基於cmos雙時基晶片的大功率工業設備緩啟動裝置製造方法
2023-05-16 07:45:26
基於cmos雙時基晶片的大功率工業設備緩啟動裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基於CMOS雙時基晶片的大功率工業設備緩啟動裝置，包括CMOS雙時基晶片IC、第一和第二變壓器、雙向可控矽、第一至第六電阻、第一至第三電容、第一和第二可變電阻、第一和第二開關、整流電路、穩壓管和二極體。CMOS雙時基晶片構成振蕩器，雙向可控矽是電子開關，第一可變電阻是電壓初始值調節器，第二可變電阻是電壓變化速率調節器。本實用新型採用CMOS雙時基晶片為核心元件，再與外圍少數的幾個電子元件連接即可構成用於大功率工業設備的緩啟動裝置，本實用新型相對於現有技術具有電路結構簡單、採用元件少、體積小、重量輕、成本低廉、便於安裝，有利於推廣。
【專利說明】基於CMOS雙時基晶片的大功率工業設備緩啟動裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種大功率工業設備輔助裝置，尤其涉及一種基於CMOS雙時基晶片的大功率工業設備緩啟動裝置。
【背景技術】
[0002]緩啟動裝置是採用電力電子技術，微處理技術及現代控制理論而設計生產的具有當今國際先進水平的新型起動設備。該產品能有效地限制交流異步電動機起動時的起動電流，可廣泛應用於工業設備的風機、水泵、輸送類及壓縮機等負載，是傳統的星/三角轉換、自耦降壓、磁控降壓等降壓設備的理想換代產品。
[0003]大功率的工業設備在運行時，為了防止設備的損壞和提高設備的使用壽命，採用電壓由零慢慢提升到額定電壓，使設備啟動的全過程都不存在衝擊轉矩，而是平滑的啟動運行的方式，這就是緩啟動裝置，而現有技術中的緩啟動裝置結構複雜，採用的電子元件較多，成本較高，體積大，不利於推廣。
實用新型內容
[0004]本實用新型的目的就在於為了解決上述問題而提供一種基於CMOS雙時基晶片的大功率工業設備緩啟動裝置。
[0005]本實用新型通過以下技術方案來實現上述目的:
[0006]本實用新型包括CMOS雙時基晶片1C、第一變壓器、第二變壓器、雙向可控矽、第一電阻至第六電阻、第一電容至第四電容、第一可變電阻、第二可變電阻、第一開關、第二開關、整流電路、穩壓管和二極體，交流電源的零線同時與所述第一變壓器初級的第一端、所述第二變壓器次級的第一端、所述雙向可控矽的第一端和所述第六電阻的第一端連接，所述交流電源的火線與所述第一開關的第一端連接，所述第一開關的第二端同時與所述第一變壓器初級的第二端和負載的第一端連接，所述負載的第二端同時與所述雙向可控矽的第二端和所述第四電容的第一端連接，所述第四電容的第二端與所述第六電阻的第二端連接，所述雙向可控矽的控制端與所述第二變壓器次級的第二端連接，所述第二變壓器初級的第一端同時與所述CMOS雙時基晶片的負極電源輸入端、所述第三電容的第一端、所述第二電容的第一端、所述第一電容的第一端、所述第二開關的第一端、所述穩壓管的第一端和所述整流電路的負極輸出端連接，所述第二變壓器初級的第二端與所述CMOS雙時基晶片的信號輸出端連接，所述第三電容的第二端與所述CMOS雙時基晶片的控制輸入端連接，所述CMOS雙時基晶片的觸發端同時與所述CMOS雙時基晶片的閥值端、所述第二電容的第二端和所述第五電阻的第一端連接，所述CMOS雙時基晶片的放電端同時與所述第五電阻的第二端、所述第四電阻的第一端和所述第一可變電阻的第一端連接，所述CMOS雙時基晶片的電源正極輸入端同時與所述CMOS雙時基晶片的復位端、所述二極體的正極、所述穩壓管的負極和所述第二電阻的第一端連接，所述第四電阻的第二端同時與所述第三電阻的第一端和所述第一電容的第二端連接，所述第三電阻的第二端與所述第二可變電阻的第一端連接，所述第二可變電阻的第二端與所述第二開關的中心連接端連接，所述第二開關的第二端與所述二極體的負極連接，所述第一可變電阻的第二端與所述第一電阻的第一端連接，所述第一電阻的第二端同時與所述第二電阻的第二端和所述整流電阻的正極電源輸出端連接，所述整流電路的兩個輸入端分別與所述第一變壓器次級的兩端連接。
[0007]本實用新型的有益效果在於:
[0008]本實用新型採用CMOS雙時基晶片為核心元件，再與外圍少數的幾個電子元件連接即可構成用於大功率工業設備的緩啟動裝置，本實用新型相對於現有技術具有電路結構簡單、採用元件少、體積小、重量輕、成本低廉、便於安裝，有利於推廣。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0009]圖1是本實用新型的電路結構原理圖。
【具體實施方式】
[0010]下面結合附圖對本實用新型作進一步說明:
[0011]如圖1所示:本實用新型包括CMOS雙時基晶片1C、第一變壓器B1、第二變壓器B2、雙向可控矽SCR、第一電阻Rl至第六電阻R6、第一電容Cl至第四電容C4、第一可變電阻鼎1、第二可變電阻RW2、第一開關K1、第二開關K2、整流電路DR、穩壓管DW和二極體D，交流電源的零線同時與第一變壓器BI初級的第一端、第二變壓器B2次級的第一端、雙向可控娃SCR的第一端和第六電阻R6的第一端連接,交流電源的火線與第一開關Kl的第一端連接，第一開關Kl的第二端同時與第一變壓器BI初級的第二端和負載RF的第一端連接，負載RF的第二端同時與雙向可控矽SCR的第二端和第四電容C4的第一端連接，第四電容C4的第二端與第六電阻R6的第二端連接，雙向可控矽SCR的控制端與第二變壓器B2次級的第二端連接，第二變壓器B2初級的第一端同時與CMOS雙時基晶片IC的負極電源輸入端、第三電容C3的第一端、第二電容C2的第一端、第一電容Cl的第一端、第二開關K2的第一端、穩壓管DW的第一端和整流電路DR的負極輸出端連接，第二變壓器B2初級的第二端與CMOS雙時基晶片IC的信號輸出端連接，第三電容C3的第二端與CMOS雙時基晶片IC的控制輸入端連接，CMOS雙時基晶片IC的觸發端同時與CMOS雙時基晶片IC的閥值端、第二電容C2的第二端和第五電阻R5的第一端連接，CMOS雙時基晶片IC的放電端同時與第五電阻R5的第二端、第四電阻R4的第一端和第一可變電阻RWl的第一端連接，CMOS雙時基晶片IC的電源正極輸入端同時與CMOS雙時基晶片IC的復位端、二極體D的正極、穩壓管DW的負極和第二電阻R2的第一端連接，第四電阻R4的第二端同時與第三電阻R3的第一端和第一電容Cl的第二端連接，第三電阻R3的第二端與第二可變電阻RW2的第一端連接，第二可變電阻RW2的第二端與第二開關K2的中心連接端連接，第二開關K2的第二端與二極體D的負極連接，第一可變電阻RWl的第二端與第一電阻Rl的第一端連接，第一電阻Rl的第二端同時與第二電阻R2的第二端和整流電阻DR的正極電源輸出端連接，整流電路DR的兩個輸入端分別與第一變壓器BI次級的兩端連接。
[0012]如圖1所示:第一開關Kl是電源開關，第二開關K2是控制設備緩啟動或緩關閉的功能選擇開關，第一變壓器BI是電源變壓器，第二變壓器B2觸發脈衝變壓器，CMOS雙時基晶片IC構成振蕩器，雙向可控矽SCR是電子開關，第一可變電阻RWl是電壓初始值調節器，第二可變電阻RW2是電壓變化速率調節器。
【權利要求】
1.基於CMOS雙時基晶片的大功率工業設備緩啟動裝置，其特徵在於:包括CMOS雙時基晶片、第一變壓器、第二變壓器、雙向可控矽、第一電阻至第六電阻、第一電容至第四電容、第一可變電阻、第二可變電阻、第一開關、第二開關、整流電路、穩壓管和二極體，交流電源的零線同時與所述第一變壓器初級的第一端、所述第二變壓器次級的第一端、所述雙向可控矽的第一端和所述第六電阻的第一端連接，所述交流電源的火線與所述第一開關的第一端連接，所述第一開關的第二端同時與所述第一變壓器初級的第二端和負載的第一端連接，所述負載的第二端同時與所述雙向可控矽的第二端和所述第四電容的第一端連接，所述第四電容的第二端與所述第六電阻的第二端連接，所述雙向可控矽的控制端與所述第二變壓器次級的第二端連接，所述第二變壓器初級的第一端同時與所述CMOS雙時基晶片的負極電源輸入端、所述第三電容的第一端、所述第二電容的第一端、所述第一電容的第一端、所述第二開關的第一端、所述穩壓管的第一端和所述整流電路的負極輸出端連接，所述第二變壓器初級的第二端與所述CMOS雙時基晶片的信號輸出端連接，所述第三電容的第二端與所述CMOS雙時基晶片的控制輸入端連接，所述CMOS雙時基晶片的觸發端同時與所述CMOS雙時基晶片的閥值端、所述第二電容的第二端和所述第五電阻的第一端連接，所述CMOS雙時基晶片的放電端同時與所述第五電阻的第二端、所述第四電阻的第一端和所述第一可變電阻的第一端連接，所述CMOS雙時基晶片的電源正極輸入端同時與所述CMOS雙時基晶片的復位端、所述二極體的正極、所述穩壓管的負極和所述第二電阻的第一端連接，所述第四電阻的第二端同時與所述第三電阻的第一端和所述第一電容的第二端連接，所述第三電阻的第二端與所述第二可變電阻的第一端連接，所述第二可變電阻的第二端與所述第二開關的中心連接端連接，所述第二開關的第二端與所述二極體的負極連接，所述第一可變電阻的第二端與所述第一電阻的第一端連接，所述第一電阻的第二端同時與所述第二電阻的第二端和所述整流電阻的正極電源輸出端連接，所述整流電路的兩個輸入端分別與所述第一變壓器次級的兩端連接。
【文檔編號】H03K17/72GK203399076SQ201320438491
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年7月19日 優先權日:2013年7月19日
【發明者】鄒馳 申請人:鄒馳