消瓶頸!聯電率先完成高性能40nm工藝

2024-12-14 07:14:08

    [泡泡網顯卡頻道 4月13日] 科技的飛速發展使得製造工藝也不斷提升，Intel和AMD都在45nm的產品上讓大家看到了新工藝的魅力，當然，在GPU領域，隨著40nm的完成，GPU製造工藝也在歷史上第一次超過了CPU。

    但由於目前新工藝研發成本高昂，即便是已經宣布可以量產40nm產品的臺積電和聯電的實力也是有限的，因此40nm工藝其實一直不夠成熟，無法滿足高性能GPU核心的需要，從而制約了AMD、NVIDIA新款高端顯卡的進度。

    而近日，聯電宣布已率先開始批量出貨基於高性能40nm工藝的消費集成電路，比臺積電領先了一步。聯電稱，新工藝綜合了三閘級氧化層(TGO)、12個金屬層、Cu/Low-K工藝，相比上代65nm工藝可將晶片集成度提高一倍，同時功耗降低65％，而且生產周期和產品良率都已經達到實用水平，可以用來製造大尺寸的可編程邏輯晶片。

    聯電的高性能45/40nm工藝使用了沉浸式光刻技術，還有超淺結、遷移率增強、Ultra Low-K電介質等措施，以求實現最大程度的功耗和性能優化，客戶還可以根據產品需要選擇不同的電壓和電晶體參數。

    Xilinx公司上月底宣布，基於聯電40nm工藝的Virtex-6 FPGA已開始批量出貨，最多可節約75％的成本。從上面的消息看來，AMD和NVIDIA兩家公司的最新旗艦級高端產品有可能會提前問世！■