背鍍晶片的切割方法
2023-04-22 23:33:46 2
專利名稱：背鍍晶片的切割方法
技術領域：
本發明涉及晶片的切割方法，更具體地說，涉及一種背鍍晶片的切割方法。
背景技術：
晶片的雷射切割目前一般採用背面切割，正面裂片的方法。這種方法要求 襯底背面是拋光的，從背面可以看到正面的電極圖形，以便雷射劃片機進行對
點，即對準位置。但是近年來出現了很多LED新工藝和新技術，旨在提高亮度， 比如背面粗化，正面粗化，背面鍍金屬膜等等。這些新工藝使襯底不再透明， 因而無法從背看見正面的圖像，不能用正常的方法進行切割。
發明內容
本發明要解決的技術問題在於，針對現有技術的上述不能正常切割的缺陷， 提供一種背鍍晶片的切割方法。
本發明解決其技術問題所採用的技術方案是構造一種背鍍晶片的切割方
法，其特徵在於，包括如下步驟 Al)磨片
A2)在晶片的切割道處貼保護膜； A3)蒸鍍；
A4)取下保護膜，進行雷射劃片。在本發明所述的背鍍晶片的切割方法中，所述保護膜為高溫膠帶。 在本發明所述的背鍍晶片的切割方法中，所述膠帶的寬度小於三條切割道 的寬度。
在本發明所述的背鍍晶片的切割方法中，所述膠帶貼在定位邊處。 在本發明所述的背鍍晶片的切割方法中，在所述步驟A4包括如下步驟 A4.1)取下保護膜；
A4.2)將保護膜部分的切割道在雷射劃片機中對點，劃片。
在本發明所述的背鍍晶片的切割方法中，所述保護膜貼在定位邊處。
在本發明所述的背鍍晶片的切割方法中，在所述步驟A1中包括如下歩驟 AL1)減薄；
A1.2)拋光。
在本發明所述的背鍍晶片的切割方法中，在所述步驟A4之後還包括如下
步驟
A5)裂片。
本發明的有益效果是，由於本發明的背鍍晶片的切割方法在蒸鍍前貼有保 護膜，切割時再撕掉保護膜，從背面切割同樣可以看到晶片的正面，提高了切 割的效率和準確度。
下面將結合附圖及實施例對本發明作進一步說明，附圖中 圖1是本發明的背鍍晶片的切割方法流程圖； 圖2是晶片的結構示意圖； 圖3是保護膜的結構示意圖；圖4是晶片貼上保護膜後的結構示意圖； 圖5是晶片蒸鍍後的結構示意圖6是晶片蒸鍍完成後再取下保護膜的結構式意圖。
具體實施例方式
結合圖l描述本發明的流程，本發明的背鍍晶片的切割方法。採用如下流 程，包括如下步驟
51) 磨片；
52) 在晶片的切割道處貼保護膜；
53) 蒸鍍；
54) 取下保護膜，進行劃片和裂片。
在步驟S4中具體包括如下步驟，取下保護膜，將保護膜對應的切割道部
分對點，只要一部分對應好，其他部分都會對應好。
如圖2所示，為晶片的結構示意圖，其中晶片上的切割道l (網格形的切 割道清晰可見，切割道將晶片分割為多個小晶片)。圖3為保護膜的結構示意圖。
如圖4所示，為晶片貼上保護膜後的結構示意圖，保護膜2儘量靠近定位 邊貼好，方便操作，並且保護膜2不要覆蓋太多的切割道，以減少管芯的浪費。
如圖5所示，為晶片蒸鍍後的結構示意圖，保護膜2以及晶片全都蒸鍍上 了一層。
如圖6所示，為晶片蒸鍍完成後再取下保護膜的結構式意圖，保護膜2覆 蓋的部分切割道清晰可見。取下保護膜後，將露出的切割道部分進行正常對點 即可。採用這樣的結構使得晶片對應的非常好，不會造成誤切的問題。
權利要求
1、一種背鍍晶片的切割方法，其特徵在於，包括如下步驟A1)磨片；A2)在晶片的切割道處貼保護膜；A3)蒸鍍；A4)取下保護膜，進行雷射劃片。
2、 根據權利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特徵在於，所述保護膜為高溫膠帶。
3、 根據權利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特徵在於，所述膠帶的寬度小於三條切割道的寬度。
4、 根據權利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特徵在於，所述膠帶貼在所述晶片的定位邊處。
5、 根據權利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特徵在於，在所述步驟A4包括如下步驟A4.1)取下保護膜；A4.2)將保護膜部分的切割道在雷射劃片機中對點，劃片。
6、 根據權利要求l所述的背鍍晶片的切割方法，其特徵在於，所述保護膜 貼在定位邊處。
7、 根據權利要求1所述的背鍍晶片的切割方法，其特徵在於，在所述步驟 Al中包括如下步驟Al.l減薄；A1.2拋光。
8、根據權利要求1所述的背鍍晶片的切割方法，其特徵在於，在所述步驟A4之後還包括如下步驟A5裂片。
全文摘要
本發明涉及一種背鍍晶片的切割方法，包括如下步驟A1)磨片；A2)在晶片的切割道處貼保護膜；A3)蒸鍍；A4)取下保護膜，進行雷射劃片。由於本發明的背鍍晶片的切割方法在蒸鍍前貼有保護膜，切割時再撕掉保護膜，從背面切割同樣可以看到晶片的正面，提高了切割的效率和準確度。
文檔編號H01L21/78GK101471289SQ200710186128
公開日2009年7月1日 申請日期2007年12月27日 優先權日2007年12月27日
發明者丁玉輝 申請人:深圳市方大國科光電技術有限公司