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一種高亮度OLED顯示器的製作方法

2023-05-09 15:58:52


本發明涉及到OLED顯示器技術領域,具體涉及到OLED顯示器的像素主體結構改進方面。



背景技術:

平板顯示技術近年來發展迅速,廣泛應用於手機、電腦、工業儀器以及家電等等。其中OLED顯示技術具有快速響應,主動發光,視角寬,高對比度,穩定抗震性好等諸多優勢,被視為下一代高性能顯示器的最佳替代技術。雖然發展迅猛,但OLED也面臨些困難點,尤其是發光效率相對較低,導致顯示亮度偏低。

參照圖1中所示,傳統OLED顯示器中每個子像素由發光材料以及電極形成的三明治結構,發光材料單層平鋪,空間利用率不高,因而發光亮度受到限制。



技術實現要素:

綜上所述,本發明的目的在於解決現有的OLED顯示器顯示亮度偏低的技術不足,而提出一種高亮度OLED顯示器。

為解決本發明所提出的技術問題,採用的技術方案為:一種高亮度OLED顯示器,包括有基板和矩陣排布在基板上的顯示像素,每個顯示像素至少包含一個由陽極、陰極及夾於陽極與陰極之間的發光材料層構成的像素主體;其特徵在於:所述的陽極和陰極均為透明電極,陽極和\或陰極包含兩層以上的子電極層,相鄰兩陽極子電極層之間的夾層中設有陰極子電極層,相鄰的陽極子電極層與陰極子電極層之間的夾層中設有發光材料層。

作為發明進一步改進的技術方案的為:

所述的相鄰兩發光材料層邊緣相連接,各發光材料層截面為繞各陽極子電極層和陰極子電極層之間夾層往返的蛇形結構。

所述的基板為透明基板。

所述的基板與像素主體之間設有絕緣層,在絕緣層中與各像素主體對應位置設有用於驅動像素主體的TFT驅動電路。

所述的發光材料層與陰極子電極層之間還包含電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的其中一層,或兩層以上的組合;發光材料層與陽極子電極層之間還包含空穴注入層、空穴傳輸層及電子阻擋層中的其中一層,或兩層以上的組合。

所述的發光材料層採用小分子發光材料或者高分子聚合物發光材料或者是兩者的混合物。

本發明的有益效果為:本發明的像素主體採用將傳統單層電極改為多層子電極,可以在有限的佔有面積內增大發光材料的面積,顯著提高單位面積的發光亮度;提高空間利用率,在相同亮度需求下,可以降低發光電流,減少功耗,延長發光材料的壽命。

附圖說明

圖1為本傳統OLED顯示器的結構示意圖;

圖2為本發明為PMOLED顯示器,且採用兩層陽極子電極層和一層陰極子電極層時的結構示意圖;

圖3為本發明為PMOLED顯示器,且採用兩層陽極子電極層和兩層陰極子電極層時的結構示意圖;

圖4為本發明為AMOLED顯示器時的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖和本發明優選的具體的實施例對本發明的結構作進一步地說明。

參照圖2中所示,本發明高亮度OLED顯示器,包括有基板1和矩陣排布在基板上的顯示像素,每個顯示像素至少包含一個由陽極21、陰極22及夾於陽極21與陰極22之間的發光材料層23構成的像素主體;對於彩色OLED顯示器,每個顯示像素一般包含有用於分別顯示紅、綠、藍三色的三個像素主體。

所述的陽極21和陰極22均為透明電極,陽極21包含兩層陽極子電極層,陰極22包含一層陰極子電極層,陰極子電極層設於兩層陽極子電極層之間,陰極子電極層與兩層陽極子電極層之間的夾層中設有發光材料層。陽極子電極層、發光材料層及陰極子電極層可以採用現有的蒸鍍方法或者採用旋塗或印刷等液相方法成膜於基板1上。

參照圖3中所示,陽極21包含兩層陽極子電極層,陰極22也包含兩層陰極子電極層,各陽極子電極層與各陰極子電極層交替分布,相鄰的陽極子電極層與陰極子電極層之間的夾層中設有發光材料層23。

所述的相鄰兩發光材料層23邊緣相連接,各發光材料層截面為繞各陽極子電極層和陰極子電極層之間夾層往返的蛇形結構。也即是相鄰的陽極子電極層與陰極子電極層之間通過發光材料進行隔離。發光材料層採用小分子發光材料或者高分子聚合物發光材料或者兩者的混合物。根據需要所述的發光材料層與陰極子電極層之間還包含電子注入層、電子傳輸層、空穴阻擋層中的其中一層,或兩層以上的組合;發光材料層與陽極子電極層之間還包含空穴注入層、空穴傳輸層及電子阻擋層中的其中一層,或兩層以上的組合。

由於陽極和陰極均為透明電極,基板1採用透明基板,則可實現全透明顯示器的技術效果。

按照圖2和圖3的原理推導,可以實現陽極或陰極包含兩層以上的子電極層,或者陽極和陰極均包含兩層以上的子電極層,兩種不同子電極層交替堆疊,兩種不同子電極層之間通過發光材料層進行隔離。在有限的開口空間,可以平鋪更大面積的發光材料,從而可以將像素主體的發光亮度提升數倍。

參照圖4中所示,基板1與像素主體之間設有絕緣層3,在絕緣層3中與各像素主體對應位置設有用於驅動像素主體的TFT驅動電路4;也即是本發明不僅適用於上述PMOLED顯示器,也適用於AMOLED顯示器,在每個子像素上增加TFT驅動電路。

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