一種片式電阻器及其製備方法
2023-04-28 01:36:21
專利名稱：一種片式電阻器及其製備方法
技術領域：
本發明涉及一種片式電阻器及其製造方法，尤其涉及一種引出電極改 進的電阻器及其製備方法。
背景技術：
目前，已有多種片式電阻器的引出電極使用金屬材料作為襯底再在襯底 上電鍍一層一定厚度的鎳金屬層，最後在鎳金屬層上電鍍錫金屬層或錫鉛 金屬。其製備步驟為在基片材質為AU)3在基片下表面的左、右兩側印刷
兩背電極，材質為銀Ag。基片上表面的左、右兩側印刷兩面電極，材質為
銀鈀Ag/pd，經高溫燒結使面、背電極成膜；在絕緣基片f跨接在兩個正面 電極之間印刷電阻體，材質為釕系氧化物電阻漿料，經高溫燒結成膜；一 次玻璃的作用主要是在雷射調阻時保護電阻體，在電阻體上印刷玻璃槳料， 經過乾燥和燒結後形成內保護層；對電阻層b進行雷射修刻直至電阻層b 的阻值進入預定的公差範圍之內；在內保護層的上面印刷保護漿料，經過 乾燥和燒結後形成保護層，通常標記層是在保護層乾燥後印刷上去，跟保 護層一起燒結(或固化)形成。在絕緣基片側面施加電極漿料，經過乾燥 和燒結後形成連接正面電極和背面電極的側面電極，即部份引出電極，或 者通過真空濺射形成側面電極，即部份引出電極，然後經電鍍形成端頭中 間電極和外電極。側面電極、中間電極和外電極組合起來統稱為引出電極。 中國專利CN1437201 —種片式電阻器，具有低電阻、低TCR及高精 度和高可靠性。該電阻器包括基片；至少形成於基片一面上的電阻層， 該層由銅鎳合金製成；與電阻層的兩端部的上面面接觸的上面電極層；及 所形成的覆蓋上面電極層的端面電極，即引出電極。
發明內容
本發明需解決的技術問題是提供一種低阻值段，即阻值小於1歐姆， 具有性能優越、穩定性高、成本低廉、綠色環保的片式電阻產品及其製造 方法。本發明所採用的技術方案是 一種片式電阻器，包括背、面電極、電 阻體、玻璃層、引出電極，所述的引出電極最底層是鎳鉻或銀層，表面層 是錫或錫鉛層，所述引出電極中間層是銅層和鎳層。即所述引出電極的中 間層由內向外依次是銅層與鎳層或者所述引出電極的中間層由內向外依次 是鎳層與銅層。所述的銅層是l 5pm。在片式電阻器引出電極中間增加的 銅層，是電阻率低且溫度係數小的金屬層，可減少引出電極的電阻或降低 弓I出電極阻值隨溫度變化影響產品的特性。
進一步在上述的電阻器的製備方法中，包括在八1203基板上形成電阻
體、附著在A:uo3基板正面和背面的面電極和背電極、附著在電阻體上的玻
璃層和包覆在Al203基板及面電極和背電極兩端的引出電極的形成、雷射調
阻、折粒步驟，在折粒步驟後，將產品放入電鍍槽中電鍍銅金屬層，實現l
5um的銅層鍍層，再將產品放入電鍍槽中電鍍鎳金屬層，最後將產品放入 電鍍槽中電鍍錫金屬層。所述的電鍍銅金屬層時，所採用的陽極是電阻率 低且溫度係數小的金屬，如銅。
或者包括在A:uo:,基板上形成電阻體、附著在Al203基板正面和背面的 面電極和背電極、附著在電阻體上的玻璃層和包覆在A1A基板及面電極和
背電極兩端的端電極的形成、雷射調阻、折粒步驟，在折粒步驟後，將產 品放入電鍍槽中電鍍鎳金屬層，再將產品放入電鍍槽中鍍銅金屬層，實現
1 5um的銅層鍍層，最後將產品放入電鍍槽中電鍍錫金屬層。所述的電鍍 銅金屬層時，所採用的陽極是電阻率低且溫度係數小的金屬，如銅。
實現阻值小於1歐姆，溫度係數小於200PPM廣C，阻值精度小於1。/。， 穩定性高的片阻生產。
具體實施例方式
本發明的主旨是通過在片式電阻器引出電極中間增加一層銅層，該銅層 是電阻率低且溫度係數小的金屬層，可減少引出電極的電阻或降低引出電 極阻值隨溫度變化影響產品的特性。該技術方案可實現低阻值段，即阻值 小於1歐姆，溫度係數小於200PPM/。C，阻值精度小於1%，穩定性高的片阻
生產。下面結合實施例對本發明的內容作進一步詳述，實施例中所提及的 內容並非對本發明的限定。首先，簡述本發明方法的基本方案。 一種片式電阻器，包括背、面電極、電阻體、玻璃層、引出電極，所述的引出電極 最底層是鎳鉻或銀層，表面層是錫或錫鉛層，所述引出電極中間層是銅層 和鎳層。
實施例l
一種片式電阻器，包括背、面電極、電阻體、玻璃層、引出電極，所 述的引出電極最底層是鎳鉻或銀層，表面層是錫或錫鉛層，所述引出電極
中間層由內向外依次是銅層與鎳層，所述的銅層是1 5 U m。
進一步在上述的電阻器的製備方法中，包括在八1203基板上形成電阻 體、附著在Al203基板正面和背面的面電極和背電極、附著在電阻體上的玻 璃層和包覆在八1203基板及面電極和背電極兩端的端電極的形成、雷射調阻、 折粒步驟，在折粒步驟後，將產品放入電鍍槽中電鍍銅金屬層，實現1 5 um的銅層鍍層，再將產品放入電鍍槽中電鍍鎳金屬層，最後將產品放入電 鍍槽中電鍍錫金屬層。所述的電鍍銅金屬層時，所採用的陽極是電阻率低 且溫度係數小的金屬，如銅。
實現阻值小於1歐姆，溫度係數小於200PPM/。C，阻值精度小於1%, 穩定性高的片阻生產。
實施例2
一種片式電阻器，包括背、面電極、電阻體、玻璃層、引出電極，所 述的引出電極最底層是鎳鉻或銀層，表面層是錫或錫鉛層，所述引出電極 中間層由內向外依次是鎳層與銅層。所述的銅層是l 5um。
進一步在上述的電阻器的製備方法中，包括在A1A基板上形成電阻 體、附著在A:U03基板正面和背面的面電極和背電極、附著在電阻體上的玻 璃層和包覆在八1203基板及面電極和背電極兩端的引出電極的形成、雷射調 阻、折粒步驟，在折粒步驟後，將產品放入電鍍槽中電鍍鎳金屬層，再將 產品放入電鍍槽中鍍銅金屬層，實現1 5um的銅層鍍層，最後將產品放 入電鍍槽中電鍍錫金屬層。所述的電鍍銅金屬層時，所採用的陽極是電阻 率低且溫度係數小的金屬，如銅。
實現阻值小於1歐姆，溫度係數小於200PPM/°C，阻值精度小於1%, 穩定性高的片阻生產。
權利要求
1、一種片式電阻器，包括背、面電極、電阻體、玻璃層、引出電極，所述的引出電極最底層是鎳鉻或銀層，表面層是錫或錫鉛層，其特徵在於所述引出電極中間層是銅層和鎳層。
2、 根據權利要求1所述的片式電阻器，其特徵在於所述引出電極 的中間層由內向外依次是銅層與鎳層。
3、 根據權利要求1所述的片式電阻器，其特徵在於所述引出電極 的中間層由內向外依次是鎳層與銅層。
4、 根據權利要求2或3所述的片式電阻器，其特徵在於所述的銅層是1 5 " m。
5、 一種權利要求2片式電阻器的製備方法，包括在Al^基板上形成 電阻體、附著在A1A基板正面和背面的面電極和背電極、附著在電阻體上 的玻璃層和包覆在AU)3基板及面電極和背電極兩端的引出電極的形成、激 光調阻、折粒步驟，其特徵在於在折粒步驟後，將產品放入電鍍槽中電 鍍銅金屬層，實現l 5um的銅層鍍層，再將產品放入電鍍槽中電鍍鎳金 屬層，最後將產品放入電鍍槽中電鍍錫金屬層。
6、 根據權利要求5所述的製備方法，其特徵在於所述的電鍍銅金 屬層時，所採用的陽極是金屬銅。
7、 一種權利要求3片式電阻器的製備方法，包括在A:U03基板上形成 電阻體、附著在Al203基板正面和背面的面電極和背電極、附著在電阻體上 的玻璃層和包覆在八1203基板及面電極和背電極兩端的引出電極的形成、激 光調阻、折粒步驟，其特徵在於在折粒步驟後，將產品放入電鍍槽中電 鍍鎳金屬層，再將產品放入電鍍槽中鍍銅金屬層，實現l 5pm的銅層鍍 層，最後將產品放入電鍍槽中電鍍錫金屬層。
8、 根據權利要求7所述的製備方法，其特徵在於所述的電鍍銅金 屬層時，所採用的陽極是金屬銅。
全文摘要
本發明公開了一種片式電阻器，包括背、面電極、電阻體、玻璃層、引出電極，所述的引出電極最底層是鎳鉻或銀層，表面層是錫或錫鉛層，所述引出電極中間層是銅層和鎳層，其中銅層是電阻率低且溫度係數小的金屬層，可減少引出電極的電阻或降低引出電極阻值隨溫度變化影響產品的特性。實現阻值小於1歐姆，溫度係數小於200PPM/℃，阻值精度小於1％，穩定性高的片阻生產。
文檔編號H01C7/00GK101295569SQ20081002871
公開日2008年10月29日 申請日期2008年6月6日 優先權日2008年6月6日
發明者張遠生, 李志堅, 楊曉平, 林瑞芬, 賴燕瓊 申請人:廣東風華高新科技股份有限公司