電介質/合金/電介質型透明導電膜的製作方法

2023-05-07 07:47:31 2

專利名稱:電介質/合金/電介質型透明導電膜的製作方法
本發明按「Thin Solid Films」雜誌1982年第89卷287～293頁發表的那一類「ZnS/Ag/ZnS型透明導電膜」發展而來的。
採用銀合金主要目的，是為了提高該類型膜堆的透射率、機械強度和化學穩定性。
以往利用電介質/金屬/電介質型透明導電膜，這種類型的透明導電膜，具有生產周期短、成本低、鍍制方便，可以在低於100℃的基底上鍍膜，可以鍍在玻璃、有機玻璃、聚酯和塑料上。使得這種類型的透明導電膜，在與光電子學有關的所有領域中都有應用，另外，在航空、航海、輕工和建築等許多領域也都有應用。近年來先後採用了各種金屬做中間層進行研究，比如銀、金、銅、鋁……最後確認銀是最好的材料，目前廣泛使用銀做中間層。本發明人經反覆研究，證實銀的化學穩定性很差，很易氧化和硫化，並且機械強度較差。通過採用了銀合金做中間層，使性能得到改善，在同樣的電阻值情況下，用銀合金做中間層，最大透射率為92%，用銀做中間層，最大透射率為87%;並且抗氧化、硫化能力也得到提高，機械強度也有提高。其提高的主要原因是，由於用銀做中間層，就銀本身來說導電性非常好，但是由於銀化學穩定性非常差，很容易氧化和硫化，所以當鍍完銀膜層以後，很快就形成一層氧化銀和硫化銀，由於這層氧化銀和硫化銀並不導電，使得透光性下降，電阻增大。當採用銀合金做中間層時，雖然銀合金的導電性不如銀好，但是，由於銀合金的抗氧化、硫化能力大大優於銀，使得形成的氧化層和硫化層大大下降，因此，使得在同樣的電阻值情況下，透光性增大。指標超過「Thin Solid Eilms」雜誌1982年第89卷287～293頁發表的ZnS/Ag/ZnS膜堆。
在鍍制ZnS/Ag/ZnS膜堆時，用銀合金代替銀即可實現。
可採用下列合金之一銀-鎘(1～10%鎘)銀-銦(1～20%銦)銀-銅(0.5～30%銅)其中銀-銅(1～10%銅)鍍制的效果最佳。
權利要求
1.本發明為一種電介質/金屬/電介質型透明導電膜；其特徵在於用合金做該金屬中間層。
2.根據權項1的透明導電膜，其特徵是做為金屬中間層的合金。採用的是銀合金。
3.根據權項1或2的透明導電膜，其特徵是做為金屬中間層的銀合金為銀-鎘(1～10%鎘)銀-銦(1～10%銦)銀-銅(0.5～30%銅)
專利摘要
「電介質/合金/電介質型透明導電膜」，適用於玻璃、有機玻璃、聚酯、塑料等材料的表面真空鍍膜。該導電膜採用合金做為中間層，可以改善膜堆的光電特性，提高機械強度及化學穩定性，降低成本，重複性好。此型膜堆可應用到相應於該領域採用的其它類型的透明導電膜上。
文檔編號G02B5/20GK85104006SQ85104006
公開日1986年1月10日 申請日期1985年5月20日
發明者李壽山, 羅希文 申請人:長春光學精密機械學院導出引文BiBTeX, EndNote, RefMan