一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝及其應用的製作方法

2023-04-23 03:06:16

一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝及其應用的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，採用多波形電鍍電源，通過調整多波形電鍍電源的電流波形、電流密度，將不同電流波形、電流密度的電源輸送至電鍍槽，在同一電鍍槽內使同一鍍鎳液按不同晶粒結晶度、不同鍍層厚度完成多層鍍鎳。其工藝簡單、節約成本、電鍍質量受控且質量好。
【專利說明】一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝及其應用

【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種鍍鎳工藝，具體說是一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，具體是 電子電鍍與防腐電鍍的多層鎳應用。

【背景技術】
[0002] 電子元器件和一般工業金屬零部件鍍鎳時，為了提高其防腐能力，國內外一般採 用三槽法配以三種不同的鍍鎳液和不同的電流密度來獲得三層含硫量不同的鍍鎳層，利用 其含硫量不同，則腐蝕電極電位不同的原理來提高金屬件的防腐能力。多設備、多鍍鎳液工 藝複雜、電鍍成本高，且電鍍工藝不易控制，電鍍質量差。


【發明內容】

[0003] 針對現有技術中多設備、多鍍鎳液的鍍鎳工藝的不組，本發明提供了一種工藝簡 單、節約成本、電鍍質量受控且質量好的晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝及其應用。
[0004] 本發明採用的技術方案是：一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於採用 多波形電鍍電源，通過調整多波形電鍍電源的電流波形、電流密度，將不同電流波形、電流 密度的電源輸送至電鍍槽，在同一電鍍槽內使同一鍍鎳液按不同晶粒結晶度、不同鍍層厚 度完成多層鍍鎳。
[0005] 本發明的優選方案為：所述電流波形包括直流、脈衝電流和換向脈衝電流。
[0006] 本發明的優選方案為：所述電流密度為0. l-10A/dm2。
[0007] 本發明的優選方案為：所述電流密度優選為0. 5-lA/dm2。
[0008] 本發明的優選方案為：所述直流電鍍時間為ls-30min ;所述脈衝電流工作比為 0. 1-1.0 : 0.5-5,工作時間為50-70 : 30-50ms，電鍍時間為ls-30min;所述換向脈衝電流 工作比為〇· 1-1. 0 : 〇· 5-3,換向時間為140-800ms，電鍍時間為ls-20min。
[0009] 本發明的優選方案為：所述直流電鍍時間優選5s-10min ;所述脈衝電流工作比優 選0. 1-0. 5 : 0. 5-2,工作時間為50-70 : 30-50ms，電鍍時間優選2s-10min ;所述換向脈 衝電流工作比優選〇. 1-0. 4 : 0. 6-1，換向時間為140-800ms，電鍍時間優選2s-10min。
[0010] 本發明的優選方案為：所述直流電鍍時間優選l〇s-5min ;所述脈衝電流工作比優 選0. 1-0. 2 : 0. 8-0. 9,工作時間為50-70 : 30-50ms，電鍍時間優選6s-3min ;所述換向脈 衝電流工作比優選〇. 1-0. 4 : 0. 6-1，換向時間為140-800ms，電鍍時間優選4s-2min。
[0011] 本發明的優選方案為：所述鍍鎳液為瓦特鍍鎳液、半光亮鍍鎳液或光亮鍍鎳液。
[0012] 本發明的優選方案為：所述每升鍍鎳液含硫酸鎳0.9-1. 14mol，氯化鎳 0· 15-0. 21mol，硼酸 0· 6-0. 8mol，光亮劑 0-0· 012mol，表面活性劑 10-50ppm ;PH 值為 3.5-4. 1，溫度 40-45 °C。
[0013] 一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝的應用，在微電子、半導體器件和電子元件及 金屬零件的鍍鎳中應用。
[0014] 本發明採用一臺電流波形可自動轉換、電流密度可跟蹤調整的多波形電鍍電源，
【權利要求】
1. 一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：採用多波形電鍍電源，通過調整 多波形電鍍電源的電流波形、電流密度，將不同電流波形、電流密度的電源輸送至電鍍槽， 在同一電鍍槽內使同一鍍鎳液按不同晶粒結晶度、不同鍍層厚度完成多層鍍鎳。
2. 根據權利要求1所述的一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：所述電流 波形包括直流、脈衝電流和換向脈衝電流。
3. 根據權利要求1所述的一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：所述電流 密度為 〇. l-l〇A/dm2。
4. 根據權利要求3所述的一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：所述電流 密度優選為〇. 5-lA/dm2。
5. 根據權利要求1所述的一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：所 述直流電鍍時間為ls-30min;所述脈衝電流工作比為0.1-1. 0 : 0.5-5,工作時間為 50-70 : 30-50ms，電鍍時間為ls-30min;所述換向脈衝電流工作比為0.1-1. 0 : 0.5-3,換 向時間為140-800ms，電鍍時間為ls-20min。
6. 根據權利要求5所述的一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：所 述直流電鍍時間優選5s-10min;所述脈衝電流工作比優選0.1-0. 5 : 0.5-2,工作 時間為50-70 : 30-50ms，電鍍時間優選2s-10min ;所述換向脈衝電流工作比優選 0. 1-0. 4 : 0. 6-1，換向時間為140-800ms，電鍍時間優選2s-10min。
7. 根據權利要求6所述的一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：所 述直流電鍍時間優選l〇s-5min;所述脈衝電流工作比優選0. 1-0.2 : 0.8-0.9,工 作時間為50-70 : 30-50ms，電鍍時間優選6s-3min ;所述換向脈衝電流工作比優選 0. 1-0. 4 : 0. 6-1，換向時間為140-800ms，電鍍時間優選4s-2min。
8. 根據權利要求1所述的一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：所述鍍鎳 液為瓦特鍍鎳液、半光亮鍍鎳液或光亮鍍鎳液。
9. 根據權利要求1所述的一種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝，其特徵在於：所述 每升鍍鎳液含硫酸鎳0.9-1. 14mol，氯化鎳0· 15-0. 21mol，硼酸0.6-0. 8mol，光亮劑 0-0· 012mol，表面活性劑 10-50ppm ;PH 值為 3. 5-4. 1，溫度 40-45°C。
10. -種晶振蓋板單槽法鍍多層鎳工藝的應用，在微電子、半導體器件和電子元件及金 屬零件的鍍鎳中應用。
【文檔編號】C25D5/18GK104087988SQ201310109634
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2013年4月1日 優先權日:2013年4月1日
【發明者】包信海 申請人:包信海