陣列基板的製作方法、陣列基板及顯示裝置製造方法

2023-05-13 08:46:31 2

陣列基板的製作方法、陣列基板及顯示裝置製造方法
【專利摘要】本發明提供了一種陣列基板的製作方法、陣列基板及顯示裝置，該陣列基板的製作方法包括：通過構圖工藝，形成位於第一區域的半導體層和源漏電極層的圖案，所述第一區域為預定用於形成薄膜電晶體的源漏電極的區域；在保留有第一區域的源漏電極層的基板上形成透明導電層；通過構圖工藝，形成第一透明電極和延伸部的圖案；所述延伸部延伸到所述第一區域的預定形成源電極的第一位置的上方；通過構圖工藝，去除所述第一區域中所述第一位置和第二位置之外的源漏電極層，形成源漏電極圖案，所述第二位置為預定形成漏電極的位置。本發明改善了畫面品質。
【專利說明】陣列基板的製作方法、陣列基板及顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示【技術領域】，特別是一種陣列基板的製作方法、陣列基板及顯示裝置。
【背景技術】 [0002]TFT-LCD (Thin-Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜電晶體液晶顯示器)包括彩膜基板、陣列基板和位於所述彩膜基板與陣列基板之間的液晶層，所述陣列基板包括透明基板、以及位於所述透明基板上的多個相互平行的柵線和與所述柵線交叉且電性絕緣的多個數據線，其中，兩相鄰柵線和兩相鄰數據線圍成一個像素單元。
[0003]每個像素單元包括像素電極、存儲電容Cs、液晶電容Clc和作為開關器件的TFT(薄膜電晶體)，Cs和Clc;並行連接於像素電極，且所述像素電極與TFT連接。
[0004]如圖1所示，像素單元的TFT包括源電極101、柵極102、漏電極103和半導體層104，從圖1中可以發現，所述源電極101與所述柵極102交疊。由於這種交疊會產生寄生電容Cgs，其中Cgs的大小和所述源電極與柵極的交疊面積有關。
[0005]針對一個像素單元，在與所述像素單元的TFT的柵極連接的柵線上施加有開啟電壓時，所述TFT處於導通狀態，與所述TFT的漏電極連接的數據線上的數據電壓施加到像素電極上，對與並行連接於所述像素電極的Cs和Clc;進行充電。在與所述TFT的柵極連接的柵線上施加有關閉電壓以使該TFT處於關閉狀態時，施加到像素電極上的電壓會由於寄生電容Cgs的存在而發生跳變，且所述像素電極上的電壓跳變量如下:
[0006]
【權利要求】
1.一種陣列基板的製作方法，其特徵在於，包括: 通過構圖工藝，形成位於第一區域的半導體層和源漏電極層的圖案，所述第一區域為預定用於形成薄膜電晶體的源漏電極的區域； 在保留有第一區域的源漏電極層的基板上形成透明導電層； 通過構圖工藝，形成第一透明電極和延伸部的圖案；所述延伸部延伸到所述第一區域的預定形成源電極的第一位置的上方； 通過構圖工藝，去除所述第一區域中所述第一位置和第二位置之外的源漏電極層，形成源漏電極圖案，所述第二位置為預定形成漏電極的位置。
2.根據權利要求1所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於，還包括: 通過構圖工藝，在襯底基板上形成柵線、柵極和柵絕緣層的圖案； 在柵絕緣層上依次形成半導體層和源漏電極層。
3.根據權利要求2所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於，構成薄膜電晶體的所述柵極、源電極、漏電極和半導體層位於所述柵線所在的區域內。
4.根據權利要求3所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於，所述柵極與所述柵線一體形成。
5.根據權利要求1-3中任意一項所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於，所述通過構圖工藝，形成位於第一區域的半導體層和源漏電極層的圖案的過程中，還形成位於第二區域的源漏電極層的圖案，所述第二區域為預定用於形成數據線的區域。
6.根據權利要求5所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於，所述通過構圖工藝，形成第一透明電極和一延伸部的圖案過程中，還形成位於所述第二位置和第二區域的所述透明導電層的圖案。
7.根據權利要求1-3中任意一項所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於，還包括: 在形成有源漏電極的基板上形成保護層； 通過構圖工藝，在保護層上形成第二透明電極的圖案。
8.根據權利要求7所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極，所述延伸部從所述像素電極延伸到所述第一區域的預定形成源電極的第一位置的上方。
9.根據權利要求7所述的陣列基板的製作方法，其特徵在於，所述第一透明電極為公共電極，所述第二透明電極為像素電極，所述延伸部與所述公共電極電隔離，所述延伸部與像素電極電連接。
10.一種陣列基板，其特徵在於，包括薄膜電晶體和延伸部，所述延伸部位於薄膜電晶體漏極上方，且所述延伸部在所述薄膜電晶體柵極上的正投影，位於所述薄膜電晶體漏極在所述薄膜電晶體柵極的正投影內。
11.一種顯示裝置，包括權利要求10所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L21/84GK103560111SQ201310560022
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年11月12日 優先權日:2013年11月12日
【發明者】嚴允晟, 金熙哲 申請人:京東方科技集團股份有限公司