深溝槽型功率mos管靜電保護結構製造方法
2023-04-23 18:24:21
專利名稱：深溝槽型功率mos管靜電保護結構製造方法
技術領域：
本發明涉及一種功率MOS電晶體的製造方法，特別是涉及一種深溝槽型功率MOS管的靜電保護結構的製造方法。
背景技術：
隨著功率MOS器件的發展，人們對器件的性能有更高的要求。其中靜電保護結構(Electricity Static Discharge，簡稱ESD)是很重要的一項。在功率MOS器件中增加ESD，已有方法是在原有製造MOS器件工藝流程中通過增加專門用於形成ESD的光刻工序，然後通過離子注入的方法形成ESD的PN結，從而形成ESD。這樣的方法步驟較多，不利於提高性能的同時降低成本。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種深溝槽型功率MOS管的ESD製造方法，它可以減少工程步驟，降低成本。
為解決上述技術問題，本發明所述的一種深溝槽型功率MOS管的靜電保護結構製造方法，包括以下步驟第一步，在深溝槽型功率MOS的阱形成後，對矽表面進行氧化，形成氧化矽膜；第二步，在形成的氧化矽膜上澱積一層多晶矽膜；第三步，對形成的多晶矽膜進行全面的離子注入；第四步，對多晶矽膜刻蝕，去除靜電保護結構區域以外的多晶矽膜；第五步，對MOS管的源區和靜電保護結構區域進行光刻；第六步，對MOS管的源區和靜電保護結構區域進行注入。
本發明的深溝槽型功率MOS管的ESD製造方法是通過ESD多晶矽澱積，然後再通過離子注入在ESD多晶矽上形成ESD中的PN結中的其中一極，在隨後的源注入工序中，在形成源的同時形成ESD中PN結的另一極，從而形成了所需的ESD，不必為形成ESD而進行專門的光刻工序。可以減少工藝步驟，在不增加很多成本的同時有效提高器件的性能。
圖為本發明深溝槽型功率MOS管ESD製造方法工藝流程圖。
具體實施例方式
在製造深溝槽型功率MOS的阱形成工序結束後，在1000℃的環境下對矽表面進行氧化，形成一層厚度為200nm～800nm的SiO2膜。在形成的SiO2膜上用減壓化學氣相澱積的方法進行多晶矽膜的成長，形成一層200nm～800nm的多晶矽膜。對該形成的多晶矽膜進行全面的離子注入，對於P型MOS管的ESD多晶矽膜全面注入磷，注入劑量為2E14，能量為40Kev，注入後該ESD多晶矽膜為N型。對於N型MOS管，ESD多晶矽膜全面注入硼，注入後該ESD多晶矽膜為P型。注入後的極性根據器件類型而定。採用幹法刻蝕的方法，對ESD多晶矽膜進行刻蝕，以去除ESD區域以外的多晶矽膜。對MOS管的源區進行光刻，同時對ESD區域進行光刻。對MOS管的源區進行注入時，對ESD區域也進行注入，注入硼，注入劑量為5E15，注入能量為40Kev。從而在ESD多晶矽膜上形成ESD所需的PN結結構。
權利要求
1.一種深溝槽型功率MOS管的靜電保護結構製造方法，其特徵在於，包括以下步驟第一步，在深溝槽型功率MOS的阱形成後，對矽表面進行氧化，形成氧化矽膜；第二步，在形成的氧化矽膜上澱積一層多晶矽膜；第三步，對形成的多晶矽膜進行全面的離子注入；第四步，對多晶矽膜刻蝕，去除靜電保護結構區域以外的多晶矽膜；第五步，對MOS管的源區和靜電保護結構區域進行光刻；第六步，對MOS管的源區和靜電保護結構區域進行注入。
2.根據權利要求1所述的深溝槽型功率MOS管的靜電保護結構製造方法，其中第一步中氧化矽膜的厚度為200nm～800nm。
3.根據權利要求1所述的深溝槽型功率MOS管的靜電保護結構製造方法，其中第二步中多晶矽膜的沉積採用化學氣相澱積的方法。
4.根據權利要求1所述的深溝槽型功率MOS管的靜電保護結構製造方法，其中第二步中澱積的多晶矽膜的厚度為200nm～800nm。
5.根據權利要求1所述的深溝槽型功率MOS管的靜電保護結構製造方法，其中第四步中所述的刻蝕為幹法刻蝕。
全文摘要
本發明公開了一種深溝槽型功率MOS管的靜電保護結構製造方法。首先澱積靜電保護結構多晶矽，再形成靜電保護結構中的一個PN結，在形成源的同時形成PN結的另一極，從而形成所需的靜電保護結構，不必為形成靜電保護結構而進行專門的光刻工序。可以減少工藝步驟，降低成本。
文檔編號H01L21/3065GK1787193SQ200410089229
公開日2006年6月14日 申請日期2004年12月8日 優先權日2004年12月8日
發明者陳志偉, 居宇涵, 繆進徵 申請人:上海華虹Nec電子有限公司