金屬化薄膜電容器薄膜結構的製作方法

2023-04-28 03:02:46 1

本公開一般涉及電容器領域，尤其涉及金屬化薄膜電容器薄膜結構。

背景技術：

薄膜電容(Film Capacitor)器又稱塑料薄膜電容(Plastic Film Capacitor)，其以塑料薄膜為電介質。薄膜電容器是以金屬箔當電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊後，卷繞成圓筒狀的構造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。通常的薄膜電容器其製法是將鋁等金屬箔當成電極和塑料薄膜重疊後卷繞在一起製成。但是另外薄膜電容器又有一種製造法，叫做金屬化薄膜(Metallized Film)，其製法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量大的電容器。

技術實現要素：

鑑於現有技術中的上述缺陷或不足，期望提供一種金屬化薄膜電容器薄膜結構。

一方面，提供一種金屬化薄膜電容器薄膜結構，包括電介質薄膜和覆蓋在所述電介質薄膜上的蒸鍍電極層，所述蒸鍍電極層包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層位於所述第二金屬層上，所述第一金屬層與所述第二金屬層重疊處設有加厚區，所述加厚區寬度為所述第二金屬層寬度的35％-50％。

根據本申請實施例提供的技術方案，通過在電解質薄膜上蒸鍍電極層，並且蒸鍍電極層上設有加厚區，將加厚區設置為其中第二層金屬寬度的35％-50％，在保證原有金屬化薄膜特性不受影響的情況下，降低卷制後芯包的ESR(Equivalent Series Resistance，等效串聯電阻)值。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對非限制性實施例所作的詳細描述，本申請的其它特徵、目的和優點將會變得更明顯：

圖1為本發明實施例中金屬化薄膜電容器薄膜結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本申請作進一步的詳細說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用於解釋相關發明，而非對該發明的限定。另外還需要說明的是，為了便於描述，附圖中僅示出了與發明相關的部分。

需要說明的是，在不衝突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特徵可以相互組合。下面將參考附圖並結合實施例來詳細說明本申請。

請參考圖1，本發明提供一種金屬化薄膜電容器薄膜結構，包括電介質薄膜1和覆蓋在電介質薄膜上的蒸鍍電極層，蒸鍍電極層包括第一金屬層2和第二金屬層3，第一金屬層2位於第二金屬層3上，第一金屬層2與第二金屬層3重疊處設有加厚區4，加厚區4寬度為第二金屬層3寬度的35％-50％。

本發明提供的金屬化薄膜電容器薄膜結構中包括覆蓋在電介質薄膜上的蒸鍍電極層，其中蒸鍍電極層包括兩層金屬層，第一金屬層和第二金屬層重疊處設置有加厚區，加厚區方阻低、耐壓低，非加厚區方阻高、耐壓高，通過兩層金屬層和形成的耐壓區能夠有效降低卷制後芯包的ESR值，並且加厚區的寬度設置為第二金屬層寬度的35％-50％，在工藝製作的要求之內將加厚區的寬度設置為上述值，一方面能夠保證原有金屬化薄膜的特性不受到影響，另一方面能夠有效降低卷制後芯包的ESR值。

加厚區的寬度可以設置為第二金屬層寬度的35％-50％，其中可以設置為35％，40％、45％、50％等等。

進一步的，第一金屬層2前端面21與第二金屬層3前端面處於同一豎直面，第一金屬層2後端面22為斜坡面。

本申請中的第一金屬層和第二金屬層同時進行蒸鍍形成在電介質薄膜上，其中第一金屬層的第一端面與第二金屬層的端面平齊，上述的前端面為附圖1中第一金屬層和第二金屬層的左側端面，上述的後端面為附圖1中第一金屬層的右側端面，第一金屬層的寬度小於第二金屬層，因此在第一金屬層的後端面形成有斜坡面。

進一步的，第一金屬層2前端面21至後端面22中點之間的區域為加厚區4。

其中第一金屬層和第二金屬層重疊的位置設有加厚區，加厚區4在第一金屬層斜坡面的一端，位於斜坡面的中點位置，保證了加厚區寬度的精確，有效降低卷制後芯包的ESR值。

進一步的，加厚區4寬度為第二金屬層3寬度的50％。本發明中優選的將加厚區的寬度設置為第二金屬層寬度的50％，一方面工藝上能夠較容易的達到，不會造成太多的工藝步驟和原材料等的浪費，另一方面，加厚區寬度設置為50％能夠有效提升薄膜的特性，降低卷制後芯包的ESR值。

進一步的，第一金屬層2為鋅金屬層。

進一步的，第二金屬層3為鋁金屬層。本發明中第一金屬層和第二金屬層材料分別為鋅和鋁，這兩種金屬形成的蒸鍍金屬層和形成在蒸鍍金屬層上的加厚區能夠有效提升卷制後芯包的性能。

根據本申請實施例提供的技術方案，通過在電解質薄膜上蒸鍍電極層，並且蒸鍍電極層上設有加厚區，將加厚區設置為其中第二層金屬寬度的35％-50％，在保證原有金屬化薄膜特性不受影響的情況下，降低卷制後芯包的ESR值。

以上描述僅為本申請的較佳實施例以及對所運用技術原理的說明。本領域技術人員應當理解，本申請中所涉及的發明範圍，並不限於上述技術特徵的特定組合而成的技術方案，同時也應涵蓋在不脫離所述發明構思的情況下，由上述技術特徵或其等同特徵進行任意組合而形成的其它技術方案。例如上述特徵與本申請中公開的(但不限於)具有類似功能的技術特徵進行互相替換而形成的技術方案。