發光二極體晶粒的製作方法

2023-04-23 21:46:41

專利名稱：發光二極體晶粒的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體結構，尤其涉及一種發光二極體晶粒。
背景技術：
現有的發光二極體(Light Emitting Diode, LED)晶粒包括基板、在基板上生長的磊晶層結構以及電極。磊晶層結構通常包括N型半導體層、有源層、P型半導體層，依次自基板向上生長形成。為使得電流均勻分布以提升晶粒的發光效率，業界通常在P型半導體層和電極之間增設透明電極。然而依次生長於基板上的磊晶層結構遠離基板的頂部邊緣通常為垂直的尖角，請參閱圖1，自有源層3發出的一些光線，如與有源層3之間夾角為Y的光線A射向磊晶層側面2的入射角α較大，從而易於全反射，不利於磊晶層結構的側面的出光，進而影響整個發光二極體晶粒的出光效率。

發明內容
有鑑於此，有必要提供一種出光效率聞的發光_■極管晶粒。一種發光二極體晶粒，包括基板和形成於基板上的磊晶層，該基板包括上表面，該磊晶層包括靠近基板的第一半導體層、遠離基板的第二半導體層、夾設在第一半導體層與第二半導體層之間的有源層，所述磊晶層遠離基板的頂部的邊緣為圓弧角或傾斜的倒角。上述發光二極體晶粒中，將磊晶層的頂部邊緣做成圓弧角或倒角，該圓弧角或倒角可減小光線射向磊晶層側面的入射角，從而減少全反射的機率，利於磊晶層側面的出光，提高發光二極體晶粒整體的發光效率。


圖1是現有技術的發光二極體晶粒的光線出射示意圖。圖2是本發明一實施方式提供的一種發光二極體晶粒的俯視示意圖。圖3是圖2中的發光二極體晶粒沿I1-1I方向的剖視圖。圖4是本發明實施方式提供的發光二極體晶粒的光線出射示意圖。主要元件符號說明 _
權利要求
1.一種發光二極體晶粒，包括基板和形成於基板上的磊晶層，該基板包括上表面，該磊晶層包括靠近基板的第一半導體層、遠離基板的第二半導體層、夾設在第一半導體層與第二半導體層之間的有源層，其特徵在於所述磊晶層遠離基板的頂部的邊緣為圓弧角或傾斜的倒角。
2.如權利要求1所述的發光二極體晶粒，其特徵在於所述圓弧角或傾斜的倒角形成在第二半導體層的邊緣上。
3.如權利要求1所述的發光二極體晶粒，其特徵在於該磊晶層還包括形成在第二半導體層上的透明導電層，所述圓弧角形成在透明導電層與第二半導體層上。
4.如權利要求1所述的發光二極體晶粒，其特徵在於所述磊晶層覆蓋部分基板的上表面，於基板的邊緣形成切割道。
5.如權利要求4所述的發光二極體晶粒，其特徵在於所述切割道的面積佔基板面積的5%至25%。
6.如權利要求4所述的發光二極體晶粒，其特徵在於所述切割道上形成有微結構。
7.如權利要求6所述的發光二極體晶粒，其特徵在於所述切割道上的微結構裸露於空氣中。
8.如權利要求4所述的發光二極體晶粒，其特徵在於所述基板一端的切割道朝向磊晶層延伸形成電極區。
9.如權利要求1所述的發光二極體晶粒，其特徵在於所述第一半導體層為N型氮化鎵半導體層，第二半導體層為P型氮化鎵半導體層。
全文摘要
一種發光二極體晶粒，包括基板和形成於基板上的磊晶層，該基板包括上表面，該磊晶層包括靠近基板的第一半導體層、遠離基板的第二半導體層、夾設在第一半導體層與第二半導體層之間的有源層，所述磊晶層遠離基板的頂部的邊緣為圓弧角或傾斜的倒角，從而利於磊晶層側面的光線的出射，提高發光二極體晶粒的出光效率。
文檔編號H01L33/20GK103066177SQ20111031827
公開日2013年4月24日 申請日期2011年10月19日 優先權日2011年10月19日
發明者洪梓健, 沈佳輝, 彭建忠 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創能源科技股份有限公司