超薄pdp顯示屏的製作方法
2023-10-04 23:30:19 1
超薄pdp顯示屏的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種超薄PDP顯示屏的製作方法。該製備方法包括前基板部、後基板部的製作，及前基板部和後基板部的封接步驟，使前基板部與後基板部相對封接形成多個放電單元，前基板部的製作步驟包括：提供前基板；在前基板的後表面設置介質保護膜；沿前基板的前表面設置放電電極；以及在前基板的前表面及放電電極上設置第一絕緣層。應用本發明的超薄PDP顯示屏的製作方法製備的顯示屏，前基板既作為支撐結構，又直接作為介質層，與現有技術相比節省了結構，可以在很大程度上降低氣體放電裝置的厚度。
【專利說明】超薄PDP顯示屏的製作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及氣體放電【技術領域】，具體而言，涉及一種超薄PDP顯示屏的製作方法。【背景技術】
[0002]目前大多數的市售等離子顯示器(rop)商品為表面放電結構，通常具有如圖1所示的結構。
[0003]圖1為傳統的AC型彩色等離子顯示器100』的局部結構透視圖。PDP 100』包括一片前基板部103』和一片後基板部106』。前基板部103』包括由玻璃構成的前基板110』，維持電極111』和掃描電極112』，其中每個像素都包含有維持電極和掃描電極。前基板103』上還包括介質層113』和介質保護層114』，介質保護層114』 一般為氧化鎂層。
[0004]後基板部106』包括由玻璃構成的後基板115』，上面設置有很多的欄狀尋址電極116』。尋址電極116』上面覆蓋一層介質層117』。障壁118』將前基板部103』和後基板部106』分隔開來，紅色螢光粉層120』，綠色螢光粉層121』和藍色螢光粉層122』位於介質層上方，障壁118』的側壁內。PDP的每個像素被定義為由一行維持電極111』和一行掃描電極112』，它們與三列尋址電極116』的交叉點附近的區域構成，每一個像素包含一紅色螢光粉層120』、一綠色螢光粉層121』和一藍色螢光粉層122』。
[0005]PDP的厚度對於大尺寸的等離子電視機是一個很重要的構成因素，降低PDP的厚度是一直是人們致力研究的課題。
【發明內容】
[0006]本發明旨在提供一種超薄PDP顯示屏的製作方法，通過該方法製備的超薄PDP顯示屏具有與現有技術中的PDP顯示屏不同的結構。
[0007]為了實現上述目的，根據本發明的一個方面，提供了一種超薄PDP顯示屏的製作方法。該製備方法包括前基板部、後基板部的製作，及前基板部和後基板部的封接步驟，使前基板部與後基板部相對封接形成多個放電單元，前基板部的製作步驟包括:提供前基板；在前基板的後表面設置介質保護膜；沿前基板的前表面設置放電電極；以及在前基板的前表面及放電電極上設置第一絕緣層。
[0008]進一步地，前基板是厚度為30-100 μ m，介電常數< 7，不含鹼的玻璃。
[0009]進一步地，後基板部的製作步驟包括:提供後基板；在後基板的前表面上設置障壁及螢光粉層，其中，障壁與放電電極垂直設置；在後基板的後表面設置平行於障壁設置尋址電極；以及在後基板的後表面及尋址電極上設置第二絕緣層。
[0010]進一步地，後基板是厚度為30-100 μ m，介電常數< 7，不含鹼的玻璃。
[0011]進一步地，完成前基板部的介質保護膜和後基板的障壁及螢光粉層的設置後，進行封接步驟，然後，進行放電電極及第一絕緣層和尋址電極及第二絕緣層的設置。
[0012]進一步地，完成前基板部和後基板部的製作後，進行封接步驟。
[0013]進一步地，以層壓或印刷方式製作第一絕緣層和第二絕緣層。[0014]進一步地，第一絕緣層和第二絕緣層的絕緣層材料選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚乙烯吡咯烷酮、苯並環丁烯、聚乙烯醇、聚苯乙烯、和聚四氟乙烯組成的組中的一種或多種。
[0015]進一步地，第一絕緣層和第二絕緣層的厚度為10-50 μ m。
[0016]進一步地，介質保護膜以蒸鍍或濺射的方法製作而成，厚度為500_1000nm。
[0017]應用本發明的超薄PDP顯示屏的製作方法製備的顯示屏，其前基板部由前基板、沿前基板的前表面延伸的放電電極，覆蓋在前基板的前表面及放電電極上的第一絕緣層；以及設置在前基板的後表面的介質保護膜構成。前基板既作為支撐結構，又直接作為介質層，與現有技術相比節省了結構，可以在很大程度上降低氣體放電裝置的厚度。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]說明書附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用於解釋本發明，並不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0019]圖1示出了現有技術中AC型彩色等離子顯示器的局部結構示意圖；以及
[0020]圖2示出了根據本發明實施例的等離子顯示器局部結構示意圖。
【具體實施方式】
[0021]需要說明的是，在不衝突的情況下，本發明中的實施例及實施例中的特徵可以相互組合。下面將參考附圖並結合實施例來詳細說明本發明。
[0022]根據本發明一種典型的實施方式，該超薄PDP顯示屏的製作方法包括前基板部、後基板部的製作，及前基板部和後基板部的封接步驟，使前基板部與後基板部相對封接形成多個放電單元，前基板部的製作步驟包括:提供前基板；在前基板的後表面設置介質保護膜；沿前基板的前表面設置放電電極；以及在前基板的前表面及放電電極上設置第一絕緣層。應用本發明的超薄PDP顯示屏的製作方法製備的顯示屏，其前基板部由前基板、沿前基板的前表面延伸的放電電極，覆蓋在前基板的前表面及放電電極上的第一絕緣層；以及設置在前基板的後表面的介質保護膜構成。前基板既作為支撐結構，又直接作為介質層，與現有技術相比節省了結構，可以在很大程度上降低氣體放電裝置的厚度。
[0023]優選地，前基板是厚度為30-100 μ m，介電常數< 7，不含鹼的玻璃。以這層玻璃直接作為顯示器的介質層，同時作為顯示器件的支撐結構。
[0024]根據本發明一種典型的實施方式，後基板部的製作步驟包括:提供後基板；在後基板的前表面上設置障壁及螢光粉層，其中，障壁與放電電極垂直設置；在後基板的後表面設置平行於障壁設置尋址電極；以及在後基板的後表面及尋址電極上設置第二絕緣層。後基板同前基板一樣，也既作為支撐結構，又直接作為介質層，因此可以進一步降低氣體放電裝置的厚度。
[0025]優選地，後基板是厚度為30-100 μ m，介電常數< 7，不含鹼的玻璃。可使製成的後基板部厚度薄，並具有較好的柔性，前、後基板同時採用該玻璃，可使製成的氣體放電裝置具有超薄、柔軟的特性。
[0026]本發明的顯示器的封接步驟可以按照現有技術中的工藝在完成前基板部和後基板部的製作後進行。優選地，完成前基板部的介質保護膜和後基板的障壁及螢光粉層的設置後，進行封接步驟，然後，進行放電電極及第一絕緣層和尋址電極及第二絕緣層的設置。
[0027]本發明第一絕緣層和第二絕緣層是以層壓或印刷方式製作，採用這兩種方式具有操作簡單，所獲得平面平整的好處。優選地，第一絕緣層和第二絕緣層的絕緣層材料選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚乙烯吡咯烷酮、苯並環丁烯、聚乙烯醇、聚苯乙烯、和聚四氟乙烯組成的組中的一種或多種，上述材料目前在各領域中應用廣泛，容易獲得。
[0028]根據本發明一種典型的實施方式，第一絕緣層和第二絕緣層的厚度為10-50 μ m，結合前基板及後基板作為介質層的結構，使得根據本發明的方法製備的PDP顯示屏的厚度得到較大的降低。優選地，介質保護膜以蒸鍍或濺射的方法製作而成，厚度為500-1000nm。
[0029]根據本發明一種典型的實施方式，在前基板蒸鍍上介質保護層、後基板的前表面完成障壁及螢光分層的製作後，前基板的後表面與後基板的前表面在真空的環境中對合後，在混合稀有氣體的氣氛環境中進行封接，其中氣體由10%?100% Xe與0%?90% Ne等其他稀有氣體混合而成，為等離子顯示屏的放電工作氣體。封接步驟完成後，在前基板的前表面上依次製作形成放電電極、第一絕緣層；在後基板後表面上製作形成尋址電極、第二絕緣層。其中放電電極可由透明電極和匯流電極構成，或者只由匯流電極構成，BUS電極使用Ag, Cr-Cu-Cr, Al等金屬材料製作。尋址電極使用Ag等金屬材料製作。絕緣層使用有機材料製作。各種圖形的結構和尺寸根據柔性等離子顯示屏的尺寸及具體的亮度、驅動功耗等其他性能要求變化設計。
[0030]其中，障壁結構可以經多次印刷障壁漿料，然後經乾燥、燒結、塗PR膠層、乾燥、曝光、顯影、刻蝕等步驟形成障壁圖形；也可以經多次印刷障壁漿料，然後經乾燥、貼DFR膜、曝光、顯影、噴砂、燒結等步驟形成障壁圖形。上述封接步驟包括:以10-20°C /min的速率設置升溫過程，同時進行抽真空排氣。真空度達到1.3*10_5Pa後，在340°C _380°C下保溫3個小時。然後再升高溫度至設置的高溫區420-470°C溫度段之後，向整個環境中充入等離子顯示屏內所需的工作氣體至設定壓力。在此恆溫恆壓環境下保溫20-50分鐘，使封接框完全熔融，前後基板封接。充入的放電氣體選自Xe，Ne，Ar，He，Hg，N2, O2中的一種或多種，充入的放電氣體氣壓為45kPa_60kPa
[0031]採用本發明的超薄PDP顯示屏的製作方法製備的顯示屏，其結構示意如圖2所示，PDP100包括相對設置的前基板部103和後基板部106，前基板部103與後基板部106相對封接形成多個放電單元。前基板部103前基板110、沿前基板的前表面延伸的放電電極，覆蓋在前基板110的前表面及放電電極上的第一絕緣層123 ;以及設置在前基板110的後表面的介質保護膜114構成。其中，放電電極由維持電極111和掃描電極112組成，其中每個像素都包含有維持電極和掃描電極。前基板103直接作為介質層，上面設置介質保護層114，介質保護層114為氧化鎂層。
[0032]後基板部106由後基板115，尋址電極116，以及第二絕緣層124組成，其中後基板115的前表面設置有障壁118及螢光粉層，障壁118與放電電極垂直設置，尋址電極116沿後基板115的後表面且平行於障壁118延伸，第二絕緣層124覆蓋在後基板115的後表面及尋址電極116上。後基板115直接作為介質層，障壁118將前基板部103和後基板部106分隔開來，紅色螢光粉層120，綠色螢光粉層121和藍色螢光粉層122位於後基板115 (介質層)上方,障壁118的側壁內。本發明的每個像素被定義為由一行維持電極111和一行掃描電極112，它們與三列尋址電極116的交叉點附近的區域構成，每一個像素包含一紅色螢光粉層120，一綠色螢光粉層121，和一藍色螢光體層122。
[0033]本發明的前基板部103以介質保護層面114相對於後基板部106的障壁118對合，前基板部103的第一絕緣層123及後基板部106的第二絕緣層124在裝置的外部。
[0034]實施例1
[0035]以製作50寸HD規格，解析度為1366*768的等離子顯示屏為例:
[0036]製作前基板:在厚度為50 μ m的玻璃基板後表面(即蒸鍍保護介質層的成為「後表面」)上經蒸鍍形成厚度為SOOnm的保護膜層(MgO或其他複合材料)圖層，在介質層保護膜層上經噴塗形成保護膜層微晶層(二次MgO層)。
[0037]製作後基板:在厚度為50 μ m的玻璃基板前表面(即設置障壁的一面成為「前表面」)使用刻蝕或噴砂方法製作障壁圖形，障壁厚度為90 μ m。使用刻蝕法:經多次印刷障壁漿料、乾燥、燒結、塗PR膠層、乾燥、曝光、顯影、刻蝕步驟形成障壁圖形，在障壁內填充螢光粉、乾燥，再對下基板進行封接框塗覆、乾燥、燒結，完成後基板製作。其中，封接框材料使用無Pb的低玻粉材料。
[0038]前、後基板製作完成後，立即進行前、後基板對合，若不能立即進行對合，前、後基板應先在真空環境中保存。整個對合工序在真空環境中進行，前基板後表面和後基板前表面相對對合。對合好後的前、後基板進行封接工序。封接時，設置合適的速率進行升溫，同時進行抽真空排氣。真空度達到1.3*10-5Pa，溫度升高到380°C以後，在380°C下保溫3個小時。然後再升高溫度至450°C，後向整個環境中充入等離子顯示屏內所需的工作氣體，充入15% Xe-85% Ne混合氣體，氣壓控制為50.7kPa。在此恆溫恆壓環境下保溫40分鐘，使封接框完全熔融，前後基板封接。保溫40分鐘以後使整個封排環境溫度下降至常溫，結束封排工序。
[0039]對合好後的等離子顯示屏從封接工序出來後，進行前後基板的電極及絕緣層製作。
[0040]前基板:
[0041]先在前基板前表面上以光刻工藝製作透明電極圖形:在前表面上以濺射的方式形成透明電極ITO膜層、以塗覆的方式形成光刻膠、以帶有電極圖形的掩模板曝光、顯影、刻蝕、剝膜、形成透明電極。
[0042]透明電極製作完成後，製作匯流電極。在透明電極表面上依次經印刷匯流電極所需要的黑、白兩層漿料、乾燥、以帶有電極圖形的掩模板曝光、顯影、燒結、形成匯流電極。
[0043]匯流電極製作完成後，製作第一絕緣層。在匯流電極表面上印刷有機絕緣層材料、乾燥、燒結、形成表面絕緣層。絕緣層材料使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，絕緣層厚度為20 μ m0
[0044]後基板:
[0045]先在後基板後表面以光刻工藝上製作尋址ADD電極圖形:在後基板後表面上印刷尋址電極Ag漿料、乾燥、以帶有電極圖形的掩模板曝光、顯影、燒結、形成尋址ADD電極。其中尋址電極要對應於裝有螢光粉的障壁槽位置。
[0046]ADD電極製作完成後，製作表面絕緣層。在ADD電極表面印刷有機絕緣層材料、乾燥、燒結、形成表面絕緣層。絕緣層材料使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)，絕緣層厚度為20 μ m0[0047]經過上述步驟完成柔性、超薄的等離子顯示屏。
[0048]實施例2
[0049]以製作50寸HD規格，解析度為1366*768的等離子顯示屏為例:
[0050]製作前基板:在厚度為60 μ m的玻璃基板後表面(即蒸鍍保護介質層的成為「後表面」)上經蒸鍍形成厚度為SOOnm的保護膜層(MgO或其他複合材料)圖層，在介質層保護膜層上經噴塗形成保護膜層微晶層(二次MgO層)；
[0051]製作後基板:在厚度為60 μ m的玻璃基板前表面(即設置障壁的一面成為「前表面」)使用刻蝕或噴砂方法製作障壁圖形，障壁厚度為90 μ m。使用刻蝕法:經多次印刷障壁漿料、乾燥、燒結、塗PR膠層、乾燥、曝光、顯影、刻蝕形成障壁圖形，在障壁內填充螢光粉、乾燥，再對下基板進行封接框塗覆、乾燥、燒結，完成後基板製作。其中封接框材料使用無Pb的低玻粉材料。
[0052]前、後基板製作完成後，立即進行前、後基板對合，若不能立即進行對合，前、後基板應先在真空環境中保存。整個對合工序在真空環境中進行，前基板後表面和後基板前表面相對對合。對合好後的前後基板進行封接工序。封接時，設置合適的速率進行升溫，同時進行抽真空排氣。真空度達到1.3*10_5Pa，溫度升高到360°C以後，在360°C下保溫3個小時。然後再升高溫度至460°C，後向整個環境中充入等離子顯示屏內所需的工作氣體，充入10% Xe-90% Ne混合氣體，氣壓控制為50.7kPa。在此恆溫恆壓環境下保溫40分鐘，使封接框完全熔融，前後基板封接。保溫40分鐘以後使整個封接環境溫度下降至常溫，結束封接工序。
[0053]對合好後的等離子顯示屏從封接工序出來後，進行前後基板的電極及絕緣層製作。
[0054]前基板:
[0055]先在前基板前表面上以光刻工藝製作匯流電極:在透明電極表面上依次經印刷匯流電極所需要的黑、白兩層漿料、乾燥、以帶有電極圖形的掩模板曝光、顯影、燒結、形成匯流電極。
[0056]匯流電極製作完成後，製作表面絕緣層。在匯流電極表面上印刷有機絕緣層材料、乾燥、燒結、形成表面絕緣層。絕緣層材料使用聚乙烯醇(PVA)和聚苯乙烯(PS)，比例為8: 2，絕緣層厚度為20 μ m。
[0057]後基板:
[0058]先在後基板後表面以電噴印工藝上製作尋址ADD電極圖形。在後基板後表面上進行電噴印製作ADD圖行、燒結、形成尋址ADD電極。其中，尋址電極要對應於裝有螢光粉的
障壁槽位置。
[0059]ADD電極製作完成後，製作表面絕緣層。在ADD電極表面印刷有機絕緣層材料、乾燥、燒結、形成表面絕緣層。絕緣層材料使用聚乙烯醇(PVA)和聚苯乙烯(PS)，比例為8: 2，絕緣層厚度為20 μ m。
[0060]經過上述步驟完成柔性、超薄的等離子顯示屏。
[0061]本發明實施I製備的等離子顯示屏厚度為300 μ m以內，實施2製備的等離子顯示屏厚度為350 μ m以內，與現有技術中採用1.8_厚的玻璃作為前後基板的等離子顯示屏相t匕，其厚度降低了至少12倍。[0062]以上所述僅為本發明的優選實施例而已，並不用於限制本發明，對於本領域的技術人員來說，本發明可以有各種更改和變化。凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種超薄PDP顯示屏的製作方法，包括前基板部(103)、後基板部(106)的製作，及所述前基板部(103)和所述後基板部(106)的封接步驟，所述封接步驟使所述前基板(110)的後表面與所述後基板部(106)的前表面對合後相對封接形成多個放電單元，其特徵在於，所述前基板部(103)的製作步驟包括: 提供如基板(110)； 在所述前基板(110)的後表面設置介質保護膜(114)； 沿所述前基板(110)的前表面設置放電電極；以及 在所述前基板(110)的前表面及所述放電電極上設置第一絕緣層(123)。
2.根據權利要求1所述的製作方法，其特徵在於，所述前基板(110)是厚度為30-100 μ m，介電常數< 7，不含鹼的玻璃。
3.根據權利要求1或2所述的製作方法，其特徵在於，所述後基板部(106)的製作步驟包括: 提供後基板(115)； 在所述後基板(115)的前表面上設置障壁(118)及螢光粉層，其中，所述障壁(118)與所述放電電極垂直設置； 在所述後基板(115)的後表面設置平行於所述障壁(118)設置尋址電極(116);以及 在所述後基板(115)的後表面及所述尋址電極(116)上設置第二絕緣層(124)。
4.根據權利要求3所述的製作方法，其特徵在於，所述後基板(115)是厚度為30-100 μ m，介電常數< 7，不含鹼的玻璃。
5.根據權利要求3所述的製作方法，其特徵在於，完成所述前基板部(103)的介質保護膜(114)和所述後基板(115)的障壁(118)及螢光粉層的設置後，進行所述封接步驟，然後，進行所述放電電極及所述第一絕緣層(123)和所述尋址電極(116)及所述第二絕緣層(124)的設置。
6.根據權利要求3所述的製作方法，其特徵在於，完成所述前基板部(103)和所述後基板部(106)的製作後，進行所述封接步驟。
7.根據權利要求5所述的製作方法，其特徵在於，以層壓或印刷方式製作所述第一絕緣層(123)和所述第二絕緣層(124)。
8.根據權利要求7所述的製作方法，其特徵在於，所述第一絕緣層(123)和所述第二絕緣層(124)的絕緣層材料選自聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺、聚乙烯吡咯烷酮、苯並環丁烯、聚乙烯醇、聚苯乙烯、和聚四氟乙烯組成的組中的一種或多種
9.根據權利要求7所述的製作方法，其特徵在於，所述第一絕緣層(123)和所述第二絕緣層(124)的厚度為10-50 μ m。
10.根據權利要求1所述的製作方法，其特徵在於，所述介質保護膜(114)以蒸鍍或濺射的方法製作而成，厚度為500-1000nm。
【文檔編號】H01J9/233GK103762138SQ201110460316
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2011年12月31日 優先權日:2011年12月31日
【發明者】唐翠珍 申請人:四川虹歐顯示器件有限公司