動態隨機存取存儲器的集成電路的製作方法
2023-05-23 23:08:36 1
專利名稱：動態隨機存取存儲器的集成電路的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種集成電路，尤指一種具有動態隨機存取存儲器的集成電路。
早期的動態隨機存取存儲器集成電路，系以TSOP或SOJ封裝技術，將一動態隨機存取存儲器晶片利用一封裝體封裝於其中。而該動態隨機存取存儲器晶片則與若干個引腳電連接，也因此造成該動態隨機存取存儲器集成電路的面積較大，故其所需用之材料也比較多，相對的其成本自然的也會提高。
當然社會不斷的在進步，科技的發達更是大家有目共睹的。為了研發出具有智慧與記憶的產品，目前對於高容量的動態隨機存取存儲器的要求也逐漸的提高。若能以最低成本購得性能卓越的動態隨機存取存儲器更是人人所期待的。
因此，本實用新型的目的仍針對以上之動態隨機存儲器集成電路的種種缺點，想出了一完美萬全的方法，來進行改進，足以改善早期作法之缺陷。
本實用新型的技術方案是這樣的，一種動態隨機存取存儲器的集成電路，其包含一動態隨機存取存儲器晶片；一封裝體，封裝該動態隨機存取存儲器晶片於其中；以及若干個接點，系與該動態隨機存取存儲器晶片電連接，且利用一若干個微間距規則排列接點封裝技術形成於該封裝體表面。
如以上所述的集成電路，較佳，其中該動態隨機存取存儲器晶片經由若干條金線接往若干個金手指。而該金手指系電連接至該若干個接點。該若干個接點則係指若干個微間距規則排列的接點。而該若干個微間距規則排列接點又係指若干個微間距球柵陣列(FBGA)的接點。
如以上所述的集成電路，較佳，其中該動態隨機存取存儲器晶片為該封裝體所封裝系使該動態隨機存取存儲器晶片不易損壞。
如以上所述的集成電路，較佳，其中該動態隨機存取存儲器集成電路的面積與該動態隨機存取存儲器晶片的面積比率趨近於1。由於該動態隨機存取存儲器集成電路的面積與該動態隨機存取存儲器晶片的面積比率趨近於1，故可節省該封裝體。
如以上所述的集成電路，較佳，其中該封裝體系為一絕緣體，係為避免該動態隨機存取存儲器集成電路之間發生短路。而該封裝體則係為保護該動態隨機存取存儲器晶片，使該動態隨機存取存儲器晶片不易損壞。
如以上所述的集成電路，較佳，其中該若干個接點係為若干個規則排列接點，而該若干規則排列接點係指若干個微間距球柵陣列(FBGA)之接點。
如以上所述的集成電路，較佳，其中該若干個微間距規則排列接點係指若干個微間距球柵陣列(FBGA)的接點。而該若干個微間距球狀點陣列的接點之間距系小於1.0毫米。
本實用新型得藉由下列圖式及詳細說明，俾得一更深入之了解
圖1本實用新型較佳實施例的動態隨機存取存儲器的集成電路剖析圖。
圖2本實用新型較佳實施例的動態隨機存取存儲器的集成電路之整體圖。
圖3TSOP與FBGA的尺寸比較圖示。
請參見圖1所示，本實用新型的動態隨機存取存儲器的集成電路系包含一動態隨機存取存儲器晶片1，一封裝體2以及若干個球狀點陣列的接點3。
而該動態隨機存取存儲器晶片1系由該封裝體2封裝於其中，用以保護該動態隨機存取存儲器晶片1，使其不易損壞。除此之外，該封裝體2也系一絕緣體，使避免該動態隨機存取存儲器集成電路之間發生短路。由於該動態隨機存取存儲器集成電路的面積與該動態隨機存取存儲器晶片的面積比率趨近於1，故可節省該封裝體2。
該動態隨機存取存儲器晶片1需經由若干條金線4接往若干個金手指5，再由該若干個金手指電連接至該若干個球狀點陣列之接點3。其中該若干個球狀點陣列的接點3系利用一微間距球柵陣列(FBGA)封裝技術形成於該封裝體表面。當然，該若干個球狀點陣列之接點係指若干個微間距規則排列接點。其中該若干個球狀點陣列接點之間距小於1.0毫米。
請參見圖2所示，由該圖可清析看出上圖組合後的概觀。
本實用新型的特點在於利用微間距球柵陣列(FBGA，FinePitfchBallGridArray)封裝技術來封裝動態隨機存取存儲器(DRAM)晶片，使得封裝完成的動態隨機存取存儲器其面積比現有的小很多，如此一來，即可減小其在電路板的佔用的空間，進而減少整體的成本。
圖3為現有TSOP封裝的存儲器與本實用新型FBGA封裝的存儲器的比較。對同64MB的SDRAM而言，TSOP封裝為22.30×11.80＝363mm2，而FBGA封裝為19.11mm×11.10＝212.12mm2，二者相較之下363/212，前者比後者在面積上大1.24倍。而在16MB的SDRAM及16MB的EDORAM而言更有3.2倍的差距。由此可知，藉由FBGA封裝的存儲器具有小尺寸的技術特徵。
其次，在其他功效上，FBGA封裝技術可加強DRAM的電性，且散熱較佳(因為晶片的發熱可大部份由球狀接點直接輸出至印刷電路板上，散熱路徑比現有的TSOP更短，更直接。
由上述的附圖及說明，我們可得以下幾點結論一，本實用新型的動態隨機存取存儲器的集成電路之面積小。
二，由於該動態隨機存取存儲器晶片直接透過該金線與金手指電連接至該若干個接點，故其電性極佳，即訊號傳輸路徑比現有的短。
三，提高了產品的競爭力。
權利要求1.一種動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於其包含一動態隨機存取存儲器晶片；一封裝體，封裝該動態隨機存取存儲器晶片於其中；以及若干個接點，系與該動態隨機存取存儲器晶片電連接，且利用一微間距球柵陣列封裝技術形成於該封裝體表面。
2.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於該動態隨機存取存儲器晶片經由若干條金線接往若干個金手指。
3.根據權利要求2所述的動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於該若干個金手指系電連接至該若干個接點。
4.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於該動態隨機存取存儲器面體電路的面積與該動態隨機存取存儲器晶片的面積比率趨近於1。
5.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於該封裝體系為一絕緣體。
6.根據權利要求1或3所述的動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於該若干個接點係為若干個規則排列接點。
7.根據權利要求6所述的動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於該若干個規則排列接點係指若干個微間距球柵陣列的接點。
8.根據權利要求7所述的動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於該若干個微間距規則排列接點係指一微間距球柵陣列的接點。
9.根據權利要求8所述的動態隨機存取存儲器的集成電路，其特徵在於該若干個微間距球狀點陣列的接點之間距系小於1.0毫米。
專利摘要一種動態隨機存取存儲器的集成電路，包含一動態隨機存取存儲器晶片；一封裝體以及若干微間距球狀點陣列的接點。其中動態隨機存取存儲器晶片系由封裝體封裝於其中，以加以保護，使其不易損壞。而封裝體則係為一絕緣體，以避免動態隨機存取存儲器集成電路之間發生短路。動態隨機存取存儲器晶片需經由若干金屬線接往若干金手指，再由金手指電連接至微間距球狀點陣列的接點。而所述各接點利用一微間距球柵陣列封裝技術形成於該封裝體表面。
文檔編號H01L21/02GK2354241SQ98233490
公開日1999年12月15日 申請日期1998年12月23日 優先權日1998年12月23日
發明者杜修文, 邱詠盛, 周鏡海, 彭國峰, 林振發, 葉乃華, 何孟南, 閻俊傑, 陳建生, 陳文銓, 陳明輝 申請人:勝開科技股份有限公司