接觸孔形成方法、布線基板、半導體裝置和電光裝置的製法的製作方法

2024-02-17 09:51:15

專利名稱：接觸孔形成方法、布線基板、半導體裝置和電光裝置的製法的製作方法
技術領域：
本發明涉及電路基板、半導體裝置、包含液晶裝置、有機EL裝置、 電泳裝置等的電光裝置的製造方法，特別是涉及絕緣層的開口技術(接觸 孔的形成方法)。
背景技術：
使用利用了有機半導體材料、有機絕緣材料、有機導電材料的有機晶 體管的半導體裝置的開發正在進展。使用這樣的有機材料的電晶體(以下 稱作"有機電晶體")，例如通過在塑料基板上蒸鍍或塗敷有機物而形成。 塑料基板和有機材料富於柔性，所以通過使用有機電晶體，具有能製作輕、 薄、可彎曲的電子器件的優點。
通過反覆進行有機半導體材料、有機絕緣材料或有機導電材料的堆積 (塗敷)、圖案化，形成該有機電晶體。在該製造工序中，為了進行導電 層相互間的布線連接，需要在作為層間絕緣層使用的有機絕緣材料中形成 接觸孔。
可是，例如，在有機絕緣材料中形成接觸孔時，如果使用光刻法或蝕 刻法，蝕刻掩模中使用的光致抗蝕劑是有機材料(聚合物)，所以在掩模 除去工序中，具有難以從基底的有機絕緣材料剝離光致抗蝕劑的問題。此 外，在曝光工序中，位於其下層的有機半導體材料發生光反應，產生劣化 等問題。
因此，作為不使用光刻法或蝕刻法的接觸孔的形成方法，有專利文獻 l或2中記載的方法。在專利文獻l (特開2002-26362號公報)中公開了 使用加熱後的衝頭(punch)的層疊體的開孔加工方法。此外，在專利文 獻2 (特開2006-41180號公報)中公開了一邊在層間膜用針^l械地開孔， 一邊通過針中含有的溶劑以化學方式溶解層間膜32來形成接觸孔的方法。
可是，用針刺層間膜進行開口時，由於作為有機絕緣材料(聚合物) 的層間絕緣層的粘性高，並且具有延展性，所以在接觸孔的周圍容易殘留
數^im左右的高的殘渣。難以除去層間絕緣層的開口部分的有機絕緣材料。 此外，除去層間絕緣層後，難以判斷基底的電極是否露出。特別在使用塑 料基板那樣的剛性小的柔性基板時，難以進行該判斷。這些成為基於形成 在接觸孔中的導電材料的導電層(電極/布線)相互間的導通變得不可靠的 要因。

發明內容
本發明的一個目的在於，提供一種不易產生導通不良的接觸孔的形成 方法(半導體裝置的製造方法)。此外，本發明的另一個目的在於，提供 一種可靠性優異的半導體裝置。
(1-1 )為了實現所述目的，本發明的具體形態的接觸孔的形成方法包 括第一工序，在基板上形成作為電極或布線而被圖案化的第一導電層； 第二工序，在所述基板和所述第一導電層上形成絕緣層；第三工序，對所 述電極或布線上的所述絕緣層，以從該絕緣層的面向上方5度 80度範圍 內的角度插入切削器具；和第四工序，從所述絕緣層抽出所述切削器具， 在該絕緣層形成到達所述電極或布線的傾斜的開口部。
通過採用該結構，切削引起的絕緣層的殘渣集中在傾斜的開口部邊緣 的一側(切削器具的前進方向一側)，所以使用沒有殘渣的開口部邊緣的 另一側(切削器具的反前進方向一側)形成電極或布線，能避免受到殘渣 的影響。
(1-2)此外，希望還包括第五工序，繼所述第三工序之後，使插入到 所述絕緣層的切削器具在所述電極或布線的延伸方向上移動。例如，在考 慮孔徑的情況下，切削器具的移動量是10 50(Him左右。由此，能增大開 口部的開口直徑，能避免由於(有機)絕緣層的延展性而開口部關閉(變 窄)。
(1-3)此外，希望還包括第六工序，繼所述第四工序之後，與所述切 削器具的插入方向對應，由液滴噴出頭相對掃描所述基板，在所述絕緣層 的傾斜的開口部內以及所述絕緣層上堆積導電材料，形成作為電極或布線
而被圖案化的第二導電層。由此，通過液滴噴出法，利用沒有殘渣的開口 部邊緣，在該開口部內和絕緣層上用液體導電材料形成導電圖案，能避免 殘渣引起的斷線。
(1-4)此外，希望進行第七工序，在與所述絕緣層的開口部對應的 所述第一導電層的電極或布線上，實施降低與所述絕緣層的密接性的表面 處理。作為表面處理，例如，相應有降低與有機絕緣層(聚合物)的密接
性的塗氟、氟等離子體處理、SAM膜(自組織化膜)的形成等。由此， 容易由切削器具除去絕緣層。
(1-5)此外，希望在所述第三工序中加熱所述基板。在由有機材料 構成絕緣層時，通過基板加熱，降低絕緣層的硬度(變柔軟)，能實現切 削的容易化，防止裂紋。此外，用有機材料構成所述基板時(聚合物基板)， 通過基板加熱，降低基板的硬度，能防止在切削時，在基板產生裂紋。
(1-6)此外，更希望插入所述切削器具的角度是20度 60度的範圍 內的角度。如果切削器具的插入角度在5度 80度左右的範圍內，就能在 開口部的一側單側形成殘渣，但是如果在20度 60度的範圍內，(有機) 絕緣層的殘渣更集中在開口部的一側，向另一側的殘渣的發生更少。在80 度 90度的範圍內，有機絕緣層材料堆積在開口部的周圍，成為斷線的原 因。
(1-7)此外，所述切削器具包含針或平刃中的任意一個。如果是針 狀的切削器具，就能在微小圖案的電極/布線上生成接觸孔。
(1-8)此外，可根據所述切削器具和所述電極或布線之間的電常數 的變化，檢測所述切削器具是否到達所述電極或^J線。作為電常數，例如 相應有電流值、電壓值、電流/電壓的信號波形、電阻值、阻抗值等。根據 電常數的變化，能判別切削器具到達電極或布線上。
(1-9)此外，希望所述切削器具附帶對刃尖進行加熱的發熱體和使 刃尖振動的振動體中的至少任一個。作為發熱體，相應有電熱電阻(加熱 器)、高頻加熱線圈，作為振動體，相應有供給高頻驅動信號的超聲波振 動體等。由此，加熱刃尖，切削器具向(有機)絕緣層的插入變得容易。 此外，振動能量集中在刃尖，破碎絕緣層後，切削器具的插入變得容易。 此外，作為上述的切削器具的材料，能使用鎢、不鏽鋼、金、鉭等。
並不局限於這些材料，能適當選擇。
此外，為了不易在上述切削器具的表面附著絕緣層的材料，也可進行 基於氟等的表面處理。
(1-10)此外，上述的接觸孔的形成方法也能在製造電路基板(布線
基板)的電路基板的製造方法中使用。
(1-11)此外，上述的接觸孔的形成方法也能在製造半導體裝置的半 導體裝置製造方法中使用。
(1-12)此外，本發明的接觸孔的形成方法用於在至少具有基板、形 成在所述基板上的導電層、覆蓋所述導電層而形成在所述基板的上層的絕 緣層的半導體裝置中，從所述絕緣層的表面一側使所述導電層的一部分露 出，至少包括在所述絕緣層的表面一側，在形成所述接觸孔的位置配置
切削器具的定位工序；將所述切削器具相對於所述絕緣層的表面側，以規 定角度0插入所述絕緣層的工序；根據所述切削器具和所述導電層之間的 電常數的變化，檢測所述切削器具是否到達所述導電層的工序；根據所述 檢測結果，停止所述切削器具的插入的工序；從所述絕緣層拔出所述切削 器具的工序。
通過採用該結構，能自動挖掘到作為目標的導電膜來形成接觸孔。所 述規定的角度9在5度 80度左右的範圍內，更希望是20度 60度範圍 內的角度。由此，能使殘渣集中在接觸孔邊緣的單側。
在停止所述切削器具的插入的工序之後，還包括使該切削器具在橫向 上移動的工序。由此，能擴大接觸孔的孔徑。
(2-1)本發明的接觸孔的形成方法包括在基板上形成作為電極或布 線而被圖案化的第一導電性膜的工序；在所述基板和所述第一導電性膜上 形成絕緣膜的工序；通過所述絕緣膜，使內部具有空洞的中空針抵接到所 述第一導電性膜上的工序；通過使所述空洞內為減壓狀態，剝離所述空洞 內的所述絕緣膜的工序；和通過除去被剝離的所述空洞內的絕緣膜，在所 述第一導電性膜上形成開口部的工序。
根據該方法，能吸引空洞內的絕緣膜，減少開口部底部的絕緣膜殘渣。 因此，能降低導通不良。此外，能提高具有該接觸孔的裝置的特性。
(2-2)優選在使所述中空針抵接的狀態下，通過所述空洞對所述空
洞內的所述絕緣膜照射光。根據該方法，能通過光使空洞內的絕緣膜變質 (例如，分解)，能進一步減少開口部底部的絕緣膜殘渣。
(2-3)優選在使所述中空針抵接的狀態下，通過所述空洞向所述空 洞內的所述絕緣膜上注入溶解所述絕緣膜的液體。
(2-4)優選在使所述中空針抵接的狀態下，通過所述空洞對所述空洞 內的所述絕緣膜照射光，使所述絕緣膜變質，再通過所述空洞將使所述變 質後的絕緣膜溶解的液體注入到所述空洞內。根據該方法，使空洞內的絕 緣膜變質，能進一步使其熔融，能進一步降低開口部底部的絕緣膜殘渣。
(2-5)在使所述中空針抵接的狀態下，加熱所述中空針。根據該方 法，能熱溶解空洞內的絕緣膜(至少與中空針的內壁接觸的絕緣膜部)， 能進一步降低開口部底部的絕緣膜殘渣。
(2-6)優選還包括在形成所述開口部之後，通過所述空洞使導電 性部件與所述開口部的底面接觸，檢查所述第一導電性膜和所述導電性部 件的導通狀態的工序。根據該方法，能進一步降低導通不良。
(2-7)優選在形成所述開口部之後，用溶解所述絕緣膜的液體洗淨 所述中空針的內部。根據該方法，能除去附著在中空針的內壁的絕緣膜殘 渣(包含溶解、變質的部分)。
(2-8)所述絕緣膜例如由有機材料構成。這樣，對於由有機材料構 成的絕緣膜，不用光刻工序，就能形成接觸孔。
(2-9)本發明的布線基板的製造方法包括所述接觸孔的形成方法， 還包括在包含所述開口部內的所述絕緣膜上形成第二導電性膜的工序。
根據該方法，可降低第一導電性膜與第二導電性膜的接觸不良。因此， 可提高布線基板的特性。
(2-10)本發明的半導體裝置的製造方法包括所述接觸孔的形成方 法，還具有在比絕緣膜更下層的位置形成有機半導體膜的工序。
根據該方法，能降低接觸孔部的導通不良。此外，不使用光刻工序就 能形成接觸孔，能防止曝光引起的有機半導體膜的劣化。
(2-ll)本發明的半導體裝置的製造方法包括所述接觸孔的形成方法， 還具有在比絕緣膜更下層的位置形成將有機半導體膜作為構成要素的晶 體管的工序。
根據該方法，能降低接觸孔部的導通不良。此外，不使用光刻工序就 能形成接觸孔，能防止曝光引起的電晶體的劣化。
(2-12)本發明的電光裝置的製造方法包括所述半導體裝置的製造方 法。根據該方法，能提高電光裝置的特性。
(3-1)本發明的接觸孔的製造方法包括在基板上形成作為電極或布
線而被圖案化的第一導電性膜的工序；在所述基板和所述第一導電性膜上 形成絕緣膜的工序；通過所述絕緣膜，使由第一針和第二針構成的雙層中 空針抵接到所述第一導電性膜上的工序，所述第一針在內部具有第一空 洞，所述第二針包圍所述第一針，即其內部具有位於所述第一空洞外周的 第二空洞；和向所述第一空洞內注入所述絕緣膜的溶解性液體，通過所述 第二空洞吸引溶解後的所述絕緣膜；或者，向所述第二空洞內注入所述絕 緣膜的溶解性液體，通過所述第一空洞吸引溶解後的所述絕緣膜的工序。 根據該方法，空洞內的絕緣膜被溶解、吸引，能降低開口部底部的絕 緣膜殘渣。因此，能降低導通不良。此外，能提高具有該接觸孔的裝置的 特性。
(3-2)本發明的接觸孔的形成方法包括在基板上形成作為電極或 布線而被圖案化的第一導電性膜的工序；在所述基板和所述第一導電性膜 上形成絕緣膜的工序；通過所述絕緣膜，使由第一針和第二針構成的雙層 中空針抵接到所述第一導電性膜上的工序，所述第一針在內部具有第一空 洞，所述第二針包圍所述第一針，即其內部具有位於所述第一空洞外周的 第二空洞；和向所述第一空洞內注入所述絕緣膜的分解性氣體，通過所述 第二空洞吸引分解後的所述絕緣膜；或者，向所述第二空洞內注入所述絕 緣膜的分解性氣體，通過所述第一空洞吸引分解後的所述絕緣膜的工序。 根據該方法，空洞內的絕緣膜被分解、吸引，能降低開口部底部的絕 緣膜殘渣。因此，能降低導通不良。此外，能提高具有該接觸孔的裝置的 特性。
(3-3)優選所述第一針的前端比所述第二針的前端後退一定距離。 根據該方法，能通過第一針(第一空洞)高效地對絕緣膜上供給溶解性液 體或分解性氣體。
(3-4)優選所述絕緣膜的膜厚在所述一定距離以下。根據該方法，
通過第一針(第一空洞)或第二針(第二空洞)高效地對絕緣膜上供給溶 解性液體或分解性氣體。
(3-5)優選所述分解性氣體是氧化性氣體。根據該方法，通過氧化 性氣體能進一步分解絕緣膜。
(3-6)優選一邊注入所述分解性氣體， 一邊對所述分解性氣體照射 紫外線。根據該方法，通過紫外線能促進分解。
(3-7)例如，所述分解性氣體是氧，通過所述紫外線，產生臭氧。 根據該方法，通過紫外線和臭氧，促進分解。
(3-8)優選所述絕緣膜由有機材料構成。這樣，對於由有機材料構 成的絕緣膜，不使用光刻工序，就能形成接觸孔。
(3-9)例如，包括如下工序在形成所述開口部之後，使所述第二 針或導電性部件與所述開口部的底面抵接，檢查所述第一導電性膜與所述 第二針或導電性部件的導通狀態。根據該方法，能進一步降低導通不良。
(3-10)本發明的布線基板的製造方法包括所述接觸孔的形成方法， 還包括在包含所述開口部內的所述絕緣膜上形成第二導電性膜的工序。
根據該方法，能降低第一導電性膜和第二導電性膜的連接不良。因此， 能提高布線基板的特性。
(3-ll)本發明的半導體裝置的製造方法包括所述接觸孔的形成方法， 還包括在比所述絕緣膜更下層的位置形成有機半導體膜的工序。
根據該方法，能降低接觸孔部的導通不良。此外，不使用光刻工序， 就能形成接觸孔，能防止曝光引起的有機半導體膜的劣化。
(3-12)本發明的半導體裝置的製造方法包括所述接觸孔的形成方 法，還包括在比所述絕緣膜更下層的位置形成將有機半導體膜作為構成要 素的電晶體的工序。
根據該方法，能降低接觸孔部的導通不良。此外，不使用光刻工序就 能形成接觸孔，能防止曝光引起的電晶體的特性劣化。
(3-13)本發明的電光裝置的製造方法包括所述半導體裝置的製造方 法。根據該方法，能提高電光裝置的特性。


圖1是說明實施方式1的接觸孔的形成方法的實施例的說明圖。
圖2是說明實施方式1的接觸孔的形成方法的實施例的說明圖。
圖3是說明檢測切削器具與電極或布線接觸的例子的說明圖。
圖4是說明向絕緣層插入切削器具時對基板進行加熱的例子的說明圖。
圖5是說明使用具有加熱源的針作為切削器具的例子的說明圖。
圖6是說明使用具有超聲波振動源的針作為切削器具的例子的說明圖。
圖7是說明使用具有吸引通路的針作為切削器具的例子的說明圖。
圖8是說明使用中空針作為切削器具的例子的說明圖。
圖9是說明使用平刃作為切削器具的例子的說明圖。
圖IO是說明使用具有吸引通路的平刃作為切削器具的例子的說明圖。
圖11是說明使用實施方式1的接觸孔的形成方法的半導體裝置的制
造工序的說明圖。
圖12是表示實施方式1的接觸孔的形成方法的流程的程序流程圖。 圖13是說明使用實施方式1的接觸孔的形成方法的半導體裝置的制
造工序的其他例子的說明圖。
圖14是說明比較例的接觸孔的形成方法的說明圖。
圖15是表示實施方式2的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方
法)的工序剖視圖。
圖16是表示實施方式2的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方
法)的工序剖視圖。
圖17是表示實施方式2的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方
法)的工序剖視圖。
圖18是表示實施方式2的其他半導體裝置的製造方法(接觸孔的形
成方法)的工序剖視圖。
圖19是表示實施方式2的其他半導體裝置的製造方法(接觸孔的形
成方法)的工序剖視圖。
圖20是表示實施方式2的其他半導體裝置的製造方法(接觸孔的形
成方法)的工序剖視圖。
圖21是表示實施方式3的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖22是表示實施方式4的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖23是表示實施方式5的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖24是表示實施方式6的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖25是表示實施方式7的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖26是表示雙層中空針的構造的剖視圖。
圖27是表示實施方式7的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖28是表示實施方式7的其他半導體裝置的製造方法(接觸孔的形 成方法)的工序剖視圖。
圖29是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖30是表示實施方式8的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖31是示意性表示實施方式7和8的溶解性液體(或分解性氣體) 與反應物(溶解溶液、分解物)的雙層中空針100中的流動的圖。
圖32是表示實施方式9的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖33是表示實施方式10的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖34是表示實施方式11的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖35是表示實施方式11的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖36是表示實施方式11的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方法)的工序剖視圖。
圖37是表示實施方式11的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方
法)的工序剖視圖。
圖38是表示實施方式11的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖39是表示實施方式11的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖40是表示實施方式11的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
圖41是表示實施方式11的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的俯視圖。
圖42是表示應用了電泳裝置的電子設備的具體例的立體圖。 圖43是表示極細中空針的加工方法的圖。 圖44是表示極細中空針的加工方法的圖。
圖中10—基板；12—電極/布線；12a 12d—導電性膜(導電膜)； 13—有機半導體膜；14一有機絕緣膜(絕緣層)；15—柵電極(柵極線)； 16—接觸孔；17—保護膜；18—電極/布線；IOO—針(切削器具、中空針、 雙層中空針)；100a—第一中空針；1001>~第二中空針；101—電極棒；141一 殘渣；1000—電子書；1001—框架；1002—蓋；1003—操作部；1004—顯 示部；IIOO—手錶；1101—顯示部；1200—電子紙；1201—主體部；1202— 顯示部；C1C、 Cld—接觸孔；DL—數據線；GL—柵極線；Sa、 Sb—空洞。
具體實施例方式
下面，參照

本發明的實施方式。 (實施方式l)
圖1 (A) 圖1 (C)是說明本發明的接觸孔的形成方法的工序的俯 視圖。圖2 (A)是說明本發明的接觸孔的形成方法的工序的俯視圖，圖2 (B)是圖2 (A)的x-x'方向的剖視圖。
如圖1 (A)所示，在玻璃等絕緣性基板10上形成第一導電膜即基於 金屬膜的電極/布線12，由絕緣層14覆蓋。選擇塑料作為基板10時，能
使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、丙烯酸等。例如，成為基 底的塑料(基板10)的彎曲彈性為2000 4000MPa。基底塑料堅硬時， 切削器具(針)的後述的角度的應用範圍擴大。電極/布線12例如通過蒸 鍍或濺射等使鋁等金屬成膜並通過圖案化而形成。將後述的絕緣性聚合物 通過旋塗法形成絕緣層14。
將針(切削器具)100以規定角度e插入這樣形成的絕緣層14。另外， 在實施方式1中，將針IOO稱作"切削器具"。
如果角度e從絕緣層14的上面朝向上方在5度 80度的範圍內，則 在切削器具100前進(插入)方向一側就會產生絕緣層14的殘渣141。進 而，如果角度e為20度 60度左右的範圍內的角度，則絕緣層14的殘渣 141就進一步集中在切削器具100的一方側(前進方向一側)，在向另一側 的殘渣的發生也更少的狀態下，使切削(插入)孔接近縱向孔。如果切削 器具100到達電極/布線12，就停止切削器具100的插入。如後所述，根 據切削器具100和電極/布線12之間的電常數的變化，來判斷切削器具100 是否到達電極/布線12。此外，對切削器具100，通過彈簧等提供不穿透電 極/布線12程度的施加力，插入的切削器具100也可碰到電極/布線12後 停止。
接著，如圖1B所示，使切削器具100的前刃在電極/布線12上沿橫 向(電極/布線的延伸方向)移動。移動距離例如是10 500)im左右，但 是可根據所需的接觸孔口徑來適當設定。這樣除去絕緣層14，擴大插入孔。
如圖1 (C)所示，將切削器具100向上方拔出，將殘渣141向單側 扒出。其結果，取得擴大了切削器具100的插入孔(切削孔)'的接觸孔16。
這樣在電路基板上形成接觸孔。
另外，也可以將切削器具100斜插入絕緣層14，然後，拉回切削器具 IOO而不在橫向上移動。
如圖2所示，使用接觸孔16的沒有殘渣141的傾斜面一側，形成作 為第二導電層的電極/布線18。電極/布線18在接觸孔16內與電極/布線12 連接，在絕緣層14上與未圖示的電極或其他電路連接。電極/布線12例如 能由液滴噴出法(噴墨法)形成。
在液滴噴出法中，通過液滴噴出頭(噴墨頭)(未圖示)、使液滴噴出
頭和基板相對移動的移動機構(未圖示)工作，能向絕緣層32的規定位 置噴出導電性材料。在該相對移動時，使用接觸孔16的邊緣的沒有殘渣 141的一側(傾斜壁一側)，進行導電圖案的形成(電極/布線18)。
另外，根據液滴噴出裝置(未圖示)中存儲的位案等電子數據， 形成噴出液體材料的圖案，所以只通過製作電子數據，就能在所需的位置 塗敷液體材料。作為液體材料，釆用PEDOT (聚亞乙基二氧基噻吩)的 水分散液。此外，除了 PEDOT，還能使用金屬膠體(colloid)。作為這些 分散液，將水作為主成分，但是也可以將添加了醇的液體作為液滴來形成 接點。
圖14表示比較例。在圖14中，對與圖1對應的部分付與相同的符號， 省略有關的部分的說明。
在比較例中，以相對於絕緣層14成90度的角度插入切削器具(未圖 示)。這時，在接觸孔16的開口部分，繞開口緣一周產生殘渣141。與此 相比，在本實施方式中，如圖1和圖2所示，只在接觸孔16的單側產生 殘渣141。利用沒有殘渣141的部分形成布線連接，能避免殘渣141引起 的布線18的斷線。
圖3是說明判別切削器具100的前刃是否到達電極/布線12的例子的 說明圖。在圖3中，對與圖l對應的部分付與相同的符號，省略有關的部 分的說明。
如圖3所示，如果切削器具100和電極/布線12接觸，在切削器具100 和電極/布線12之間就構成電路的閉路。在電路中設置電流在閉路中流 動的電源E、和檢測閉路的電常數值或其變化的電常數測定器200。作為 電常數，相應有電流、電壓、電阻、阻抗(交流電阻)、電壓/電流波形。 這時，電常數測定器200相應有電流計、電壓計、電阻測定器、阻抗測定 器、示波器等。在電路的開路狀態和閉路狀態之間電常數不同，所以由電 常數測定器200測定電常數，能判斷切削器具100和電極/布線12的接觸。 適當地選擇電常數。電常數測定器200可使用市場上出售的產品，所以省 略其說明。
圖4表示將切削器具100向絕緣層14插入時，對基板10進行加熱的 例子。在圖4中，對與圖l對應的部分付與相同的符號，省略有關的部分
的說明。
在該例子中，在安放基板10的臺300內設置用於加熱的溫控的電加 熱器。通過在將切削器具插入絕緣層時加熱基板10，從而降低(有機)絕
緣層14的硬度，實現切削器具向絕緣層的插入容易化，防止裂紋。此外， 選擇樹脂(聚合物)基板作為基板10時，通過加熱，使基板IO變得柔軟， 防止切削器具100的加壓引起的基板IO產生裂紋。
圖5表示使用加熱後的切削器具100的例子。在圖5中，對與圖1對 應的部分付與相同的符號，省略有關的部分的說明。
在圖5中，在切削器具100的刃尖的中途設置發熱體(熱源)400。 該發熱體400產生的熱傳遞到切削器具100的刃尖。通過該熱使有機絕緣 層14軟化，使切削器具100的插入變得容易。此外，防止絕緣層14的裂 紋。作為發熱體400，能使用通過電熱電阻(加熱器)、感應電流進行加熱 的高頻線圈等。
圖6表示使用還進行超聲波振動的切削器具100的例子。在圖6中， 對與圖l對應的部分付與相同的符號，省略有關的部分的說明。
在圖6中，在切削器具100的後端部配置超聲波振動體500。超聲波 振動體500產生的振動在切削器具100內傳播，集中在刃尖，振動能量加 強。切削器具100不僅通過尖銳的刃尖對絕緣層14進行切削，還通過刃 尖的微小振動進行絕緣層14的破碎，來形成接觸孔。
圖7表示使用設置了對回收的殘渣進行吸引的吸引通路的切削器具的 例子。在該例子中，將^t狀的切削器具100收容在筒狀體內，設置從切削 器具100的前刃附近吸引殘渣後使其向切削器具100的後端^側(未圖示) 移動的吸引通路110。從接觸孔部排除殘渣，從而能避免由殘渣在開口緣 部產生突起。
圖8 (A) (C)表示使用中空針作為切削器具IOO的例子。 圖8 (A)是如注射針那樣，切削器具100前端部(前刃)開口的例 子。如果使用這樣的中空的切削器具100，就從前端部滲出有機絕緣膜的 溶劑，從而使切削器具100的插入變得容易。此外，能增大基於切削器具 100的插入口。
圖8 (B)表示使用在圖(A)的中空針結構的基礎上還設置吸引通路
110的切削器具的例子。在該例子中，從刃尖的開口部滲出溶劑，溶解有 機絕緣膜，由回收通路110吸引殘渣或多餘的溶劑。由此，實現切削器具
的順利的插入和殘渣的除去。
圖8 (C)表示在溶劑的供給和殘渣的排出中使用中空針構造的切削 器具100的例子。中空的切削器具100的前刃部分成為開口部102，在切 削器具100的中途設置溶劑的供給口 104、殘渣的排出口 106。在供給口 104和排出口 106分別設置未圖示的遮斷閥。在從前端的開口部102滲出 溶劑時，打開供給口 104—側的閥門，關閉排出口 106—側的闊門，溶劑 從供給口 104 —側流向開口部102。在從頂端的開口部102吸收殘渣時， 關閉供給口 104—側的閥門，打開排出口 106—側的閥門，殘將渣和多餘 的溶劑從開口部102—側吸出到排出口 106—側後除去。在切削器具100 向絕緣膜插入時，通過交替地反覆進行這樣的溶劑滲出和吸出，能實現切 削器具IOO的順利的插入和防止(減輕)殘渣的發生。
圖9表示由平刃構成切削器具100的例子。圖9 (A)是平刃的俯視 圖。圖9 (B)是平刃的側視圖。
例如，在基板上排列配置多個電極並在各電極上形成接觸孔時，在一 條直線上存在多個接觸孔。這時，如果使用刃尖為直線狀的平刃的切削器 具100，則通過向有機絕緣層的一次插入，就能在多個電極上形成接觸孔， 因而方便。
圖IO表示還具有回收通路的平刃的切削器具100的例子。圖10 (A) 是平刃的俯視圖，圖10 (B)是平刃的局部剖視圖。將切削器具IOO相對 於絕緣層傾斜插入，從而殘渣集中在平刃的上方一側。通過配置在平刃的 上方的寬度寬的回收通路110吸出該殘渣後使其向切削器具100的後方移 動。
圖11是說明使用上述的接觸孔的形成方法的半導體裝置的製造方法 的說明圖。
如圖11 (A)所示，在絕緣性基板10上，用濺射法堆積作為金屬膜 的鋁，通過光刻法進行圖案化，形成包含源電極12a、漏電極12b、布線 12c、布線12d等的電極/布線12。
接著，如圖11 (B)所示，通過液滴噴出法對源電極12a和漏電極12b之間付與有機半導體材料，形成半導體層13。作為有機半導體材料，例如 可以舉出萘、蒽、丁省、戊省、己省、酞菁、二萘嵌苯、腙、三苯基甲烷、 二苯基甲烷、芪、芳基乙烯基、吡唑啉、.三苯基胺、三芳基胺、低聚噻吩、 酞菁或它們的衍生物之類的低分子有機半導體材料；或者聚一N—乙烯基 咔唑、聚乙烯基芘、聚乙烯基蒽、聚噻吩、聚己基噻吩、聚(對亞苯基亞 乙烯基)、聚亞噻吩基亞乙烯基、聚芳基胺、芘甲醛樹脂、乙基咔唑甲醛 樹脂、芴一聯二噻吩共聚物、芴一芳基胺共聚物或它們的衍生物之類的高 分子有機半導體材料，能組合使用它們中的1種或2種以上，尤其優選使 用高分子的有機半導體材料。
通過旋塗法在該基板10上塗敷有機絕緣材料.，形成絕緣層14。作為 有機絕緣材料，例如能使用聚乙烯基酚、酚醛樹脂(別名酚醛清漆樹脂)。 此外，能使用以聚甲基丙烯酸酯為首的丙烯酸系樹脂、PC、聚苯乙烯、聚 烯烴、聚醯亞胺、氟系樹脂等。
另外，通過溶液的塗敷來製作絕緣層14時，絕緣層14的溶液的溶劑 需要使半導體層13或基板10不膨潤或溶解。當半導體層13自身在溶劑 中可溶時特別需要注意。半導體層13是包含芳香環的共軛性分子或共軛 性高分子，所以易溶於芳香系烴中。因此，在絕緣層14的塗敷中希望使 用除芳香系烴以外的烴、或者酮系、醚系、酯系的有機溶劑。此外，希望 絕緣層14對於後述的柵電極18的液體材料具有非溶解性的特性。因此， 為了使對於後面工序中形成的柵電極或布線18的潤溼性或接觸角良好， 在絕緣層14的上部形成接受層(未圖示)。
接著，如圖11 (C)所示，在絕緣層14形成接觸孔。如上所述，將 切削器具100相對於電極12c、 12d傾斜插入，來形成接觸孔。
切削器具的角度如上所述，適合為20度 50度範圍內的角度，但也 可以是5度 80度範圍內的角度。按照絕緣層的材質、膜厚、膜溫度、其 他條件，設定為成為殘渣少的狀態等的角度。此外，切削器具100的插入 方向與形成後述的布線18的方向對應。由此，接觸孔部的殘渣集中在與 布線18的連接方向不同的方向上。
圖12是表示接觸孔的形成方法的流程的程序流程圖。
由未圖示的接觸孔形成裝置控制接觸孔的形成(參照圖1KC)、(D))。
這裡，說明接觸孔形成裝置的動作的一個形態。
在步驟S1中，在絕緣層14上的形成接觸孔的位置配置絕緣層14。另 外，接觸孔的形成位置根據接觸孔形成裝置的計算機系統預先在存儲裝置 中存儲的布線圖案、接觸孔的位置，相對地移動基板10來進行。
在步驟S2中，如圖ii (c)所示，使切削器具ioo成規定的角度e
插入絕緣層14。
在步驟S3中，使用已經描述的電常數測定器200檢測切削器具100 是否到達電極。在檢測出到達時，進入步驟S4。未檢測出到達時，繼續步 驟S2的插入。
在步驟S4中，因為檢測出切削器具100到達電極，所以停止切削器 具100的插入。
在步驟S5中，檢測切削器具100的橫向移動信號的有無。檢測到橫 向移動信號時，進入步驟S6。未檢測到橫向移動信號時，進入步驟S7。 另外，關於橫向移動信號的有無和橫向移動的長度，能用接觸孔形成裝置 設定。
在步驟S6中，按照設定的橫向移動的長度，進行切削器具100的橫 向移動。另外，為了使接觸孔的形成變為可靠，也能設定為重複進行數次 橫向移動。
在步驟S7中，確認是否達到預先設定的接觸孔的形成的規定次數。 在達到規定次數時，結束動作。在未達到規定次數時，回到步驟S1，進入 接下來的接觸孔的形成動作。
另外，規定次數能用接觸孔形成裝置預先設定，例如能根據切削器具 100的維護周期、基板10的接觸孔總數設定。
另外，如上所述，能使用各種切削器具(參照圖5 圖10)，能加熱 基板IO (參照圖4)，能組合這些方式等。
然後，如圖11 (D)所示，拔出切削器具100。這時，可斜向拔出切 削器具100，使接觸孔16為與切削器具對應的孔徑，也可以向上方拔出， 成為更大的開口直徑。
接著，如圖ll (E)所示，形成作為柵極和布線起作用的柵電極布線 18。柵電極布線18通過液滴噴出法對接觸孔16、 16之間的絕緣層14上
噴出導電性材料而形成。這時，液滴噴出頭往返運動，利用接觸孔16、 16 的沒有殘渣的開口緣一側，在接觸孔內埋設導電材料。作為導電材料，例 如能使用金屬微粒的分散溶液、PEDOT (聚亞乙基二氧基噻吩)的水分散 液。
進而，如圖11 (F)所示，通過旋塗法在整個基板上塗敷有機絕緣材 料來形成保護層20。作為有機絕緣材料，例如能使用上述的聚乙烯基酚、 酚醛樹脂(別名酚醛清漆樹脂)、聚甲基丙烯酸甲酯等。
這樣製造出半導體裝置。
如上所述，在本實施例中，將切削器具(例如針)傾斜插入成為開口 對象的層中，從而傾斜形成接觸孔，儘可能使該層的殘渣只在接觸孔的單 側產生。使用接觸孔的不產生殘渣的一側，形成連接接觸孔底部的電極和 其他部分的布線。由此，能避免該布線的殘渣引起的斷線。
圖13是說明使用上述的接觸孔的形成方法的半導體裝置的其他製造 方法的說明圖。
在本實施例中，為了提高基於切削器具的絕緣層的剝離性，對接觸孔 形成部分的電極/布線上進行表面處理。通過該表面處理，降低該電極/布 線與在其上形成的絕緣層的密接性。在圖12中，對與圖11對應的部分付 與相同的符號。
如圖13 (A)所示，在絕緣性的基板10上用濺射法堆積作為金屬膜 的鋁，通過光刻法進行圖案化，形成包含源電極12a、漏電極12b、布線 12c、布線12d等的電極/布線12。
接著，如圖13 (B)所示，對布線12c、布線12d進行表面處理，形 成除去容易化層30。該表面處理例如通過旋塗法在基板上塗敷未圖示的光 致抗蝕劑，進行掩模圖案的曝光、顯影，只露出應該形成接觸孔的布線12c、 布線12d的部分。然後，通過未圖示的等離子體CVD裝置，使用氟系氣 體(CF4)進行等離子體處理，在布線12c、布線12d的表面添加氟化合物。 然後，除去掩模，得到包含對布線12c、布線12d進行了氟處理的部分30 的基板。
作為其他表面處理，也可以形成具有與聚合物密接性低的官能團(氟) 的SAM (Self Assemble Monolayer)膜(F-SAM膜)。例如，能利用由DFm(CF2) n (CH2) 1S-OH (m、 n、 l是自然數)表示的硫醇化合物。硫醇化 合物容易化學吸附在作為電極、布線使用的金表面，形成緻密且牢固的超 薄膜(單分子膜)。
接著，如圖13 (C)所示，通過液滴噴出法對源電極12a和漏電極12b 之間付與有機半導體材料，形成半導體層13。作為有機半導體材料，能使 用已經描述的材料。
在該基板10上，通過旋塗法塗敷有機絕緣材料，形成絕緣層14。作 為有機絕緣材料，能使用已經描述的材料。另外，根據需要，在絕緣層14 的上部形成接受層(未圖示)。
接著，如圖13 (D)所示，在絕緣層14中形成接觸孔。如上所述， 將切削器具100向電極12c、 12d相對於絕緣層14傾斜插入，從而進行接 觸孔的形成。
切削器具100的插入角度如上所述，根據絕緣層14的材質、膜厚、 膜溫度、其他條件，設定為成為殘渣少的狀態等的角度。此外，切削器具 100的插入方向與形成後述的布線18的方向對應。由此，將接觸孔部的殘 渣141集中在與布線18的連接方向不同的方向。
切削器具100由已經描述的接觸孔形成裝置(未圖示)控制。接觸孔 形成裝置根據計算機系統預先在存儲裝置中存儲的布線圖案、接觸孔的位 置，相對地移動基板10，進行切削器具100的定位。接著，將切削器具 10O以規定角度0插入絕緣層14。接著，在通過已經描述的電常數測定器 200，檢測到切削器具100穿透絕緣層14、表面處理層30而到達電極/布 線(12c、 12d)的階段，停止切削器具100的插入，進而，根據需要，使 切削器具100沿橫向移動，增大接觸孔。
以這樣的工序順序能形成接觸孔。
另外，在本實施例中能使用已經描述的各種切削器具(參照圖5 圖 10)，能加熱基板IO (參照圖4)，能組合這些方式。
然後，如圖13 (E)所示，拔出切削器具100。這時，可傾斜拔出切 削器具IOO，使接觸孔16為與切削器具對應的孔徑，也可以向上方拔出， 成為更大的開口直徑。
接著，如圖13 (F)所示，形成作為柵極和布線起作用的柵電極布線
18。通過液滴噴出法，對接觸孔16、 16之間的絕緣層14上噴出導電性材 料，形成柵電極布線18。這時，使液滴噴出頭往返運動，利用接觸孔16、 16的沒有殘渣的開口緣一側，在接觸孔內埋設導電材料。作為導電材料， 例如能使用金屬微粒的分散溶液、PEDOT (聚亞乙基二氧基噻吩)的水分 散液。
進而，通過旋塗法，在整個基板上塗敷有機絕緣材料，形成保護層20。 作為有機絕緣材料，能使用聚乙烯基酚、酚醛樹脂(別名酚醛清漆樹脂)、 聚甲基丙烯酸甲酯等。
這樣製造出半導體裝置。
在以上說明的實施例中，除了所述的實施例(圖11)的優點之外，對 形成接觸孔的電極/布線部分預先進行表面處理，降低絕緣層(聚合物)與 電極/布線的密接性，所以基於切削器具的絕緣層的除去更容易。
另外，作為形成接觸孔的部分的電極/布線，使用難以氧化的貴重金屬 類(金、鉑、鈀等)，或者在該部分的電極/布線表面形成貴重金屬，從而 能降低有機材料(聚合物)等的密接力。
本發明並不局限於所述實施方式，在不脫離本發明的宗旨的範圍內， 當然能進行各種變更。
例如，在上述各實施例中，作為切削器具100，可適當選擇圖5 圖 IO所示的切削器具(各種切削器具)，從而能減少殘渣。在製造工序中能 追加圖3 (接觸的檢測)和圖4 (基板的加熱)所示的例子。當然能適當 組合它們。
(實施方式2)
參照

本發明的實施方式2。另外，對具有同一功能的部分付 與相同或關聯的符號，省略重複的說明。
圖15 圖17是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的 形成方法)的工序剖視圖。
如圖15 (A)所示，作為絕緣性的基板10,準備塑料基板，在其上部 形成導電性膜12a 12d。例如，在基板10上用濺射法堆積A1 (鋁)等金 屬膜，通過圖案化，形成該導電性膜12a 12d。 g卩，在A1膜上形成光致
抗蝕膜，通過進行曝光、顯影，使圖案形成區域以外開口。接著，用殘存
的光致抗蝕膜作為掩模，蝕刻A1膜，形成導電性膜12a 12d。接著，除 去導電性膜12a 12d上的光致抗蝕膜。除了 Al，也可以使用Au(金)等。 此外，除了濺射法，也可以使用印刷法或掩模蒸鍍法。
導電性膜12a、 12b成為有機電晶體的源極、漏極電極。此外，導電 性膜12c、 12d成為與有機電晶體的柵電極連接的布線或焊盤。
接著，如圖15 (B)所示，在導電性膜12a和12b之間形成有機半導 體膜13。例如通過液滴噴出法(噴墨法)，在導電性膜12a和12b之間滴 下有機半導體材料溶液，使其凝固來形成有機半導體膜13。
作為有機半導體材料，能使用實施方式l中詳細說明的萘、蒽等。
這樣，通過液滴噴出法等，對規定的位置噴出溶液，形成有機半導體 膜13，從而能省略圖案化工序。此外，能防止曝光引起的有機半導體膜 13的變質。此外，不使用光致抗蝕膜，所以能降低光致抗蝕膜和有機半導 體材料的密接引起的光致抗蝕劑殘渣。
接著，在基板10上，作為絕緣膜(聚合物)，例如形成有機絕緣膜14。 例如，通過旋塗法等塗敷有機絕緣膜材料溶液，使其凝固形成該有機絕緣 膜14。作為有機絕緣材料，如實施方式1所述，能使用酚醛樹脂或丙烯酸 系樹脂等。
這裡，如實施方式l所述，通過溶液的塗敷，形成有機絕緣膜14時， 溶劑需要不使下層的半導體層13或基板IO膨潤或溶解。
接著，如圖15 (C)所示，在導電性膜12c和12d上形成接觸孔Clc、 Cld。使用中空針(去芯針)IOO形成該接觸孔，參照圖16詳細說明該形 成方法。另外，在實施方式2 6中，將針IOO稱作"中空針"。
如圖16 (A)所示，使中空針IOO對位在導電性膜12c上。該中空針 IOO是筒狀部件，在內部具有近似圓柱形的空洞，越靠前端，其直徑越小。 作為中空針100的材料，例如能使用鐵(Fe)、不鏽鋼、鈦等金屬、或者 合金、陶瓷、硬質樹脂等。
此外，更希望使用將金屬薄膜弄圓形成前端細的錐狀的中空針100。 根據這樣的方法，能形成極細的中空針，所以能形成更小的接觸孔。關於 極細的中空針的結構，追加詳細說明。
這樣，通過使頂端細(錐形)，從而容易插入，容易吸引內部的膜。
通過有機絕緣膜14使該中空針100下降，與導電性膜12c抵接(圖 16 (B))。這時，有機絕緣膜14進入中空針100的空洞內。
接著，吸引中空針IOO，使空洞內變為減壓狀態，從導電性膜12c剝 離、吸引除去空洞內的有機絕緣膜14 (圖16 (C))。該吸引例如通過與中 空針100連接的真空泵進行。另外，吸引的有機絕緣膜14片例如由設置 在連接中空針IOO和真空泵的連接管的中途的回收部回收。
通過以上工序，在導電性膜12c上形成接觸孔(開口部、開孔部)Clc。 然後，使用中空針IOO，同樣在導電性膜12d上形成接觸孔Cld (參照圖 15 (C))。另外，也可以使用多個中空針100同時形成多個接觸孔。
這樣，根據本實施方式，使用中空針IOO挖通導電性膜上的絕緣膜後， 吸引除去挖通的部分，所以能降低接觸孔內的絕緣膜殘渣。
此外，無需在有機絕緣膜14上形成光致抗蝕膜，所以能降低有機絕 緣膜14和光致抗蝕膜的密接引起的抗蝕劑殘渣的影響、光致抗蝕膜的過 蝕刻等引起的對有機絕緣膜14的損害。此外，能不便用光刻工序形成接 觸孔Clc、 Cld，能防止曝光引起的有機半導體膜14的劣化。
接著，參照圖17 圖19，說明所述接觸孔的形成方法的應用/變形例。 圖17 圖19是表示本實施方式的其他半導體裝置的製造方法(接觸孔的 形成方法)的工序剖視圖。
在圖16中，使中空針IOO與導電性膜12c抵接(圖16 (B))，但是 通過檢査它們的導通狀態，能判斷中空針100與導電性膜12c是否接觸。 即，如圖17所示，使中空針IOO下降至與導電性膜12c抵接後，例如， 通過電壓計(V)確認中空針IOO和導電性膜12c的導通狀態。它們之間 的電阻(阻抗)大時，中空針100與導電性膜12c不接觸，需要進一步使 中空針100下降。另外，除了電壓計，還可以通過電流計、示波器、或者 這些儀器的組合來判斷導通狀態。
此外，在圖16中，中空針100的內部為平面，但是如圖18所示，也 可以在其前端部分(相當於導電性膜上的絕緣膜的膜厚的部分)的內部設 置突起(返回、凹凸、摺疊)。根據該結構，容易從導電性膜12c剝離空 洞內的有機絕緣膜14。
此外，在圖16中，吸引除去了空洞內的有機絕緣膜14，但是如圖19 所示，也可以通過吸引，從導電性膜12c剝離空洞內的有機絕緣膜14後， 在其內部保持有機絕緣膜14片的狀態下使中空針100上升，形成接觸孔 Clc。然後，對中空針100的內部加壓，廢棄內部的有機絕緣膜14片。
如上詳述，在使用了中空針的接觸孔的形成時，可進行各種應用/變形。
接著，參照圖20，說明形成接觸孔Clc、 Cld後的工序。圖20是表 示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方法)的工序剖視 圖。如圖20 (A)所示，在包含接觸孔Clc、 Cld內的有機絕緣膜14上形 成柵電極(柵極線、柵極布線)15。該柵電極15例如通過液滴噴出法噴 出導電性材料溶液而形成。即，從接觸孔Clc上到C.ld上，在有機絕緣膜 14上一邊使液滴噴出裝置的噴嘴移動， 一邊噴出導電性材料溶液，使該溶 液凝固而形成。作為導電性材料溶液，例如能使用金屬微粒的分散溶液、 PEDOT (聚亞乙基二氧基噻吩)的水分散液。
這樣，在本實施方式中，能降低接觸孔內的絕緣膜殘渣，所以能實現 導電性膜12c、 12d和柵電極15的良好連接。
接著，如圖20 (B)所示，在柵電極15上形成成為保護膜17的絕緣 膜。該絕緣膜例如通過旋塗法塗敷有機絕緣材料溶液而形成。作為該有機 絕緣材料，例如能使用所述的聚乙烯基酚、酚醛樹脂(別名酚醛清漆樹脂)、 聚甲基丙烯酸甲酯等。
通過以上工序，製造出半導體裝置。另外，在基板10上可以適當設 置其他布線層。此外，如果導電性膜12a 12d的一部分不設置在同層， 也可以配置在其他布線層，可根據需要適當變更半導體裝置的結構。
(實施方式3)
在本實施方式中，在中空針與導電性膜抵接的狀態下，通過中空針的 空洞對空洞內的絕緣膜照射光，從而使絕緣膜分解。以下，參照附圖，說 明本實施方式。可是，除了接觸孔Clc等的形成工序以外，與實施方式2 同樣，所以省略重複的說明。
圖21是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。與實施方式2同樣，在基板IO上依次形成導電性膜
12c和有機絕緣膜14後，使中空針100在導電性膜12c上對位，使中空針 100下降，使導電性膜12c和中空針IOO抵接(圖21 (A))。
接著，如圖21 (B)所示，對中空針100的內部照射紫外線(UV.-Ultraviolet)。通過該UV，中空針100內部的有機絕緣膜14分解，氣化或 變為粉狀。這裡，為了防止位於中空針100的外周的有機絕緣膜14的分 解，用不透光的材料形成中空針100。即只對中空針100的內部照射UV。
接著，與實施方式2同樣，吸引除去由UV分解的有機絕緣膜。接著, 與實施方式2同樣，在包含接觸孔Clc、 Cld內的有機絕緣膜14上形成柵 電極15，再在柵電極15上形成保護膜17 (參照圖20 (B))。
這樣，根據本實施方式，對中空針100內部的有機絕緣膜14照射UV， 所以能降低接觸孔內的絕緣膜殘渣。因此，能實現導電性膜12c等和柵電 極15的良好的連接。
另外，在本實施方式中，以UV為例進行了說明，但是也可以使用其 它光(包含雷射)，分解有機絕緣膜。此外，通過這樣的光等的照射，使 有機絕緣膜14變質，變為容易進行剝離或吸引的狀態。
例如，通過UV照射，對空洞中的氧進行臭氧化，通過該臭氧能分解 有機絕緣膜14。此外，也可通過UV照射，使有機絕緣膜14硬化(收縮)， 容易吸引。
此外，也可以將實施方式2中說明的應用/變形例(圖17 圖19)應 用到本實施方式中。
(實施方式4)
在本實施方式中，在使中空針與導電性膜抵接的狀態下，通過中空針 的空洞，向空洞內的絕緣膜注射溶解該絕緣膜的液體(絕緣膜溶解性液體) 來溶解絕緣膜。以下，參照

本實施方式。其中，除接觸孔Clc等 的形成工序以外與實施方式2同樣，所以省略重複的說明。
圖22是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。與實施方式2同樣，在基板10上依次形成導電性膜 12c和有機絕緣膜14等後，使中空針100在導電性膜12c上對位，使中空 針100下降，使導電性膜12c和中空針100抵接。接著，向中空針100的
內部注入溶解有機絕緣膜14的液體(溶解性液體)(圖22 (A)、 (B))。 作為溶解的液體(溶解性液體)，例如能使用氯仿、甲苯、二甲苯等。
這裡，通過中空針100的內部的有機絕緣膜14和溶解性液體接觸， 有機絕緣膜14溶解。與實施方式2同樣地除去該溶解液(圖22 (C))。 接著，與實施方式2同樣，在含有接觸孔Clc、 Cld內的有機絕緣膜14 上形成柵電極15，在柵電極15上形成保護膜17 (參照圖20 (B))。
這樣，根據本實施方式，對中空針100內部的有機絕緣膜14注入該 有機絕緣膜14的溶解性液體，所以能降低接觸孔內的絕緣膜殘渣。因此， 能實現導電性膜12c等和柵電極15的良好的連接。
另外，在本實施方式中，可以使中空針100內部的有機絕緣膜14完 全溶解，但是也可以是使中空針100的內壁和有機絕緣膜14的接觸部或 導電性膜12c和有機絕緣膜14的接觸部溶解的程度。此外，除了溶解性 液體，也可以使用使有機絕緣膜14變質為容易進行剝離或吸引的狀態的 溶液或液體。這裡，中空針100優選使用相對於這些溶液耐性高的材料。 此外，為了除去在中空針100中殘存的絕緣膜殘渣或溶解物，可以洗淨有 機絕緣膜14並用溶解性液體洗淨其內部。
此外，也可以將實施方式2中說明的應用/變形例(圖17 圖19)應 用到本實施方式中。
(賣施方式5)
在本實施方式中，在使中空針與導電性膜接觸的狀態下，加熱中空針， 熔融空洞內的絕緣膜。以下，參照

本實施方式。其中，除接觸孔 Clc等的形成工序以外與實施方式2同樣，所以省略重複的說明。
圖23是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。與實施方式2同樣，在基板IO上依次形成導電性膜 12c和有機絕緣膜14後，使中空針100在導電性膜12c上對位，使中空針 100下降，使導電性膜12c和中空針100抵接。接著，加熱中空針100， 熔融中空針100內部的有機絕緣膜14 (圖23 (A)、圖23 (B))。與實施 方式2同樣地吸引除去該熔融液(圖23 (C))。接著，與實施方式2同樣， 在含有接觸孔Clc、 Cld內的有機絕緣膜14上形成柵電極15，進而在柵
電極15上形成保護膜17 (參照圖20 (B))。
這樣，根據本實施方式，對中空針100內部的有機絕緣膜14通過中 空針100加熱，所以能降低接觸孔內的絕緣膜殘渣。因此，能實現導電性 膜12c等和柵電極15的良好的連接。
另外，在本實施方式中，可以使中空針100內部的有機絕緣膜14完 全熔融，但是也可以是使中空針100的內壁和有機絕緣膜14的接觸部熔 融的程度。此外，也可以通過加熱，使有機絕緣膜14變質為容易進行剝 離或吸引的狀態。這裡，中空針100優選使用熱導電性高的材料。尤其是， 優選在其內側為熱傳導性良好的材料。例如，也可以是用絕緣材料塗敷金 屬性的中空針100的外周，將熱傳導到更內側的結構。
此外，這裡，通過中空針100進行加熱，但是也可以通過實施方式3 中說明的光照射進行加熱。此外，也可以將實施方式2中說明的應用/變形 例(圖17 圖19)應用到本實施方式中。
(實施方式6)
在本實施方式中，說明檢查接觸孔內的導通(非導通)的方法。
圖24是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
即，形成接觸孔Clc等後，使中空針100下降到接觸孔Clc內。接著， 在其內部使電極棒101下降到導電性膜12c上。
接著，通過連接在電極棒101和導電性膜12c之間的電壓計(V)，測 定它們之間的電阻(阻抗)。在電阻大時，可知在接觸孔Clc的底部殘存 有機絕緣膜14的殘渣。因此，再度進行實施方式2 5中詳細說明的使用 中空針100的吸引等，使接觸孔Clc為良好的接觸孔。
另外，除了電壓計，還可以通過電流計、示波器、或者這些儀器的組 合來判斷導通狀態。這裡，在中空針100具有導電性時，為了防止電極棒 101和中空針100的短路，對中空針100的內壁進行絕緣塗敷。或者，優 選電極棒101的前端部只使導電性部露出，對有可能與中空針100的內側 接觸的電極棒101的外側進行絕緣塗敷。
這樣，在本實施方式中，能檢查接觸孔內的導通狀態(殘渣的有無)，
所以能實現導電性膜12c等和柵電極15的良好的連接。 (實施方式7)
圖25、圖27和圖28是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接 觸孔的形成方法)的工序剖視圖。圖26是表示雙層中空針的構造的剖視 圖。
如圖25 (A)所示，作為絕緣性的基板IO，準備塑料基板，在其上部 形成導電性膜12a 12d。該導電性膜12a 12d例如與實施方式2同樣形成。
接著，如圖25 (B)所示，在導電性膜12a與12b之間形成有機半導 體膜13。該有機半導體膜13例如與實施方式2同樣地形成。
接著，如圖25 (C)所示，在導電性膜12c和12d上形成接觸孔Clc、 Cld。使用雙層中空針100形成該接觸孔，參照圖26和圖27，詳細說明 該形成方法。另外，在實施方式7以後，將針100稱作"雙層中空針"。
首先，圖26表示雙層中空針100的結構。如圖所示，第一中空針(內 針)100a配置在第二中空針(外針)100b的大致中央部。將該第一中空 針100a的內部作為空洞Sa，將第二中空針100b的內部的空洞作為Sb(不 包含Sa)。 g卩，空洞Sb是位於空洞Sa的外周的空洞。
此外，第一中空針100a的前端從第二中空針100b的前端後退距離D。 第一中空針100a和第二中空針100b例如由鐵(Fe)等金屬構成。此外， 第二中空針100b越靠前端，其直徑越小。因此，容易向膜插入。這樣的 中空針能將金屬薄膜弄圓形成頂端細的錐形。根據該方法，能形成極細的 中空針，所以能形成更小的接觸孔。關於極細的中空針的結構，追加詳細 說明。
通過使用所述結構的雙層中空針100，向第一中空針100a (空洞Sa) 內導入(注入)有機絕緣膜14的溶解性液體(蝕刻液)或分解性氣體(蝕 刻氣體)，能通過空洞Sb吸引反應物。因此，能以高精度形成接觸孔Clc、 Cld。以下，說明接觸孔的形成方法。
首先，如圖27 (A)所示，使雙層中空針100在導電性膜12c上對位。 通過有機絕緣膜14使雙層中空針100下降。第二中空針(外針)100b與
導電性膜12c接觸(圖27 (B))。這時，有機絕緣膜14進入第二中空針 (外針)100b的空洞(Sa和Sb)內。
接著，在第一中空針(內針)100a的內部(空洞Sa)注入有機絕緣 膜14的溶解性液體(蝕刻液)(圖32 (B))。作為溶解性液體，例如能使 用氯仿、甲苯、二甲苯等。
這裡，通過雙層中空針100的內部的有機絕緣膜14與溶解性液體接 觸，有機絕緣膜14溶解。通過空洞Sb吸引除去該溶解液(圖27 (C))。 結果，可降低接觸孔內的絕緣膜殘渣，可形成良好的接觸孔Clc、 Cld。
進而，距離D設定為在有機絕緣膜14的膜厚T以上，所以溶解性液 體容易浸透到有機絕緣膜14。因此，能高效進行接觸孔的形成。可上下移 動地配置該第一中空針(內針)100a，也可以根據有機絕緣膜14的膜厚 來調整其前端的位置。
該吸引例如通過與空洞Sb連接的真空泵進行。另外，被吸引的有機 絕緣膜14的溶解性液體例如由設置在連接空洞Sb和真空泵的連接管的中 途的回收部回收。
另外，在本實施方式中，也可完全溶解有機絕緣膜14，但是也可以殘 存可吸引程度的固體。這裡，第一中空針(內針)100a優選使用針對所述 溶解性液體耐性高的材料。
通過以上的工序，在導電性膜12c上形成接觸孔(開口部、開孔部) Clc。然後，使用雙層中空針100，同樣在導電性膜12d上形成接觸孔Cld。 另外，也可以使用多個雙層中空針100，同時形成多個接觸孔。
這樣，根據本實施方式，使用雙層中空針100，對第一中空針(內針) 100a的內部注入有機絕緣膜14的溶解性液體，吸引第二中空針(外針) 100b的內部的空洞Sb，所以能減少接觸孔內的絕緣膜殘渣。
尤其是，因為能隨時吸引除去反應物(溶解液)，所以未反應部分露 出，進而，對該露出部供給溶解性液體，所以能更有效除去有機絕緣膜14。
此外，無需在有機絕緣膜14上形成光致抗蝕膜，所以能降低有機絕 緣膜14和光致抗蝕膜的密接引起的光致抗蝕劑殘渣的影響、光致抗蝕膜 的過蝕刻引起的對有機絕緣膜14的損害。此外，不使用光刻工序也能形 成接觸孔Clc、 Cld，所以能防止曝光引起的有機絕緣膜14的劣化。
接著，參照圖28，說明所述接觸孔的形成方法的應用/變形例。圖28 是表示本實施方式的其他半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方法)的 工序剖視圖。
在圖27中，使雙層中空針100的第二中空針(外針)100b與導電性 膜12c抵接(圖27 (B))，但是也可以通過檢查它們的導通狀態，判斷第 二中空針(外針)100b與導電性膜12c是否接觸。gp，如圖28所示，將 第二中空針(外針)100b下降為與導電性膜12c抵接後，例如，通過電壓 計(V)確認第二中空針(外針)100b和導電性膜12c的導通狀態。它們 之間的電阻(阻抗)大時，第二中空針(外針)100b與導電性膜12c不接 觸，需要進一步使第二中空針(外針)100b下降。另外，除了電壓計，還 可以通過電流計、示波器、或者這些儀器的組合，判斷導通狀態。
此外，第一中空針(內針)100a是導電性材料時，為了防止第一中空 針(內針)100a和第二中空針(外針)100b的短路，也可以對第二中空 針(外針)100b的內壁或第一中空針的外壁進行絕緣塗敷。當然，保證第 一中空針100a和第二中空針100b的距離，在不短路時，無需進行塗敷。
接著，參照圖29說明形成接觸孔Clc、 Cld以後的工序。圖29是表 示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方法)的工序剖視 圖。
如圖29 (A)所示，在包含接觸孔Clc、 Cld內的有機絕緣膜14上形 成柵電極(柵極線、柵極布線)15。該柵電極15例如與實施方式2同樣 地形成。
這樣，在本實施方式中，能減少接觸孔內的絕緣膜殘渣，所以能實現 導電性膜12c、 12d和柵電極15的良好的連接。
接著，如圖29 (B)所示，在柵電極15上形成成為保護膜17的絕緣 膜。該絕緣膜例如與實施方式2同樣地形成。
通過以上工序，製造出半導體裝置。另外，在基板10上也可以適當 設置其它布線層。此外，也可以將導電性膜12a 12d的一部分不設置在 同層，也可以配置在其他布線層，根據需要，適當變更半導體裝置的結構。
(實施方式8)
在實施方式7中，對第一中空針(內針)100a的內部注入有機絕緣膜 14的溶解性液體，但是也可以注入有機絕緣膜14的分解性氣體。以下， 參照

本實施方式。可是，除接觸孔Clc的形成工序以外與實施方 式7相同，所以省略重複的說明。
圖30是表示本實施方式的其他半導體裝置的製造方法(接觸孔的形 成方法)的工序剖視圖。與實施方式7同樣，在基板10上依次形成導電 性膜12c和有機絕緣膜14等後，將雙層中空針100在導電性膜12c上對 位(圖30 (A))，使雙層中空針100下降，使導電性膜12c和雙層中空針 100的第二中空針(外針)100b抵接。
接著，如圖30 (B)所示，向第二中空針(外針)100b內部導入有機 絕緣膜14的分解性氣體(蝕刻氣體)。通過該分解性氣體，分解雙層中空 針100內部的有機絕緣膜14,氣化或成為粉狀。另外，在採用由有機分子 構成的膜時，通過蝕刻氣體而幾乎分解、氣化。作為分解性氣體，能使用 臭氧(03)等氧化性氣體。與實施方式7同樣，通過空洞Sb吸引除去分 解後的有機絕緣膜(圖30 (C))。接著，與實施方式7同樣，在包含接觸 孔Clc、 Cld內的有機絕緣膜14上形成柵電極15，進而，在柵電極15上 形成成為保護膜17的絕緣膜(參照圖29 (B))。
這樣，根據本實施方式，使用雙層中空針100向第一中空針(內針) 100a的內部導入有機絕緣膜14的分解性氣體，吸引第二中空針(外針) 100b的內部的空洞Sb，所以能減少接觸孔內的絕緣膜殘渣。
尤其是，可隨時吸引除去反應物(分解物)，所以未反應部分露出， 對該露出部供給分解性氣體，所以能更有效除去有機絕緣膜14。因此，能 實現導電性膜12c等和柵電極15的良好的連接。
另外，也可以將實施方式7中說明的應用/變形例(圖28)應用到本 實施方式中。
圖31示意性表示實施方式7和8的溶解性液體(或分解性氣體)和 反應物(溶解溶液、分解物)在雙層中空針100中的流動。
(實施方式9)
在本實施方式中，向第一中空針(內針)100a的內部注入有機絕緣膜14的分解性氣體，再進行紫外線(UV: Ultraviolet)照射。以下，參照附 圖說明本實施方式。可是，除接觸孔Clc的形成工序以外，與實施方式7 相同，所以省略重複的說明。
圖32是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。與實施方式7和9同樣，在基板10上依次形成導電 性膜12c和有機絕緣膜14等後，將雙層中空針100在導電性膜12c上對 位，使雙層中空針100下降，使導電性膜12c和雙層中空針100的第二中 空針(外針)100b接觸。
接著，如圖32(A)所示，向第二中空針(外針)100b內部導入氧(02)， 作為有機絕緣膜14的反應氣體(蝕刻氣體)。進而，通過雙層中空針100 的空洞Sa或Sb照射UV。通過UV照射，氧成為臭氧氣體。通過該臭氧 氣體，分解有機絕緣膜14。與實施方式7同樣，將分解後的有機絕緣膜通 過空洞Sb吸引除去(圖32 (B))。接著，與實施方式7同樣，在包含接 觸孔Clc、 Cld內的有機絕緣膜14上形成柵電極15，進而，在柵電極15 上形成保護膜17 (參照圖29 (B))。
這樣，根據本實施方式， 一邊導入反應氣體， 一邊照射UV，產生臭 氧，所以能進行有機絕緣膜14的分解。因此，與實施方式8同樣，能降 低接觸孔內的絕緣膜殘渣，此外，能實現導電性膜12c和柵電極15的良 好的連接。
作為UV照射的方法，除了通過雙層中空針100的空洞Sa或Sb進行 UV照射之外，在用透光性材料(例如，石英、透明導電性膜等)構成第 二中空針(外針)100b時，也可以從雙層中空針100的外部進行UV照射 (圖32(C))。這裡，雙層中空針100能使用對臭氧的耐性高的材料，換言 之，由臭氧難以氧化的材料，例如可使用Pt (白金)等貴重金屬。此外， 如果是無機物，則在表面部分以外不進行氧化，所以也可以用無機物構成 針。此外，也可在金屬的表面塗敷無機物。
另外，在本實施方式中，使用氧作為反應氣體，但是也可以使用其它 氧化性氣體。此外，在本實施方式中，說明基於臭氧的有機絕緣膜14的 分解，但是有機絕緣膜14的分解反應也可以組合有機絕緣膜14的氧化、 該氧化物的基於臭氧的分解等各種反應。此外，也可以將實施方式7中說明的應用/變形例(圖2S)應用到本實施方式中。 (實施方式10)
在本實施方式中，說明檢査接觸孔內的導通(非導通)的方法。
圖33是表示本實施方式的半導體裝置的製造方法(接觸孔的形成方 法)的工序剖視圖。
艮P，在形成接觸孔Clc等後，使雙層中空針100下降到接觸孔Clc 內。接著，使其內部的第一中空針(內針)100a下降到導電性膜12c上。 另外，在使第一中空針(內針)100a的前端下降到與第二中空針(外針) 100b的前端相同的位置的狀態下，使雙層中空針100下降。
接著，通過連接在第一中空針(內針)100a和第二中空針(外針)100b 之間的電壓計(V)，測定它們之間的電阻(阻抗)。在電阻大時，可知在 接觸孔Clc的底部殘存有有機絕緣膜14的殘渣。因此，再度進行實施方 式7 9中詳細說明的使用雙層中空針100的吸引等，使接觸孔Clc為良 好的接觸孔。
另外，除了電壓計之外，還可以通過電流計、示波器、或者這些儀器 的組合，判斷導通狀態。這裡，在第一和第二中空針(100a、 100b)雙方 具有導電性時，為了防止它們的短路，例如優選對第二中空針100b的內 壁進行絕緣塗敷。當然，也可以用陶瓷等無機絕緣材料構成第二中空針 聽自身。
另外，在本實施方式中，使用第一中空針100a檢查導通狀態，但是 代替第一中空針100a，也可以插入電極棒(導電性材料棒、導電性部件)， 與導電性膜12c接觸，來檢查導通狀態。
這樣，在本實施方式中，能檢查接觸孔內的導通狀態(殘渣的有無)， 所以能實現導電性膜12c和柵電極15的良好的連接。
(實施方式ll)
在本實施方式中，具體說明向電泳裝置的應用例。另外，對與實施方 式7具有同一功能的部分付與相同或關聯的符號，省略詳細的說明。
圖34 圖41是表示本實施方式的電泳裝置的製造方法的工序剖視圖
或俯視圖。
如圖34和圖35所示，作為絕緣性的基板IO，準備塑料基板，與實施 方式7同樣，在基板10上形成導電性膜12a 12d。導電性膜12b是像素 電極E的一部分。像素通過電晶體T而被配置在後述的數據線DL與柵極 線GL的交點處(參照圖41)。導電性膜12d構成焊盤(焊盤電極)。DL 表示數據線。該數據線DL例如配置在比導電性膜12a 12d更下層的層(在 圖34中未圖示)，通過接觸部與導電性膜12a連接(參照圖35)。
接著，如圖36和圖37所示，在導電性膜12a和12b之間形成有機半 導體膜13。與實施方式7同樣，通過液滴噴出法(噴墨法)在導電性膜 12a和12b之間滴下有機半導體材料溶液，從而形成該膜。接著，在基板 10上，與實施方式7同樣形成作為絕緣膜的有機絕緣膜14。該有機絕緣 膜14在有機半導體膜13上發揮柵極絕緣膜的作用，此外，在導電性膜 12a 12d上發揮層間絕緣層的作用。
接著，如圖38和圖39所示，在導電性膜12d上形成接觸孔Cld。如 實施方式7 11中詳細說明的那樣，使用雙層中空針100形成該接觸孔。 或者，如實施方式2 6中詳細說明的那樣，使用中空針100形成該接觸 孔。
接著，如圖40和圖41所示，在包含接觸孔Cld內的有機絕緣膜14 上，與實施方式7同樣地形成柵電極(柵極線、柵極布線)15。例如，按 照連接在x方向(與數據線DL正交的方向)上排列的有機半導體膜13, 一邊使液滴噴出裝置的噴嘴(或者基板10自身)移動， 一邊噴出導電性 材料溶液，使該溶液凝固來形成柵電極15。如圖41所示，柵電極15成為 在x方向延伸的柵極線GL。
接著，與實施方式7同樣在柵電極15上形成成為保護膜的絕緣膜(未 圖示)。
通過以上工序，形成像素電極E和電晶體T。
這樣，在本實施方式中，能減少接觸孔內的絕緣膜殘渣，所以能實現 導電性膜12d和柵電極(柵極線)15的良好的連接。
此外，在有機絕緣膜14上無需形成光致抗蝕膜，所以能降低有機絕 緣膜14與光致抗蝕膜的密接引起的光致抗蝕劑殘渣的影響、光致抗蝕膜
的過蝕刻等引起的對有機絕緣膜14的損害。此外，不使用光刻工序也能
形成接觸孔Cld，所以能防止曝光引起的有機絕緣膜14的劣化。因此， 能提高電晶體T的特性。
然後，在基板10和形成對置電極的其他基板之間通過粘合劑固定微 容器(kapsd)，電泳裝置大致完成。在微容器中封入有電泳微粒和電泳分 散液。
另外，在所述實施方式7 11中，對第一中空針(內針)100a的內部 的空洞Sa導入溶解性液體或分解性氣體，通過第二中空針(外針)100b 的內部的空洞Sb吸引，但是也可以將它們顛倒。即對第二中空針(外針) 100b的內部的空洞Sb導入溶解性液體或分解性氣體，通過第一中空針(內 針)100a的內部的空洞Sa吸引。考慮溶解性液體或分解性氣體的性質(例 如，粘度)或流量等、反應物的性質等，決定向何處導入溶解性液體或分 解性氣體。此外，也可根據使用的溶解性液體或分解性氣體的性質或流量、 反應物的性質，適當調整空洞Sa和Sb-Sa的截面積比(導入一側的截面 積和吸引一側的截面積比)。
(中空針的結構)
說明所述實施方式2 11中使用的極細的中空針的構成例。通過圖43 和圖44所示的加工，能形成這樣的極細的中空針。圖43和圖44是表示 極細中空針的加工方法的圖。
如圖43所示，例如，對厚度50nm、寬度60(Him左右的梯形的不鏽 鋼板(鐵板)120進行壓力加工，變為前端細的(錐狀的)筒狀，能形成 極細的中空針。
例如，通過具有彎曲部的模具130A、 130B，對圖44 (A)所示的不 鏽鋼板120施加壓力，在不鏽鋼板120形成曲面，再通過具有筒狀的彎曲 部模具140A、 140B進行壓力加工，能形成極細的中空針(參照圖44(B) (D))。
根據利用了金屬的延展性的壓力加工，能形成最小內徑例如為100nm 左右的中空針。另外，除了不鏽鋼之外，還能使用A1、 Cu、 Ti、 Ni、 Co、 Mo、 Pt、或它們的合金。
進而，如圖44 (F)所示，通過形成直徑不同的中空針，並內置直徑 小的中空針，從而能形成雙層中空針。根據所述方法，能形成直徑小的內 針。

下面，說明應用了電泳裝置的電子設備的具體例。圖42是應用電泳 裝置的電子設備的具體例的立體圖。
圖42 (A)是表示電子設備的一個例子即電子書的立體圖。該電子書 1000具有書形狀的框架1001、設置為相對於該框架1001可自由旋轉的 (可開閉的)蓋1002、操作部1003、由本實施方式的電泳裝置構成的顯 示部1004。
圖42 (B)是表示電子設備的一個例子即手錶的立體圖。手錶1100 具有由本實施方式的電泳裝置構成的顯示部1101。
圖42 (C)是表示電子設備的一個例子即電子紙的立體圖。該電子紙 1200具有由具有與紙同樣的質感和柔軟性的可改寫的薄片構成的主體部 1201、由本實施方式的電泳裝置構成的顯示部1202。
通過對所述顯示部組合本發明的電泳裝置，能提高電子設備的特性。 此外，能製造特性良好的電子設備。
另外，能應用電泳裝置的電子設備的範圍並不局限於此，包含利用了 伴隨著帶電粒子的移動的視覺上的變化的裝置。例如，除了所述裝置之外， 還相當於粘貼了電泳薄膜的壁面等屬於不動產的裝置、屬於車輛、飛行體、 船舶等移動體的裝置。
另外，在本實施方式中，以電泳裝置為例進行說明，但是本發明還廣 泛應用於其他裝置例如液晶裝置或有機EL裝置等電光裝置、或使用它們 的電子設備等中。
此外，在所述實施方式1 11中，以柵電極的接觸部為例進行了說明， 但是本發明能廣泛應用於布線的接觸部。例如能應用於布線基板上形成的 布線和其下層的元件或布線的接觸部。
此外，通過所述發明的實施方式說明的實施方式或應用例可根據用途 適當組合，或變更或加以改良，本發明並不局限於上述的實施方式的記載。
權利要求
1.一種接觸孔的形成方法，包括第一工序，在基板上形成作為電極或布線而被圖案化的第一導電層；第二工序，在所述基板和所述第一導電層上形成絕緣層；第三工序，對所述電極或布線上的所述絕緣層，以從該絕緣層的面向上方5度～80度範圍內的角度插入切削器具；和第四工序，從所述絕緣層抽出所述切削器具，在該絕緣層形成到達所述電極或布線的傾斜的開口部。
2. 根據權利要求1所述的接觸孔的形成方法，還包括 第五工序，繼所述第三工序之後，使插入到所述絕緣層的切削器具在所述電極或布線的延伸方向上移動。
3. 根據權利要求1或2所述的接觸孔的形成方法，還包括 第六工序，繼所述第四工序之後，與所述切削器具的插入方向對應，由液滴噴出頭相對掃描所述基板，在所述絕緣層的傾斜的開口部內以及所 述絕緣層上堆積導電材料，形成作為電極或布線而被圖案化的第二導電 層。
4. 根據權利要求1 3中的任一項所述的接觸孔的形成方法，還包括: 第七工序，繼所述第一工序之後，在與所述絕緣層的開口部對應的所述第一導電層的電極或布線上，實施降低與所述絕緣層的密接性的表面處 理。
5. 根據權利要求1 4中的任一項所述的接觸孔的形成方法，其中 在所述第三工序中，加熱所述基板。
6. 根據權利要求1 5中的任一項所述的接觸孔的形成方法，其中插入所述切削器具的角度是20度 60度範圍內的角度。
7. —種接觸孔的形成方法，包括在基板上形成作為電極或布線而被圖案化的第一導電性膜的工序； 在所述基板和所述第一導電性膜上形成絕緣膜的工序； 通過所述絕緣膜，使內部具有空洞的中空針抵接到所述第一導電性膜 上的工序；通過使所述空洞內為減壓狀態，剝離所述空洞內的所述絕緣膜的工 序；禾口通過除去被剝離的所述空洞內的絕緣膜，在所述第一導電性膜上形成 開口部的工序。
8. 根據權利要求7所述的接觸孔的形成方法，其中 在使所述中空針抵接的狀態下，通過所述空洞對所述空洞內的所述絕緣膜照射光。
9. 根據權利要求7所述的接觸孔的形成方法，其中-在使所述中空針抵接的狀態下，通過所述空洞向所述空洞內的所述絕緣膜上注入溶解所述絕緣膜的液體。
10. 根據權利要求7所述的接觸孔的形成方法，其中 在使所述中空針抵接的狀態下，通過所述空洞對所述空洞內的所述絕緣膜照射光，使所述絕緣膜變質，再通過所述空洞將使所述變質後的絕緣 膜溶解的液體注入到所述空洞內。
11. 根據權利要求7所述的接觸孔的形成方法，其中在使所述中空針抵接的狀態下，加熱所述中空針。
12. 根據權利要求7 11中的任一項所述的接觸孔的形成方法，包括在形成所述開口部之後，通過所述空洞使導電性部件抵接到所述開口 部的底面，檢查所述第一導電性膜與所述導電性部件的導通狀態的工序。
13. —種接觸孔的形成方法，包括在基板上形成作為電極或布線而被圖案化的第一導電性膜的工序； 在所述基板和所述第一導電性膜上形成絕緣膜的工序； 通過所述絕緣膜，使由第一針和第二針構成的雙層中空針抵接到所述 第一導電性膜上的工序，所述第一針在內部具有第一空洞，所述第二針包 圍所述第一針，即其內部具有位於所述第一空洞外周的第二空洞；和向所述第一空洞內注入所述絕緣膜的溶解性液體或分解性氣體，通過 所述第二空洞吸引溶解或分解後的所述絕緣膜；或者，向所述第二空洞內 注入所述絕緣膜的溶解性液體或分解性氣體，通過所述第一空洞吸引溶解 或分解後的所述絕緣膜的工序。
14. 根據權利要求13所述的接觸孔的形成方法，其中 所述第一針的前端比所述第二針的前端後退了一定距離。
15. 根據權利要求14所述的接觸孔的形成方法，其中 所述絕緣膜的膜厚在所述一定距離以下。
16. 根據權利要求13所述的接觸孔的形成方法，其中 所述分解性氣體是氧化性氣體。
17. 根據權利要求13所述的接觸孔的形成方法，其中 一邊注入所述分解性氣體， 一邊對所述分解性氣體照射紫外線。
18. —種布線基板的製造方法，包括權利要求1 17中的任一項所述 的接觸孔的形成方法；還包括在包含所述開口部內的所述絕緣膜上形成第 二導電性膜的工序。
19. 一種半導體裝置的製造方法，包括權利要求1 17中的任一項所 述的接觸孔的形成方法；還包括在比所述絕緣膜更下層的位置形成有機半 導體膜的工序。
20. —種電光裝置的製造方法，包括權利要求19所述的半導體裝置 的製造方法。
全文摘要
本發明提供一種接觸孔的形成方法，包括在基板上形成作為電極或布線而被圖案化的第一導電層的第一工序；在基板和第一導電層上形成絕緣層的第二工序；對電極或布線上的絕緣層，從該絕緣層的面向上方，以5度～80度的範圍內的角度插入切削器具的第三工序；從絕緣層抽出切削器具，在該絕緣層形成到達電極或布線的傾斜的開口部的第四工序。由此，提供在使用針等的物理的接觸孔的形成中，不易產生導通不良的接觸孔的形成方法、使用該方法的電路基板、半導體裝置的製造方法。
文檔編號H01L21/70GK101179049SQ20071016589
公開日2008年5月14日 申請日期2007年11月7日 優先權日2006年11月9日
發明者佐伯勇久, 保刈宏文, 原田光明, 奧山智幸, 守谷壯一, 川瀨健夫, 青木敬 申請人:精工愛普生株式會社