鈍化層溶液組合物、薄膜電晶體陣列板及其製造方法
2023-04-23 11:16:26
專利名稱：鈍化層溶液組合物、薄膜電晶體陣列板及其製造方法
技術領域：
本發明涉及鈍化層溶液組合物、薄膜電晶體陣列板和所述薄膜電晶體陣列板的製造方法。
背景技術：
通常，薄膜電晶體(TFT)陣列板用作用於獨立地驅動在液晶顯示器或有機電致發光(EL)顯示器中的像素的電路板。薄膜電晶體陣列板包括傳輸掃描信號的掃描信號線或柵極線、傳輸圖像信號的圖像信號線或數據線、連接到所述柵極線和數據線的薄膜電晶體、和連接到所述薄膜電晶體的像素電極。薄膜電晶體包括柵電極(其為柵極布線(線路，wire)的一部分)、形成溝道的半導體層、源電極(其為數據布線的一部分)和漏電極。薄膜電晶體為根據通過柵極線傳輸的掃描信號控制通過數據布線傳輸到像素電極的圖像信號的開關元件。當使用氧化物半導體作為半導體層和銅作為具有低電阻的布線時，在使用由常規的氧化矽或氮化矽製成的鈍化層時，未實現期望的薄膜電晶體特性且布線(wiring)表面可被氧化。
發明內容
本發明的實施方式提供鈍化層溶液組合物、薄膜電晶體陣列板及其製造方法，以提供當使用氧化物半導體作為半導體層和銅作為具有低電阻的布線路的以上問題的解決方案。根據本發明的示例性實施方式的鈍化層溶液組合物包括由以下化學式I表示的有機矽氧燒樹脂:
權利要求
1.鈍化層溶液組合物，包括由以下化學式I表示的有機矽氧烷樹脂:
2.權利要求1的鈍化層溶液組合物，進一步包括溶劑，所述溶劑包括丙二醇單甲醚和丙二醇單乙基醚乙酸酯的一種或多種。
3.權利要求2的鈍化層溶液組合物，其中所述有機矽氧烷樹脂含量為4重量％-25重量％，基於所述鈍化層溶液組合物的總重量。
4.權利要求3的鈍化層溶液組合物，其中在化學式I中，R包括選自甲基、乙烯基和苯基的至少一種取代基。
5.權利要求4的鈍化層溶液組合物，其中所述有機矽氧烷樹脂具有100-10，000的重均分子量。
6.薄膜電晶體陣列板，包括: 基板； 設置在所述基板上的柵極線、半導體層、以及包括漏電極和源電極的數據線；和 設置在所述柵極線、半導體層和數據線上的鈍化層，所述鈍化層包括由以下化學式I表不的有機娃氧燒樹脂:
7.權利要求6的薄膜電晶體陣列板，其中所述半導體層由氧化物半導體形成。
8.權利要求7的薄膜電晶體陣列板，其中所述柵極線包括:包括鈦、鉭和鑰的至少一種的下部層；和包括銅或銅合金的上部層。
9.權利要求8的薄膜電晶體陣列板，其中所述數據線包括:包括鈦、鉭和鑰的至少一種的下部層；和包括銅或銅合金的上部層。
10.權利要求9的薄膜電晶體陣列板，進一步包括 設置在所述鈍化層上的像素電極， 其中所述鈍化層具有接觸孔，和所述像素電極通過所述接觸孔連接到所述漏電極。
11.權利要求10的薄膜電晶體陣列板，其中在化學式I中，R包括選自甲基、乙烯基和苯基的至少一種取代基。
12.權利要求11的薄膜電晶體陣列板，其中所述有機矽氧烷樹脂具有100-10，000的重均分子量。
13.權利要求6的薄膜電晶體陣列板，進一步包括設置在所述基板上的柵極絕緣層。
14.權利要求13的薄膜電晶體陣列板，其中所述柵極絕緣層包括選自氧化矽、氮化矽和氧氮化矽的至少一種絕緣材料。
15.薄膜電晶體陣列板的製造方法，包括: 在基板上形成包括如下的薄膜電晶體:柵極線、半導體層、以及包括漏電極和源電極的數據線； 塗覆包括由化學式I表示的有機矽氧烷樹脂的溶液:
全文摘要
提供鈍化層溶液組合物、薄膜電晶體陣列板及其製造方法。根據本發明的示例性實施方式的鈍化層溶液組合物包括由以下化學式1表示的有機矽氧烷樹脂。在化學式1中，R為選自具有1-約25個碳原子的飽和烴及不飽和烴的至少一種取代基，且x和y可各自獨立地為1-約200，和其中各波浪線表示到H原子或到x矽氧烷單元或y矽氧烷單元的鍵、或到包括x矽氧烷單元或y矽氧烷單元或其組合的另一矽氧烷鏈的x矽氧烷單元或y矽氧烷單元的鍵。[化學式1]
文檔編號C09D183/07GK103102801SQ20121039257
公開日2013年5月15日 申請日期2012年10月16日 優先權日2011年10月19日
發明者安秉鬥, 延昇浩, 樸世容, 樸美蕙, 宋夫燮, 李泰權, 樸埈賢, 李制勳, 樸在佑 申請人:三星顯示有限公司, 三星精密化學株式會社