發光二極體晶片及其製造方法

2023-04-23 05:36:46 2

專利名稱：發光二極體晶片及其製造方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體發光元件，尤其涉及一種發光二極體晶片及其製造方法。
背景技術：
隨著發光二極體器件逐步應用於大功率照明，發光二極體器件產生越來越多的熱 量，如果不能有效散發發光二極體器件所產生的熱量，將降低發光二極體的使用壽命。然， 發光二極體的基板通常採用藍寶石，藍寶石的熱傳導係數相對較低，其導熱性能並不能完 全滿足大功率發光二極體器件的散熱需要。

發明內容
有鑑於此，有必要提供一種散熱性能較佳的發光二極體晶片及其製造方法。一種發光二極體晶片，包括基板及具有p-n結的半導體發光結構，基板包括相對 設置的第一表面及第二表面，該具有P-n結的半導體發光結構形成於該基板的第一表面 上，基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔內填充導熱材料以形成導熱柱。一種發光二極體晶片的製造方法，包括提供一基板，該基板包括相對設置的第一 表面及第二表面，該基板的第一表面上形成具有P-n結的半導體發光結構；該基板的第二 表面形成若干盲孔；每一盲孔內填充導熱材料形成導熱柱。與現有技術相比，本發明的基板上形成導熱柱，提高基板的熱傳導係數，增強基板 的導熱性能。


圖1為本發明發光二極體晶片一較佳實施例的剖面示意圖。圖2為本發明發光二極體晶片製造方法的流程圖。主要元件符號說明
權利要求
1.一種發光二極體晶片，包括基板及具有p-n結的半導體發光結構，基板包括相對設 置的第一表面及第二表面，該具有p-n結的半導體發光結構形成於該基板的第一表面上， 其特徵在於基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔內填充導熱材料以形成導熱柱。
2.如權利要求1所述的發光二極體晶片，其特徵在於該導熱材料為銅。
3.如權利要求1所述的發光二極體晶片，其特徵在於該基板為藍寶石基板。
4.如權利要求1所述的發光二極體晶片，其特徵在於該具有p-n結的半導體發光結 構包括η型半導體層、P型半導體層、第一電極及第二電極，η型半導體層及P型半導體層堆 疊於基板的第一表面上，第一電極與η型半導體層連接，第二電極與P型半導體層連接。
5.如權利要求4所述的發光二極體晶片，其特徵在於該η型半導體層及ρ型半導體 層之間具有活性層。
6.一種發光二極體晶片的製造方法，包括提供一基板，該基板包括相對設置的第一表面及第二表面，該基板的第一表面上形成 具有P-n結的半導體發光結構；該基板的第二表面形成若干盲孔；每一盲孔內填充導熱材料形成導熱柱。
7.如權利要求6所述的發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於採用蝕刻方式在該 基板的第二表面形成該若干盲孔。
8.如權利要求6所述的發光二極體晶片的製造方法，其特徵在於該導熱柱是在每一 盲孔內鍍銅形成。
全文摘要
一種發光二極體晶片，包括基板及具有p-n結的半導體發光結構，基板包括相對設置的第一表面及第二表面，該具有p-n結的半導體發光結構形成於該基板的第一表面上，基板的第二表面形成若干盲孔，每一盲孔內填充導熱材料以形成導熱柱。與現有技術相比，本發明的基板上形成導熱柱，提高基板的熱傳導係數，增強基板的導熱性能。本發明還公開一種發光二極體晶片的製造方法。
文檔編號H01L33/64GK102082222SQ20091031072
公開日2011年6月1日 申請日期2009年12月1日 優先權日2009年12月1日
發明者林大為 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 鴻海精密工業股份有限公司