高頻磁性材料及其製造方法

2023-05-31 08:31:41 2

專利名稱：：高頻磁性材料及其製造方法
技術領域：
：本發明涉及控制在高頻區域的導磁率的高頻磁性材料，特別涉及可應用於在100MHz數GHz範圍的高頻區域使用的磁性部件等的高頻磁性材料及其製造方法。
背景技術：
：近年來，作為磁性體的應用，作為電波吸收體的用途正受到關注。例如，它是為了降低來自手機、計算機等電子設備類的噪音的發射而利用磁性體的磁損的一種方法。利用磁性體的磁損的電磁波吸收體通過配置在成為噪音發生源的部件的附近，便抑制噪音的發射。在這樣的情況下，為人所知的是電波吸收特性依賴於磁性體的複數導磁率"=P'-j!i"的虛數成分P"的大小，虛數成分u"越大，就越具有優良的特性。作為利用這樣的磁性體的電磁波吸收體，常常是將磁性體的粉末和樹脂的混合物成型而成的。例如，在專利文獻1所公開的電磁波吸收體中，將在13GHz的高頻區內的特定頻區下的複數導磁率li的實數成分P'和虛數成分w"調整成為W'>P"、且ix、5;並且對於這樣的具有許多微球連接成鏈狀的形狀的磁性體粉末、以及微球狀磁性體粉末之中的至少一方，在個別地由電絕緣材料進行絕緣的狀態下，使許多磁性體粉末聚集在一起而實現一體化，從而製作出電波吸收體。但是，在該方法中，由於對磁性體粉末之間進行了電絕緣，所以難以得到在超過數百MHz的高頻下的優良的電波吸收特性。另外，從專利文獻1所使用的磁性粒子的磁各向異性較小的角度考慮，同樣地在高頻下的電波吸收方面存在極限。另外，在專利文獻2等示出的電波吸收的方法中，由於為賦予磁性粒子以磁各向異性而使用扁平狀的磁性粒子，所以使與較高頻的協調成為可能。但是，當製造扁平粒子時在尺寸上存在極限，在超過數百MHz那樣的高頻下的電波吸收特性較低。而且專利文獻3公開了一種採用磁性體粒子連續的網絡結構、由此使塑性優良的磁性體。專利文獻l:日本特開2004-128001號公報專利文獻2:日本特開平10-106814號公報專利文獻3:日本特開2007-8762號公報
發明內容本發明就是考慮到上述的情況而進行的，其目的在於提供一種在高頻區電波吸收特性優良的高頻磁性材料及其製造方法。本發明的高頻磁性材料的特徵在於具有至少含有金屬納米粒子的磁性體，所述金屬納米粒子是含有Fe、Co、Ni之中的至少1種的磁性金屬；所述金屬納米粒子的平均粒徑小於等於200nm;在所述磁性體內形成有具有所述金屬納米粒子連續的網絡狀結構且平均直徑小於等於10Um的第1簇(cluster);在所述磁性體內形成有具有所述第1簇連續的網絡狀結構且平均直徑小於等於100um的第2簇；所述磁性體具有所述第2簇連續的網絡狀結構。在此，優選所述金屬納米粒子之間以電介質填充。在此，優選所述金屬納米粒子的一部分以氧化物包覆。在此，優選所述金屬納米粒子的一部分以氧化物包覆，所述金屬納米粒子含有非磁性金屬，而且所述氧化物含有所述非磁性金屬之中的至少1種的非磁性金屬的氧化物。在此，優選所述金屬納米粒子含有C(碳)、N(氮)之中的至少1種。在此，優選所述金屬納米粒子的晶體磁各向異性大於等於23.9X103A/m。在此，優選所述磁性體的電阻率為lmQ'cm100kQcm，其中特別是10mQ，cm10kQcm，而且所述磁性體複數導磁率的實數成分u，在lGHz下大於等於3。本發明的高頻磁性材料的製造方法的特徵在於具有形成金屬納米粒子的金屬納米粒子形成工序、以及至少壓縮成型所述金屬納米粒子的壓縮成型工序。在此，優選在所述金屬納米粒子形成工序之後、所述壓縮成型工序之前，還具有混合所述金屬納米粒子和樹脂的混合工序。在此，優選在所述金屬納米粒子形成工序之後、所述壓縮成型工序之前，還具有以氧化物包覆所述金屬納米粒子的一部分的工序。根據本發明，可以提供在高頻區的電波吸收特性優良的高頻磁性材料及其製造方法。圖1是實施方式的高頻磁性材料的示意剖視圖。圖2是實施方式的高頻磁性材料的SEM照片。符號說明10高頻磁性材料12金屬納米粒子14磁性體16第1簇18第2簇20電介質具體實施方式以下使用附圖就本發明的實施方式進行說明。本發明的實施方式的高頻磁性材料具有至少含有金屬納米粒子的磁性體。而且這些金屬納米粒子是含有Fe、Co、Ni之中的至少1種的磁性金屬。另外，這些金屬納米粒子的平均粒徑小於等於200nm。而且在該磁性體內，形成有具有這些金屬納米粒子連續的網絡狀結構且平均直徑小於等於10ixm的第l簇。再者，在該磁性體內，形成有具有第i簇連續的網絡狀結構且平均直徑小於等於100um的第2簇。而且該磁性體形成有這些第2簇連續的網絡狀結構。在此，以磁性體由金屬納米粒子和填充在這些金屬納米粒子之間的電介質構成的情況為例進行說明。圖1是本實施方式的高頻磁性材料的示意剖視圖。圖1(a)是整體的剖視圖，圖1(b)是第2簇的剖視圖，圖1(c)是第1簇的剖視圖。如圖1所示，該高頻磁性材料例如具有在基板(未圖示)上含有6金屬納米粒子12的磁性體14。該金屬納米粒子12是平均粒徑小於等於200nm、且含有Fe、Co、Ni之中的至少1種的磁性金屬。而且這些金屬納米粒子12聚集起來形成平均直徑小於等於10txm的第l簇16。該第1簇16如圖1(c)所示，具有構成該簇的各個金屬納米粒子12的一部分之間互相接觸或接合而連續的網絡狀結構。再者，這些第1簇16聚集形成平均直徑小於等於100txm的第2簇18。該第2簇18如圖1(b)所示，具有構成該簇的各個第1簇16的一部分之間、更微觀地說是第1簇16的外緣的金屬納米粒子12的一部分之間互相接觸或接合而連續的網絡狀結構。另外，如圖1(a)所示，這些第2簇18的一部分之間，更微觀地說是第2簇16的外緣的金屬納米粒子12的一部分之間互相接觸或接合，從而在磁性體14內形成網絡狀結構。高頻磁性材料10由第1簇16內的網絡結構、第2簇18內的網絡結構、進而利用第2簇18自身所形成的磁性體20內的網絡結構構成。這樣，高頻磁性材料IO可以說具有分形(fractal)(自我相似)的三維網絡結構。圖2是本實施方式的高頻磁性材料的SEM照片。圖2(a)的放大倍數為2K倍，圖2(b)的放大倍數為40K倍，左右兩邊的照片除右邊的照片有標示以外，其餘是同樣的照片。如圖2(b)所示，金屬納米粒子12連接成網絡狀，形成第1簇16。進而如圖2(a)所示，第1簇16連接成網絡狀，形成第2簇18。而且第2簇18連接成網絡狀，形成磁性體14。本實施方式的高頻磁性材料IO具有上述的結構，因而在高頻區可以實現優良的電波吸收特性。這樣一來，之所以通過金屬納米粒子的分形(自我相似)的三維網絡結構，從而在高頻區實現優良的電波吸收特性，是因為由高頻區下的高u"引起的較高的磁損、和由網絡結構引起的較高的導電損失的緣故。在此，金屬納米粒子中含有的磁性金屬包含Fe、Co、Ni之中的至少l種以上，其中特別優選的是能夠實現較高的飽和磁化的Fe基合金、7Co基合金、FeCo基合金。作為Fe基合金、Co基合金，可以列舉出含有Ni、Mn、Cu、Mo、Cr等作為第2成分的FeNi合金、FeMn合金、FeCu合金、FeMo合金、FeCr合金、CoNi合金、CoMn合金、CoCu合金、CoMo合金、CoCr合金。作為FeCo基合金，可以列舉出含有Ni、Mn、Cu、Mo、Cr作為第2成分的合金等。這些第2成分對於提高導磁率是有效的成分。另外，金屬納米粒子可以是多晶粒子、單晶粒子中的任一種。在單晶粒子的情況下，由於在粒子一體化時可以使易磁化軸一致，因而可以控制磁各向異性，可以在更高頻下實現陡峭的吸收特性。另一方面，在多晶粒子的情況下，所具有的優點包括合成上容易；以及由於可以擴寬磁共振頻帶，從而吸收帶也可以拓寬。優選根據是要實現陡峭的吸收特性，還是要實現寬廣的吸收特性而選擇可利用的粒子。金屬納米粒子優選平均粒徑為lnm200nm，其中特別優選為10nm50nm。如果粒徑不足10nm，則有可能產生超常磁性，從而導致磁通量不足。另一方面，如果粒徑增大，則在高頻區下的渦流損耗增大，作為目標要求的高頻區下的磁特性就降低。g卩，由於共振頻率向低頻側移動，所以在高頻下的虛數成分U"減小。另外，如果粒徑增大，則與單磁疇結構相比，採取多磁疇結構者在能量上變得穩定。這時，多磁疇結構的導磁率的高頻特性劣於單磁疇結構的導磁率的高頻特性。即，由於共振頻率向低頻側移動，所以高頻下的虛數成分u"減小。因此，在作為高頻用磁性部件使用的情況下，優選使其作為具有單磁疇結構的粒子而存在。保持單磁疇結構的極限粒徑由於大約小於等於50mn,所以更優選使粒徑小於等於50nm。由上可知，金屬納米粒子的平均粒徑優選控制在lnm200nm的範圍，其中特別優選控制在10nm50nm的範圍。另外，金屬納米粒子可以是球狀粒子，但優選的是縱橫尺寸比較大的扁平粒子、棒狀粒子。如果增大縱橫尺寸比，則可以賦予因形狀引起的磁各向異性，不但使導磁率的高頻特性得以提高，而且在使粒子一體化而製造部件時，容易通過磁場進行取向。通過取向可以進一步提高導磁率的高頻特性。即，由於共振頻率進一步向高頻側移動，所以高頻下的虛數成分y"增大。另外，如果增大縱橫尺寸比，則可以增大成為單磁疇結構的極限粒徑，因而即便是較大的粒子，導磁率的高頻特性也不會劣化。如果是球狀，則成為單磁疇結構的極限粒徑是50nm左右，但如果是縱橫尺寸比較大的扁平粒子，則極限粒徑增大。一般地說，由於粒徑較大的粒子容易合成，所以從製造上的角度考慮，縱橫尺寸比較大者是有利的。再者，通過增大縱橫尺寸比，在使粒子一體化而製造部件時，可以增大磁性金屬納米粒子的填充率，由此可以增大部件的每單位體積、每單位重量的飽和磁化，因而是優選的。由此，增大導磁率也成為可能。即，P'增大，相應地P"也增大。之所以將第l簇的平均直徑設定為小於等於lOum、將第2簇的平均直徑設定為小於等於100um，是因為基於這樣的事實，可以使磁性體的電阻率為lmQ，cm10kQcm，由此可以在高頻區得到高的導電損失、.即高的電波吸收特性。而且與此同時，也可以在高頻區提高導磁率的虛數成分P"，由此可以得到高的磁損、即高的電波吸收特性。綜上所述，通過將第1簇的平均直徑設定為小於等於H)ixm，將第2簇的平均直徑設定為小於等於100um，在高頻區可以同時實現高的導電損失和髙的磁損，由此可以實現優良的電波吸收特性。優選金屬納米粒子的晶體磁各向異性大於等於23.9X103A/m("300Oe)。究其原因，這是因為由於共振頻率位於高頻側，所以高頻下的虛數成分P"增大，從而高頻吸收特性變好。在此，優選金屬納米粒子的一部分以氧化物包覆。即，優選設定為以金屬納米粒子為芯、氧化物為殼的芯-殼型粒子。包覆金屬納米粒子表面的一部分的氧化物包覆層更優選的是含有1種以上的金屬納米粒子的構成成分即金屬的氧化物或複合氧化物。究其原因，這是因為氧化物包覆層是含有1種以上的金屬納米粒子的構成成分之一即金屬的氧化物或複合氧化物，因而金屬納米粒子和氧化物包覆層的附著力和接合性良好，從而成為熱穩定的材料。該氧化物包覆層不但使內部的金屬納米粒子的耐酸化性得以提高，而且在使粒子一體化而製造部件時使金屬納米粒子相互之間電隔離，可以提高部件的電阻。通過提高部件的電阻，可以抑制在高頻下的渦流損耗，從而提高導磁率的高頻特性。即，由於虛數成分P"的峰值向高頻側移動，所以在高頻下的虛數成分P"增大。因此，氧化物包覆層必須是電學上的高阻抗，優選大於等於lmQ'cm。另外，金屬納米粒子不是整個表面區域、而是一部分具有絕緣性的包覆層，因而即使互相接觸和結合，也能穩定地形成保持了適度阻抗的網絡。優選有氧化物包覆層的金屬納米粒子含有非磁性金屬，並且氧化物包覆層在該非磁性金屬之中，含有至少1種氧化物。該非磁性金屬優選的是選自Mg、Al、Si、Ca、Zr、Ti、Hf、稀土類元素、Ba、Sr之中的至少1種以上的金屬。這些非磁性金屬是其氧化物的標準生成吉布斯自由能較小的容易氧化的元素，從包覆金屬納米粒子的氧化物包覆層的絕緣性的穩定性的角度考慮，是優選的元素。換言之，標準生成吉布斯自由能較大的金屬難以成為氧化物，並不是優選的。另外，氧化物包覆層是含有1種以上的金屬納米粒子的構成成分之一即非磁性金屬的氧^:物或複合氧化物，因而金屬納米粒子和氧化物包覆層的附著力和接合性變好，也成為熱穩定的材料。這吋，Al、Si由於容易與作為金屬納米粒子的主要成分的Fe、Co、Ni固溶，所以從金屬納米粒子熱穩定性的角度考慮，是特別優選的。即，氧化物包覆層更優選的是含有A1、Si的氧化物。氧化物包覆層既可以是l種氧化物，也可以是多種混合(也包括固溶)而成的複合氧化物。氧化物包覆層的厚度優選為0.1nm100nm的厚度。如果不足O.lnm，則耐酸化性並不充分，同時在使粒子一體化而製造部件時，降低部件的阻抗，從而容易發生渦流損耗，由此導磁率在高頻下的虛數成分n"減小，因而不是優選的。另外，如果大於等於100nm，則在使粒子一體化而製造部件時，降低包含在部件中的磁性金屬納米粒子的填充率，降低部件的飽和磁化，由此虛數成分P"減小，因而不是優選的。為了抑制渦流損耗而不減少高頻的虛數成分ii"，而且並不較大地降低飽和磁化而不降低虛數成分w"，有效的氧化物包覆層的厚度是0.1nm100nm的厚度。10優選金屬納米粒子含有C(碳)、N(氮)之中的至少1種。既可以是只有碳、或只有氮，也可以是含有碳和氮兩種。碳和氮是通過與磁性金屬固溶、可以增大磁各向異性的有效的元素。具有較大的磁各向異性的材料可以增大強磁性共振頻率(材料的U'在強磁共振頻率附近較大地降低，P"較大地增加)，成為可以在高頻帶使用的材料。在金屬納米粒子中含有的非磁性金屬、碳、氮的含量相對於磁性金屬均優選為小於等於20原子％。如果含量達到該數值以上，則使金屬納米粒子的飽和磁化降低，虛數成分y"減小，因而不是優選的。另外，優選在金屬納米粒子中含有的磁性金屬、非磁性金屬與碳和氮之中的至少1種是固溶的。通過固溶，可以有效地提高磁各向異性，由此可以提高高頻磁特性，即虛數成分w"。另外，還可以提高材料的機械特性。在並不固溶的情況下，由於偏析在磁性金屬納米粒子的晶界或表面，因而不能有效地提高磁各向異性和機械特性。電介質並沒有特別的限定，通常使用樹脂。具體地說，可以使用聚酯系樹脂、聚乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚氨酯樹脂、纖維素系樹脂、ABS樹脂、丁腈系橡膠、丁苯系橡膠、環氧樹脂、酚醛樹脂、醯胺系樹脂、醯亞胺系樹脂、或者它們的共聚物。另外，也可以由氧化物、氮化物、碳化物等無機材料構成。具體地說，可以列舉出八1203、AIN、Si02、SiC等作為實例。本實施方式的電介質由於使電波吸收特性得以提高，因而優選的是在所要求的電波吸收區域的複數介電常數的虛數成分較大。另外，本實施方式的電介質也可以是上述的樹脂和無機材料的混合物，例如也可以採取使八1203分散在環氧樹脂中的狀態。此外，由於金屬納米粒子之間以電介質填充可以利用介電損耗，所以是優選的，但是，電介質不一定是必要的因素，金屬納米粒子之間也可以是空隙。如果金屬納米粒子之間以電介質填充，則與空隙的情況相比，可以增大因金屬粒子和電介質界面的應變引起的介電損耗、以及金屬納米粒子起著作為電極的作用從而產生容量成分(即介電常數增大，結果介電損耗也增加)的影響，由此可以進一步提高電波吸收特性，因而是優選的。而且磁性體的電阻率為lmQ'cm100kQ'cm，其中特別是10mQ.cm10kQ.cm，特別優選上述磁性體的複數導磁率的實數成分ti，在lGHz下大於等於3。這是因為通過全部滿足這樣的條件，在高頻區可以實現極高的電波吸收特性。此外，在本實施方式的高頻磁性材料中，材料組織可以用SEM(ScanningElectronMicroscopy)、TEM(TransmissionElectronMicroscopy)來進行判明(分析)，衍射圖譜(包括固溶的確認)可以用TEM-Diffraction、XRD(X-rayDiffraction)進行判明(分析)，組成元素的鑑定和定量分析可以用ICP(Inductivelycoupledplasma)發光分析、螢光X射線分析、EPMA(ElectronProbeMicro-Analysis)、EDX(EnergyDispersiveX-rayFluorescencespectrometer)等進行判明(分析)。另外，金屬納米粒子的平均粒徑通過TEM觀察、SEM觀察，以平均化各個粒子最長的對角線和最短的對角線所得到的值作為其粒子直徑，由平均多個粒子直徑而求出。另外，第1簇和第2簇的平均直徑通過TEM觀察、SEM觀察，以平均化各個簇的最長的對角線和最短的對角線所得到的值作為其簇直徑，由平均多個簇直徑而求出。接著，就本實施方式的高頻磁性材料的製造方法進行說明。本實施方式的高頻磁性材料的製造方法的特徵在於具有形成金屬納米粒子的金屬納米粒子形成工序、混合金屬納米粒子和樹脂的混合工序、以及壓縮成型金屬納米粒子的壓縮成型工序。首先，例如向高頻感應熱等離子體裝置中流入等離子體發生用氬氣，以產生等離子體。向裝置內，例如以Fe粉末和Al粉末為原料、以氬氣作為載氣而進行噴霧，由此形成FeAl合金的金屬納米粒子。此外，金屬納米粒子的形成不一定只限於該方法，也可以是利用化學反應而在溶液中使目標的納米粒子析出的方法、或者將在不揮發性的溶液中蒸發的目標的金屬俘獲作為納米粒子而加以回收的方法。將得到的金屬納米粒子例如與樹脂混合。再者，通過對該混合物進行壓縮成型，從而形成高頻磁性材料。具體地說，壓縮成型採用單12軸壓力加工法或CIP法、HIP法等進行。更具體地說，例如可以採用如下的方法進行使用單軸壓力加工法，將丙酮、PVB和金屬納米粒子混合後，乾燥後進行造粒，將它填充在模具中，然後用油壓壓力機進行成型，然後取出成型品。這樣一來，可以製作出本實施方式的高頻磁性材料。此外，混合金屬納米粒子和樹脂的混合工序不一定是必要的。在形成金屬納米粒子之間由空隙構成的高頻磁性材料時，該工序可以省略。另外，在用以金屬納米粒子為芯、氧化物為殼的芯-殼型的納米粒子形成磁性體的情況下，在金屬納米粒子形成工序之後、壓縮成型工序之前，增加以氧化物包覆金屬納米粒子的一部分的工序。以上，參照具體實例就本發明的實施方式進行了說明。上述實施的方式畢竟只是舉出作為實例，不會限定本發明。另外，實施方式的說明對於高頻磁性材料及其製造方法等，關於直接對本發明的說明不需要的部分等省略了敘述，但可以適當選擇涉及所需要的高頻磁性材料及其製造方法等的要素加以使用。此外，具備本發明的要素、本領域技術人員可以適當設計變更的全部的高頻磁性材料及其製造方法均包含在本發明的範圍內。本發明的範圍是根據權利要求書及其等同置換的範圍所定義的。實施例以下一邊與比較例進行對比，一邊就作為本發明的具體例的實施例進行詳細的說明。此外，以下的實施例i、r3中的金屬納米粒子的平均結晶粒徑的測量方法基於TEM觀察進行。具體地說，是將在觀察(照片)中所讀出的各個粒子的最長直徑和最短直徑進行平均所得到的值作為其粒子直徑，從其平均值求出。照片是採用3個以上單位面積10iimX10um來求出平均值。微觀結構的組成分析以EDX分析為中心而進行評價。另外，第1簇和第2簇的平均直徑根據SEM觀察，以將各個簇的最長對角線和最短對角線進行平均所得到的值作為其簇的直徑，從其平均值求出。第1簇、第2簇都是在2個視場的SEM像中分別測量5個共計10個點，求出平均值。(實施例1)向高頻感應熱等離子體裝置中流入40L/min氬氣作為等離子體發生用氣體，以產生等離子體。在此，以Fe粉末和Al粉末為原料、以氬氣為載氣，以3L/min進行噴霧，由此便可以得到平均粒徑為40nm的FeAl合金納米粒子。該粒子按100:10的比率與PVB混合，進行單軸壓縮造型，將其作為實施例1的高頻磁性材料。(實施例r)向高頻感應熱等離子體裝置中流入40L/min氬氣作為等離子體發生用氣體，以產生等離子體。在此，以Fe粉末和Al粉末為原料、以氬氣為載氣，以3L/min進行噴霧。這時，將甲烷引入載氣中作為碳包覆的原料，便可以得到在FeAl合金上包覆碳的納米粒子。將碳包覆Fe系納米粒子在500cc/min氫的流動下於650'C進行還原處理，然後冷卻到室溫，之後在含有.0,lvoie/。氧的氬氣中取出，從而製作出芯-殼型粒子。製作的芯-殼型粒子具有芯的磁性金屬納米粒子的平均粒徑為32nm、氧化物包覆層厚度為4nm的結構。芯的磁性金屬納米粒子由Fe-Al-C構成，氧化物包覆層由Fe-Al-O構成。芯-殼型粒子通過以100.-10的比率與環氧樹脂混合，並進行單軸壓縮成型而實現一體化，將其作為實施例l'的高頻磁性材料。(實施例2)進行氮化處理，以代替實施例1的碳化處理，從而製作出芯-殼型粒子。製作的芯-殼粒子具有芯的磁性金屬納米粒子的平均粒徑為41nm、氧化物包覆層厚度為4nm的結構。芯的磁性金屬納米粒子由Fe-Al-N構成，氧化物包覆層由Fe-Al-O構成。該芯-殼型粒子以100IO的比率與環氧樹脂混合，並進行單軸壓縮造型，將其作為實施例2的高頻磁性材料。(實施例3)在實施例1中，以Fe粉末和Si粉末為原料，向等離子體中進行噴霧。製作的芯-殼粒子具有芯的磁性金屬納米粒子的平均粒徑為38nm、氧化物包覆層厚度為3nm的結構。芯的磁性金屬納米粒子由Fe-14Si-C構成，氧化物包覆層由Fe-Si-O構成。該芯-殼型粒子以100:10的比率與樹脂混合併進行壓縮成型，將其作為實施例3的高頻磁性材料。對實施例1、1'3的成型體進行SEM觀察的結果表明，金屬納米1次粒子聚集成為第1簇，進而第1簇聚集形成第2簇，從而構成成型體。金屬納米粒子部分地互相接觸而形成網絡，進而第1簇之間、第2簇也互相形成網絡。(比較例1)在實施例1中，使用刮刀法以代替壓縮成型，以與實施例1同樣的組成成型磁性粒子和PVB，將其作為比較例1的高頻磁性材料。對比較例1的成型體進行SEM觀察的結果表明，沒有觀察到在實施例1-3中所看到的2次粒子之間的網絡。下表1表示了得到的實施例1、1'3和比較例1所使用的高頻磁性材料的概況。另外，關於實施例1、1'3和比較例1的評價用試樣，用以下的方法研究了電磁波吸收特性。將其結果表示在下表1中。(電磁波吸收特性的評價)在評價用試樣的電磁波照射面和其相反的一面上粘結厚度為lmm且同樣面積的金屬薄板，在2GHz的電磁波下使用試樣網絡分析儀的Sll模式，在自由空間用反射電力法進行測量。反射電力法是與沒有粘結試樣的金屬薄板(完全反射體)的反射水平進行比較，測量來自試樣的反射水平減少了多少dB的方法。根據該測量以反射衰減量定義電磁波的吸收量，以將比較例1的吸收量設定為1時的相對值求出。tableseeoriginaldocumentpage16由表l表明實施例l、1'3的高頻磁性材料在高頻區表現出高的電波吸收特性。這樣一來，根據本實施例確認了本發明的效果。權利要求1、一種高頻磁性材料，其特徵在於具有至少含有金屬納米粒子的磁性體；所述金屬納米粒子是含有Fe、Co、Ni之中的至少1種的磁性金屬；所述金屬納米粒子的平均粒徑小於等於200nm；在所述磁性體內形成有具有所述金屬納米粒子連續的網絡狀結構且平均直徑小於等於10μm的第1簇；在所述磁性體內形成有具有所述第1簇連續的網絡狀結構且平均直徑小於等於100μm的第2簇；所述磁性體具有所述第2簇連續的網絡狀結構。2、根據權利要求l所述的高頻磁性材料，其特徵在於所述金屬納米粒子之間以電介質填充。3、根據權利要求l所述的高頻磁性材料，其特徵在於所述金屬納米粒子的一部分以氧化物包覆。4、根據權利要求2所述的高頻磁性材料，其特徵在於所述金屬納米粒子的一部分以氧化物包覆。5、根據權利要求3所述的高頻磁性材料，其特徵在於所述金屬納米粒子含有非磁性金屬，而且所述氧化物含有所述非磁性金屬之中的至少1種的非磁性金屬的氧化物。6、根據權利要求4所述的高頻磁性材料，其特徵在於所述金屬納米粒子含有非磁性金屬，而且所述氧化物含有所述非磁性金屬之中的至少1種的非磁性金屬的氧化物。7、根據權利要求6所述的高頻磁性材料，其特徵在於所述金屬納米粒子含有碳、和氮之中的至少l種。8、根據權利要求7所述的高頻磁性材料，其特徵在於所述金屬納米粒子的晶體磁各向異性大於等於23.9X103A/m。9、根據權利要求8所述的高頻磁性材料，其特徵在於所述磁性體的電阻率為lmQ.cm100kQcm，而且所述磁性體複數導磁率的實數成分P'在lGHz下大於等於3。10、一種高頻磁性材料的製造方法，其特徵在於，具有形成金屬納米粒子的金屬納米粒子形成工序；以及至少壓縮成型所述金屬納米粒子的壓縮成型工序。11、根據權利要求IO所述的高頻磁性材料的製造方法，其特徵在於在所述金屬納米粒子形成工序之後、所述壓縮成型工序之前，還具有混合所述金屬納米粒子和樹脂的混合工序。12、根據權利要求10所述的高頻磁性材料的製造方法，其特徵在於-在所述金屬納米粒子形成工序之後、所述壓縮成型工序之前，還具有以氧化物包覆所述金屬納米粒子的一部分的工序。13、根據權利要求11所述的高頻磁性材料的製造方法，其特徵在於在所述金屬納米粒子形成工序之後、所述壓縮成型工序之前，還具有以氧化物包覆所述金屬納米粒子的一部分的工序。全文摘要本發明提供一種在高頻區的電波吸收特性優良的高頻磁性材料及其製造方法。其中，高頻磁性材料(10)的特徵在於具有至少含有金屬納米粒子(12)的磁性體(14)；金屬納米粒子(12)是含有Fe、Co、Ni之中的至少1種的磁性金屬；金屬納米粒子(12)的平均粒徑小於等於200nm；形成有具有所述金屬納米粒子(12)連續的網絡狀結構且平均直徑小於等於10μm的第1簇(16)；形成有具有第1簇(16)連續的網絡狀結構且平均直徑小於等於100μm的第2簇(18)；第2簇(18)連續地在整個磁性體區域(14)形成有網絡狀結構。文檔編號B22F3/02GK101577163SQ20091013016公開日2009年11月11日申請日期2009年3月27日優先權日2008年3月28日發明者原田耕一,末永誠一,末綱倫浩申請人:株式會社東芝