高性能大電流vdmos功率器件晶片雙點鍵合封裝結構的製作方法

2023-05-06 21:09:16 1

專利名稱：高性能大電流vdmos功率器件晶片雙點鍵合封裝結構的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體封裝結構，尤其涉及一種高性能大電流VDMOS功率器件晶片雙點鍵合封裝結構。
背景技術：
參見圖1，傳統的大電流VDMOS功率器件晶片封裝結構包括框架I以及粘貼於框架I上的大電流VDMOS功率器件晶片2，所述大電流VDMOS功率器件晶片2的G極與框架I的G腳之間連接有一根G引線3，所述大電流VDMOS功率器件晶片2的S極與框架I的S腳之間連接有兩根S引線4，所述S引線4與大電流VDMOS功率器件晶片2的S極之間為單點鍵合，即每根S引線4與大電流VDMOS功率器件晶片2的S極的連接處均設置有一個鍵合點5。由於單點鍵合使得S弓丨線4與大電流VDMOS功率器件晶片2的S極之間接觸面積較小，使得電性內阻增大，晶片性能降低，為了增加接觸面積，可以使用兩根以上S引線，可是這樣會增大成本。因此尋求一種提升性能且不增加成本的大電流VDMOS功率器件晶片雙點鍵合封裝結構尤為重要。
發明內容本實用新型的目的在於克服上述不 足，提供一種提升性能且不增加成本的大電流VDMOS功率器件晶片絕緣封裝結構。本實用新型的目的是這樣實現的一種高性能大電流VDMOS功率器件晶片雙點鍵合封裝結構，它包括框架以及粘貼於框架上的大電流VDMOS功率器件晶片，所述大電流VDMOS功率器件晶片的G極與框架的G腳之間連接有一根G引線，所述大電流VDMOS功率器件晶片的S極與框架的S腳之間連接有兩根S引線，所述S引線與大電流VDMOS功率器件晶片的S極之間為雙點鍵合。作為一種優選，所述S引線與大電流VDMOS功率器件晶片的S極之間的四個鍵合點均勻布置於大電流VDMOS功率器件晶片的S極。與現有技術相比，本實用新型的有益效果是本實用新型由於S引線與大電流VDMOS功率器件晶片的S極之間為雙點鍵合，使得S引線與大電流VDMOS功率器件晶片的S極之間增大了接觸面積，使得電性內阻減小，晶片性能提高的同時不會增加成本。

圖1為傳統大電流VDMOS功率器件晶片封裝結構的結構示意圖。圖2為本實用新型高性能大電流VDMOS功率器件晶片雙點鍵合封裝結構的結構示意圖。其中框架I[0013]大電流VDMOS功率器件晶片2G 引線 3S 引線 4[0016]鍵合點5。
具體實施方式
參見圖2，本實用新型涉及的一種高性能大電流VDMOS功率器件晶片雙點鍵合封裝結構，它包括框架I以及粘貼於框架I上的大電流VDMOS功率器件晶片2，所述大電流VDMOS功率器件晶片2的G極與框架I的G腳之間連接有一根G引線3，所述大電流VDMOS功率器件晶片2的S極與框架I的S腳之間連接有兩根S引線4，所述S引線4與大電流VDMOS功率器件晶片2的S極之間為雙點鍵合，即每根S引線4與大電流VDMOS功率器件晶片2的S極的連接處均設置有兩個鍵合點5，共四個鍵合點5均勻布置於大電流VDMOS功率器件晶片2的S極。
權利要求1.ー種高性能大電流VDMOS功率器件晶片雙點鍵合封裝結構，它包括框架(I)以及粘貼於框架(I)上的大電流VDMOS功率器件晶片(2)，所述大電流VDMOS功率器件晶片(2)的G極與框架(I)的G腳之間連接有一根G引線(3)，所述大電流VDMOS功率器件晶片(2)的S極與框架(I)的S腳之間連接有兩根S引線(4)，其特徵在於所述S引線(4)與大電流VDMOS功率器件晶片(2)的S極之間為雙點鍵合。
2.根據權カ要求I所述的ー種高性能大電流VDMOS功率器件晶片雙點鍵合封裝結構，其特徵在於所述S引線(4)與大電流VDMOS功率器件晶片(2)的S極之間的四個鍵合點(5)均勻布置於大電流VDMOS功率器件晶片(2)的S極。
專利摘要本實用新型涉及一種高性能大電流VDMOS功率器件晶片雙點鍵合封裝結構，它包括框架(1)以及粘貼於框架(1)上的大電流VDMOS功率器件晶片(2)，所述大電流VDMOS功率器件晶片(2)的G極與框架(1)的G腳之間連接有一根G引線(3)，所述大電流VDMOS功率器件晶片(2)的S極與框架(1)的S腳之間連接有兩根S引線(4)，其特徵在於所述S引線(4)與大電流VDMOS功率器件晶片(2)的S極之間為雙點鍵合。本實用新型由於S引線與大電流VDMOS功率器件晶片的S極之間為雙點鍵合，使得S引線與大電流VDMOS功率器件晶片的S極之間增大了接觸面積，使得電性內阻減小，晶片性能提高的同時不會增加成本。
文檔編號H01L23/495GK202871801SQ20122057067
公開日2013年4月10日 申請日期2012年11月1日 優先權日2012年11月1日
發明者陳建斌 申請人:江陰蘇陽電子股份有限公司