一種全息防偽離型材料的製備方法與流程
2023-05-18 15:20:41 1
本發明屬於材料技術領域，特別涉及一種全息防偽離型材料的製備方法。
背景技術：
離型膜現已被廣泛應用於包裝、印刷、絲印、移印、銘板、薄膜開關、柔性線路、絕緣製品、線路板、雷射防偽、貼合、電子、密封材料用膜、反光材料、防水材料、醫藥(膏藥用紙)、衛生用紙、膠粘製品、模切衝型加工等行業領域。一般情況下，離型膜附著於對應材料上起前期保護作用。
傳統離型膜基材表面的達因值較低，難以在其表面上印刷商標、文字或圖案以做防偽標識，限制了其在更寬的領域內應用，導致市場上出現很多仿冒知名品牌離型膜的偽劣產品。全息防偽技術是近年來在國內外普遍應用的一項現代化雷射應用技術成果，雷射全息防偽標識可廣泛應用在輕工、醫藥、食品、化妝品、電子行業的名優商標、有價證券、機要證卡及豪華工藝品等。
在電子產品中用到離型膜的也非常多，但是很多傳統的離型膜的配方中都有矽成分，在使用過程中會引發矽轉移，導致電子產品短路。而且普通的離型膜材料也無法滿足全息防偽技術的需要。因此，開發一種全息防偽離型材料顯得十分必要。
技術實現要素：
本發明的目的是提供一種全息防偽離型材料的製備方法，通過該製備方法獲得的離型材料不存在矽轉移現象，殘餘粘著力大，模壓圖像層可以特殊設計，防偽效果好。
本發明的目的可以通過以下技術方案來實現：
一種全息防偽離型材料的製備方法，其步驟包括：
(1)、將多異氰酸酯、醇酸樹脂、引發劑、脂肪酸、過氧化苯甲醯、催化劑、蠟、乙酸酯攪拌，過濾，製成離型劑；
(2)、採用真空鍍鋁技術，在聚酯薄膜上鍍上一層厚度為50nm-5μm的金屬鋁，形成鍍鋁層；
(3)、採用熱壓成型技術，將步驟(2)中製備的鍍鋁聚酯薄膜上製備微圖像；
(4)、採用轉塗技術，將步驟(1)中製備的離型劑塗布在步驟(3)中製備的有微圖像的鍍鋁聚酯薄膜上，製備出全息防偽離型膜。
其中，所述離型劑包含以下重量百分數計的組分：
通過調節多異氰酸酯、醇酸樹脂、脂肪酸及蠟的使用量，可調節離型材料的離型力，使其離型力範圍值為2-2000g。多異氰酸酯、醇酸樹脂的加入量加大，離型力增大，隨著蠟的加入量增大，其離型力將逐漸變小，離型力的可挑性非常大，產品的適用範圍廣。
優選的，所述催化劑為含錫催化劑。
優選的，所述異氰酸酯為二苯甲烷二異氰酸酯或六亞甲基二異氰酸酯。
優選的，所述引發劑為偶氮化合物或過氧化合物中的一種或幾種。
優選的，所述脂肪酸為桐油或脫水蓖麻油。
優選的，所述乙酸酯為乙酸甲酯、乙酸乙酯或乙酸丁酯。
優選的，所述步驟(4)中的離型劑塗布量為0.1-2g/m2。
一種全息防偽離型材料，通過以上方法製備而成。
本發明的有益效果是：
1、本發明製備的全息防偽離型材料中增加了有微圖像鍍鋁層，防偽效果非常顯著。
2、本發明製備的全息防偽離型材料的耐高溫性能好，可耐150℃以上的高溫半小時，離型力範圍值為2-2000g可以任意設計和調整，使用範圍非常廣範。
3.鍍鋁的厚度可以改變離型膜的可見光透過率，可以製備透明，半透明，不透明的離型膜。
4.鍍鋁的厚度可以改變離型膜的反光程度，可以製備強反光，弱反光的離型膜。
具體實施方式
下面結合實施例，對本發明作進一步說明：
原料：
實施例1
(1)離型劑的製備：
稱量以下原材料按照重量百分數計：
在40℃條件下加入原料，再升溫，溫度控制在40-60℃，攪拌反應90分鐘即可。
(2)全息防偽離型材料的製備
在真空度為1.3*10-3pa的條件下，採用真空鍍鋁技術，在聚酯薄膜上鍍上一層厚度為1微米的鋁層；
採用光蝕刻技術製版，製成所需凹凸圖像的母板，然後用熱模壓技術，將母版上的圖像印在聚酯薄膜上；
採用轉塗技術，將製備的離型劑塗布在鍍鋁層上，塗布量為0.1g/m2，經過溫度為100-150℃的烘箱乾燥和反應固化，收卷即得全息防偽離型材料。
測試經過：上述全息防偽離型材料的離型力為1200g，防偽效果非常好，可耐150℃的高溫，無矽轉移現象，可用於電器電路等設備中。
實施例2
(2)離型劑的製備：
稱量以下原材料按照重量百分數計：
在40℃條件下加入原料，再升溫，溫度控制在40-60℃，攪拌反應90分鐘即可。
(2)全息防偽專用離型材料的製備
在真空度為1.3*10-3pa的條件下，採用真空鍍鋁技術，在聚酯薄膜上鍍上一層厚度為1.5微米的鋁層；
採用光蝕刻技術製版，製成所需凹凸圖像的母板，然後用熱模壓技術，將母版上的圖像印在聚酯薄膜上；
採用轉塗技術，將製備的離型劑塗布在鍍鋁層上，塗布量為0.1g/m2，經過溫度為100-150℃的烘箱乾燥和反應固化，收卷即得全息防偽離型材料。
測試經過：上述全息防偽專用離型材料的離型力為500g，可耐150℃的高溫，無矽轉移現象，可用於電器電路等設備中。
實施例3
(1)離型劑的製備：
稱量以下原材料按照重量百分數計：
在40℃條件下加入原料，再升溫，溫度控制在40-60℃，攪拌反應90分鐘即可。
(2)全息防偽專用離型材料的製備
在真空度為1.3*10-3pa的條件下，採用真空鍍鋁技術，在聚酯薄膜上鍍上一層厚度為2微米的鋁層；
採用光蝕刻技術製版，製成所需凹凸圖像的母板，然後用熱模壓技術，將母版上的圖像印在聚酯薄膜上；
採用轉塗技術，將製備的離型劑塗布在鍍鋁層上，塗布量為0.1g/m2，經過溫度為100-150℃的烘箱乾燥和反應固化，收卷即得全息防偽離型材料
測試經過：上述全息防偽專用離型材料的離型力為750g，防偽效果非常好，可耐150℃的高溫，無矽轉移現象，可用於電器電路等設備中。