提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法及託盤的製作方法
2023-05-02 01:17:06
專利名稱：提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法及託盤的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法及託盤。
背景技術：
矽片背封是在矽片表面沉積二氧化矽薄膜。背封是在背 封爐中進行。背封時，矽片放置於託盤上。圖1為一種矽片背封時所使用的託盤俯視圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。如圖1、圖2所示，託盤1上設置有放置矽片的容置槽11，容置槽11的邊緣處對稱設置有兩個導槽12。實際生產時，每個託盤上設置有多個容置槽，圖1、圖2僅示出了一個。託盤1沿著圖1中右側的箭頭方向行進進入背封爐。導槽12的作用是方便取放矽片。沉積二氧化矽時，矽片的溫度在一定變化範圍內決定著沉積的二氧化矽薄膜的厚度。溫度高，則二氧化矽薄膜厚；溫度低，則二氧化矽薄膜薄。但在實際生產過程中，由於容置槽11低於託盤上表面13，容置槽11的槽壁阻擋了二氧化矽氣體，使氣體與矽片邊緣可進行充分反應， 而導槽12處由於無槽壁的阻擋，導致靠近導槽12上方的氣流可快速通過矽片表面，無法充分反應。因此，導致靠近導槽12的矽片處沉積的二氧化矽薄膜厚度小於靠近槽壁13附近的薄膜厚度。如圖3所示為圖1、圖2所示的託盤生產的矽片俯視圖。圖中箭頭為矽片進入背封爐時的前進方向。矽片5沿前進方向前側區域53與後側區域54處的厚度均小於其他部分的厚度。由於以上原因，致使背封后的矽片厚度均勻性值較大，產品不良率較高，增加了生產成本。
發明內容
本發明的目的是為了克服現有技術中的不足，提供一種可提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法。為實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於，將矽片放置於託盤上沉積二氧化矽；所述託盤本體上表面為平面，所述的託盤本體上表面設置有突出於其上表面的限位擋條；所述限位擋條數目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置；所述矽片背封時放置於限位擋條之間。優選地是，所述限位擋條與矽片相對的側面與矽片邊緣形狀相適應。優選地是，所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與矽片相對的側面為弧形；所述第二擋條有兩個側面分別與兩個矽片相對，所述第二擋條分別與兩個矽片相對的側面均為弧形。優選地是，所述第一擋條和第二擋條數目均為兩個。優選地是還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設置；第一擋條與第三擋條之間設置有兩個以上間隔設置的第二擋條。優選地是，第一擋條數目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第三擋條數目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第二擋條每兩個為一組，每一組中的兩個第二擋條沿圓周方向間隔設置；兩組以上的第二擋條間隔設置於第一擋條與第三擋條之間。 優選地是，兩個以上的限位檔條的位置分布，使得沿矽片前進方向矽片前後兩側未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為矽片整個周長的四分之一至三分之一。本發明的另一個目的是提供一種可提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤。為實現上述目的，本發明通過以下技術方案實現提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，其特徵在於，包括託盤本體及限位擋條； 所述託盤本體上表面為平面，所述的託盤本體上表面設置有突出於其上表面的限位擋條； 所述限位擋條數目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置。優選地是，所述限位擋條與矽片相對的側面與矽片邊緣形狀相適應。優選地是，所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與矽片相對的側面為弧形；所述第二擋條有兩個側面分別與兩個矽片相對，所述第二擋條分別與兩個矽片相對的側面均為弧形。優選地是，所述第一擋條和第二擋條數目均為兩個。優選地是，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設置；第一擋條與第三擋條之間設置有兩個以上間隔設置的第二擋條。優選地是，第一擋條數目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第三擋條數目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第二擋條每兩個為一組，每一組中的兩個第二擋條沿圓周方向間隔設置；兩組以上的第二擋條間隔設置於第一擋條與第三擋條之間。優選地是，兩個以上的限位檔條的位置分布，使得沿矽片前進方向矽片前後兩側未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為矽片整個周長的四分之一至三分之一。本發明中的可提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法及託盤，用於矽片背封時， 可將膜厚片間均勻性由16. 61%提高到了 8.3%。邊緣不均不良率降低2個百分點。
圖1為一種矽片背封時所使用的託盤俯視圖。圖2為圖1的A-A剖視圖。圖3為使用圖1中所述的託盤生產的矽片俯視圖。圖4本發明實施例1中的託盤俯視圖；圖5為實施例1的使用狀態俯視。圖6為實施例2中的託盤及其使用狀態時的俯視圖。圖7為實施例3中的託盤俯視圖。圖8為實施例3中的託盤使用狀態俯視圖。圖9為對矽片的厚度測定選取的測定點示意圖。圖10為使用圖1所示的託盤至部分更換為本發明實施例3的託盤直至全部更換為本發明實施例3的託盤後的矽片因邊緣厚度不均勻導致的不良率變化曲線圖。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明進行詳細的描述實施例1
如圖4、圖5所示，提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，包括託盤本體1及第一擋條2。託盤本體1上表面13為平面。第一擋條2突出於託盤本體1的上表面13。第一擋條2數目為四個，沿圓周方向間隔設置。使用時，矽片5放置於四個第一擋條2之間。每個第一擋條2均有一個側面21與矽片5相對。每個第一擋條2與矽片5相對的側面21形狀與矽片5的形狀相適應，也是弧形。四個第一擋條2可防止矽片5移動。圖4右側箭頭為託盤1進入背封爐時的運動方向。沿運動方向，矽片5前側和後側未受第一檔條2阻擋的前側邊緣51和後側邊緣52的弧長為矽片5圓周長的三分之一。實施例1中，每四個第一擋條2夾住一個矽片5。使用時，將矽片5放置於四個第一擋條2之間，將託盤1送入背封爐內，在矽片5 表面沉積二氧化矽薄膜。實施例2如圖6所示，其與實施例1不同之處在於，第一檔條2數目為兩個。實施例3如圖7、圖8所示，提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，包括託盤本體1、第一擋條2、第二擋條3及第四擋條4。託盤本體1的上表面13為平面。第一擋條2、第二擋條 3及第四擋條4突出於託盤本體1的上表面13。第一擋條2數目為兩個，沿圓周方向間隔設置。第一檔條2與矽片5相對的側面2 1為弧形。第三擋條4數目為兩個，沿圓周方向間隔設置。第三檔條4與矽片5相對的側面41為弧形。兩個第二擋條3為一組，每個第二擋條3均有兩個側面分別與兩個矽片5相對。每個第二擋條3與矽片5相對的第一側面31 和第二側面32均與矽片5的邊緣形狀相適應。兩個第二擋條3位於兩個第一擋條2與兩個第三擋條4之間。使用時，一個矽片5放置於兩個第一擋條2與第二擋條3之間。一個矽片5放置於兩個第二擋條3與兩個第三擋條4之間。兩個第二擋條3可對兩個矽片5起到限位作用。 圖4右側箭頭為託盤1進入背封爐時的運動方向。沿運動方向，矽片5前側和後側未受第一檔條2、第二擋條3阻擋的前側邊緣51和後側邊緣52的弧長為矽片5圓周長的三分之
ο分別使用圖1所示的託盤與使用實施例3所述的託盤對矽片背封處理，其實驗結果如下使用圖1所示的託盤生產6片矽片，既矽片1-矽片6，每片矽片取圓心處及靠近邊緣2mm處的沿圓周方向均勻分布的四個點測定其厚度。使用實施例3所示的託盤生產6 片矽片，既矽片7-矽片12。如圖9所示，每片矽片取圓心處及靠近邊緣2mm處的沿圓周方向均勻分布的四個點測定其厚度，即圖9中的上、下、左、右、中五個點測定其厚度。使用圖 1所示的託盤生產的矽片的厚度測試點的位置與使用本發明實施例3的託盤生產的矽片厚度測試點的位置相同。-
權利要求
1.提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於，將矽片放置於託盤上沉積二氧化矽；所述託盤本體上表面為平面，所述的託盤本體上表面設置有突出於其上表面的限位擋條；所述限位擋條數目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置；所述矽片背封時放置於限位擋條之間。
2.根據權利要求1所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於，所述限位擋條與矽片相對的側面與矽片邊緣形狀相適應。
3.根據權利要求1或2所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於， 所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與矽片相對的側面為弧形；所述第二擋條有兩個側面分別與兩個矽片相對，所述第二擋條分別與兩個矽片相對的側面均為弧形。
4.根據權利要求3所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於，所述第一擋條和第二擋條數目均為兩個。
5.根據權利要求3所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設置；第一擋條與第三擋條之間設置有兩個以上間隔設置的第二擋條。
6.根據權利要求5所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於，第一擋條數目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第三擋條數目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第二擋條每兩個為一組，每一組中的兩個第二擋條沿圓周方向間隔設置；兩組以上的第二擋條間隔設置於第一擋條與第三擋條之間。
7.根據權利要求1所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於，兩個以上的限位檔條的位置分布，使得沿矽片前進方向矽片前後兩側未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為矽片整個周長的四分之一至三分之一。
8.提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，其特徵在於，包括託盤本體及限位擋條； 所述託盤本體上表面為平面，所述的託盤本體上表面設置有突出於其上表面的限位擋條； 所述限位擋條數目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置。
9.根據權利要求8所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，其特徵在於，所述限位擋條與矽片相對的側面與矽片邊緣形狀相適應。
10.根據權利要求8或9所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，其特徵在於， 所述限位擋條包括第一擋條和第二擋條，所述第一擋條與矽片相對的側面為弧形；所述第二擋條有兩個側面分別與兩個矽片相對，所述第二擋條分別與兩個矽片相對的側面均為弧形。
11.根據權利要求10所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，其特徵在於，所述第一擋條和第二擋條數目均為兩個。
12.根據權利要求10所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，其特徵在於，還包括第三擋條，第三擋條與第一擋條鏡像設置；第一擋條與第三擋條之間設置有兩個以上間隔設置的第二擋條。
13.根據權利要求12所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，其特徵在於，第一擋條數目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第三擋條數目為兩個，沿圓周方向間隔設置；第二擋條每兩個為一組，每一組中的兩個第二擋條沿圓周方向間隔設置；兩組以上的第二擋條間隔設置於第一擋條與第三擋條之間。
14.根據權利要求12所述的提高矽片背封時矽片厚度均勻性的託盤，其特徵在於，兩個以上的限位檔條的位置分布，使得沿矽片前進方向矽片前後兩側未受限位檔條阻擋的兩部分弧形邊緣均為矽片整個周長的四分之一至三分之一。
全文摘要
本發明公開了一種提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法，其特徵在於，將矽片放置於託盤上沉積二氧化矽；所述託盤本體上表面為平面，所述的託盤本體上表面設置有突出於其上表面的限位擋條；所述限位擋條數目為兩個以上，沿圓周方向間隔設置；所述矽片背封時放置於限位擋條之間。本發明中的可提高矽片背封時矽片厚度均勻性的方法及託盤，用於矽片背封時，可將膜厚片間均勻性由16.61％提高到了8.3％。邊緣不均不良率降低2個百分點。
文檔編號C23C16/458GK102347233SQ20111023191
公開日2012年2月8日 申請日期2011年8月14日 優先權日2011年8月14日
發明者江笠, 蔣明康 申請人:上海合晶矽材料有限公司