觸控探測構件的製作方法

2023-10-09 17:09:09

相關申請案交叉參考本申請案主張2013年4月8日提出申請的韓國專利申請案第10-2013-0038160號的優先權及權利，所述韓國專利申請案出於所有目的而以引用方式併入本案中，與其在本案中完全述及一般。
技術領域：
本發明涉及一種探測如人體的手指或具有與手指類似的導電特性的觸控輸入構件等觸控輸入構件的電容型觸控輸入的構件及方法，且更具體而言，涉及一種用於對在感測墊與非感測墊之間形成的感測等效電容器的一側施加交流驅動電壓並根據觸控來探測自觸控探測器產生的電壓差以取得觸控信號的電容型觸控探測構件及探測方法。
背景技術：
：一般而言，觸控屏面板附裝於例如液晶顯示器(liquidcrystaldisplay，LCD)、等離子體顯示面板(plasmadisplaypanel，PDP)、有機發光二極體(organiclightemittingdiode，OLED)、有源矩陣式有機發光二極體(activematrixorganiclightemittingdiode，AMOLED)等顯示元件上，且是產生與例如手指及筆等物體所觸控的位置相對應的信號的輸入元件中的一種。觸控屏面板已用於許多種應用中，例如用於小型可攜式終端、工業終端、數字信息元件(digitalinformationdevice，DID)等。通常，已公開了各種類型的觸控屏面板。然而，最廣泛使用的是製造工藝簡單且製造成本低的電阻型觸控屏面板。然而，由於電阻型觸控屏面板具有低的透射率且需要施加非常大的壓力，因而電阻型觸控屏面板不便於使用、在實現多點觸控(multitouch)及手勢識別方面存在困難、會導致探測錯誤等。相反，電容型觸控屏面板可具有高的透射率，能識別軟輸入(softtouch)，且能實現更好的多點觸控及手勢識別，因此其市場份額已逐漸擴大。圖1說明現有電容型觸控屏面板的實例。參照圖1，在由塑料、玻璃等製成的透明基板2的上表面及下表面上形成透明導電層，且在透明基板2的四個角上分別形成電壓施加金屬電極4。所述透明導電層是由例如氧化銦錫(indiumtinoxide，ITO)及氧化銻錫(antimonytinoxide，ATO)等透明金屬製成。此外，在透明導電層的四個角上形成的金屬電極4是通過被印刷具有低電阻率的導電金屬(例如銀(Ag))而形成。在金屬電極4周圍形成電阻網絡。電阻網絡被形成為直線化圖案，以向透明導電層的整個表面等同地發出控制信號。此外，包括金屬電極4的透明導電層的上部被塗布以保護層(passivationlayer)。在上述電容型觸控屏面板中，對金屬電極4施加高頻交流電壓，且因此高頻交流電壓施加於透明基板2的整個表面上。在此種情形中，當透明基板2的上表面上的透明導電層被手指8或導電觸控輸入構件輕輕地觸控時，在預定量的電流被吸收進身體並計算所述四個金屬電極4中每一者處的電流量的同時，嵌置於控制器6中的電流傳感器感測電流的變化，從而識別到觸控點。然而，如圖1所說明的電容型觸控屏面板是基於用於探測微電流的量值的方法。因而，電容型觸控屏面板需要使用價格高昂的探測裝置，因此電容型觸控屏面板的價格升高且電容型觸控屏面板難以實現用於識別多個觸控的多點觸控。為克服上述問題，如圖2所說明的電容型觸控屏面板主要在近年使用。圖2的觸控屏面板被配置成包括橫向線性觸控探測傳感器5a、縱向線性觸控探測傳感器5b、及用於分析觸控信號的觸控驅動集成電路(integratedcircuit，IC)7。所述觸控屏面板是基於用於探測在線性觸控探測傳感器5與手指8之間形成的電容的量值(圖1)的方法，且掃描橫向線性觸控探測傳感器5a及縱向線性觸控探測傳感器5b來探測信號，從而識別多個觸控點。然而，當上述觸控屏面板安裝於例如液晶顯示器等顯示元件上時，觸控屏面板會由於噪聲而難以探測信號。例如，液晶顯示器使用共用電極。在某些情形中，對共用電極施加交流共用電壓Vcom。此外，在探測觸控點時，共用電極的共用電壓Vcom起到噪聲的作用。圖3說明其中現有電容型觸控屏面板安裝於液晶顯示器上的實施例。顯示元件200具有其中將液晶密封於薄膜電晶體(thinfilmtransistor，TFT)基板205與設置於薄膜電晶體基板205上的彩色濾光片215之間以形成液晶層210的結構。為對液晶進行密封，通過密封劑230將薄膜電晶體基板205的外部與彩色濾光片215的外部相互結合於一起。儘管圖中未說明，然而將偏光板附裝至液晶面板的上部及下部並另外將背光單元(backlightunit，BLU)安裝至偏光板。如圖中所說明，觸控屏面板安裝於顯示元件200上。觸控屏面板具有其中將線性觸控探測傳感器5置於基板1上的結構。用於保護線性觸控探測傳感器5的保護面板3附裝於基板1上。觸控屏面板通過例如雙面膠帶(doubleadhesivetape，DAT)等粘合部件9而結合至顯示元件200的邊緣部並在粘合部件9與顯示元件200之間形成氣隙9a。在此種構造中，當如圖3所說明產生觸控時，會在手指8與線性觸控探測傳感器5之間形成電容(例如Ct)。然而，如圖中所說明，會在線性觸控探測傳感器5與在顯示元件200的彩色濾光片215的下表面上形成的共用電極220之間形成電容(例如共用電極電容Cvcom)，且由於圖案之間的電容耦合、製造工藝因素等，未知的寄生電容Cp也會施加於線性觸控探測傳感器5。因此，構成如圖4的等效電路一樣的電路。此處，現有觸控屏面板探測觸控電容Ct的變化來識別觸控，且在探測Ct的過程中例如Cvcom及Cp等組件起到噪聲的作用。具體而言，由圖案之間的電容耦合引起的Cp為觸控電容Ct的十倍大，因此觸控靈敏度可能會因Cp而降低。技術實現要素：技術問題本發明的目的是提供一種電容型觸控探測構件及探測方法，電容型觸控探測構件及探測方法能夠通過對在連接至觸控探測器的感測墊與鄰近感測墊的非感測墊之間形成的通常起到寄生電容器作用的感測等效電容器的一側施加交流驅動電壓並利用如下現象取得觸控信號來將寄生電容的影響最小化並穩定地取得觸控信號：當在觸控輸入構件(例如手指)與感測墊之間形成觸控電容時，由觸控探測器所探測的電壓的量值會因應於觸控電容的量值而出現差異。技術手段如上文，本發明的特性配置如下以實現本發明的上述目的以及本發明的具體效果。根據本發明的示例性實施例，提供一種觸控探測構件，觸控探測構件包括：多個觸控探測傳感器；多個傳感器信號線，用以對觸控探測傳感器施加信號或接收自觸控探測傳感器取得的信號；以及觸控探測器，用以基於所取得的信號來探測觸控輸入構件是否產生觸控，其中觸控探測傳感器被分類成至少一個感測墊及至少一個非感測墊，且觸控的產生是基於多個等效電容器Ceq的電壓變化來探測，多個等效電容器形成在連接至感測墊的至少一個感測墊傳感器信號線與連接至非感測墊的至少一個非感測墊傳感器信號線之間。觸控的產生可在其中對等效電容器施加交流電壓的狀態下進行探測，且交流電壓是經由非感測墊傳感器信號線進行施加。觸控探測構件還可包括：三端子式開關元件，被配置成充電構件以在探測是否產生觸控之前對觸控探測傳感器充電，其中三端子式開關元件將由被供應至控制端子的控制信號輸入至輸入端子的充電信號供應至與輸出端子連接的觸控探測傳感器，以對觸控探測傳感器充電。輸入端子可保持等於或大於100kΩ的高阻抗狀態，且在觸控探測器探測是否產生觸控時，輸出端子可保持等於或大於100kΩ的高阻抗狀態。可通過調整三端子式開關元件的控制信號的接通時間來確定充電時間。等效電容器可根據等效電容器的電容的量值而被分類成線之間的第一電容與線之間的第二電容中的至少一個。觸控探測構件還可包括：充電構件，用以在探測是否產生觸控之前，對線之間的第一電容及線之間的第二電容以具有相同電壓的預充電信號進行充電。線之間的第二電容可大於線之間的第一電容。可通過調整感測墊傳感器信號線與非感測墊傳感器信號線之間的距離來改變線之間的第二電容及線之間的第一電容。觸控可在探測是否產生觸控時利用線之間的第一電容與線之間的第二電容中的僅任一個來探測。在利用線之間的第一電容探測觸控的產生時，參與形成線之間的第二電容的非感測墊傳感器信號線可保持浮動狀態或高阻抗狀態。觸控探測傳感器、感測墊傳感器信號線、及非感測墊傳感器信號線可使用同一掩模形成。傳感器信號線的寬度可根據觸控探測傳感器的位置而不同地形成。在對探測傳感器充電之後，可對等效電容器施加交流電壓。觸控探測構件還可包括：用以改變交流電壓的量值的構件。觸控探測構件還可包括：用以改變交流電壓的上升沿或下降沿的梯度的構件。觸控探測構件還可包括：觸控電容器，被配置成由觸控探測傳感器及觸控輸入構件的觸控形成；以及共用電極電容器，被配置成形成於觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間。在觸控探測傳感器未感測到觸控時，觸控探測器所感測的電壓可由以下方程式1計算。以下方程式1可為在上述方程式1中，Vsensornontouch可代表在未進行觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。在觸控探測傳感器感測到觸控時，觸控探測器所感測的電壓可由以下方程式2計算。以下方程式2可為在上述方程式2中，Vsensortouch可代表在產生觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。關於觸控探測器是否產生觸控的判斷可基於由以上方程式1所取得的電壓與由以上方程式2所取得的電壓之間的差。以上方程式1可為且以上方程式2可為在以上方程式1及方程式2中，Vsensornottouch可代表在未進行觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vsensortouch可代表在產生觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。觸控探測傳感器可被排列成陣列，且觸控探測器可探測每一行中的信號。觸控探測構件還可包括：補償電容器，用以補償線之間的第一電容與線之間的第二電容之間的差。補償電容器的一側可連接至觸控探測器並可接收與經過補償電容器的另一側的交流電壓相同的交流電壓。補償電容器的一側可連接至觸控探測器並可接收與經過補償電容器的另一側的交流電壓不同的交流電壓。在觸控探測傳感器未感測到觸控時，觸控探測器所感測的電壓可由以下方程式5計算。以下方程式5可為在以上方程式5中，Vsensornontouch可代表在未進行觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器Cba1施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器與觸控輸入構件的觸控形成的觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。在觸控探測傳感器感測到觸控時，觸控探測器所感測的電壓可由以下方程式6計算。以下方程式6可為在以上方程式6中，Vsensortouch可代表在產生觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器Cba1施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器與觸控輸入構件的觸控形成的觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。關於觸控探測器是否產生觸控的判斷可基於由以上方程式5所取得的電壓與由以上方程式6所取得的電壓之間的差。以上方程式5可為且以下方程式6可為在以上方程式5及方程式6中，Vsensornontouch可代表在未進行觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vsensortouch可代表在產生觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器Cba1施加的交流電壓的低電平電壓，Cvoom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器與觸控輸入構件的觸控形成的觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。觸控探測器可探測是否與交流電壓的上升沿或交流電壓的下降沿同步地產生觸控。觸控探測器可探測是否與交流電壓的上升沿或交流電壓的下降沿相距預定時間間隔產生觸控。產生交流電壓的交流電壓產生器可具有筆的形狀，且所產生的交流電壓可經由筆的前端傳送。觸控探測傳感器之間的結合部可面對彼此，具有帶有至少一個拐點或彎曲部的幾何形狀。觸控探測傳感器可被劃分成多個區域，僅被劃分區域的一部分可設有預定圖案，且所形成的圖案可連接至彼此。在傳感器信號線穿過顯示元件的黑色矩陣部時，傳感器信號線的寬度可被形成得寬。根據本發明的另一實施例，提供一種觸控探測方法，包括：使用三端子式開關元件以預定充電電壓對多個觸控探測傳感器進行充電；將多個觸控探測傳感器分類成至少一個感測墊及至少一個非感測墊，在連接至感測墊的至少一個感測墊傳感器信號線與連接至非感測墊的至少一個非感測墊傳感器信號線之間形成多個等效電容器Ceq；以及由觸控探測器經由非感測墊傳感器信號線對等效電容器施加交流電壓，並根據觸控輸入構件是否產生觸控而基於等效電容器中所產生的電壓變化來探測觸控。感測墊及非感測墊的分類可基於所定義次序而依序確定。觸控探測器可探測是否與交流電壓的上升沿或交流電壓的下降沿同步地產生觸控。觸控探測器可探測是否與交流電壓的上升沿或交流電壓的下降沿相距預定時間間隔產生觸控。三端子式開關元件可將由被供應至控制端子的控制信號輸入至輸入端子的充電信號供應至與輸出端子連接的觸控探測傳感器，以對觸控探測傳感器充電。輸入端子可保持等於或大於100kΩ的高阻抗狀態，且在觸控探測器探測是否產生觸控時，輸出端子可保持等於或大於100kΩ的高阻抗狀態。可通過調整三端子式開關元件的控制信號的接通時間來確定充電時間。等效電容器可根據等效電容器的電容的量值而被分類成線之間的第一電容與線之間的第二電容中的至少一個。觸控探測方法還可包括：在探測是否產生觸控之前，對線之間的第一電容及線之間的第二電容以具有相同電壓的預充電信號進行充電。線之間的第二電容可大於線之間的第一電容。可通過調整感測墊傳感器信號線與非感測墊傳感器信號線之間的距離來改變線之間的第二電容及線之間的第一電容。觸控可在探測是否產生觸控時利用線之間的第一電容與線之間的第二電容中的僅任一個來探測。在利用線之間的第一電容探測觸控的產生時，參與形成線之間的第二電容的非感測墊傳感器信號線可保持浮動狀態或高阻抗狀態。觸控探測傳感器、感測墊傳感器信號線、及非感測墊傳感器信號線可使用同一掩模形成。傳感器信號線的寬度可根據觸控探測傳感器的位置而不同地形成。觸控探測方法還可包括：改變交流電壓的量值。觸控探測方法還可包括：改變交流電壓的上升沿或下降沿的梯度。在觸控探測傳感器未感測到觸控時，觸控探測器所感測的電壓可由以下方程式1計算。方程式1可為在以上方程式1中，Vsensornontouch可代表在未進行觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器及觸控輸入構件的觸控形成的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。在觸控探測傳感器感測到觸控時，觸控探測器所感測的電壓可由以下方程式2計算。以下方程式2可為在以上方程式2中，Vsensortouch可代表在產生觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器及觸控輸入構件的觸控形成的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。關於觸控探測器是否產生觸控的判斷可基於由以上方程式1所取得的電壓與由以上方程式2所取得的電壓之間的差。以上方程式1可為且以上方程式2為在以上方程式1及方程式2中，Vsensornottouch可代表在未進行觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vsensortouch可代表在產生觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器及觸控輸入構件的觸控形成的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。觸控探測傳感器可被排列成陣列，且觸控探測器可探測每一行中的信號。觸控探測方法還可包括：補償線之間的第一電容與線之間的第二電容之間的差。補償電容器的一側可連接至觸控探測器並可接收與經過補償電容器的另一側的交流電壓相同的交流電壓。補償電容器的一側可連接至觸控探測器並可接收與經過補償電容器的另一側的交流電壓不同的交流電壓。在觸控探測傳感器未感測到觸控時，觸控探測器所感測的電壓可由以下方程式5計算。以下方程式5可為在以上方程式5中，Vsensornontouch可代表在未進行觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器Cba1施加的交流電壓的低電平電壓，Cveom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器與觸控輸入構件的觸控形成的觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。在觸控探測傳感器感測到觸控時，觸控探測器所感測的電壓可由以下方程式6計算。以下方程式6可為在以上方程式6中，Vsensortouch可代表在產生觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器Cba1施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器與觸控輸入構件的觸控形成的觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。關於觸控探測器是否產生觸控的判斷可基於由以上方程式5所取得的電壓與由以上方程式6所取得的電壓之間的差。以上方程式5可為且以上方程式6可為在以上方程式5及方程式6中，Vsensornontouch可代表在未進行觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vsensortouch可代表在產生觸控時由觸控探測器探測的電壓，Vpre可代表觸控探測傳感器的充電電壓，Vh可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器施加的交流電壓的高電平電壓，V1可代表對非感測墊傳感器信號線及補償電容器Cba1施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom可代表在觸控探測傳感器與對包括觸控探測傳感器的顯示元件施加共用電壓的共用電極之間形成的共用電極電容器的電容，Cp可代表由觸控探測構件產生的寄生電容，Ct可代表由觸控探測傳感器與觸控輸入構件的觸控形成的觸控電容器的電容，在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性可為正的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的極性可為負的。產生交流電壓的交流電壓產生器可具有筆的形狀，且所產生的交流電壓可經由筆的前端傳送。觸控探測傳感器之間的結合部可面對彼此，具有帶有至少一個拐點或彎曲部的幾何形狀。觸控探測傳感器可被劃分成多個區域，僅被劃分區域的一部分可設有預定圖案，且所形成的圖案可連接至彼此。在感測墊傳感器信號線及非感測墊傳感器信號線穿過顯示元件的黑色矩陣部時，傳感器信號線的寬度可被形成得寬。發明效果根據本發明實施例的電容型觸控探測構件及探測方法，對在感測墊與鄰近所述感測墊的非感測墊之間形成的感測等效電容器施加交流驅動電壓，並由觸控探測器探測因觸控輸入構件(例如手指)所增加的觸控電容的差而出現的電壓差，以取得觸控信號，從而將傳感器信號線之間出現的通常起到噪聲作用的寄生電容相反地用作觸控信號探測構件(例如，不受觸控信號影響的基本值)，進而有利於觸控面板的設計並提高可見性。附圖說明圖1是說明現有觸控屏面板的實例的立體圖。圖2是說明現有觸控屏面板的另一實例的平面配置圖。圖3是說明其中將圖2所示觸控屏面板安裝於顯示元件上的實例的剖視圖。圖4是探測圖3所示觸控電容的等效電路圖。圖5是說明液晶顯示元件的共用電壓波形的波形圖。圖6是概念性地說明典型三端子式開關元件的圖。圖7是說明探測觸控輸入的原理的圖。圖8是說明根據本發明實施例的觸控探測構件的基本結構的電路圖。圖9是圖8的等效電路圖。圖10是說明觸控探測傳感器的配置的實例的剖視圖。圖11是說明觸控探測傳感器的配置的另一實例的剖視圖。圖12是對感測等效電容器施加交流電壓的實施例。圖13是說明根據本發明的實施例的觸控屏面板的配置圖。圖14是說明用於補償感測電容的本發明實施例的圖。圖15是說明具有交流觸控構件的實施例的圖。圖16是說明觸控探測傳感器及傳感器信號線的設置的實施例的圖。圖17是說明用於改善觸控座標的觸控探測傳感器的形式的實施例的圖。圖18a及圖18b是說明用於改善可見性的本發明實施例的圖。圖19是傳感器信號線的設計的本發明實施例。具體實施方式以下，將參照附圖對本發明的示例性實施例進行詳細闡述。首先，本發明涉及一種電容型觸控探測構件及探測方法。現有觸控探測構件是基於一種通過手指的觸控來探測電容的量值的方法，而本發明是基於一種利用如下現象來探測觸控的方法：當對在用於探測觸控的感測墊(連接至觸控探測器的墊)與鄰近所述感測墊的非感測墊(作為與感測墊對應的墊而未連接至觸控探測器的墊)之間形成的感測等效電容器施加交流驅動電壓時，會因所增加觸控電容的量值的差異而出現探測電壓的差異。根據本發明實施例的觸控探測系統將未產生觸控時所探測的電壓的量值與因產生觸控而增加觸控電容時所探測的電壓的量值進行比較，並基於兩個電壓的量值之間的差來探測觸控，從而將因寄生電容等引起的效應最小化並更穩定地取得觸控信號。本發明中所述的顯示元件是液晶顯示器、等離子體顯示面板、及有機發光二極體中的任一個，或者包括向其他用戶顯示任意類型的靜止圖片(例如JPG、TIF等)或移動圖片(MPEG2、MPEG-4等)的所有構件。在以上所列顯示元件中，液晶顯示器需要使用共用電壓Vcom來驅動液晶。例如，小型及中型可攜式液晶顯示器使用線反轉機制(lineinversionscheme)，在線反轉機制中，共用電極的共用電壓在一個行中或者在多個門極線的每一者中交替變化，以由此降低電流消耗。再例如，大型液晶顯示器使用點反轉驅動機制(dotinversiondrivingscheme)，在點反轉驅動機制中，共用電極的共用電壓具有恆定的直流(DC)電平。再例如，共面切換模式(in-planeswitchingmode)液晶顯示器通過行反轉或點反轉驅動機制來顯示圖像，其中共用電極被形成於液晶顯示器薄膜電晶體基板的區域的一部分中。在共面切換模式液晶顯示器中，背面接地(background)被共同地形成於整個彩色濾光片上且接地至接地信號以切斷靜電放電(electrostaticdischarge，ESD)，所述彩色濾光片經由背面氧化銦錫而暴露至外部。根據本發明的實施例，除以上所述被施加共用電壓Vcom的電極外，在顯示元件內共同發揮作用的所有電極均被稱為「共用電極」，且被施加至顯示元件的共用電極的交流電壓或直流電壓、抑或以非特定頻率交變的電壓被稱為「共用電壓」。本發明探測手指或與手指具有類似電特性的觸控輸入構件的非接觸觸控輸入。此處，「非接觸觸控輸入」意指例如手指等觸控輸入構件在其中所述觸控輸入構件通過存在於輸入構件與觸控探測傳感器之間的基板而與觸控探測傳感器間隔開預定距離的狀態下執行觸控輸入。觸控輸入構件可接觸基板的外表面。然而，甚至在此種情形中，所述觸控輸入構件與所述觸控探測傳感器也保持非接觸狀態。因此，手指對觸控探測傳感器的觸控行為可被表達為用語「近接(access)」。同時，因手指接觸基板的外表面，故手指對基板的觸控行為可被表達為用語「接觸」。在本說明書中，「近接」與「接觸」通用。根據本發明，觸控輸入構件包括由鍵盤、滑鼠、手指、觸控筆、尖筆、及觸控探測傳感器進行的會引起可被感測到的電壓變化的任意類型的輸入(例如，如具有預定形狀的導體一樣的物體、或者如電磁波等一樣的輸入等)。此外，下文所將說明的例如「～單元」等組件是用於執行特定功能的一組單位功能元件。例如，用於任何信號的放大器是單位功能元件，且一組放大器或信號轉換器可被稱為信號轉換單元。此外，「～單元」可包含於上層組件或另一「～單元」中，或者可包括下層組件及其他「～單元」。此外，「～單元」自身可包括操作功能或者「～單元」包括可對存儲於存儲器等中的命令等進行處理的獨立中央處理器(centralprocessingunit，CPU)。在下文的圖中，為清楚地表示層及區，為清楚起見會在圖中誇大厚度或區。在本說明書通篇中，相同參考編號指代相同元件。假設例如層、區域、及基板等部件存在於另一部件「上」或「上表面」上，則此意指這些部件被設置成「直接位於另一部件上(其之間不存在另一部件)」，及這些部件可在其之間設置有另一部件(例如，中間層或絕緣層)。此外，除非特別指出，否則在本說明書中所述的「信號」被統稱為電壓或電流。此外，在本說明書中，「電容」表示物理量且與「靜電容量」具有相同的含義。同時，「電容器」被稱為具有代表物理量的電容的元件。在本發明中，補償電容器Cba1可通過基於設計值的製造工藝來製造(如製造於觸控驅動集成電路(integratedcircuit，IC)內)並可像本說明書中的線之間的電容器一樣自然地產生(其是在以任意距離彼此平行的兩個傳感器信號線之間製成)。在本說明書中，直接製造的電容器與自然形成的電容器均被稱為「電容器」而不加以區分。在本說明書中，用作電容器的符號的符號C被用作表示電容器的信號且表示作為電容器量值的電容。例如，C1是表示電容器的符號且是作為電容器構件C1的量值的電容。此外，在本說明書中，含義「強制施加信號(forcingasigna1)」意指改變保持任意狀態的信號的電平。例如，將信號強制施加至開關元件的通/斷端子意指將現有低電平電壓(例如接地電壓(0V)或具有預定量值的直流電壓或交流電壓)改變成高(Hi)電平(例如，幅值大於所述低電平電壓的直流電壓或交流電壓)。此外，在本說明書中，觸控探測傳感器10(圖9或圖12)包括感測墊10a(圖9或圖12)及非感測墊10b(圖9或圖12)。感測墊10a是所述多個觸控探測傳感器10中連接至觸控探測器14(圖9或12)以探測觸控的觸控探測傳感器10，且非感測墊10b則是不連接至觸控探測器14、從而不執行觸控探測的觸控探測傳感器10。在完成觸控探測之後，感測墊10a變成非感測墊10b，且任何非感測墊10b根據預先定義的次序轉變成感測墊10a。因此，感測墊與非感測墊並不固定，而是可隨時間轉變，且每一感測墊及每一非感測墊的轉變次序可基於預先定義的次序而依序確定。分時技術(timesharingtechnique)是定義次序的實施例。此外，在本說明書中，對觸控進行探測或對觸控信號進行探測具有相同含義。觸控信號探測的代表性實施例是探測如下第一電壓與第二電壓之間的差：所述第一電壓是在如手指等導體不接觸或近接觸控探測感測器10且因此不形成觸控電容時觸控探測器所探測到的電壓，而所述第二電壓是由觸控探測器基於在例如手指等導體與觸控探測傳感器相對時所形成的觸控電容Ct而探測到的電壓。此外，在本說明書中，TDI代表觸控驅動集成電路。此外，在本說明書中，預充電及充電與預充電電壓及充電電壓是以相同含義使用。此外，感測墊可意指包括在各感測墊之間進行連接的傳感器信號線，除非在本說明書中特別指明，且非感測墊可意指包括在各非感測墊之間進行連接的非感測墊信號線，除非在本說明書中特別指明。圖6是概念性地說明在本發明中用作電容器充電構件的一個實例的三端子式開關元件的圖。參照圖6，所述三端子式開關元件一般包括三個端子：通/斷控制端子Cont、輸入端子In及輸出端子Out。通/斷控制端子Cont是控制開關元件的接通/斷開的端子。在此種情形中，當將具有預定量值的電壓或電流施加至所述通/斷控制端子Cont時，施加至輸入端子In的電壓或電流以電壓或電流形式被輸出至輸出端子。在闡述本發明的詳細實施例之前，將參照圖7簡要地闡述觸控電容及線之間的電容的形成原理。在圖7的實例中，假定當手指25或與手指類似的導電觸控構件(例如電容型觸控筆)靠近觸控探測傳感器10時觸控探測傳感器10與手指25彼此間隔開間隔「d」並具有被稱為「A」的相對區域(或相對接觸區域)。此時，如圖7中的右側等效電路及方程式C＝(eA)/D所說明，在手指25與觸控探測傳感器10之間形成電容「C」。在本說明書中，在手指25與觸控探測傳感器10之間形成的電容被稱為觸控靜電容量或觸控電容Ct。此外，當取代手指25及觸控探測傳感器10，圖7的實例中兩個平行的信號線彼此間隔開間隔「d」且具有被稱為「A」的相對區域時，也會在這兩個信號線之間形成圖7的等效電路及方程式C＝(eA)/D中所說明的線之間的電容C。當信號線是由ITO或金屬材料形成時，通過將材料的塗布厚度乘以這兩個信號線之間的相對長度而獲得的值變為兩個平行信號線之間的相對面積，且這兩個相對信號線之間的間隔程度變為間隔距離。在本發明中，在這兩個信號線之間形成光學透明粘合劑(opticallyclearadhesive，OCA)或空氣層，因此在圖7的方程式C＝(eA)/D中，作為電容率(permittivity)，可採用光學透明粘合劑或空氣的電容率。圖8是說明根據本發明實施例的觸控探測構件的基本結構的電路圖。參照圖8，根據本發明實施例的專門觸控探測構件具有由充電構件12、觸控探測傳感器10、傳感器信號線22、共用電極電容器Cvcom、雜散電容電容器Cp、及觸控探測器14構成的基本結構。充電構件12是開關元件、例如運算放大器(operationalamplifier，AMP)等用於根據控制信號而供應信號的線性元件、等等，所述開關元件將預充電信號(或充電信號)Vpre供應至與觸控探測器14連接的所有電容器並根據被施加至稱為「Cont」的「通/斷控制端子」的斷開信號而斷開以使輸出端子12-1變成高阻抗。當如圖8的實施例所說明使用三端子式開關元件作為充電構件12時，可利用被供應至通/斷控制端子的控制信號及被供應至輸入端子12-2的信號Vpre在所要求的定時將適當的充電電壓供應至與充電構件12的輸出端子12-1連接的所有電容器。作為充電電壓，可使用包括零伏的直流(DC)電壓、或如方波、三角波或正弦波一樣交變的交流電壓、抑或具有其中將直流電壓與交流電壓相互組合的形式(例如，第一周期的直流電壓與第二周期的交流電壓重複出現(總周期＝第一周期+第二周期)。此處，第一周期與第二周期可相同也可不同)的電壓。觸控探測傳感器10(圖9或圖12)被配置成包括感測墊10a(圖9或12)及非感測墊10b(圖9或圖12)，感測墊10a連接至觸控探測器14(圖9或圖12)以探測觸控信號，非感測墊10b則不連接至觸控探測器14從而不探測觸控信號。感測墊10a及非感測墊10b並非固定的，且同一觸控探測傳感器10可被切換成分時使用(在預定時間間隔之後，感測墊被切換成非感測墊)。連接至觸控探測器14以進行觸控探測的觸控探測傳感器10被稱為感測墊10a，且不連接至觸控探測器14(或與觸控探測器14間隔開)的觸控探測傳感器10被稱為非感測墊10b。因此，觸控探測傳感器10根據一個觸控探測傳感器10是否連接至觸控探測器14而被分類成感測墊或非感測墊。假定在圖8的實施例中，一個觸控探測傳感器10依序為感測墊，且其餘觸控探測傳感器10為非感測墊。以「PC」標記的觸控探測傳感器10作為感測墊10a運作，且所有其餘觸控探測傳感器10作為非感測墊PA、PB、PD、PE、PF、PG、PH、PI、及PJ運作。以「PB」標記的觸控探測傳感器在以「PC」標記的觸控探測傳感器運作之前用作感測墊，且以「PD」標記的觸控探測傳感器可在以「PC」標記的感測墊運作之後自非感測墊轉變成感測墊。因此，觸控探測傳感器10向感測墊及非感測墊的轉變是通過下文將闡述的圖13的定時控制器33的控制來進行。作為圖8的利用一個感測墊來探測觸控信號的方法的實施例以及用於探測觸控信號的方法的另一實施例，可使所述多個觸控探測傳感器同時作為感測墊運作。在圖8中，當對感測墊信號線22a施加預充電電壓Vpre、且符號為PC並具有與Vpre具有預定電位差的任意電壓VLb1的感測墊10a連接至與感測墊10a相鄰且符號為PB、PD及PF的非感測墊以及與非感測墊連接的非感測墊信號線22b-B、22b-D及22b-F時，會基於圖7中所闡述的原理而在感測墊10a與非感測墊22b之間形成電容。更詳細地說，因具有預定電位的Vpre被施加至感測墊信號線22a及感測墊10a且連接至VLb1的非感測墊信號線22b-B相對於感測墊信號線22a具有預定的相對距離及相對面積，故會根據圖7中所闡述的原理而在非感測墊信號線22b-B與感測墊信號線22a之間形成線之間的電容C1、根據相同原理而在感測墊信號線22a與非感測墊信號線22b-D之間形成線之間的電容C2，且根據相同原理而在感測墊(PC)10a與非感測墊信號線22b-F之間形成線之間的電容C3。參照下文將闡述的或，通常，線之間的電容起到寄生電容Cp的作用且因此起到會降低觸控靈敏度的噪聲的作用。然而，本發明將線之間的電容相反地用來探測觸控信號，以在用於獲得由觸控探測器探測的電壓的方程式中減小Cp，從而改善觸控靈敏度，且本發明將線之間的電容(其為得到減小的Cp)放置於用於獲得觸控探測器所探測的電壓的方程式的分子上，以實現多種靈敏度改善效果，從而改善觸控靈敏度。同時，即使在感測墊信號線22a與非感測墊信號線22b-A之間存在非感測墊信號線22b-B(如C4)時，也可形成線之間的電容。在本說明書中，在感測墊信號線22a與非感測墊信號線之間形成線之間的電容(如C1至C3)的情形被定義為初級線之間的電容，且在感測墊信號線22a與非感測墊信號線之間形成一個或多個非感測墊信號線的狀態中形成的電容(如C4)被定義為次級線之間的電容。因此，在感測墊10a與感測墊信號線22a之間可形成多個次級電容。當使用次級線之間的電容進行觸控探測時，觸控靈敏度得到改善且因此所有用於形成次級線之間的電容的非感測墊信號線優選地被連接至用於形成初級線之間的電容的VLb1。用於形成次級線之間的電容的非感測墊信號線可連接至與VLb1不同的電位，但優選地共同使用VLb1以簡化電路。當電路的簡化或觸控靈敏度遠好於預期時，產生次級線之間的電容的非感測墊信號線(在圖8的實施例中為信號線22b-A或22b-E)可保持浮動或高阻抗狀態而減弱觸控靈敏度，從而在浮動的非感測墊信號線與感測墊信號線之間不出現次級線之間的電容。觸控驅動集成電路(TDI)產生次級線之間的電容並具有用於判斷感測墊信號線22a及與感測墊信號線22a相鄰的非感測墊信號線22b是在預定電位連接至彼此還是保持於浮動或高阻抗狀態的構件。連接至非感測墊信號線22b的電壓VLb1是包括零(0)伏的直流電位或交流電壓。在本說明書中，用語「閉合(closed)」也應用於形成初級線之間的電容的非感測墊信號線且還應用於基於感測墊信號線而形成次級線之間的電容的非感測墊信號線。感測墊10a共同地連接至初級線之間的電容C1至C3以及次級線之間的電容，且因此所有線之間的電容均可由一個等效電容器表示。如果等效電容器是線之間的等效電容器Ceq，則此可由如圖8及圖9所說明的等效電路表示。同時，線之間的等效電容器Ceq具有以下特徵。1.相對的傳感器信號線22a及傳感器信號線22b之間的相對長度越長，則相對區域變得越寬，從而使線之間的等效電容Ceq增加越多。因此，當感測墊10a在觸控驅動集成電路中處于越遠的距離時，線之間的等效電容Ceq變得越大。2.可根據相對的傳感器信號線22a及傳感器信號線22b的相對距離而調整線之間的等效電容Ceq的量值。相對距離是相對的傳感器信號線22a及傳感器信號線22b之間的寬度，且因此可根據設計而改變線之間的等效電容Ceq的量值。參照圖9，線之間的等效電容Ceq形成於感測墊10a與鄰近感測墊10a的非感測墊10b之間，且非感測墊10b連接至任意電壓VLb1。在圖9中，非感測墊10b及非感測墊信號線22b由一個等效非感測墊10b及一個等效非感測墊信號線22b表示，而非由形成初級電容及次級電容的多個非感測墊及多個非感測墊信號線表示。在圖8中，除感測墊10a以外的所有非感測墊信號線22b均連接至預定電壓VLb1，且因此在圖9中，電壓VLb1連接至非感測墊信號線22b。因此，儘管在圖9中一個非感測墊信號線22b連接至VLb1，然而產生初級線之間的電容或次級線之間的電容的所述多個非感測墊信號線均實質上連接至VLb1。VLb1是在施加預充電電壓Vpre時施加至非感測墊信號線22b的一側的電壓，且是用於通過預充電而形成線之間的等效電容Ceq的電壓。交流電壓施加至非感測墊信號線22b以探測觸控信號，且VLb1包括作為交流電壓的低電壓或高電壓。充電構件12的輸出端子12-1及連接至輸出端子12-1的所有電容器均連接至觸控探測器14。緩衝器14-1是構成觸控探測器14的其中一個組件，且輸入端子具有高阻抗(Hi-Z)特性。當充電構件12的輸出端子12-1在高阻抗狀態下連接至觸控探測器的高阻抗輸入端子時，連接於充電構件的輸出端子12-1與緩衝器14-1之間的所有電容器Ceq、Ct、Cvcom及Cp也均處於高阻抗狀態。儘管在下文闡述，然而Ceq的量值根據連接感測墊10a的感測墊信號線22a的長度而不同，且因此充電時間也根據感測墊的位置而不同。當基於一個固定時間來確定充電時間時，充電時間必須被確定為最長時間，此會造成觸控探測時間可能變慢的問題。因此，觸控驅動集成電路具有用於確定充電時間的構件。充電時間是作為充電構件12的接通時間加以確定。圖9說明充電構件12的輸出端子12-1直接連接至緩衝器14-1，但所有其輸入處於高阻抗狀態的元件(如金屬氧化物半導體(metaloxidesemiconductor，MOS)的門極、薄膜電晶體(thinfilmtransistor，TFT)的門極等)均可用來取代緩衝器14-1。使充電構件12的輸出端子12-1及觸控探測器14處於高阻抗狀態的原因在於：由於在高阻抗狀態中被隔離的電荷不存在放電路徑而使得在圖9中的點P處形成的電壓的量值被長時間保持，故易於相對精確地探測電壓的量值。緩衝器14-1的信號輸出被輸入至放大器14-2。根據是否產生觸控而定，當在圖9中的點P處探測到的電壓的變化小時，優選是使用放大器14-2來放大所述信號。放大器可使用利用參考電壓14-4所產生的DAC14-3。此外，經觸控探測器14探測及放大的信號可穿過ADC轉換器14-5而被傳遞至圖13的信號處理器35。可使用一個或多個ADC轉換器14-5。當使用多個ADC轉換器14-5時，可更快速地進行信號處理。儘管在圖9中未說明，然而可在觸控探測器14所顯示的數個功能單元當中使用濾波器。例如，也可在緩衝器14-1的前一級中使用濾波器，且可在放大器14-2的前一級中或放大器的某些組件中使用濾波器。作為濾波器，可使用各種濾波器，例如帶寬低通濾波器、帶寬高通濾波器、割草濾波器(grasscutfilter，GCF)、排序濾波器(rankingfilter)、及利用斬波(chopping)的平均濾波器。觸控探測傳感器10是由透明導體或金屬製成。當觸控探測傳感器10安裝於顯示元件上且由透明導體製成時，透明導體可為透明導電性材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦銻(ATO)、碳納米管(carbonnanotube，CNT)及氧化銦鋅，或為具有與此類似的導電特性的透明材料。如果觸控探測傳感器10用作不與顯示元件一起使用的觸控鍵盤及冰箱或監視器的觸控鍵，則觸控探測傳感器10也可由例如金屬等非透射性材料製成。傳感器信號線22是將在觸控構件(例如手指25)靠近觸控探測傳感器10時所形成的觸控電容的極性連接至觸控探測器14的信號線，並使用與觸控探測傳感器10相同的掩模，且可由透明導電材料製成。在某些情形中，傳感器信號線22使用與觸控探測傳感器10不同的掩模且也可由例如金屬等非透射性材料製成。傳感器信號線22的電阻的量值由Rt表示且非感測墊10b的電阻的量值由Rnt表示。電阻分量在探測觸控信號時用作產生信號延遲的因素。因此，電阻分量的量值越小越好。因此，為降低電阻，優選地使與在觸控驅動集成電路中設置於遠距離處的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22的寬度寬。觸控驅動集成電路中設置於短距離處的觸控探測傳感器10的傳感器信號線22的寬度窄，且因此即使電阻增大，絕對電阻值也小。因此，優選的是通過使觸控驅動集成電路中處於較短距離處的觸控探測傳感器10的傳感器信號線22的寬度窄而使傳感器信號線所經過的路徑的寬度窄。如此一來，根據本發明，可根據觸控探測傳感器10的位置而不同地形成傳感器信號線的寬度。圖8及圖9的共用電極電容器Cvcom是當觸控探測傳感器10與顯示元件的共用電極相對且觸控探測傳感器10的一側連接至觸控探測器14、另一側連接至顯示元件的共用電壓時形成的電容。在此種情形中，共用電極電容器是通過被直接連接至顯示元件的共用電壓來應用，但共用電極電容器(Cvcom)一般會通過例如玻璃或空氣等介質而被電磁感應。重新參照圖9，當人體的手指25以預定間隔靠近觸控探測傳感器10時，在手指25與觸控探測傳感器10之間形成被稱為「Ct」的觸控電容。Ct是由圖7的關係方程式C＝(eA)/d所設定的值，且可通過控制觸控構件(例如手指25)與觸控探測傳感器10的間隔、相對面積等加以控制。例如，當觸控探測傳感器10的面積增大時，根據圖7的關係方程式，Ct也會增大。相反，當觸控探測傳感器10的面積減小時，Ct會減小。根據一個實施例，Ct可被設計成自幾毫微微法(fF)至幾十微法(μF)。圖9的Cp是寄生電容器，且是由在觸控驅動集成電路中所形成的或用於構成所述觸控驅動集成電路的半導體與封裝之間的打線接合所形成的寄生電容器的等效電路。寄生電容器可由具有不同的接地的多個寄生電容器Cp構成。在本說明書中，說明連接至僅一個接地的僅一個寄生電容器。重新參照圖9，預充電電壓Vpre被施加至充電構件12的輸入端子12-2(圖8)且當被施加至通/斷控制端子cont的控制電壓Vg使作為充電構件12的開關元件接通時，經由輸出端子12-1輸出預充電電壓Vpre。因此，連接至充電構件12的輸出端子12-1的所有電容器均被充以預充電電壓Vpre。根據一個實施例，如果在Vpre為3V且Vg自零伏(0V)變至10V時作為充電構件12的開關元件接通，則在開關元件接通後在用於探測觸控的感測墊10a與手指25之間形成的觸控電容器Ct、線之間的等效電容器Ceq、寄生電容器Cp、及共用電極電容器Cvcom的電位均相對於與每一電容的一側相連的接地電位為3V。例如，如果共用電壓Vcom是4V，則當圖9中的點P的電位為3V時，共用電極電容Cvcom的電位3V意味著相對於共用電壓Vcom為4V時為3V(即，基於Vcom＝4V，P電位為7V)。在圖9中的點P充電之後，當充電構件12的控制電壓Vg自10V降至0V以使充電構件12斷開時，作為觸控探測器的點P變為高阻抗，且因此點P處的電荷被隔離於觸控電容器Ct、線之間的等效電容器Ceq、寄生電容器Cp及共用電極電容器Cvcom中。根據一個實施例，當對線之間的等效電容器Ceq施加交流電壓時，在點P處探測的電壓的量值與被施加於線之間的等效電容器Ceq的交流電壓的量值成比例且與連接至點P的各電容存在關聯。圖10是說明根據本發明實施例的觸控探測傳感器的構造的實例的剖視圖，且圖11是說明根據本發明實施例的觸控探測傳感器的構造的另一實例的剖視圖。圖10說明觸控探測傳感器10安裝於與顯示元件分別形成的基板上，且圖11說明觸控探測傳感器10嵌置於顯示元件中。共用電極電容器Cvcom的形成關係將在下文參照圖10及圖11進行闡述。如圖10中所說明，顯示元件200具有共用電極220。有源矩陣式有機發光二極體或等離子體顯示面板(PDP)不具有與用於顯示圖像品質的功能之間的共用電極，但具有在有源矩陣式有機發光二極體的薄膜電晶體基板或等離子體顯示面板的驅動基板上形成的各種電位且圖8及圖9的Cvcom形成於相對的觸控探測傳感器10之間，因此由在有源矩陣式發光二極體的薄膜電晶體基板上或等離子體顯示面板的驅動基板上形成的各種電位所形成的虛擬電位也被稱作共用電極。顯示元件200可為上文所述各種類型的顯示元件，且共用電極220可為液晶顯示器的Vcom電極或其他類型的電極。圖10的實施例說明各種顯示元件中的液晶顯示器。圖11所說明的顯示元件200具有其中將液晶密封於下部的薄膜電晶體基板205與上部的彩色濾光片215之間以形成液晶層210的結構。為對液晶進行密封，通過密封劑230將薄膜電晶體基板205的外部與彩色濾光片215的外部結合至彼此。儘管圖中未說明，然而可將偏光板附裝至液晶面板的上部及下部。另外，可像背光單元(BLU)一樣安裝構成背光單元的光學片材以及增亮膜(brightnessenhancementfilm，BEF)。如圖中所說明，觸控屏面板50安裝於顯示元件200上。圖11所說明的觸控屏面板50的外部通過例如雙面膠帶(DAT)等粘合部件57(圖11)附裝至顯示元件200的上部。此外，在觸控屏面板50與顯示元件200之間形成氣隙或者在觸控屏面板50與顯示元件200之間加入接觸部件58。接觸部件58是附裝於觸控屏面板50與顯示元件200之間的材料，例如為透射性矽、光學透明粘合劑(OCA)、及粘合樹脂。用於顯示圖像的共用電壓電平被施加至顯示元件200的共用電極220，且共用電壓可為具有預定量值的直流電壓或者可為以預定頻率交變的具有預定幅值的交流電壓。例如，在具有行反轉的小型液晶顯示器中，共用電極220的共用電壓如圖5所說明進行交變，且在例如筆記本計算機及具有點反轉的監視器/電視機等液晶顯示器中，則採用具有直流電平的共用電壓(其是具有預定量值的電壓)。如圖中所說明，共用電極電容器Cvcom形成於觸控探測傳感器10與顯示元件200的共用電極220之間，且觸控電容Ct形成於觸控探測傳感器10與手指25之間。因此，共用電極電容Cvcom及觸控電容Ct一起形成於觸控探測傳感器10中。同時，圖11中的參考編號24是用於保護觸控探測傳感器10的保護層，且使用玻璃、塑料、乙烯基塑料(vinyl)、布料等。圖11是觸控探測傳感器的構造的另一實例，且說明其中觸控探測傳感器10嵌置於顯示元件中的實施例。參照圖11，觸控屏面板50可形成於作為顯示元件一部分的彩色濾光片215的上表面。如圖中所說明，共用電極220形成於彩色濾光片215之下，且觸控探測傳感器10被圖案化於彩色濾光片的上表面。在圖11的實施例中，可由偏光板來取代保護層24。甚至在圖11的實施例中，共用電極電容Cvcom形成於共用電極220與觸控探測傳感器10之間，且因此共用電極電容Cvcom(位於觸控探測傳感器10與顯示元件200的共用電極220之間)與觸控電容Ct(位於觸控探測傳感器10與手指25之間)一起形成於觸控探測傳感器10中。圖12說明對線之間的等效電容Ceq應用交流電壓來探測觸控信號的實施例。參照圖12，形成於觸控探測傳感器10與導體(例如手指25)之間的觸控電容Ct、Ceq、Cvcom及Cp連接至充電構件12的輸出端子12-1。因此，當在充電構件12接通的狀態下對充電構件12的輸入端子12-2施加預充電信號Vpre時，Ceq、Ct、Cvcom及Cp被充至預充電電平Vpre，且因此觸控探測器14的輸入端子的電位變為預充電電平Vpre。接下來，當充電構件12斷開時，被充於四個電容器中的信號保持為預充電信號電平Vpre直至其被分別放電為止。為穩定地隔離所充信號，充電構件12的輸出端子12-1及觸控探測器14的輸入端子處於高阻抗狀態。優選地，充電構件12的輸出端子12-1及觸控探測器14的輸入端子可具有至少100KΩ的阻抗。然而，根據另一實施例，充電構件12的輸出端子12-1及觸控探測器14的輸入端子可不處於高阻抗狀態。例如，當在四個電容器中所充的信號被放電的同時觀察到觸控輸入、由其他構件所充的信號被隔離、或者在放電起始定時時刻迅速觀察到信號時，觸控探測器14的輸入端子需要為高阻抗。觸控探測器14探測感測墊10a的電壓(或點P處的電壓)。觸控探測器14探測當未產生觸控時(即，當不形成Ct時)點P的電壓，並探測當產生觸控時(即，當形成Ct時)點P處的電壓，以利用這兩個所探測電壓之間的量值差來取得觸控信號。根據圖12的實施例，在感測墊10a及觸控探測器的輸入端子(其為點P)處存在感測信號線電阻Rt，但在預定時間之後Rt兩端的信號的大小變為相同且因此忽略Rt的影響。因此，在本說明書中，感測墊10a所探測的電壓與在點P處探測的電壓具有相同含義。在本發明中，當圖12的點P被充以充電電壓Vpre時，與非感測墊10b連接的非感測墊信號線22b的一側連接至預定電壓V1或Vh。V1是本發明的交流電壓的低電壓，且Vh是本發明的交流電壓的高電壓，其中所述交流電壓在Vh與V1之間交變。Vh或V1的作用如同上述VLb1，即用於形成線之間的等效電容器Ceq。為在施加充電電壓Vpre且經過預定時間之後探測觸控信號，對非感測墊信號線22b施加交流電壓。所述交流電壓的絕對值是Vh-V1且電位可自高電壓Vh變至低電壓V1或者自低電壓V1變至高電壓Vh。所述交流電壓是具有各種形狀(如方波、三角波、正弦波、或鋸齒波)的電壓且本發明的觸控驅動集成電路(TDI)可改變所述交流電壓的量值或頻率。觸控探測器14與交流電壓自低電壓V1上升至高電壓Vh時的上升沿或上升時刻或者所述交流電壓自高電壓Vh下降至低電壓V1時的下降沿或下降時刻同步地探測電壓。當觸控驅動集成電路與上升沿或下降沿同步地探測電壓時，優選的是在相對於所述沿延遲達預定時間之後探測所述電壓。原因在於，在感測墊信號線22a的電阻分量Rt或非感測墊的電阻分量Rnt使探測電壓達到穩定之前需要一定時間(例如，幾十納秒或幾十微秒)。此外，在交流電壓的上升沿或下降沿處產生的電磁波可影響與本發明的電容型觸控探測構件耦合的元件，因此本發明的觸控驅動集成電路可還包括一種用於調整交流電壓的上升沿或下降沿的梯度的方法。作為用於在觸控驅動集成電路中調整梯度的方法的一個實施例，可使用寄存器。在多個寄存器中，對上升沿的時間或下降沿的時間進行映射，且當選擇所述多個寄存器中的一者時，圖13的交流電壓產生器42可調整交流電壓的上升沿的梯度或下降沿的梯度。假定Vh為5V且V1為0V，則交流電壓的絕對值Vh-V1為5V。當交流電壓自低變高時，交流電壓為+5V(為正極性)，而當交流電壓自高變低時，交流電壓為-5V(為負極性)。所述極性應用於下文所將闡述的用於探測觸控信號的方程式。當圖12的P點被充以充電電壓Vpre時，假定施加至非感測墊信號線22b的電壓是Vh或V1，則線之間的等效電容器Ceq被充以具有Vpre與Vh之間的差或Vpre與V1之間的差的電壓。例如，當Ceq被充以Vpre時，如果連接至非感測墊信號線22b的第一電壓是高電壓Vh，則交流電壓自高Vh變至低V1且交流電壓的極性為負(-)。此外，當Ceq被充以Vpre時，如果連接至非感測墊信號線22b的第一電壓是低電壓V1，則交流電壓自低V1變至高Vh且極性為正(+)。在對非感測墊信號線22b施加交流電壓時觸控探測器14所探測到的電壓如下所述。1.當未產生觸控時所探測到的電壓。[方程式1]2.當產生觸控時所探測到的電壓。當產生觸控時，觸控電容Ct被加至觸控探測器14，且因此通過以下來確定觸控探測器14所探測的電壓。[方程式2]在以上及中，Vsensornontouch代表在未產生觸控時由觸控探測器14探測的電壓，Vsensortouch代表在產生觸控時由觸控探測器14探測的電壓，Vpre代表預充電電壓，Vh代表對非感測墊傳感器信號線22b施加的交流電壓的高電平電壓，V1代表對非感測墊傳感器信號線22b施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom代表共用電極電容，Cp代表寄生電容，Ct代表觸控電容。在交流電壓自低變為高時，Vh-V1的極性為正(或+)的，且在交流電壓自高變為低時，Vh-V1的所述極性為負(或-)的。闡述以上與之間的差異，Ct位於以上的分母上。觸控電容Ct是感測墊10a與觸控構件(例如手指25)之間的電容器，且因此作為Ct的量值的電容根據是否產生觸控或者根據觸控構件與觸控感測墊10a的相對距離或相對面積而變化。由於Ct的差會引起由以上與所推導的電壓的差，因此判斷是否產生觸控或者可通過探測電壓差(-或-)來計算觸控面積。以上是在未產生觸控時觸控探測器14所探測的值，且因此是固定值。然而，當如以上一樣增加了觸控電容時，觸控探測器14所探測的電壓具有發生改變的觸控電容，且因此通過以上所探測的電壓的量值發生改變。本發明根據以上與之間的電壓差或以上與之間的電壓差來探測是否產生觸控或者探測觸控面積，且因此，作為固定值的以上的電壓可優選地被存儲於存儲元件存儲單元28(圖13)中。如果以數字-模擬轉換器(DAC)14-3取代被存儲於存儲單元28(圖13)中的以上的電壓，則可通過簡單電路(如差分放大器)來探測-或-。因此，當未產生觸控時，本發明具有用於將由觸控探測器14以上述形式探測的電壓存儲於存儲器中的構件，並具有用於以DAC14-3取代被存儲於存儲器中的無觸控時的電壓的構件。例如，當在圖8的感測墊10a無觸控時由觸控探測器14探測到的電壓為3V時，對在圖8的感測墊10a無觸控時的電壓進行顯示的DAC為3V。此外，DAC可顯示包括預定偏移量的3V。例如，當DAC為3.5V時，DAC包括0.5V的偏移量。因此，在所有觸控探測傳感器10無觸控時觸控探測器14所探測到的電壓被存儲於存儲器中，以探測相對於在對應的觸控探測傳感器10作為感測墊運作時觸控探測器所探測的電壓的差，從而易於探測是否產生觸控以及探測觸控面積。同時，在觸控驅動集成電路中的電源供應單元47(圖13)中產生Vh及V1，且在觸控驅動集成電路中的交流電壓產生器42(圖13)中產生交變的Vh及V1。同時，Cvcom可由以下獲得。在以上中，ε1是存在於觸控探測傳感器10與共用電極220之間的媒介的複數電容率(complexpermittivity)。在圖10的情形中，在觸控探測傳感器10與共用電極220之間可存在玻璃、空氣層、偏光板、及用於將偏光板附裝至玻璃的粘合劑，且因此其複數電容率為以上方程式3的ε1。S1是觸控探測傳感器10與共用電極220的相對面積，且因此可易於獲得。如在圖10的實例中所說明，當共用電極220形成於彩色濾光片215的下表面時，相對面積S1取決於觸控探測傳感器10的面積。此外，D1是觸控探測傳感器10與共用電極220之間的距離，且因此對應於媒介的厚度。如上文所述，Cvcom是可易於獲得的值且是可預先設定的值。Ct可通過以下獲得。[方程式4]在以上中，ε2可自觸控探測傳感器10與手指25之間的媒介獲得，且可在使用多種媒介時使用媒介的複數電容率獲得。如果將鋼化玻璃附裝於圖10中的觸控屏面板50的上表面，則電容率ε2可自通過將鋼化玻璃的比電容率乘以真空的電容率所獲得的值來獲得。S2對應於感測墊10a與手指25的相對面積。如果手指25完全覆蓋任一感測墊10a，則S2對應於觸控探測傳感器10的面積。如果手指25覆蓋觸控探測傳感器10的一部分，則S2會減小，減小量為感測墊10a的面積中不與手指25相對的面積。D2是感測墊10a與手指25之間的距離，且因此對應於置於觸控屏面板50的上表面的保護層24的厚度。如上文所述，Ct是可易於獲得的值，且是可易於使用置於觸控屏面板50的上表面的保護層24、鋼化玻璃等的材料及厚度來設定的值。根據以上，Ct與手指25及觸控探測傳感器10的相對面積成比例，且因此可計算出手指25對觸控探測傳感器10的觸控佔據比率。一種用於計算手指25的觸控佔據比率的方法如下所述。參照以上及，所述差異是在根據是否產生觸控而存在觸控電容Ct與不存在觸控電容Ct時的差異。假定在以上中所提及的所有電容均具有預定固定量值且Vpre是固定值，則可通過在以上及中所探測的電壓來僅提取Ct。在以上中，當ε2及D2為固定值時，觸控電容Ct僅與觸控面積成比例。因此，可通過所提取的Ct而簡單地獲得觸控面積。在利用以上及來獲得面積時，使用通過以上所探測的電壓與通過以上所探測電壓二者。此外，本發明可基於由觸控探測器14所探測的電壓來操作觸控面積。圖13是說明根據本發明的觸控屏面板的一個實施例的構造圖且說明其中將觸控探測傳感器10排列成點矩陣形式的實例。在圖13的下部提供觸控驅動集成電路(TDI)30的構造。觸控驅動集成電路30可包括驅動器31、觸控探測器41、定時控制器33、信號處理器35、存儲單元28、交流電壓產生器42、電源供應單元47及通信單元46，並可還包括中央處理器40。中央處理器40是具有操作功能的微處理器且可位於觸控驅動集成電路30之外。驅動器31具有充電構件12，且包括對所述多個觸控探測傳感器10中的感測墊及非感測墊進行選擇以及將所選擇的墊連接至觸控探測器14的功能。此外，驅動器31包括在利用充電構件12進行充電操作期間將非感測墊信號線22b的一側連接至Vh或V1的功能。參照以上或，會因交變電壓的量值Vh-V1而產生探測電壓的量值的差，因此為調整觸控靈敏度，觸控驅動集成電路可還包括用於改變交流電壓的量值的構件。交流電壓越大，則探測電壓越大，此意味著探測靈敏度得到改善。觸控驅動集成電路中設置有用於控制量值Vh-V1(其為交流電壓的大小)的寄存器。根據一個實施例，所述寄存器具有多個位址，且交流電壓的不同量值被映射至每一位址。與所選擇寄存器的值對應的交流電壓的量值被傳遞至驅動器31且在探測觸控信號時應用。定時控制器33用於產生在觸控驅動集成電路中所需要的多個不同時鐘。例如，操作中央處理器40需要時鐘，且操作模擬-數字轉換器或依序操作驅動器31的多工器也需要時鐘。因此，每一功能所需要的時鐘可能為多個時鐘，且定時控制器33可產生並供應多個不同的時鐘。信號處理器35將觸控探測器14所產生的ADC值供應至中央處理器40，控制通信單元46經由內置集成電路(interintegratedcircuit；I2C)或串行外圍接口總線(serialperipheralinterfacebus；SPI)信號線將ADC值傳送至觸控驅動集成電路30的外部，或者產生並供應觸控驅動集成電路30內的所有功能元件(例如觸控探測器35或驅動器)所需要的信號。所述功能元件或功能區塊被稱為用於執行圖13所說明的每一功能的組件。例如，在當前觸控驅動集成電路中包括九個功能區塊，且中央處理器40是這些功能區塊中的一者。信號處理器35將在觸控探測器14中產生的ADC值容納於存儲單元28中及/或執行所需要的操作。例如，信號處理器35可參照在觸控探測器14中產生的ADC值來操作由觸控探測傳感器10與觸控構件的觸控所引起的觸控面積，並可利用ADC值或操作面積值來操作觸控座標。存儲單元28由閃速存儲器、E2PROM、SRAM或DRAM構成。閃速存儲器或E2PROM儲存有對觸控驅動集成電路30進行驅動所需要的多個寄存器值或者對中央處理器40進行操作所需要的程序。中央處理器40可具有許多與信號處理器35的功能重疊的功能。因此，中央處理器40可不包含於觸控驅動集成電路30中或者可位於觸控驅動集成電路30的外部。在預計中央處理器40與信號處理器35具有重疊性能的區段中，可不臨時使用中央處理器40與信號處理器35中的任一個。中央處理器可執行由信號處理器35執行的大部分角色且執行對觸控座標進行提取或執行例如縮放(zoom)、旋轉、移動等手勢的各種功能。此外，中央處理器可通過以下方式處理各種形式的數據：操作觸控輸入區域以產生縮放信號、計算觸控輸入的強度、以及當多個圖形用戶界面(GUI)物件(例如小鍵盤)同時被觸控時僅將用戶所需的圖形用戶界面物件(例如具有大的探測面積)識別為有效輸入，等等，且中央處理器可使用觸控驅動集成電路30內的數據或將所述數據經由通信線傳送至外部。用於控制中央處理器40的程序安裝於存儲單元28中，並可在產生修改時由新程序取代。新程序可利用包含於通信單元46中的通信總線、例如I2C、SPI、USB等的串行通信、或者例如CPU接口(以下稱為I/F)等並行通信來執行。通信單元46用於將所需要的信息輸出至觸控驅動集成電路30的外部或者將自觸控驅動集成電路30的外部提供的信息輸入至觸控驅動集成電路的內部。通信單元利用例如I2C及SPI等串行通信或者例如CPU接口等並行I/F。交流電壓產生器42產生被施加至線之間的等效電容器Ceq的交流電壓。由電源供應單元47產生交流電壓的高電壓Vh及低電壓V1，且交流電壓產生器42對高電壓Vh及低電壓V1進行組合以產生交流電壓，從而使驅動器31可使用所述交流電壓。此外，交流電壓產生器42具有一種用於調整交流電壓的上升沿或下降沿的梯度的方法。根據圖13的實施例的用於探測觸控信號的感測墊被配置有一個或多個。然而，感測墊優選地被配置有多個，以縮短感測時間。感測墊可被隨機選擇且可自由六個行Row1至Row6及五個列Col1至Col5構成的30個觸控探測傳感器10中逐列地或逐行地選擇。根據本發明的一個實施例，基於觸控驅動集成電路的位置來設定行座標及列座標。因此，觸控探測傳感器的行座標及列座標不是固定的，而是可根據觸控驅動集成電路的設定位置而相對改變的值。根據逐列地選擇感測墊的實施例，當Col1中所包含的六個觸控探測傳感器10被同時確定為第一感測墊時，Col1中所包含的所有六個觸控探測傳感器10均作為感測墊運作。(在此種情形中，Col2至Col5作為非感測墊運作)。然而，在此種情形中，不形成上述線之間的等效電容器Ceq，而是即使形成線之間的等效電容器Ceq，電容的量值也是小的，且因此可能會降低觸控探測靈敏度。因此，逐行感測比逐列感測更優選。原因在於，在逐行感測的情形中，不存在緊鄰的感測墊信號線22，因此不會發生因信號幹擾而造成故障的問題。在Row1被選擇作為感測墊且因此Row1中所包含的五個觸控探測傳感器10作為感測墊運作的同時，Row2至Row6中所包含的所有觸控探測傳感器10均作為非感測墊運作。當Row1完成感測墊的功能時，Row2依序變成感測墊且Row1及Row3至Row6作為非感測墊運作，此依序重複進行。在Row1中，五個觸控探測傳感器10作為感測墊運作，因此觸控驅動集成電路優選地包括五個驅動器31。因此，這五個感測墊被同時驅動以縮短觸控探測時間。同時，參照上文所述線之間的感測等效電容器的兩個特性中的第一特性，當Row1作為感測墊運作時的感測等效電容Ceq大於當Row6作為感測墊運作時的感測等效電容Ceq。原因在於，與位於Row1中的觸控探測傳感器10連接的感測信號線22的長度長於與位於Row6中的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22的長度。因此，在觸控驅動集成電路中的距離越遠，則在感測墊中形成的感測等效電容Ceq的量值越大。因此，優選的是補償感測等效電容Ceq的不同量值以探測到均勻的觸控信號。對感測等效電容Ceq的量值進行補償意味著將補償電容器加至或的感測等效電容Ceq以便即使感測墊的位置發生改變，也會對於相同的觸控電容Ct探測到相同的電壓。本發明具有用於基於每一位置上的感測等效電容Ceq的不同量值來補償感測等效電容Ceq的不同量值以使每一位置保持相同觸控靈敏度的構件。圖14說明根據本發明實施例的一種用於補償感測電容Ceq的方法。參照圖14，補償電容器Cba1連接至觸控探測器14且補償電容器Cba1的一側被施加交流電壓。因此，Ceq與Cba1相互並聯連接且因此在等效電路中Ceq可與Cba1的量值一樣大。根據一個實施例，施加至補償電容器Cba1的交流電壓可相同於施加至線之間的等效電容器Ceq的交流電壓。根據另一實施例，補償電容器Cba1的一側可被施加與施加至線之間的等效電容器Ceq的交流電壓具有不同量值(幅值)的電壓。例如，補償電容器Cba1的一側可連接至零伏(V)的GND或具有預定電位的直流(DC)。然而，為簡化電源供應單元47及交流電壓產生器42，施加至線之間的等效電容器Ceq及補償電容器Cba1的交流電壓優選地是相同的，且在本說明書中提出了其中交流電壓相同的情形的實施例。當圖13的Row1中所包含的五個觸控探測傳感器10用作感測墊時，假定在Row1的col3的感測墊10a中產生的感測等效電容Ceq的量值是15pF，當Row2用作感測墊時，假定在Row2的col3的感測墊中產生的感測等效電容Ceq的量值是13pF，且當Row6用作感測墊時，假定在Row6的col3的感測墊中產生的感測等效電容Ceq的量值是5pF。如果在Row1用作感測墊時將Cba1的量值選擇為0pF且在Row2用作感測墊時將Cba1的量值選擇為2pF，則電容器的量值與Row1的Ceq的量值15pF相同，且如果在Row6用作感測墊時將Cba1的量值選擇為10pF，則Ceq為5pF且因此所有其中對Cba1(其為10pF)進行了5pF(其為Row6的Ceq)補償的電容器的量值均為15pF，此與Row1的15pF相等。因此，如果通過調整Cba1的量值而使Cba1的經補償量值與Ceq之和為恆定值(例如15pF)來對電容補償與每一行中Ceq的差對應的量，則會在每一行中感應出具有15pF的感測等效電容Ceq。在本說明書中，補償電容器的設定量值(例如0pF、2pF、10pF及15pF)是一個實施例，且感測等效電容Ceq與補償電容Cba1之和適宜基於在每一行中所探測的感測等效電容Ceq的量值而被定義成相互匹配。當補償電容Cba1的一側連接至觸控探測器14且其另一側被施加與施加至線之間的等效電容器Ceq的交流電壓相同的交流電壓時，觸控探測器14所探測的電壓如下所述。1.當未產生觸控時所探測到的電壓。[方程式5]2.當產生觸控時所探測到的電壓。當產生觸控時，觸控電容Ct被加至觸控探測器14，且因此通過以下來確定觸控探測器14所探測的電壓。[方程式6]在以上及中，Vsensornontouch代表在未產生觸控時由觸控探測器14探測的電壓，Vsensortouch代表在產生觸控時由觸控探測器14探測的電壓，Vpre代表預充電電壓，Vh代表對非感測墊信號線22b及補償電容器Cba1的一側施加的交流電壓的高電平電壓，V1代表對非感測墊信號線22b及補償電容器Cba1的一側施加的交流電壓的低電平電壓，Cvcom代表共用電極電容，Cp代表寄生電容，Ct代表觸控電容。在交流電壓自低變為高時，(Vh-V1)的極性為正(或+)的，且在交流電壓自高變為低時，(Vh-V1)的所述極性為負(或-)的。參照及，在圖13的實施例中，可通過以補償電容Cba1補償每一行的不同感測等效電容Ceq而使每一行的觸控靈敏度保持相同。此外，參照及，當在每一行中產生的觸控等效電容Ceq的量值小時，可利用Cba1極大地改善觸控靈敏度。此外，參照及，在其中不施加交流電壓至Ceq而是對Ceq施加交流電壓的部分連接至GND或浮動的狀態下，當交流電壓僅施加至與觸控探測器14連接的補償電容器Cba1的一側時，或的Ceq被Cba1取代。因此，根據本發明，被施加交流電壓的電容器包含於代表探測電壓的方程式的分母及分子中。本發明具有用於基於感測等效電容Ceq的不同量值來補償感測等效電容Ceq的量值的構件。觸控驅動集成電路30包括用於確定補償電容器Cba1的量值的構件。根據所述構件的實施例，將多個寄存器與具有不同量值的補償電容Cba1進行映射，且在圖13的實施例中，對所述多個寄存器指配在每一行中具有不同量值的Cba1。同時，參照以上或，觸控探測器14所探測的探測電壓與(Vh-V1)成比例，且因此當恰當調整交流電壓的量值時，可通過調整觸控探測器14所探測的電壓的量值來調整觸控靈敏度。觸控驅動集成電路包括用於改變交流電壓的量值的構件。根據實施例，觸控驅動集成電路中的所述多個寄存器被指配具有不同量值的交流電壓，且交流電壓的量值可通過寄存器的選擇來確定。表1說明其中根據觸控驅動集成電路中所包含的寄存器的設定來改變交流電壓的量值的實施例。表1位址07h06h05h04h03h02h01h00h電壓16V14V12V10V8V6V4V2V參照表1，當選擇寄存器位址00h時，交流電壓為2V，且當選擇寄存器位址07h時，交流電壓為16V。因此，根據前述實施例的觸控探測裝置改變交流電壓來調整與觸控靈敏度相關聯的探測電壓的量值。參照圖12或圖14，根據本發明的電容型觸控探測構件及探測方法，交流電壓施加至與處於高阻抗狀態的觸控探測器14連接的電容器Ceq及Cba1的一側，且可根據是否產生觸控電容Ct來探測觸控。因此，當與處於高阻抗狀態的觸控探測器14連接的任一電容器被施加交流電壓時，可進行觸控探測。此處，觸控探測器14處於高阻抗狀態這一事實意指充電構件12處於斷開狀態，充電構件12的輸出端子12-1處於高阻抗狀態，觸控探測器14的輸入單元處於高阻抗狀態，且圖12的點P處於高阻抗狀態。圖15是說明具有交變觸控構件的本發明實施例的圖。圖15是圖12的其中在觸控探測傳感器10與手指25之間形成觸控電容Ct的實施例的修改形式，其不同於採用交變觸控構件26來取代手指25的事實。亦即，此相同於圖12中所述者，只是在觸控探測傳感器10與交變觸控構件26之間形成觸控電容Ct。交變觸控構件26的實施例可為具有筆的形狀的觸控筆。參照圖15，交變觸控構件26可包括交流電壓產生器42(圖13)。在交流電壓產生器42(圖13)中，交變觸控構件26包括通往筆的前端(筆尖)17的連接線18，且由交流電壓產生器42(圖13)產生的交流電壓經由連接線18被傳遞至筆的前端。交變觸控構件26的交流電壓產生器42(圖13)可包括電源供應單元或充電單元。電源供應單元可包括電池或可充電電池。充電單元探測被施加至線之間的等效電容器Ceq及補償電容器Cba1的交流電壓的上升沿或下降沿，以充注充電單元中所包含的電容器中的電壓。因此，在使用充電單元時，交變觸控構件26優選地靠近觸控探測傳感器10。交流電壓是如方波、三角波、正弦波等的交流電壓。交流電壓產生器42(圖13)可包括用於確定交流電壓的量值或交變頻率的構件。交流電壓的量值可根據可變電阻器的電阻值的變化來確定。此外，交變頻率也可根據可變電阻器、可變電容器等的變化來確定。交流電壓可通過一次線圈與二次線圈之間的關聯而產生或者可由交流電壓產生器42(圖13)中所包含的線性電路(例如運算放大器(OPAMP))與例如電阻器R及電容器C等電路部件的組合來產生。根據一個實施例，交變觸控構件26可包括用於接通或斷開交流電壓的構件。例如，當使用觸控筆作為交變觸控構件26時，如果按壓安裝於觸控筆下部的按鈕開關(pushswitch)，則可能不產生交流電壓，且如果不按壓按鈕開關，則可產生交流電壓。按鈕開關的位置可安裝於觸控筆的任意部分上，且因此所屬領域的技術人員將知，按鈕開關的位置及交流電壓的產生並非僅限於上述實施例。在觸控探測傳感器10與交變觸控構件26之間基於以上方程式4而形成觸控電容Ct。當交變觸控構件26的交流電壓的高電壓的量值被設定成Vph且低電壓的量值被設定成Vp1時，交流電壓的量值被確定為Vph-Vp1。當交變觸控構件26形成Ct時，觸控探測器14所探測的電壓的量值通過以下來確定。[方程式7]當在圖15所說明的實施例中包括所說明的補償電容器Cba1時，Cba1將被額外包含於以上的分母中。以上是當僅對Ct施加交變觸控構件26的交流電壓時觸控探測器14所探測到的電壓。因此，交流電壓不施加至Ceq、Cba1等，或者施加至Ceq或Cba1的交流電壓被避開上升沿或下降沿施加。為在避開被施加至Ceq或Cba1的交流電壓的同時產生交變觸控構件26的交流電壓，交變觸控構件26可進一步包括用於探測在觸控探測傳感器10中形成的電壓的上升沿或下降沿的構件(圖中未說明)。此外，交變觸控構件26可使用比施加至Ceq或Cba1的交流電壓快的頻率來探測被施加至Ceq或Cba1的交流電壓的直流區段中或未施加交流電壓的區中的觸控信號。當在交變觸控構件26與觸控探測傳感器10之間不存在Ct時，用於獲得所探測電壓的方程式是以上或，因此通過由以上或所獲得的第一電壓與通過以上所獲得的第二單元之間的差來探測交變觸控構件26的觸控信號。因此，本發明可基於通過以上與所探測的電壓之間的差來探測手指的觸控，以及基於由以上與所探測的電壓之間的差來探測手指的觸控。在此種情形中，所用觸控構件是作為手指25(圖12)的非交變觸控構件(自身產生交流電壓且不輸出交流電壓的觸控構件)。同時，當對線之間的等效電容器Ceq的一側施加交流電壓時，如果未產生觸控，則交變觸控構件26可基於由觸控探測器14基於以上所探測的第一電壓的量值與由觸控探測器14基於以上所探測的第二電壓的量值之間的差來探測交變觸控構件26是否產生觸控。此外，當對線之間的等效電容器Ceq及補償電容器Cba1的一側施加交流電壓時，交變觸控構件26可基於由觸控探測器14基於以上所探測的第一電壓的量值與由觸控探測器14基於以上所探測的第二電壓之間的差來探測交變觸控構件26是否產生觸控。根據本發明的實施例，可由非交變觸控構件(例如手指25(圖12))及交變觸控構件(觸控筆26(圖15))同時探測觸控信號。原因在於，在其中非交變觸控構件或交變觸控構件不接觸觸控探測傳感器10的狀態下，即在其中不形成Ct的狀態下所探測的電壓的量值是基於以上或來探測。因此，可利用基於以上或所探測的電壓與基於以上或所探測的電壓之間的差來探測非交變觸控構件(例如手指25(圖12))的觸控，並可基於以上或所探測的電壓與基於以上所探測的電壓之間的差來探測交變觸控構件26(圖12)的觸控。可通過使Vph-Vp1的量值不同來將基於所探測的電壓與通過以上或所探測的電壓的量值相區分，且因此觸控探測器14可利用所述探測電壓之間的差來確認為交變觸控構件26(圖12)還是非交變觸控構件25(圖12)。同時，重新參照圖13，根據本發明的實施例，觸控探測傳感器10可基於觸控驅動集成電路(TDI)30、通過在行方向上所包含的各觸控探測傳感器10的任意組合來探測觸控信號。根據觸控探測傳感器10的組合的第一詳細實例，一個Row1中所包含的所有觸控探測傳感器10同時運作來探測觸控信號，此類似於Row1中所包含的所有五個觸控探測傳感器10同時運作來探測觸控信號。根據觸控探測傳感器10的組合的第二詳細實例，只有Row1中所包含的偶數列Col2/Col4可運作來探測觸控信號或者只有奇數列Col1/Col3/Col5可運作來探測觸控信號。根據觸控探測傳感器10的組合的第三詳細實例，任一行中50％的觸控探測傳感器10探測觸控信號或者50％的觸控探測傳感器10不探測觸控信號，且在執行觸控探測的50％的觸控探測傳感器10的操作完成後，不探測觸控信號的其餘50％的觸控探測傳感器10可被配置成探測觸控信號。根據本發明的實施例，觸控探測構件可還包括用於對在一行中所包含的多個觸控探測傳感器10進行選擇以判斷是否探測到觸控信號的構件。根據前述實施例，探測觸控信號的操作意指連接至傳感器信號線22的觸控探測傳感器10連接至充電構件12及觸控探測器14以探測所述電壓來進行觸控信號探測。圖16是說明觸控探測傳感器10及傳感器信號線22的設定的實施例的圖。參照圖16，觸控探測傳感器10及傳感器信號線22包含於被劃分成行及列的方形中。根據實施例，虛擬方形的區域被劃分成其中包括觸控探測傳感器10及第二信號線22的行及列。根據另一實施例，列方向(如列5或列1)上的外側區域或者行方向(如行1或行6)上的外側區域可小於或大於被虛擬劃分的方形的中心部分的區域。當列或行的外側部分的虛擬方形的區域小且觸控探測傳感器10及傳感器信號線22設置於方形中時，探測解析度更好且因此觸控屏面板50的外側部分的探測力(detectionpower)得到提高。根據本發明的實施例，位於觸控屏面板50的外側部分的觸控探測傳感器10的區域可被配置成小於位於觸控屏面板50的中心部分的觸控探測傳感器10的區域。根據本發明的另一實施例，除位於觸控屏面板50的外側部分的虛擬方形以外的其餘虛擬方形的面積可相同。此外，根據本發明，一個虛擬方形包括一個觸控探測傳感器10。重新參照圖16，Row1包括一個觸控探測傳感器10及一個傳感器信號線22，但如Row2及Row3一樣，當傳感器信號線靠近觸控驅動集成電路30時，會在虛擬方形中包括更多的傳感器信號線22。因此，根據本發明，虛擬方形可包括一個傳感器信號線及多個傳感器信號線22。當虛擬方形包括多個傳感器信號線22時，當觸控探測傳感器10包括越多傳感器信號線22時，觸控探測傳感器10的面積變得越小。舉例而言，座標為Row1/Col1的觸控探測傳感器10的面積小於座標為Row6/Col1的觸控探測傳感器10的面積。此意味著與相對於觸控驅動集成電路位於遠距離處的觸控探測傳感器10相比，位置更靠近觸控驅動集成電路的觸控探測傳感器10具有較小的面積。同時，與相對於觸控驅動集成電路位於遠距離處的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22的電阻大於與更靠近觸控驅動集成電路的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22的電阻，因此觸控探測器14探測電壓的探測時間被延遲。因此，為減小與相對於觸控驅動集成電路位於遠距離處的觸控探測傳感器連接的傳感器信號線22的電阻，傳感器信號線22的布線寬度優選是寬的。根據本發明的實施例，與相對於觸控驅動集成電路位於遠距離處的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線的寬度寬於與位置靠近觸控驅動集成電路觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22的寬度。根據本發明的實施例，觸控探測傳感器10的面積根據相對於觸控驅動集成電路的距離而改變，因此觸控構件25所探測的面積的值發生改變。針對每一行確定面積值的相對比率，且因此可通過對基於此而探測的面積進行補償來使獨立於觸控探測傳感器10的面積而探測的面積大小相等。例如，假定任一觸控構件25在Row1中所探測的面積的大小是100且在Row6中所探測的面積的大小是50，則Row1中所探測的面積的僅50％用作觸控區域、但在Row6中所探測的面積增加兩倍一此可用作所探測接觸面積。本發明可包括用於基於觸控探測傳感器10的位置及面積來補償觸控面積以使觸控面積相等的構件。如圖16中的Col5所標記，本發明的實施例可具有相同面積的觸控探測傳感器10。根據本發明的實施例，觸控探測傳感器10或傳感器信號線22可位於由圖16的虛線所示的顯示元件的有源區域的外部。在此種構造中，觸控座標探測力在顯示元件的有源區域的外側部分處得到提高。同時，與相對於觸控驅動集成電路位於遠距離處的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22之間的彼此相對區域大於與相對於觸控驅動集成電路位於近距離處的傳感器信號線22連接的傳感器信號線22之間的彼此相對區域，因此對與相對於觸控驅動集成電路位於遠距離處的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22具有影響的雜散電容的量值較大。線之間的等效電容Ceq的大小會因雜散電容而存在差異，且因此參照或，觸控探測器14所探測的電壓會因Cp的量值的差異而存在差異。為解決上述問題，與相對於觸控驅動集成電路位於遠距離處的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22之間的距離優選地被形成為彼此間隔開更遠，且隨著傳感器信號線22的彼此相對距離可彼此間隔開更遠，自或導出的Cp的量值小。根據本發明的實施例，與相對於觸控驅動集成電路位於遠距離處的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22之間的間隔距離寬於與位置靠近觸控驅動集成電路的觸控探測傳感器10連接的傳感器信號線22之間的間隔距離。設置於Row1及Row2中的觸控探測傳感器10以觸控驅動集成電路30為基準設置於上部及下部(如彼此間隔開預定距離「d」)，且傳感器信號線22不會在其間穿過的觸控探測傳感器10需要彼此間隔開預定距離。觸控探測傳感器10彼此間隔開預定距離，以防止在其之間出現信號幹擾。根據實施例，間隔距離「d」可優選地介於1μm與5000μm之間。圖17是說明用於改善觸控座標的觸控探測傳感器的形狀的實施例的圖。圖16中的觸控探測傳感器被形成為虛擬方形且即使觸控方形內的任意點，也會等同地探測到對應的座標。作為其修改形式，參照圖17，各觸控探測傳感器彼此相對，具有在以觸控驅動集成電路為基準的垂直方向上設置的各行之間存在拐點或彎曲部的幾何形狀。例如，參照Row1及Row2的Col1，這兩個觸控探測傳感器10之間的彼此相對的結合部以三角形形狀彼此相對。在觸控構件25位於圖16的Row2/Col1中的情形中，即使觸控構件位於圖16的虛擬方形內的任意位置，垂直方向上的座標也相同。為更準確地確定觸控位置在垂直方向上的座標，觸控構件需要接觸至少兩個觸控探測傳感器10，但觸控構件僅接觸虛擬方形中的所述一個觸控探測傳感器10(圖16的實施例)。然而，參照圖17的Row2/Col1，即使在觸控構件25處於與圖16相同的位置時，觸控構件25也會一同接觸上端Row1/Col1處的觸控探測傳感器10及Row2/Col1處的觸控探測傳感器10。因此，當以觸控驅動集成電路為基準而彼此垂直地相對的觸控探測傳感器10的相對表面具有帶有拐點的三角形形狀、方形形狀或梯形形狀(圖17中的Col3)且觸控構件25穿過相對的拐點以接觸至少兩個觸控探測傳感器10時，可通過觸控構件25而更準確地探測在垂直方向上的座標。通過調整圖17的Col1的頂點之間的距離，圖17的Col2具有菱形觸控探測傳感器10。圖17的Col2的「L」(即具有拐點的彼此相對的觸控探測傳感器10的具有最長長度的拐點之間的距離)為圖16中所設定的虛擬方形的縱向(以觸控驅動集成電路為基準的垂直方向)長度的約5％至300％。因此，當這兩個觸控探測傳感器10在垂直方向上彼此相對時，相對的拐點的形狀具有三角形形狀、正弦波形狀、方形形狀、梯形形狀等而無任何限定，且因此具有其中當如圖16所說明穿過虛擬相對表面時探測到這兩個區域的形狀。圖17的「M」是位於彼此垂直地相鄰的所述兩個觸控探測傳感器10彼此相對之處的彎曲部的寬度。所述寬度越寬，則觸控構件25接觸到這兩個觸控探測傳感器10的機率越大、但相對區域也越大。因此，Cp增大，且因此觸控靈敏度可能會降低。由圖17中的「M「定義的這兩個觸控探測傳感器彼此相對之處的彎曲部的寬度可優選地介於1mm至50mm。此外，在圖17中，彎曲部具有三角形形狀且這兩個觸控探測傳感器10的相對梯度發生變化之處的點(如三角形頂點)被稱為拐點。拐點的數目可為一個或多個，且優選地，可使用至少兩個拐點。相對部分的梯度一般在彼此垂直地相對的所述兩個觸控探測傳感器10的拐點的左側及右側發生變化，但在某些情形中，可假定相對部分會在梯度不發生變化的情況下終止。例如，在圖17的Col1的以三角形形狀彼此相對的所述兩個觸控探測傳感器10的情形中，三角形的梯度會升高或降低並接著在拐點處停止，且完整形成觸控探測傳感器10的形狀。在此種情形中，假定拐點的數目是0.5，如其中拐點的數目介於0.5個至1.5個或2.5個的情形一樣，基於所利用的0.5個拐點而添加一個或多個拐點且從而可確定相對面積。在此種情形中，觸控探測傳感器10的總體外側區域在每一觸控探測傳感器10中是均勻的。重新參照圖17，當形成具有拐點或彎曲部的一個觸控探測傳感器10時，上彎曲部與下彎曲部彼此對稱。另一選擇為，上彎曲部與下彎曲部可被形成為彼此不對稱的。當上彎曲部及下彎曲部彼此對稱時，例如，圖17的Col2的頂點面對彼此，而當上彎曲部與下彎曲部彼此不對稱時，圖17的Col2的頂點彼此不匹配。圖18是說明用於改善可見性的本發明實施例的圖。參照圖18，存在兩個以觸控驅動集成電路為基準而彼此垂直地相對的觸控探測傳感器10、以及連接至所述兩個觸控探測傳感器10的傳感器信號線22。在某些情形中，可出現圖16所說明的圖案，此會使產品品質劣化。為改善圖案的可見性問題，將觸控探測傳感器劃分成多個，僅所劃分的區的一部分形成有圖案，且所形成的圖案可連接至彼此。例如，圖18a中所劃分的區的僅50％形成有呈Δ(delta)結構的圖案，且當具有所形成的Δ結構的圖案連接至彼此時，觸控探測傳感器10的探測區域減小至50％，但可見性得到改善。圖18b說明其中僅傳感器信號線22的區的一部分形成有圖案的實施例，其中虛設圖案23嵌置於觸控探測傳感器10與傳感器信號線22之間並被劃分而僅在某一區中形成圖案並將圖案連接至彼此。因此，本發明將虛設圖案23嵌置於觸控探測傳感器10中、傳感器信號線22中、或觸控探測傳感器10與傳感器信號線22之間，且劃分成多個，並且觸控探測傳感器10僅在所劃分的區的一部分中被圖案化以改善可見性。圖19是傳感器信號線22的設計的本發明實施例。參照圖19，圖19說明安裝於作為可攜式元件的行動電話的正面上且具有觸控的鋼化玻璃。一般而言，鋼化玻璃的一側被嵌置有公司標誌或形成有顏色(例如黑色或白色)以提高可銷售性(marketability)。顏色被稱為黑色矩陣(BM)且參照圖19的前部，陰影部分是黑色矩陣部分。在黑色矩陣的某一區中，黑色矩陣被開口以執行相機鏡頭、紅外線傳感器等的操作。當沿A-A′方向切割黑色矩陣時，鋼化玻璃的底部印刷有黑色矩陣。黑色矩陣是具有顏色的墨水，或者對黑色矩陣使用例如有機黑色矩陣、鉻黑色矩陣、及氧化銀(Ag2O)等非導電材料。在其中根據本發明的觸控探測傳感器10嵌置於鋼化玻璃的底部中的情形中，當傳感器信號線22穿過黑色矩陣時會因黑色矩陣產生的臺階而切割信號線。因此，參照圖19的後部，在其中安裝有根據本發明的觸控探測傳感器10及傳感器信號線22的情形中，當傳感器信號線22穿過黑色矩陣臺階部時信號線的寬度被合意地形成為寬於恰好位於黑色矩陣臺階之前的傳感器信號線22的寬度。根據一個實施例，當恰好位於黑色矩陣臺階部之前的傳感器信號線22的寬度22-1為100％時，與黑色矩陣臺階部交叉的傳感器信號線22的寬度22-2可優選地介於101％至1000％之間。本發明所屬領域的技術人員將顯而易見的是，上文所述本發明並非僅限於上述示例性實施例及附圖，而是可在不背離本發明範圍及精神的條件下作出各種替代、修改及改動。當前第1頁1&nbsp2&nbsp3&nbsp