單晶爐的加熱裝置製造方法

2023-05-21 17:07:11 2

單晶爐的加熱裝置製造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種單晶爐的加熱裝置，包括石墨坩堝和鍋託體，所述石墨坩堝表面上設有若干個凹槽，石墨坩堝底面上設有凸臺，所述鍋託體設置於石墨坩堝下面，鍋託體由鍋託臺和支架構成，鍋託臺為一個直徑逐漸增大的圓柱形腔體，鍋託臺與石墨坩堝相接觸的表面上設有與凸臺相適應的卡槽，支架設置於鍋託臺的下表面。本使用新型具有導熱快，加熱均勻，裝置牢固，結構簡單，使用壽命長等特點。
【專利說明】單晶爐的加熱裝置
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及單晶矽製造設備【技術領域】，特別涉及一種單晶爐的加熱裝置。
【背景技術】
[0002]單晶矽是具有完整的點陣結構的晶體，是一種良好的半導體材料，目前被廣泛應用於半導體器件以及太陽能電池的製造。單晶矽使用高純度的多晶矽在單晶爐內拉制而成的，在市場上有很廣闊的前景。目前單晶矽的拉制裝置為單晶爐，單晶爐內的加熱裝置只要是石墨坩堝和支撐它的鍋託體，隨著矽單晶直徑的加大，單晶爐熱場的尺寸變得越來越大，相應的，石墨坩堝的重量也大大增大。目前，使用的坩堝由於結構簡單，存在著導熱不均勻，加熱緩慢的缺點，而鍋託體的承受重量不夠而導致損壞。
實用新型內容
[0003]本實用新型的目的是提供一種導熱快，傳熱均勻，工作效率高且使用壽命長的單晶爐加熱裝置。
[0004]實現本實用新型的技術方案如下:
[0005]一種單晶爐的加熱裝置，包括石墨坩堝和鍋託體，所述石墨坩堝表面上設有若干個凹槽，石墨坩堝底面上設有凸臺，所述鍋託體設置於石墨坩堝下面，鍋託體由鍋託臺和支架構成，鍋託臺為一個直徑逐漸增大的圓柱形腔體，鍋託臺與石墨坩堝相接觸的表面上設有與凸臺相適應的卡槽，支架設置於鍋託臺的下表面。
[0006]所述凹槽為正方形，深度為邊長為優點是導熱塊且均勻，而且美觀。
[0007]所述凹槽均布於石墨坩堝表面。
[0008]所述石墨坩堝為一個直徑逐漸減小的筒狀結構。
[0009]本實用新型的有益效果是:石墨坩堝表面均布的凹槽能夠在加熱過程中實現導熱快，溫度均勻的效果，鍋底的凸臺與鍋託臺上的卡槽相連接，能起到更好的固定效果，鍋託臺大直徑底部能夠承受更大的壓力，不易損壞，使用壽命變長。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型的結構示意圖；
[0011]附圖中，I為石墨坩堝,2為凹槽,3為卡槽,4為鍋託臺，5為支架，6為凸臺。【具體實施方式】
[0012]下面結合附圖對本實用新型進行進一步說明；
[0013]參見圖1所示，一種單晶爐的加熱裝置，包括石墨坩堝I和鍋託體，所述石墨坩堝I表面上設有若干個凹槽2，石墨坩堝I底面上設有凸臺6，所述鍋託體設置於石墨坩堝I下面，鍋託體由鍋託臺4和支架5構成，鍋託臺4為一個直徑逐漸增大的圓柱形腔體，鍋託臺4與石墨坩堝I相接觸的表面上設有與凸臺相適應的卡槽3，支架5設置於鍋託臺4的下表面。
[0014]所述凹槽2為正方形，深度可以是2mm, 3mm或4mm,邊長可以是5mm、8mm或IOmm,
凹槽2均布於石墨坩堝I表面，石墨坩堝I為一個直徑逐漸減小的筒狀結構。
[0015]本實用新型並不局限於所述的實施例，本領域的技術人員在不脫離本實用新型的精神即公開範圍內，仍可作一些修正或改變，故本實用新型的權利保護範圍以權利要求書限定的範圍為準。
【權利要求】
1.單晶爐的加熱裝置，包括石墨坩堝和鍋託體，其特徵在於:所述石墨坩堝表面上設有若干個凹槽，石墨坩堝底面上設有凸臺，所述鍋託體設置於石墨坩堝下面，鍋託體由鍋託臺和支架構成，鍋託臺為一個直徑逐漸增大的圓柱形腔體，鍋託臺與石墨坩堝相接觸的表面上設有與凸臺相適應的卡槽，支架設置於鍋託臺的下表面。
2.根據權利要求1所述的單晶爐的加熱裝置，其特徵在於:所述凹槽為正方形，深度為
邊長為 5mm-10mnin
3.根據權利要求1所述的單晶爐的加熱裝置，其特徵在於:所述凹槽均布於石墨坩堝表面。
4.根據權利要求1所述的單晶爐的加熱裝置，其特徵在於:所述石墨坩堝為一個直徑逐漸減小的筒狀結構。
【文檔編號】C30B15/14GK203728960SQ201320824382
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年12月12日 優先權日:2013年12月12日
【發明者】潘燕萍 申請人:常州市天龍光電設備有限公司