氧化鋁顆粒以及包含該氧化鋁顆粒的拋光組合物的製作方法

2023-09-24 02:16:10 3

專利名稱：氧化鋁顆粒以及包含該氧化鋁顆粒的拋光組合物的製作方法
技術領域：
本發明涉及由鋁氧化物組成的氧化鋁顆粒以及一種包含該氧化鋁顆粒的拋光組 合物，所述鋁氧化物包括氧化鋁(如α-氧化鋁和過渡型氧化鋁)以及水合氧化鋁(如薄 水鋁石)。
背景技術：
氧化鋁顆粒可用作，例如，對用於電子元件的基板(如半導體器件基板、顯示器基 板、硬碟基片、和用於發光二極體的藍寶石基板)進行拋光用途中的磨粒。因為要求這些基 板具有高平滑性和低缺陷，所以所使用的氧化鋁顆粒應具有相對較小的粒徑(例如，參見 專利文獻1和2)。一般來說，包含氧化鋁顆粒作為鬆散磨粒的拋光組合物與包含膠體氧化 矽作為鬆散磨粒的拋光組合物相比較，具有更高的基板拋光速率(去除速率)。然而，即使 在包含氧化鋁顆粒的拋光組合物的情況下，利用所述拋光組合物進行拋光的基板的拋光速 率通常會隨著氧化鋁顆粒的粒徑減小而降低。此外，隨著氧化鋁顆粒的粒徑減小，會變得難 以通過清洗去除在拋光後粘附在基板表面的氧化鋁顆粒(亦即，洗掉氧化鋁顆粒的容易度 下降)。現有技術文獻專利文獻1 日本專利申請公開3-277683號專利文獻2 日本專利申請公開5-271647號

發明內容
發明所要解決的問題因此，本發明的目的是提供適宜用作磨粒，即使粒徑較小也不會造成不利影響 (如拋光速率的降低和洗去容易度的降低)的氧化鋁顆粒，並且提供一種包含該氧化鋁顆 粒的拋光組合物。解決問題的手段為了達到上述目的，根據本發明的一個方面提供包含一次顆粒的氧化鋁顆粒，其 中每個一次顆粒具有六面體形狀及1至5的縱橫比。所述氧化鋁顆粒優選地具有0. 01至 0. 6 μ m的平均一次粒徑。氧化鋁顆粒優選地具有5%至70%的α -轉化率。此外，氧化鋁 顆粒優選地具有0. 01至2 μ m的平均二次粒徑，並且氧化鋁顆粒的90%粒徑除以氧化鋁顆 粒的10%粒徑所得值優選地等於或小於3。根據本發明的另一個方面提供一種包含如上述氧化鋁顆粒、和水的拋光組合物。發明效果根據本發明，提供可以適宜用作磨粒並且即使粒徑較小也不會造成不利影響(如 拋光速率的降低和洗去容易度的降低)的氧化鋁顆粒，並且還提供一種包含該氧化鋁顆粒 的拋光組合物。


圖1示出了根據本發明一個實施方式的氧化鋁顆粒的實例的掃描電子顯微照片； 以及圖2示出了根據相同實施方式的氧化鋁顆粒的另一個實例的掃描電子顯微照片。
具體實施例方式以下，將描述本發明的一個實施方式。根據本實施方式的氧化鋁顆粒包含一次顆粒，其中每個一次顆粒具有六面體形 狀。每個氧化鋁一次顆粒優選地具有接近於由兩個相對的正方形以及四個長方形或正方形 所界定的平行六面體、或者由兩個相對的菱形以及四個長方形或正方形所界定的平行六面 體的輪廓形狀。圖1示出了前者的實例，圖2示出了後者的實例。氧化鋁一次顆粒具有在1至5的範圍內的縱橫比。此處，縱橫比被定義為「a」除 以「C」，其中「a」表示從具有六面體形狀的氧化鋁一次顆粒的一個頂點延伸出的三條邊中 的最長邊的長度，「C」表示其中最短邊的長度。剩下一條邊的長度「b」優選大致等於最長 邊的長度「a」。本實施方式的氧化鋁顆粒具有如下優點可以適宜用作磨粒，並且即使粒徑 較小也不會造成不利影響(如拋光速率的降低和洗去容易度的降低)，因為這些氧化鋁顆 粒包含具有在如上述範圍內的縱橫比的一次顆粒。為了進一步提升氧化鋁顆粒的優點，一 次顆粒的縱橫比優選為儘量地小。具體地，氧化鋁一次顆粒具有優選等於或小於3、更優選 等於或小於2、更優選等於或小於1. 5的縱橫比。本實施方式的氧化鋁顆粒可用作，例如，對由以下材料形成的被拋光物體進行 拋光用途中的磨粒金屬(包括簡單金屬，如銅、鋁、鎢、鉬、鈀和釕；以及金屬合金，如 鎳-磷)、半導體(包括元素半導體，如鍺和矽；化合物半導體，如矽化鍺、砷化鎵、磷化銦和 氮化鎵；以及氧化物半導體，如氧化鋁單晶(藍寶石))、和絕緣材料(包括玻璃，如鋁矽酸 鹽玻璃；以及塑料，如氨基甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂和聚碳酸酯樹脂)。更具體地，所述氧化 鋁顆粒可用於，例如，由賤金屬(如鋁和銅)和貴金屬(如鉬、鈀和釕)構成的半導體器件 基板的布線的拋光；鍍鎳-磷硬碟基片的表面的拋光；玻璃圓盤基板的拋光；眼鏡的塑料鏡 片的拋光；液晶顯示器的彩色濾光片基板的拋光；並且可用於發光二極體的藍寶石基片的 拋光。所述氧化鋁顆粒可以用作鬆散的磨粒或者可以用作固定的磨粒。當把本實施方式的氧化鋁顆粒用作磨粒時，如下所描述的，它們在平均一次粒徑、 平均二次粒徑、粒徑分布和α -轉化率方面具有合適的範圍。關於平均一次粒徑氧化鋁顆粒具有優選等於或大於0. 01 μ m、更優選等於或大於0. 03 μ m、更優選等 於或大於0. 05 μ m的平均一次粒徑。此處，平均一次粒徑被定義為從每個六面體形狀的氧 化鋁一次顆粒的一個頂點延伸出的三條邊中的最長邊的長度的平均值。利用氧化鋁顆粒進 行拋光的物體的拋光速率(去除速率)會隨著氧化鋁顆粒的平均一次粒徑增大而升高。在 這方面，當氧化鋁顆粒具有等於或大於0. 01 μ m、或者更具體地等於或大於0. 03 μ m、或者 等於或大於0. 05 μ m的平均一次粒徑時，將會更加易於將拋光速率提高到對實際應用來說 尤其合適的水平。此外，氧化鋁顆粒具有優選等於或小於0. 6 μ m、更優選等於或小於0. 35 μ m、更優. 25 μ m的平均一次粒徑。在利用氧化鋁顆粒進行拋光後被拋光物體的劃痕 數量和表面粗糙度會隨著氧化鋁顆粒的平均一次粒徑減小而降低。在這方面，當氧化鋁顆 粒具有等於或小於0. 6 μ m、或者更具體地等於或小於0. 35 μ m、或者等於或小於0. 25 μ m的 平均一次粒徑時，將會更加易於將劃痕數量和表面粗糙度降低到對於實際應用來說尤其合 適的水平。關於平均二次粒徑氧化鋁顆粒具有優選等於或大於0. 01 μ m、更優選等於或大於0. 03 μ m、更優選等 於或大於0. 05 μ m的平均二次粒徑。此處，平均二次粒徑等於當從最小粒徑的顆粒算起按 照以雷射散射法所測量粒徑的升序而累積的氧化鋁顆粒體積最終合計達到等於或大於所 有氧化鋁顆粒總體積的50%時的氧化鋁顆粒的粒徑。利用氧化鋁顆粒進行拋光的物體的 拋光速率會隨著氧化鋁顆粒的平均二次粒徑增加而提高。此外，隨著氧化鋁顆粒的平均二 次粒徑增加，在利用氧化鋁顆粒進行拋光後，將會更加易於通過清洗而除去粘附在拋光物 體表面的氧化鋁顆粒(亦即，洗去氧化鋁顆粒的容易度提高)。在這方面，當氧化鋁顆粒具 有等於或大於0. 01 μ m、或者更具體地等於或大於0. 03 μ m、或者等於或大於0. 05 μ m的平 均二次粒徑，將會更加易於將拋光速率和洗去容易度提高到對實際應用來說尤其合適的水 平。此外，氧化鋁顆粒具有優選等於或小於2 μ m、更優選等於或小於1 μ m、更優選等 於或小於0. 5 μ m的平均二次粒徑。隨著氧化鋁顆粒的平均二次粒徑減小，利用氧化鋁顆粒 進行拋光後的被拋光物體的劃痕數量和表面粗糙度會降低。在這方面，當氧化鋁顆粒具有 等於或小於2 μ m、或者更具體地等於或小於1 μ m、或者等於或小於0. 5 μ m的平均二次粒徑 時，將會更加易於將劃痕數量和表面粗糙度降低到對於實際應用來說尤其合適的水平。關於粒徑分布將氧化鋁顆粒的90%粒徑(D90)除以氧化鋁顆粒的10%粒徑(DlO)所得出的值 D90/D10優選等於或小於3、更優選等於或小於2. 5、更優選等於或小於2. 2、尤其優選等於 或小於2. 0。此處，90%粒徑等於當按照以雷射散射法所測量粒徑的升序從最小粒徑的顆粒 起累積的氧化鋁顆粒體積最後合計達到等於或大於所有氧化鋁顆粒總體積的90%時的氧 化鋁顆粒的粒徑；並且，10%粒徑等於當按照以雷射散射法所測量粒徑的升序從最小粒徑 顆粒起累積的體積最後合計達到等於或大於所有氧化鋁顆粒總體積的10%時的氧化鋁顆 粒的粒徑。由於氧化鋁顆粒中包含的會造成劃痕數量和表面粗糙度增加的粗顆粒(coarse particle)的比例隨著氧化鋁顆粒的值D90/D10減小而降低，利用氧化鋁顆粒進行拋光後 被拋光物體的劃痕數量和表面粗糙度降低。此外，由於氧化鋁顆粒中包含的會造成洗去容 易度降低的細顆粒的比例也隨著值D90/D10降低而減少，在拋光後將會更加易於通過清洗 而除去粘附在被拋光物體表面的氧化鋁顆粒。在這方面，當氧化鋁顆粒具有等於或小於3、 或者更具體地等於或小於2. 5、等於或小於2. 2、或者等於或小於2. 0的D90/D10值時，將會 更加易於將劃痕數量和表面粗糙度降低到對於實際應用來說尤其合適的水平，並且將洗去 容易度提高到對於實際應用來說尤其合適的水平。對於D90/D10值的下限沒有特別限制，但是優選等於或大於1. 1，更優選等於或大 於1.2，尤其優選等於或大於1.3。關於α -轉化率
氧化鋁顆粒可以具有任意晶型，可以主要包括例如水合氧化鋁(如薄水鋁石)、 過渡型氧化鋁(如Y-氧化鋁、S-氧化鋁和9-氧化鋁)、和α-氧化鋁中的任意種。然 而，當要求具有高硬度時，氧化鋁顆粒優選包含至少一定量的α-氧化鋁。氧化鋁顆粒的 α-轉化率優選等於或大於5%、更優選等於或大於10%、更優選等於或大於20%。此處， α-轉化率是基於利用X射線衍射法與剛玉進行比較所確定的值。利用氧化鋁顆粒進行拋 光的被拋光物體的拋光速率，會隨著氧化鋁顆粒的α-轉化率提高而增加。在這方面，當 氧化鋁顆粒具有等於或大於5%、或者更具體地等於或大於10%、或者等於或大於20%的 α -轉化率時，將會更加易於將拋光速率提高到對實際應用來說尤其合適的水平。此外，氧化鋁顆粒的α-轉化率優選等於或小於70%，更優選等於或小於50%、尤 其優選等於或小於30 %。利用氧化鋁顆粒進行拋光後被拋光物體的劃痕數量和表面粗糙度 會隨著氧化鋁顆粒的α-轉化率降低而減小。在這方面，當氧化鋁顆粒的α-轉化率等於 或小於70 %、或者更具體地等於或小於50 %、或者等於或小於30 %時，將會更加易於將劃 痕數量和表面粗糙度降低到對實際應用來說尤其合適的水平。本實施方式的氧化鋁顆粒是採用例如漿狀拋光組合物的形式來使用的，該漿狀組 合物是通過將顆粒至少與水混合來製備。用於對鍍鎳-磷硬碟基片表面進行拋光的拋光組 合物，是通過將氧化鋁顆粒與水，優選地與拋光促進劑一道，更優選地與拋光促進劑、清洗 促進劑和氧化劑一道混合而製備。例如，通過將氧化鋁顆粒與水混合來製備用於拋光顯示 器基板的拋光組合物。用於對半導體器件基板布線進行拋光的拋光組合物，是通過將氧化 鋁顆粒與水，優選地與拋光促進劑和氧化劑一道混合來製備。氧化鋁顆粒在拋光組合物中的含量優選等於或大於0. 01重量％、更優選等於或 大於0. 1重量％。利用拋光組合物的拋光物體的拋光速率會隨著氧化鋁顆粒的含量增加而 提高。在這方面，當氧化鋁顆粒在拋光組合物中的含量等於或大於0.01重量％，或者更具 體地等於或大於0.1重量％，將會更加易於將拋光速率提高到對於實際應用來說尤其合適 的水平。此外，氧化鋁顆粒在拋光組合物中的含量優選等於或小於30重量％，更優選等於 或小於15重量％。氧化鋁顆粒在拋光組合物中的分散性會隨著氧化鋁顆粒的含量減低而 提高。在這方面，當氧化鋁顆粒在拋光組合物中的含量等於或小於30重量％，或者更具體 地等於或小於15重量％時，將會更加易於將氧化鋁顆粒在拋光組合物中的分散性提高到 對實際應用來說尤其合適的水平。任選地，將拋光促進劑加入到拋光組合物中，用以提高利用拋光組合物的拋光物 體的拋光速率。可以加入到拋光組合物中的拋光促進劑的實例包括有機酸及其鹽、無機酸 及其鹽、和鹼性化合物(包括鹼金屬氫氧化物、氨、胺類和季銨化合物)。有機酸的具體實例包括檸檬酸、馬來酸、馬來酸酐(順丁烯二酸酐)、蘋果酸、羥 基乙酸、丁二酸、衣康酸(亞甲基丁二酸)、丙二酸、亞氨基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、 酒石酸、巴豆酸(丁烯酸)、煙酸、乙酸、硫代蘋果酸(巰基丁二酸)、甲酸、乙二酸、和羧乙基 硫代丁二酸。這些有機酸的銨鹽、鹼金屬鹽和過渡金屬鹽(包括鐵鹽、鎳鹽和鋁鹽)也可以 用作拋光助劑。無機酸的具體實例包括鹽酸、硫酸、硝酸和磷酸。這些無機酸的銨鹽、鹼金屬鹽和 過渡金屬鹽(包括鐵鹽、鎳鹽和鋁鹽)也可以用作拋光助劑。
鹼金屬氫氧化物的具體實例包括氫氧化鉀、氫氧化鈉、和氫氧化鋰。胺類化合物的具體實例包括單胺類(如甲胺和乙胺)、二胺類(如乙二胺)、和烷 醇胺類(如一乙醇胺和三乙醇胺)。季銨化合物的具體實例包括四烷基銨化合物(如四甲基銨化合物、四乙基銨化 合物、和四丙基銨化合物)。用於對鍍鎳-磷硬碟基片表面進行拋光的拋光組合物中所使用的拋光促進劑，優 選無機酸鹽，尤其優選無機鋁鹽(如硝酸鋁、硫酸鋁和氯化鋁)。當把無機鋁鹽用於拋光組 合物中時，在使用拋光組合物進行拋光後，該拋光組合物的拋光速率將會特別顯著地提高 並且不會造成劃痕數量和基板表面粗糙度的增加。對半導體器件基板布線進行拋光的拋光組合物中所使用的拋光促進劑，優選無機 酸或有機酸，尤其優選硝酸、硫酸和檸檬酸。其他拋光組合物中所使用的拋光促進劑，優選無機酸的鹼金屬鹽，尤其優選氯化 鉀、氯化鈉、硝酸鉀、硝酸鈉、硫酸鉀和硫酸鈉。這些鹼金屬鹽可促進拋光組合物中的氧化鋁 顆粒的聚集，從而導致該拋光組合物的拋光速率顯著提高。任選地，將清洗促進劑加入到拋光組合物中，用以提高氧化鋁顆粒的洗去容易度。 可以將任何螯合物用作清洗促進劑。清洗促進劑的具體實例包括二乙三胺五乙酸、羥乙基 乙二胺三乙酸、三乙四胺六乙酸、穀氨酸二乙酸、以及這些酸的鹼金屬鹽和銨鹽。任選地，將氧化劑加入到拋光組合物中，用以提高利用拋光組合物拋光物體的拋 光速率。可以將任何具有氧化作用的物質用作氧化劑，但是優選使用的是過氧化氫(易於 處理)以及過硫酸鹽(如過硫酸銨、過硫酸鈉和過硫酸鉀)。接著，將對用於製造上述氧化鋁顆粒的方法進行描述。主要包括α -氧化鋁或過渡型氧化鋁的氧化鋁顆粒，可以通過可基本上維持原材 料顆粒的一次顆粒的形狀的方式煅燒原材料顆粒而製造，所述原材料顆粒由水合氧化鋁組 成並且包括每個都具有六面體形狀的一次顆粒。主要包括α-氧化鋁的氧化鋁顆粒還可以 通過可基本上維持原材料顆粒的一次顆粒的形狀的方式煅燒原材料顆粒而製造，所述原材 料顆粒由過渡型氧化鋁組成並且包含每個都具有六面體形狀的一次顆粒。優選地，原材料 顆粒的每個一次顆粒都具有接近於由兩個相對的正方形以及四個長方形或正方形界定的 平行六面體、或者由兩個相對的菱形以及四個長方形或正方形界定的平行六面體的輪廓形 狀。水合氧化鋁可以是三水鋁石、三羥鋁石、諾三水鋁石、和薄水鋁石(boehmite)中的任意 種。煅燒溫度是在例如500°C至1250°C的範圍內。主要包括薄水鋁石的氧化鋁顆粒，可以通過在高壓釜中、於200°C下對含有1重 量％至30重量％的具有等於或小於10 μ m的平均一次粒徑的三水鋁石顆粒或三羥鋁石顆 粒的拋光液進行4小時的水熱處理而製造。可以按如下方式對上述實施方式進行修改。除了用作磨粒之外，上述實施方式的氧化鋁顆粒還可以用作樹脂、顏料、塗層劑、 化妝品、催化劑、陶瓷原材料等的填充料。視情況，上述實施方式的拋光組合物還可以包含表面活性劑。在這種情況下，在進 行拋光後被拋光物體的劃痕數量將會減少。視情況，上述實施方式的拋光組合物還可以包含水溶性聚合物。在這種情況下，在進行拋光後被拋光物體的劃痕數量將會減少。水溶性聚合物的具體實例包括多糖，如羥乙 基纖維素、普魯蘭糖(pullulan)和角叉菜膠(carrageenan)，以及合成水溶性聚合物(如聚 乙烯醇和聚乙烯吡咯烷酮)。上述實施方式的拋光組合物，可以通過用水稀釋拋光組合物的儲液而製備。接著，將參照實例和比較例來更具體地描述本發明。(實例1至17以及比較例1至6)在實例1至17以及比較例1至5中，將由表1中的「A」至「P」所代表的鋁化合物 顆粒與水以及九水合硝酸鋁或六水合氯化鋁(拋光促進劑)、穀氨酸二乙酸四鈉(清洗促進 劑)、和過氧化氫(氧化劑)混合，而製備拋光組合物。在比較例6中，將九水合硝酸鋁、谷 氨酸二乙酸四鈉、和過氧化氫與水混合，而製備拋光組合物。各實例和比較例的拋光組合物 中所包含的鋁化合物顆粒的類型和含量以及拋光促進劑的類型和含量，分別示於表2中名 稱為「鋁化合物顆粒的類型」、「鋁化合物顆粒的含量」、「拋光促進劑的類型」、和「拋光促進 劑的含量」的列中。此外，在任何拋光組合物的情況下，各實例和比較例的拋光組合物中的 穀氨酸二乙酸的含量和過氧化氫的含量分別為0. 3g/L和13g/L。表1的名稱為「一次顆粒形狀」的列中所示的形狀，是基於利用掃描電子顯微鏡 "S-4700」 (由日立高新技術公司(Hitachi High-jTechnologiesCorporation)製造)對鋁 化合物顆粒的一次顆粒的形狀進行觀察的結果。表1的名稱為「縱橫比」的列中所示數值代 表了基於利用掃描電子顯微鏡「S-4700」觀察200個鋁化合物顆粒所測量的縱橫比的平均 值。表1的名稱為「 α -轉化率」的列中所示數值代表了基於利用X射線衍射儀「MiniFlex II」(由日本理學公司製造)與剛玉進行比較所確定的鋁化合物顆粒的α-轉化率。表1 的名稱為「平均一次粒徑」的列中所示數值代表了基於利用掃描電子顯微鏡「S-4700」進行 觀測所測量的鋁化合物顆粒的平均一次粒徑。表1的名稱為「平均二次粒徑」的列中所示 數值代表了利用雷射衍射/散射粒徑分布測量裝置「LA-950」 (由日本Horih，Ltd.製造) 所測量的鋁化合物顆粒的平均二次粒徑。表1的名稱為「D90/D10」的列中所示數值代表了 由利用雷射衍射/散射粒徑分布測量裝置「LA-950」測量的鋁化合物顆粒90%粒徑和10% 粒徑計算得到的值D90/D10。應注意到，在表1中由「A」到「R」所代表的鋁化合物顆粒是主 要包括氧化鋁的氧化鋁顆粒；由「S」所代表的鋁化合物顆粒是主要包括薄水鋁石的薄水鋁 石顆粒；由「T」所代表的鋁化合物顆粒是主要包括氫氧化鋁的氫氧化鋁顆粒。在表3中所示條件下利用各實例和比較例的拋光組合物對3. 5英寸(大約95毫 米)直徑磁碟的化學鍍鎳-磷基板進行拋光。基於拋光前與拋光後的基板重量的差異來確 定拋光速率。結果示於表2的名稱為「拋光速率」的列中。用純水清洗利用各實例和比較例的拋光組合物進行了拋光的基板。接著，使用由 相移技術公司(Phase Shift Technology)製造的「Micro ΧΑΜ」測量拋光後基板表面的算 術平均粗糙度Ra。結果示於表2的名稱為「算術平均粗糙度Ra」的列中。還利用由相移技 術公司製造的「Opti Flat」來測量拋光後基板表面的算術平均波度(WaVineSS)Wa。結果示 於表2的名稱為「算術平均波度Wa」的列中。用純水清洗利用各實例和比較例的拋光組合物進行了拋光的基板，然後記錄在 經清洗基板表面上的劃痕數量。具體地，在利用表面檢測燈「F100Z」 (由Fimakoshi化 學有限公司製造)的光照射基板表面時，以目視方式記錄劃痕數量。將根據如下標準的評價結果示於表2的名稱為「劃痕的數量」的列中若記錄的劃痕數量小於30，則為「優 異」(〇〇〇)；若記錄的劃痕數量等於或大於30並且小於50，則為「良」(〇〇)；若記 錄的劃痕數量等於或大於50並且小於75，則為「尚可」(〇)；若記錄的劃痕數量等於或 大於75並且小於100，則為「略差」(X)；以及，若記錄的劃痕數量等於或大於100，則為 「差」(XX)。用純水清洗利用各實例和比較例的拋光組合物進行了拋光的基板，然後觀察在經 清洗基板表面上是否粘附有異物。具體地，在螢光下通過目視觀察表面，並且利用掃描電 子顯微鏡進行觀察。將根據如下標準的評價結果示於表2中的名稱為「異物的粘附」的列 中若通過目視觀察或者利用掃描電子顯微鏡證實沒有異物的粘附，則為「優異」(〇)；若 通過目視觀察證實沒有異物的粘附但是利用掃描電子顯微鏡證實有異物的粘附，則為「略 差」(X)；若通過目視觀察可較困難地證實有異物的粘附，則為「差」(XX)；以及，若通過 目視觀察可明確地證實有異物的粘附，則為「非常差」(XXX)。表 權利要求
1.一種氧化鋁顆粒，其特徵在於，其一次顆粒各具有六面體形狀及1至5的縱橫比。
2.根據權利要求1所述的氧化鋁顆粒，其中所述氧化鋁顆粒具有0.01至0. 6 μ m的平 均一次粒徑。
3.根據權利要求1或2所述的氧化鋁顆粒，其中所述氧化鋁顆粒具有5%至70%的 α-轉化率。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的氧化鋁顆粒，其中所述氧化鋁顆粒具有0.01至 2 μ m的平均二次粒徑，所述氧化鋁顆粒的90%粒徑除以所述氧化鋁顆粒的10%粒徑所得 值等於或小於3。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的氧化鋁顆粒，其中所述氧化鋁顆粒用作對電子 元件中所使用基板進行拋光的用途中的磨粒。
6.根據權利要求1至4中任一項所述的氧化鋁顆粒，其中所述氧化鋁顆粒用作對鍍 鎳_磷的待拋光物體表面進行拋光的用途中的磨粒。
7.根據權利要求1至4中任一項所述的氧化鋁顆粒，其中所述氧化鋁顆粒用作對由貴 金屬形成的拋光組合物進行拋光的用途中的磨粒。
8.根據權利要求1至4中任一項所述的氧化鋁顆粒，其中所述氧化鋁顆粒用作對由樹 脂形成的待拋光物體進行拋光的用途中的磨粒。
9.一種拋光組合物，其特徵在於，包含根據權利要求1至4中任一項所述的氧化鋁顆 粒、及水。
全文摘要
本發明提供包含一次顆粒的氧化鋁顆粒，其一次顆粒每個具有六面體形狀及1至5的縱橫比。所述氧化鋁顆粒優選地具有0.01至0.6μm的平均一次粒徑。所述氧化鋁顆粒優選地具有5％至70％的α-轉化率。此外，所述氧化鋁顆粒優選地具有0.01至2μm的平均二次粒徑，並且氧化鋁顆粒的90％粒徑除以氧化鋁顆粒的10％粒徑所得值優選等於或小於3。所述氧化鋁顆粒可用作，例如，對半導體器件基板、硬碟基片、或顯示器基板進行拋光的用途中的磨粒。
文檔編號C09K3/14GK102105266SQ20098013048
公開日2011年6月22日 申請日期2009年6月12日 優先權日2008年6月13日
發明者松波靖, 森永均, 田原宗明 申請人:福吉米株式會社