配線板的製造方法和配線板與流程

2023-04-28 23:34:21

本發明涉及飛線從端面突出的配線板的製造方法和所述配線板。

背景技術：

廣泛地使用將從配線板的端面突出的飛線與排列設置於半導體晶片上的接合電極接合的半導體裝置。在超小型的半導體晶片中，多個接合電極以窄間距排列設置。

如果按照接合電極的排列間距而將飛線排列成窄間距，則有可能短路。並且，在通過對銅箔等進行蝕刻加工來製作導體配線的配線板中，要想進行窄間距化，需要能夠形成精度極高的高縱橫比的間隙的蝕刻技術。即，具有窄間距的飛線的配線板的製造並不容易。

在日本特開2008-235791號公報中公開了如下的半導體裝置：在配線板的導體配線中製作截面形狀為三角形的部分和四邊形的部分，將導體配線的截面形狀為三角形的部分加工成飛線以與半導體晶片的接合電極接合。

然而，截面形狀變化的導體配線的製作並不容易。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2008-235791號公報

技術實現要素：

發明要解決的課題

本發明的目的在於，提供容易製造具有窄間距的飛線的配線板的製造方法和所述配線板。

用於解決課題的手段

本發明的實施方式的配線板的製造方法具有以下工序：層疊工序，將包含端部為直線狀的導體圖案在內的n個(n為2以上的整數)配線層以所述端部重疊的方式在各個配線層之間隔著絕緣層層疊而製作出層疊板；以及去除工序，通過去除所述層疊板的所述導體圖案的所述端部的周圍的所述絕緣層而將所述端部加工成從端面突出的n條飛線。

而且，另一實施方式的配線板是通過具有以下工序的製造方法而製造的：層疊工序，將包含端部為直線狀的導體圖案在內的n個(n為2以上的整數)配線層以所述端部重疊的方式在各個配線層之間隔著絕緣層層疊而製作出層疊板；以及去除工序，通過去除所述層疊板的所述導體圖案的所述端部的周圍的所述絕緣層而將所述端部加工成從端面突出的n條飛線。

發明效果

根據本發明，能夠提供容易製造具有窄間距的飛線的配線板的製造方法和通過所述製造方法而製造的所述配線板。

附圖說明

圖1是包含第一實施方式的配線板在內的半導體裝置的俯視圖。

圖2是包含第一實施方式的配線板在內的半導體裝置的沿著圖1的ii-ii線的剖視圖。

圖3是第一實施方式的配線板的立體圖。

圖4是用於對第一實施方式的配線板的製造方法進行說明的流程圖。

圖5a是用於對第一實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖5b是用於對第一實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖5c是用於對第一實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖5d是用於對第一實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖5e是用於對第一實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖5f是用於對第一實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖6是用於對第一實施方式的變形例1的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖7是用於對第一實施方式的變形例1的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖8a是用於對第一實施方式的變形例2的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖8b是用於對第一實施方式的變形例2的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖8c是用於對第一實施方式的變形例2的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖8d是用於對第一實施方式的變形例2的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖9是用於對第二實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖10是第二實施方式的配線板的立體圖。

圖11a是用於對第二實施方式的變形例1的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖11b是第二實施方式的變形例1的配線板的立體圖。

圖12是第二實施方式的變形例2的配線板的立體圖。

圖13是用於對第三實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖14是第三實施方式的配線板的剖視圖。

圖15a是用於對第四實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖15b是第四實施方式的配線板的立體圖。

圖16是包含第四實施方式的配線板在內的半導體裝置的剖視圖。

圖17是包含第四實施方式的變形例1的配線板在內的半導體裝置的剖視圖。

圖18a是用於對第五實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖18b是用於對第五實施方式的配線板的製造方法進行說明的立體圖。

圖18c是第五實施方式的配線板的立體圖。

圖19是第五實施方式的變形例1的配線板的立體圖。

圖20是第五實施方式的變形例2的配線板的分解立體圖。

圖21是第五實施方式的變形例3的配線板的分解立體圖。

圖22a是第五實施方式的變形例4的配線板的側視圖。

圖22b是第五實施方式的變形例5的配線板的側視圖。

圖22c是第五實施方式的變形例6的配線板的側視圖。

圖23是用於對實施方式的配線板的製造方法進行說明的流程圖。

具體實施方式

如圖1和圖2所示，通過本實施方式的製造方法而製造的配線板10與半導體晶片20一同構成半導體裝置1。

另外，附圖都是示意性的一例，需要注意各部分的厚度、寬度以及深度的關係、厚度的比例、層疊數、飛線的條數等與現實不同，有時在附圖彼此之間也包含有彼此的尺寸的關係或比例不同的部分。並且，也存在省略了圖示和說明的結構要素。

在由矽等半導體構成的大致長方體的半導體晶片20的主面20sa上形成有半導體電路21。而且，通過配線23與半導體電路21連接的多個接合電極22沿著主面20sa的端邊排列設置。例如，在半導體電路21是cmos圖像傳感器等受光部的情況下，半導體晶片20是攝像元件，半導體裝置1是攝像裝置。

在接合電極22上配設有凸形的由金屬構成的凸塊24。由於凸塊24要確保良好的接合強度，因此例如高度和直徑在40μm以上100μm以下。凸塊24是通過柱狀凸塊(studbump)法配設在平坦的接合電極22上的金凸塊。凸塊形成方法也可以是電鍍法等，凸塊材料也可以是焊料等。

配線板10是配設在半導體晶片20與未圖示的外部纜線等之間的連接構造體。在配線板10中，嵌入到由絕緣體構成的基體12內的四條金屬導線11的端部從基體12的端面突出的部分是飛線11x1～11x4。另外，以下，相同功能的多個結構要素的表示各自的標號不顯示末尾數字。例如，將各個飛線11x1～11x4稱為飛線11x。

飛線11x在引線框架構造的配線板中有時也被稱為內引線。關於飛線11x，例如厚度和寬度在1μm以上50μm以下，長度在20μm以上500μm以下。

如後面所述，在配線板10中，通過去除具有金屬導線11的層疊板的端部的絕緣體，而將金屬導線11的端部加工成飛線11x，其中，該金屬導線11的整體被嵌入到由絕緣體構成的基體12內。即，飛線11x和被基體12覆蓋的金屬導線11是由相同的材料構成的沒有邊界的一體物。

並且，如後面所述，基體12由沿多條飛線11x的排列設置方向(z方向)層疊的多個絕緣層12l構成。

另外，在圖1中，例示了具有六條飛線11x的配線板10，但配線板10隻要具有n條(n為2以上的整數)飛線11x即可。例如，在圖3等中，配線板10具有四條飛線11x1～11x4。

半導體晶片20例如是主面20sa在0.1mm×0.1mm以上、5.0mm×5.0mm以下並且厚度在10μm以上300μm以下那樣超小型的。因此，多個接合電極22的配設間距p例如是100μm以下那樣非常狹窄的。出於技術的限制，配設間距p的下限例如是10μm。另外，配線板10的飛線11x的配設間距p與接合電極22的配設間距p對應。

雖然配線板10具有窄間距的飛線11x，但由於該配線板10是像後述那樣通過具有特徵的製造方法而製造的，因此不會出現相鄰的飛線11x之間的短路。

接下來，沿著圖4所示的流程圖對實施方式的配線板的製造方法進行說明。

層疊工序

配線板10的層疊工序(s10)是由步驟s11(帶有導體圖案的絕緣基體製作工序)、步驟s12(層疊工序)以及步驟s13(壓接工序)構成的子例程。

如圖5a所示，向作為絕緣層的基體12l上配設包含端部為直線狀的導體圖案11y在內的配線層11l來製作單層配線板13。導體圖案11y的厚度和寬度例如分別在1μm以上50μm以下。另外，導體圖案11y和配線板10的金屬導線11是相同的部件，但是，在製造方法的說明中，為了方便起見，稱為導體圖案11y。

基體12l由聚醯亞胺樹脂構成。基體12l只要是絕緣體即可，例如，也可以是環氧、丙烯酸、聚酯、矽橡膠或液晶聚合物(lcp)等。基體12l的厚度是考慮了導體圖案11y的厚度而決定的，例如在1μm以上100μm以下。如後面所述，配線板10的基體12由多個基體12l構成。

例如，通過光刻和蝕刻將利用濺射法、蒸鍍法或電鍍法等配設在基體12l整個面上的導體膜(未圖示)構圖為規定的形狀，從而形成導體圖案11y。為了控制導體圖案11y的厚度，也可以在配設導體膜之後進行研磨處理。

也可以在導體膜的構圖中使用雷射加工等。並且，也可以使用各種印刷技術(絲網印刷、噴墨印刷、凹版印刷)將導體以導體圖案11y的形式配置在基體12l上。

作為導體圖案11y的材料，使用金、銀、銅、鐵或鎳等導電性高的金屬或它們的合金。而且，作為導體圖案11y的材料，只要是導電體即可，也可以是矽、無機半導體、有機化合物半導體、石墨烯或透明導電性材料(ito、sno2)等。在通過印刷法來配設導體圖案11y的情況下，也可以使用包含銀或銅等的微粒在內的各種導電性漿料。而且，為了兼顧導電性和機械強度，也可以使用不同材料的層疊構造(例如，鎳/銅/鎳的層疊構造)來構成導體圖案11y。

另外，如後面所述，導體圖案11y能夠根據配線板的規格而對應各種各樣的形狀，但在本實施方式中，以不僅端部為直線狀而且整體呈直線狀的簡單的形狀為例進行說明。

如圖5b所示，將各自由基體12l和配線層11l構成的四個單層配線板13x1～13x4層疊，其中，該配線層11l包含導體圖案11y。此時，以各個導體圖案11y的端部沿上下方向(z方向)重疊的方式層疊。另外，在單層配線板13x4之上還層疊有基體12l5，但以下省略說明。

即，四層的配線層11l1～11l4分別由導體圖案11y1～11y4構成，各個配線層11l1～11l4配設在基體12l1～12l4上。單層配線板13的層疊數n只要是2以上的整數即可，在圖5b所例示的製造方法中，層疊數n＝4。層疊數n的上限是由配線板的規格而決定的，例如是50。

通過對基體12l和層疊得到的多個單層配線板13x進行壓接接合來製作一體的層疊板14。壓接條件是根據基體12l的材料和厚度等而設定的，例如，溫度是100℃～200℃，壓力是0.5mpa～5mpa，時間是10秒～5分鐘。

能夠將壓接接合後外周被基體12l覆蓋的導體圖案11y看作為金屬導線11。即，金屬導線11和導體圖案11y是相同的結構要素。

另外，也可以如圖5d所示，切斷並去除層疊板14的作為配線板10來說不需要的寬度方向(x方向)的端部而形成層疊板15。

蝕刻工序

去除層疊板15的金屬導線11的端部的周圍的基體12l。如圖5e所示，為了選擇性地去除基體12l，以覆蓋層疊板15的除了端部之外的區域的方式配設蝕刻掩膜40。

通過蝕刻來去除沒有被蝕刻掩膜40覆蓋的區域的基體12l。作為蝕刻劑，使用能夠溶解基體12l但不會對金屬導線11造成影響的溶劑。例如，在基體12l由聚醯亞胺構成而導體圖案11y由銅構成的情況下，使用非肼系的鹼性水溶液作為溶劑來進行溼法蝕刻。也可以在選擇性去除基體12l的過程中使用雷射加工、切割加工、裁剪加工或衝孔等。

如圖5f所示，通過蝕刻工序將層疊板15的金屬導線11的端部加工成從端面突出的飛線11x，從而製作出配線板10。

另外，在圖5f所示的配線板10中，由於在蝕刻後去除蝕刻掩膜40，因此基體12露出到外面，但也可以不去除蝕刻掩膜40。

這裡，特別要注意在圖5d中是以縱長的方式對層疊板15進行圖示的，而在圖5e中是以橫長的方式進行圖示的。即，圖5e的坐標相對於圖5d旋轉了90度。因此，層疊板14(15)中的導體圖案11y和基體12l的厚度在配線板10中分別是金屬導線11和基體12l的寬度。即，基體12由沿多條飛線11x1～11x5的排列設置方向層疊的多個絕緣層12l1～12l5構成。

關於配線板10，通過在製造時對導體圖案11y的厚度進行控制，能夠高精度地對飛線11x的寬度(z方向)進行控制。同樣地，通過對基體12l的厚度進行控制，能夠高精度地對飛線11x的間隔(z方向)進行控制。

而且，由於配線板10是以層疊板15的形式製作的，因此即使是窄間距，多條金屬導線11也不會受縱橫比和配設間距的影響，彼此藉助由絕緣體構成的基體12(多個基體12l)而可靠地進行絕緣。

像以上的說明那樣，在配線板10中，在基體12的端部排列設置有金屬導線11露出而成的飛線11x，在後端部，在從x方向俯視時金屬導線11和基體12l在與長軸方向(y方向)垂直的方向(z方向)上交替地排列設置。而且，絕緣性的基體12是多個絕緣層12l沿多條飛線11x的排列設置方向(z方向)層疊而成的。

根據本實施方式的製造方法，能夠容易地製造出具有窄間距的飛線11x的配線板10。

接下來，對第一實施方式的變形例1、2的配線板10a、10b的製造方法進行說明。另外，以下所說明的變形例和實施方式的配線板的製造方法或變形例和實施方式的配線板均與第一實施方式的配線板10的製造方法或配線板10類似，具有相同的效果，因此對相同功能的結構要素標註相同標號並省略說明。

如圖6所示，在變形例1的配線板10a的製造方法中，在帶有導體圖案的絕緣基體製作工序(s11)中製作多層層疊板14a，該多層層疊板14a是將排列設置有k個(k為2以上的整數)導體圖案11y的配線層11l分別隔著基體12l層疊了n個而成的。

在配線層11l1上排列設置有六個導體圖案11y11～11y16。而且，層疊了由各自配設有配線層11l的四個基體12l1～12l4構成的四個單層配線板13x1～13x4。即，k(導體圖案數)＝6，n(層疊數)＝4。

而且，如圖7所示，在變形例1的配線板10a的製造方法中，在壓接工序(s13)之後具有切斷工序(步驟s14)，在該切斷工序中與導體圖案11y1的端部長度方向(y方向)平行地將多層層疊板14a切斷而單片化成六個層疊板15x1～15x6。

之後的工序與配線板10的製造方法相同，從多層層疊板14a中製作出六個具有四條飛線的配線板10a。

變形例1的配線板10a的製造方法比配線板10的製造方法高效，能夠更低價地製作配線板10a。

接下來，使用圖8a～圖8d對變形例2的配線板10b的製造方法進行說明。另外，在變形例2中，k(導體圖案數)＝2。

在變形例2的配線板10b的製造方法中，在層疊工序子例程s10中重複進行配線層配設工序(步驟s31)、絕緣層配設工序(步驟s32)以及平坦化工序(步驟33)。

即，如圖8a所示，在變形例2的配線板10b的製造方法中，也是與配線板10的製造方法同樣地，通過配線層的成膜和構圖而在作為第一絕緣層的基體12l1上進行包含導體圖案11y1在內的第一配線層11l1的配設工序(s31)。另外，雖然基體12l和絕緣層12l是相同的結構要素，但有時在製造方法的說明中對兩者進行區分。

接著，如圖8b所示，進行向配設有第一配線層11l1的基體12l1上配設第二絕緣層12l2的第二絕緣層配設工序(s32)。例如，通過利用例如旋塗機來塗敷未硬化的液體狀的樹脂並使其硬化來配設第二絕緣層12l2，從而形成基體12l2。

在第二絕緣層12l2的配設中，可以使用各種印刷法(絲網印刷、噴墨印刷、凹版印刷)、層壓法、轉印法(衝壓、納米壓印)或鑄造(casting)法等。第二絕緣層12l2可以是與基體12l1相同的材料，也可以是不同的材料。並且，也可以不是使液體樹脂硬化從而固體化，而是將樹脂膜與配設有第一配線層11l1的基體12l1壓接接合而成。

第二絕緣層12l2可以是聚醯亞胺樹脂、環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、矽橡膠或陶瓷材料等。但是，第二絕緣層12l2等優選由能夠在去除工序中與作為第一絕緣層的基體12l1同時被去除的材料構成。

如圖8b所示，有時第二絕緣層12l2的第一配線層11l1之上的區域比其他區域凸出。在該情況下，如圖8c所示，進行使第二絕緣層12l2的表面平坦的平坦化工序(s33)。平坦化工序例如是表面研磨工序。另外，在絕緣層的未硬化樹脂的流平性較高的情況下，不需要平坦化工序。

然後，如圖8d所示，進行向平坦化後的第二絕緣層12l2上配設第二配線層11l2的第二配線層配設工序(s31a)。第二配線層配設工序(s31a)與第一配線層配設工序(s31)相同。

通過重複進行n次配線層配設工序(s31)、絕緣層配設工序(s32)以及平坦化工序(s33)來製作與圖5c所示的層疊板14相同的構造體。層疊工序s10之後的蝕刻工序s20與配線板10的製造方法相同。

根據變形例2的配線板10b的製造方法，無需使用層疊板壓接製作工序就能夠與配線板10的製造方法同樣容易地製造出窄間距的配線板10b。

另外，在變形例2的製造方法中，與配線板10的製造方法同樣地，第一絕緣層是個體的基體12l1。但是，也可以通過向由密合強度低的氟樹脂等構成的基礎基板塗敷未硬化的液體狀的樹脂並使其硬化來配設第一絕緣層。另外，在層疊工序結束之後將層疊體從基礎基板分離。

接下來，對第二實施方式的配線板10c和配線板10c的製造方法進行說明。另外，關於配線板10c，n(層疊數)＝7，k(導體圖案數)＝6。

如圖9所示，在配線板10c的製造方法中，在層疊工序(s10)中將包含截面面積與其他導體圖案11y2～11y6不同的導體圖案11yy1、11y7在內的配線層11l、厚度與其他基體12l1、12l3～12l7不同的基體12l2、12l8、其他配線層以及其他基體12l1、12l3～12l7層疊來製作多層層疊板14c。

之後的工序與配線板10的製造方法相同，從多層層疊板14c中製作出六個具有七條飛線的配線板10c。

即，如圖10所示，配線板10c具有從由絕緣體構成的基體12的端面突出的七條飛線11x1～11x7，配線板10c包含截面面積與其他飛線11x2～11x6不同的飛線11x1、11x7和厚度與其他基體12l1、12l3～12l7不同的基體12l2、12l8。

例如，截面面積大的飛線11x1、11x7是電力供給線，截面面積小的飛線11x2～11x6是信號傳送線。

另外，也可以根據傳送信號的通信速度等來增大或減小飛線11x的截面面積。而且，也可以為了增加機械強度(例如剛性)而增大任意的飛線11x的截面面積。

根據本實施方式的配線板的製造方法，能夠容易地製造出具有截面面積(粗度)不同的多條飛線11x的配線板10c。並且，關於本實施方式的配線板，能夠根據所傳送的信號而一個個地改變金屬導體11(飛線11x)。

在第二實施方式的配線板10c的製造方法中，在層疊工序(s10)中將包含截面面積與其他配線層的導體圖案不同的導體圖案在內的配線層、厚度與其他絕緣層不同的絕緣層(基體)、其他配線層以及其他絕緣層(基體)層疊來製作層疊板14c。

與此相對，在第二實施方式的變形例的配線板的製造方法中，在層疊工序(s10)中，將包含形狀和材料中的至少任意一方與其他配線層的導體圖案不同的導體圖案在內的配線層與所述其他配線層層疊。並且，在另一變形例的層疊工序中，將形狀和材料中的至少任意一方與其他絕緣層不同的絕緣層與所述其他絕緣層層疊。在又一變形例的層疊工序中，將包含形狀和材料中的至少任意一方與其他配線層的導體圖案不同的導體圖案在內的配線層、形狀和材料中的至少任意一方與其他絕緣層不同的絕緣層、所述其他配線層以及所述其他絕緣層層疊。

而且，第二實施方式的變形例的配線板包含形狀和材料中的至少任意一方與其他飛線不同的飛線。並且，另一變形例的配線板包含形狀和材料中的至少任意一方與其他基體(絕緣層)不同的基體(絕緣層)。又一變形例的配線板包含形狀和材料中的至少任意一方與其他飛線不同的飛線以及形狀和材料中的至少任意一方與其他基體(絕緣層)不同的基體(絕緣層)。

在第二實施方式的變形例1的配線板的製造方法中，如圖11a所示，在層疊工序(s10)中，對配設有形狀與其他基體的導體圖案11y1不同的導體圖案11y2的基體12l2進行層疊。另外，在圖11a中僅示出了兩層的單層配線板13x1、13x2，但實際上層疊了四層的單層配線板13x1～13x4，其中的單層配線板13x2、13x3具有與其他單層配線板13x1、13x4不同的導體圖案11y2。

單層配線板13x2的導體圖案11y2的端部為直線狀，但後端部是以直角彎曲的曲柄狀。

如圖11b所示，在第二實施方式的變形例1的配線板10d的上表面上，導體圖案11y2、11y3的一部分露出。

另外，導體圖案11y(金屬導線11)的形狀不限於直線狀或曲柄狀，也可以是曲線狀，能夠自由設計。並且，也可以層疊三種以上的形狀、厚度不同的多個導體圖案。另外，如後面所述，在本發明中，形狀不是僅指俯視形狀，是包含截面面積(即厚度和寬度)在內的概念。

在第二實施方式的變形例2的配線板的製造方法中，在層疊工序(s10)中，將厚度和材料與其他絕緣層(基體)不同的基體12l2與所述其他絕緣層層疊。

例如，在圖12所示的配線板10e中，基體12l1、12l2的厚度和材料與其他基體12l3～12l5不同。

四條飛線11x中的飛線11x1是電力供給線，飛線11x2～11x4是信號傳送線。基體12l3～12l5由適合高速信號傳送的作為低介電常數材料的多孔二氧化矽系材料構成，基體12l1、12l2由耐絕緣性優異的聚醯亞胺構成。

關於配線板10e，由於能夠根據飛線的用途來選擇基體12l的材料，因此具有高性能。

能夠根據飛線11x所傳送的信號的種類按照每個基體12l來選擇覆蓋飛線11x的基體12l的形狀和材料中的至少任意一方，從而能夠提高配線板10的傳送特性/機械強度等。例如，也可以是如下的結構：在作為gnd線的飛線11x的周圍配置介電常數高的玻璃環氧樹脂(fr4：flameretardanttype4：阻燃型4)，給最外周的基體12l配置耐熱性和耐溼性高的材料(尼龍或丙烯酸樹脂)，給內部的基體12l配置彈性模量低的材料。並且，從兩側夾著飛線11x的兩個基體12l的材料等可以相同也可以不同，還可以是各個基體12l由不同的材料構成的多層構造。

並且，像已經說明那樣，作為飛線11x的導體圖案11y的材料也是能夠根據飛線11x的傳送特性或機械強度等而一個個地選擇的。例如，可以給作為gnd線的飛線11x選擇導電率高的材料(例如，金)，給最外周的飛線11x選擇剛性高的材料(例如，銅)。

像以上說明那樣，根據本實施方式和變形例的製造方法，通過一個個地適當選擇飛線11x和基體12l的材料和形狀(俯視形狀、厚度以及截面面積)，能夠提供應對內引線傳送的信號的種類和外部因素(壓力、溫度、溼度)優異特性的配線板。

如圖13所示，在第三實施方式的配線板10f的製造方法中，在層疊工序(s10)中層疊的配線層11l的導體圖案11y的端部具有向寬度方向的一方延伸設置的延伸設置部11z，通過去除工序20使延伸設置部11z成為與其他部件(例如半導體晶片20的接合電極22)連接的連接部11z。即，延伸設置部11z和連接部11z是相同的結構要素。

延伸設置部11z是在配設導體圖案11y的同時通過導體膜的構圖而製作的。例如，在通過蝕刻法將導體膜構圖成導體圖案11y的情況下，在蝕刻掩膜的圖案中包含作為延伸設置部11z的區域。

而且，如圖14所示，配線板10f的從端面突出的飛線11x在端部具有沿長軸垂直方向(x方向)延伸設置的、與其他部件的電極(例如半導體晶片20的接合電極22)連接的連接部11z1，飛線11x和連接部11z是由相同材料構成的沒有邊界的一體物。例如，在飛線11x和連接部11z由多晶膜構成的情況下，有時存在跨越了雙方區域的結晶。

由於採用連接部(延伸設置部)11z來代替凸塊，因此延伸設置部11z的長度與凸塊的高度相同，例如在40μm以上100μm以下。

由於配線板10f具有在配設導體圖案11y的同時製作的延伸設置部11z，因此不需要凸塊配設工序。

如圖15a所示，在第四實施方式的配線板10g的製造方法中，在層疊工序中製作的層疊板14g的單層配線板13x2、13x3包含各自的端部平行地排列設置的第一導體圖案11y21、11y31和第二導體圖案11y22、11y32。

雖然層疊板14g與變形例1的多層層疊板14a類似，但層疊板14g與層疊板14a不同，該層疊板14g不會被切斷成分別具有一個導體圖案的多個層疊板。但是，可以通過將在各個配線層上排列設置有2m個(m為2以上的整數)導體圖案的多層層疊板切斷成m個來製作層疊板14g。

然後，如圖15b所示，通過去除工序將第一導體圖案11y21、11y31的端部和第二導體圖案11y22、11y32的端部加工成分別沿長軸垂直方向(x方向)重疊的兩條飛線11x21/11x22、11x31/11x32。

第四實施方式的配線板10g具有：第一飛線群，其由從端面突出的多條第一飛線11x21、11x31構成；以及第二飛線群，其由相對於第一飛線群位於長軸垂直方向(x方向)的多條第二飛線11x12、11x22、11x32、11x42構成。即，是第一飛線11x21與第二飛線11x22、第一飛線11x31與第二飛線11x32沿長軸垂直方向(x方向)重疊的構造。

如圖16所示，在半導體裝置1g中，配線板10g是以由屬於第一飛線群的第一飛線11x21等和屬於第二飛線群的第二飛線11x22等上下夾著半導體晶片20的方式接合的。

換言之，第一飛線11x21等和第二飛線11x22等分別與半導體晶片20的對置的面20sa、20sb的接合電極22a、22b接合。

由於配線板10g是從由單層配線板13x層疊而成的層疊板14g中製造的，因此能夠容易地實現這樣複雜的飛線的配置。

另外，第一飛線的數量和第二飛線的數量也可以相同。並且，第一飛線和第二飛線的形狀和材料中的至少任意一方可以不同。

在第四實施方式的變形例的配線板10h的製造方法中，與配線板10g的製造方法同樣地，層疊板14g的單層配線板13x2、13x3包含各自的端部平行地排列設置的第一導體圖案11y21、11y31和第二導體圖案11y22、11y32。

而且，在配線板10h的製造方法中，與第三實施方式的製造方法同樣地，在配設於單層配線板的導體圖案的端部具有向寬度方向的一方延伸設置的延伸設置部11z。第一導體圖案的延伸設置部11z1的長度與第二導體圖案的延伸設置部11z2不同。

因此，如圖17所示，在配線板10h中，第一飛線11x21的連接部11z1的端面和第二飛線11x22的連接部11z2的端面位於同一平面上(即，位於半導體晶片20的主面20sa上)，它們分別與接合電極22a、22b接合。

因此，在半導體裝置1h中，飛線11x不通過凸塊而與半導體晶片20高密度地接合。

在第五實施方式的配線板10i的製造方法中，在層疊板14i的切斷工序(s14)中以使導體圖案的11l的側面露出的方式進行切斷。

如圖18a所示，層疊了各自具有兩個導體圖案的四個單層配線板13x1～13x4而成的層疊板14i(k(導體圖案數)＝2，n(層疊數)＝4)被切斷成兩個層疊板15i。

此時，如圖18a、圖18b以及圖19所示，在配線板10i中，金屬導線11的兩側面露出。

另外，也可以是，在切斷工序(s14)之後還具有對金屬導線11所露出的切斷面進行研磨的研磨工序(s15)。在研磨工序中例如使用cmp法。

在圖19所示的變形例1的配線板10j的製造方法中，在切斷工序(s14)中，以僅使金屬導線11的一方的側面露出的方式進行切斷。

容易對金屬導線(導體圖案11y)11的側面露出的第五實施方式的配線板等進行電子部件的表面安裝。

例如，圖20所示的變形例2的配線板10k的製造方法具有安裝工序(s16)，在該安裝工序中將電子部件19a、19b分別表面安裝在配線板10i的兩面10sa、10sb上。

在圖21所示的變形例3的配線板10l中，在安裝工序(s16)中將電子部件19表面安裝在圖12所示的配線板10d的一個面10sa上。

本發明的實施方式的配線板的內部的金屬導線11的形狀因導體圖案的形狀設計的自由度較高而能夠形成各種各樣的露出面。因此，能夠根據規格來設定電子部件的安裝面和接合部(金屬導線的露出部)。

例如，圖22a所示的變形例4的配線板在側面安裝有一個電子部件19。圖22b所示的變形例5的配線板在側面安裝有兩個電子部件19a、19b。並且，圖22c所示的變形例6的配線板在上、下表面和側面安裝有電子部件19a～19e。電子部件19a的接合部(圖中的陰影區域)有三處，電子部件19e的接合部有四處。

另外，要想向配線板的側面安裝電子部件，例如可以通過從側面形成貫穿多個基體12l的凹部而使金屬導線11在凹部的底面露出。

最後，在圖23中示出了將已經說明了的工序全部列舉出的流程圖。

本發明不限於上述的實施方式和變形例，能夠在不改變本發明的主旨的範圍內進行各種變更、改變、組合等。

標號說明

1：半導體裝置；10、10a～10l：配線板；11：金屬導線(導體圖案)；11l：配線層；11x：飛線；11y：導體圖案；11z：延伸設置部(連接部)；12、12l：基體(絕緣層)；13：單層配線板；14、15：層疊板；19：電子部件；20：半導體晶片；21：半導體電路；22：接合電極；23：配線；24：凸塊；40：蝕刻掩膜。