基底傳送盒，適用於在半導體晶片製造期間存放或傳送半導體晶片基底，該傳送盒包括一主體，包括多個側面，其中至少一側面包括一部分是由一半透膜所構成；以及一門，提供半導體晶片進入及離開該傳送盒的路徑。
2. 如權利要求l項所述的基底傳送盒，其中該半透膜包括多個孔隙，其最大直徑為 0. Oliim。
3. 如權利要求1項所述的基底傳送盒，其中該半透膜包括孔隙，其直徑介於0. 005 i！ m 至0.01iim。
4. 如權利要求1項所述的基底傳送盒，其中由該半透膜所構成的該部分佔該至少一側 面的表面積的至少50%。
5. 如權利要求1項所述的基底傳送盒，其中由該半透膜所構成的該部分大於該至少一 側面的表面積的50%。
6. 如權利要求1項所述的基底傳送盒，其中當該門關閉時，該半透膜允許腐蝕性氣體 分子自該傳送盒擴散出來。
7. 如權利要求1項所述的基底傳送盒，其中當該門關閉時，該半透膜避免微粒汙染物 進入該傳送盒。
全文摘要
本發明提供一種基底傳送盒，該基底傳送盒適用於在半導體晶片製造期間存放或傳送半導體晶片基底，傳送盒包括主體，該主體包括多個側面，其中至少一側面包括一部分是由一半透膜所構成；以及門，提供半導體晶片進入及離開傳送盒的路徑。本發明可防止基底送盒100與晶片基底30之間的交叉汙染。
文檔編號H01L21/677GK101740437SQ20091013547
公開日2010年6月16日 申請日期2009年4月28日 優先權日2008年11月11日
發明者劉曉強 申請人:臺灣積體電路製造股份有限公司