Smd2520型晶體諧振器用晶片的製作方法

2023-05-13 23:01:36

專利名稱：Smd2520型晶體諧振器用晶片的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種SMD2520型晶體諧振器用晶片。
背景技術：
在晶體諧振器製造中，需要在晶片部分表面鍍上一層銀，形成晶片的主副電極，使 晶體在電場的作用下形成逆壓電效應。為了保護晶片，一般是將晶片放置在基座內，再使用 上蓋與基座壓封。晶片是利用導電膠固定在基座內部的，其牢固程度直接影響了晶體諧振 器的可靠性。由於導電膠是覆蓋在晶片主副電極的鍍層上，因而固定晶片與基座的粘結強度相 對較差，在受到撞擊後，容易形成晶片鬆動，造成產品的可靠性下降。
發明內容本實用新型的目的是提供一種SMD2520型晶體諧振器用晶片，可以提高晶片與基 座間的粘接強度，提高產品的可靠性。本實用新型是這樣實現的在晶片的主電極引出端和/或副電極引出端點膠區域 設有第一非鍍層區域和/或第二非鍍層區域，該第一非鍍層區域和/或第二非鍍層區域面 積為0. 045 0. 055mm2。點膠後，導電膠覆蓋該非鍍層區域，導電膠與晶片本體直接接觸， 極大的加強了晶片與基座的粘結強度。由於該第一非鍍層區域和/或第二非鍍層區域非鍍層區域面積很小，並且導電膠 覆蓋了周圍和下表面的有鍍層區域，不會對晶體諧振器的電性能造成影響。上述第一非鍍層區域和/或第二非鍍層區域設置在晶片的拐角處，即點膠膠點的 區域，以便於導電膠可以完全覆蓋住該非鍍層區域。經跌落試驗，使用本實用新型晶片的晶體諧振器產品在Im高度3次自由跌落在 厚度為3cm的木地板上，頻率變化在Ippm內，電阻變化在2Ω之內。而常規晶體諧振器頻 率變化一般在2. 5ppm內。振動試驗中，在振動頻率10 55Hz，振幅1. 5mm，周期1. 5分鐘的條件下，循環在 X、Y、Z軸方向各30分鐘，放置1小時後測試變化值。頻率變化在3ppm以內。常規晶體諧 振器頻率變化一般在5ppm內。上述實驗表明其耐跌落和振動的可靠性好，較原設計產品可靠性提高。
圖1為本實用新型結構示意圖；圖2為本實用新型另一實施例結構示意圖。
具體實施方式
如圖1所示，本實用新型晶片1上的主、副電極引出端4、2在晶片1拐角處分別設有第一非鍍層區域5、第二非鍍層區域3，該第一非鍍層區域5、第二非鍍層區域3面積為 0. 045 0. 055mm2,該第一非鍍層區域5、第二非鍍層區域3可以是一塊連續的區域，也可以 是不連續的幾塊。點膠後，導電膠覆蓋該非鍍層區域，導電膠與晶片本體直接接觸，極大的 加強了晶片在基座上的粘結強度。本實用新型也可在一個電極引出端設置非鍍層區域。圖2所示為本實用新型在副 電極引出端設置非鍍層區域的實施例，晶片1上副電極引出端2在晶片1拐角處設有第二 非鍍層區域3。本實用新型也可只在主電極引出端設置第一非鍍層區域。
權利要求1.SMD2520型晶體諧振器用晶片，其特徵在於在晶片(1)的主電極引出端(4)和/或 副電極引出端(2)點膠區域設有第一非鍍層區域(5)和/或第二非鍍層區域(3)，該第一非 鍍層區域(5)和/或第二非鍍層區域(3)面積為0. 045 0. 055mm2。
2.根據權利要求1所述的SMD2520型晶體諧振器用晶片，其特徵在於所述第一非鍍 層區域(5)和/或第二非鍍層區域(3)設置在晶片(1)的拐角處。
專利摘要本實用新型涉及一種SMD2520型晶體諧振器用晶片，在晶片的副電極引出端點膠區域設有一塊非鍍層區域，該非鍍層區域面積為0.045～0.055mm2。本實用新型優點在於導電膠有一部分直接與晶片本體接觸，既不影響產品的導電性能，又加強了晶片與基座之間的粘接強度，從而提高晶體諧振器的可靠性。
文檔編號H03H9/17GK201887728SQ20102054807
公開日2011年6月29日 申請日期2010年9月29日 優先權日2010年9月29日
發明者吳亞華, 吳成秀 申請人:銅陵市峰華電子有限公司