聚合物真空鍍膜機的製作方法

2023-05-04 21:26:26 1

本發明涉及一種鍍膜機，尤其涉及一種聚合物真空鍍膜機。

背景技術：

在真空環境中，將材料加熱並鍍到基片上的技術為真空蒸鍍。具體而言，真空蒸鍍是將待成膜的物質置於真空中進行蒸發或升華，使之在工件或基片表面析出的過程。真空蒸鍍中的鍍層通常為鋁膜，但其它鍍層也可通過蒸發沉積形成。然而，現有的鍍膜機結構較為複雜且成本較高，無法充分適應工業化生產的需求，不利於降低鍍膜產品的成本。

有鑑於此，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案。

技術實現要素：

本發明的目的在於提供一種聚合物真空鍍膜機，以克服現有技術中存在的不足。

為實現上述發明目的，本發明提供一種聚合物真空鍍膜機，其包括：真空箱體、鍍膜鼓、擋板、調壓器以及蒸發裝置；

所述鍍膜鼓、擋板以及蒸發裝置位於所述真空箱體內部，所述擋板分布於所述鍍膜鼓的兩側，所述鍍膜鼓部分地自兩側擋板之間的空間伸出，所述蒸發裝置於所述鍍膜鼓下方，所述蒸發裝置與所述鍍膜鼓之間的空間形成蒸鍍升華空間，所述蒸發裝置包括殼體以及設置於所述殼體中的加熱器，所述加熱器上均勻鋪設有聚合物蒸發源，所述調壓器與所述加熱器電性連接。

作為本發明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述鍍膜鼓與兩側擋板之間具有間隙，所述間隙的尺寸大於所述鍍膜鼓上卷繞的基材與基材上鍍層的厚度之和。

作為本發明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述基材為塑料基材。

作為本發明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述塑料基材pet、cpp以及opp中的一種。

作為本發明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述加熱器的蒸發溫度為400℃～500℃，所述鍍膜鼓為低溫鍍膜鼓。

作為本發明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述調壓器控制所述加熱器的蒸發溫度在所述400℃～500℃之間進行調節。

作為本發明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述殼體的頂部開設有蒸發口，所述蒸發口朝向所述蒸鍍升華空間設置，所述加熱器位於所述殼體的底部。

作為本發明的聚合物真空鍍膜機的改進，所述聚合物蒸發源為三聚氰胺蒸發源。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：本發明的聚合物真空鍍膜機具有結構簡單、生產效率高的優點，其能夠在基材上均勻蒸鍍升華聚合物鍍膜。本發明優選採用三聚氰胺進行鍍膜，由於三聚氰胺成本相對低廉，在保護基材的同時，有利於降低鍍膜產品的成本。

附圖說明

圖1為本發明的聚合物真空鍍膜機一具體實施方式的平面結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖所示的各實施方式對本發明進行詳細說明，但應當說明的是，這些實施方式並非對本發明的限制，本領域普通技術人員根據這些實施方式所作的功能、方法、或者結構上的等效變換或替代，均屬於本發明的保護範圍之內。

如圖1所示，本發明的聚合物真空鍍膜機包括：真空箱體10、鍍膜鼓20、擋板30、調壓器40以及蒸發裝置50。所述真空箱體10用於形成真空鍍膜環境，所述鍍膜鼓20、擋板30、調壓器40以及蒸發裝置50位於所述真空箱體10內部。

其中，所述鍍膜鼓20上卷繞有需要進行蒸鍍升華聚合物鍍層的基材1為塑料基材。優選地，所述塑料基材可以為pet、cpp以及opp中的一種。所述擋板30用於在蒸鍍升華時，使蒸鍍料作用於所述鍍膜鼓20的有效位置上，保證蒸鍍升華的均勻性。具體地，所述擋板30分布於所述鍍膜鼓20的兩側，且所述鍍膜鼓20部分地自兩側擋板30之間的空間伸出。如此設置，所述鍍膜鼓20伸出的部分形成蒸鍍升華時的有效位置，其上的基材1與蒸鍍料相接觸實現蒸鍍升華。此外，為了便於蒸鍍升華的進行，所述鍍膜鼓20與兩側擋板30之間具有間隙，所述間隙的尺寸大於所述鍍膜鼓20上卷繞的基材1與基材1上鍍層的厚度之和。

所述蒸發裝置50位於所述鍍膜鼓20下方，所述蒸發裝置50與所述鍍膜鼓20之間的空間形成蒸鍍升華空間2。具體地，所述蒸發裝置50包括殼體51以及設置於所述殼體51底部的加熱器52，其中，所述殼體51頂部開設有蒸發口510，所述蒸發口510朝向所述蒸鍍升華空間2設置，並與所述蒸鍍升華空間2相連通。所述加熱器52上均勻鋪設有聚合物蒸發源53。從而，在所述加熱器52的加熱作用下，所述聚合物蒸發源53受熱蒸發並進入所述蒸鍍升華空間2中。優選地，所述聚合物蒸發源53為三聚氰胺蒸發源，由於三聚氰胺成本相對低廉，如此在保護基材的同時，有利於降低鍍膜產品的成本。此時，所述加熱器52的蒸發溫度為400℃～500℃。此外，為了防止鍍膜時高溫蒸鍍料破壞所述基材1，所述鍍膜鼓20為低溫鍍膜鼓，從而蒸鍍升華時，通過所述低溫鍍膜鼓可實現所述蒸鍍料的瞬間冷卻，降低所述蒸鍍料的溫度。

進一步地，為了對所述加熱器52的加熱溫度進行調節，所述調壓器40與所述加熱器52電性連接，從而，所述調壓器40通過內部配製的控制電路板控制所述加熱器的蒸發溫度在所述400℃～500℃之間進行調節，以使得所述聚合物蒸發源53在適宜的溫度下進行蒸發。

本發明的聚合物真空鍍膜機工作時，加熱器加熱三聚氰胺蒸發源，三聚氰胺蒸發源受熱蒸發進入蒸鍍升華空間中，並進一步通過蒸發口排出，並蒸鍍升華於鍍膜鼓的基材上。同時，隨著鍍膜鼓的自轉，基材上被均勻蒸鍍升華一層三聚氰胺薄膜。

綜上所述，本發明的聚合物真空鍍膜機具有結構簡單、生產效率高的優點，其能夠在基材上均勻蒸鍍升華聚合物鍍膜。本發明優選採用三聚氰胺進行鍍膜，由於三聚氰胺成本相對低廉，在保護基材的同時，有利於降低鍍膜產品的成本。

對於本領域技術人員而言，顯然本發明不限於上述示範性實施例的細節，而且在不背離本發明的精神或基本特徵的情況下，能夠以其他的具體形式實現本發明。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示範性的，而且是非限制性的，本發明的範圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和範圍內的所有變化囊括在本發明內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。

此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但並非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。