環形器中心導體組件的製作方法
2023-05-13 06:49:21 1
專利名稱:環形器中心導體組件的製作方法
技術領域:
本實用新型涉及一種環形器中心導體組件。
背景技術:
環形器是將進入其任一埠的入射波,按照由靜偏磁場確定的方向順序傳入下一個埠的多埠器件。中心導體作為環形器內重要元件之一,其能否正常工作直接影響環形器的使用壽命,現有的環形器在使用過程中其50 Q過渡段極易打火,而50 Q過渡段打火極易燒毀中心導體,降低了中心導體的使用壽命;現有環形器的中心導體大多採用直線結構,不僅外觀美觀度較差,而且不易於裝配,毛刺較多
實用新型內容
本實用新型的目的即在於克服現有技術的不足,提供一種環形器中心導體組件,在中心導體50Q的過渡段填充聚四氟乙烯介質,防止了 50 Q過渡段打火燒毀中心導體,接口端、接口端與Y結組件連接處均呈圓弧形設計,具有消除毛刺,外觀美觀且易於裝配,提高了安全性,延長了器件的使用壽命等優點。本實用新型的目的通過以下技術方案來實現環形器中心導體組件,它包括中心導體、一個Y結組件和至少三個接口端,接口端、接口端與Y結組件連接處均呈圓弧形,中心導體的出口端分別與三個接口端連接,中心導體與接口端相連處設有中心導體過渡段,中心導體過渡段外填充有介質。所述的介質為聚四氟乙烯介質。本實用新型的有益效果是本實用新型提供一種環形器中心導體組件,通過在中心導體50Q的過渡段填充聚四氟乙烯介質,防止了 50Q過渡段打火燒毀中心導體,接口端、接口端與Y結組件連接處均呈圓弧形設計,具有消除毛刺,外觀美觀且易於裝配,提高了安全性,延長了器件的使用壽命等優點。
圖I為本實用新型的結構圖;圖2為本實用新型中心導體過渡段結構圖;圖中,I-中心導體,2-Y結組件,3-接口端,4-中心導體過渡段,5-介質。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型做進一步的描述,但本實用新型的保護範圍不局限於以下所述。如圖I、圖2所示,環形器中心導體組件,它包括中心導體I、一個Y結組件2和至少三個接口端3,接口端3、接口端3與Y結組件2連接處均呈圓弧形,中心導體I的出口端分別與三個接口端3連接,中心導體I與接口端3相連處設有中心導體過渡段4,中心導體過渡段4外填充有介質5,所述 的介質5為聚四氟乙烯介質。
權利要求1.環形器中心導體組件,其特徵在於它包括中心導體(I)、一個Y結組件(2)和至少三個接口端(3),接口端(3)、接口端(3)與Y結組件(2)連接處均呈圓弧形,中心導體(I)的出口端分別與三個接口端(3 )連接,中心導體(I)與接口端(3 )相連處設有中心導體過渡段(4),中心導體過渡段(4)外填充有介質(5)。
2.根據權利要求I所述的環形器中心導體組件,其特徵在於所述的介質(5)為聚四氟乙烯介質。
專利摘要本實用新型公開了一種環形器中心導體組件,它包括中心導體(1)、一個Y結組件(2)和至少三個接口端(3),接口端(3)、接口端(3)與Y結組件(2)連接處均呈圓弧形,中心導體(1)的出口端分別與三個接口端(3)連接,中心導體(1)與接口端(3)相連處設有中心導體過渡段(4),中心導體過渡段(4)外填充有介質(5)。本實用新型提供一種環形器中心導體組件,通過在中心導體50Ω的過渡段填充聚四氟乙烯介質,防止了50Ω過渡段打火燒毀中心導體,接口端、接口端與Y結組件連接處均呈圓弧形設計,具有消除毛刺,外觀美觀且易於裝配,提高了安全性,延長了器件的使用壽命等優點。
文檔編號H01P1/383GK202534763SQ201220186060
公開日2012年11月14日 申請日期2012年4月28日 優先權日2012年4月28日
發明者周勇 申請人:成都泰格微波技術股份有限公司