一種鍍錫電解液抑制晶須添加劑的製作方法

2023-05-01 23:33:11

專利名稱：一種鍍錫電解液抑制晶須添加劑的製作方法
技術領域：
本發明屬電鍍化學配方技術領域，具體涉及一種鍍錫電解液抑制晶須添加劑。
背景技術：
金屬板或線材鍍錫具有良好的焊接性、導電性和光澤度，目前的鍍錫存在鍍液不穩定和容易生長晶須等缺點，焊接性能也比含鉛鍍錫產品時間長，焊接抗拉強度低。

發明內容
本發明的目的在於提供一種配方合理，溶液性能穩定，所生產的產品具有較好的焊接性、導電性和防止生長晶須的鍍錫電解液抑制晶須添加劑。本發明的技術解決方案是: 一種鍍錫電解液抑制晶須添加劑，其特徵在於，也就是配方按重量比為:羥基乙磺酸20-250g/L,過氧硫酸鉀 10-50g/L，硫酸鈀 0.5_5g/L，四唑 0.5_8g/L，聚乙二醇 5-lOg/L，餘量水。本發明配方合理，溶液性能穩定與鍍錫電解液配合合理，含鈀鍍層有效抑制晶鬚生長，所生產的產品焊接性、導電性好。
具體實施方式
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實施例1
一種鍍錫電解液抑制晶須添加劑，也就是配方按重量比為:羥基乙磺酸200g/L，過氧硫酸鉀20g/L，硫酸鈀lg/L，四唑lg/L，聚乙二醇5g/L與餘量水充分混合，溶液溫度控制在35° C，電流密度3A/dm2。
權利要求
1.一種鍍錫電解液抑制晶須添加劑，其特徵在於，也就是配方按重量比為:羥基乙磺酸 20-250g/L，過氧硫酸鉀 10-50g/L，硫酸鈀 0.5_5g/L，四唑 0.5_8g/L，聚乙二醇 5-lOg/L，餘量水。
全文摘要
本發明公開了一種鍍錫電解液抑制晶須添加劑，也就是配方按重量比為羥基乙磺酸20-250g/L，過氧硫酸鉀10-50g/L，硫酸鈀0.5-5g/L，四唑0.5-8g/L，聚乙二醇5-10g/L，餘量水。本發明配方合理，溶液性能穩定與鍍錫電解液配合合理，含鈀鍍層有效抑制晶鬚生長，所生產的產品焊接性、導電性好。
文檔編號C25D3/30GK103184481SQ20111045486
公開日2013年7月3日 申請日期2011年12月30日 優先權日2011年12月30日
發明者蔡成俊 申請人:蔡成俊