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槽式多晶矽表面織構化的研究的製作方法

2023-04-24 17:19:21 1

槽式多晶矽表面織構化的研究的製作方法
【專利摘要】本發明公開了一種槽式多晶矽表面織構化的研究,屬於太陽能電池製造領域,研究出了一種低濃度的、穩定性持久制絨藥液配比方法。說明書對該雙源瓶系統進行了詳細的說明,並給出了具體的實用方案。
【專利說明】槽式多晶矽表面織構化的研究

【技術領域】
[0001]本發明涉及太陽能電池製造【技術領域】,主要運用於多晶矽槽式制絨,即保證了制絨效果,又維持了減重的穩定性。

【背景技術】
[0002]在多晶矽大規模生產過程中,以硝酸和氫氟酸腐蝕體系製作絨面對降低生產成本,提高電池轉換效率具有重要作用。制絨的目的主要有三個:(1)去除矽片表面的機械損傷層;(2)清楚矽片表面油汙和金屬雜質;(3)形成起伏不平的絨面,降低表面反射率,增大PN結表面積,提高短流電流,最終提高電池轉換效率。在規模化生產中,隨著溶液的消耗,溶液濃度隨之發生變化,如何配液、補液從而保證溶液的穩定性是實際生產中需要考慮的一個重要問題。而本研究能夠有效解決以上問題,保證制絨減重的穩定性,進一步提高電池成品的合格率。
[0003]研究內容
[0004]1、為了研究硝酸對制絨效果的影響,保證氫氟酸濃度配比不變,隨著硝酸濃度的不斷增大,觀察制絨後的矽片絨面效果。由正常的暗灰色逐漸變亮,面顆粒的均勻性有所降低,制絨黑線數量逐漸減少。
[0005]2、為了研究氫氟酸對制絨效果的影響,保證硝酸濃度配比不變,隨著氫氟酸濃度的不斷增大,觀察制絨後的矽片絨面效果。隨著HF濃度的增加,縱向符石加深,矽片表面黑線數量明顯增多。
[0006]3、採用低濃度溶液配比 Vhnci3: Vhf: Vh20 = 156: 48: 110 = 3.25: I: 2.3進行制絨,對此矽片進行多次短時間制絨,結果如圖1所示。
[0007]本研究通過以下技術方案實現:
[0008]1.對矽片進行多次短時間制絨,進行減重跟蹤。
[0009]2.溶液配比 Vhnci3: Vhf: Vh20 = 156: 48: 110 = 3.25: I: 2.3。
[0010]3.採用控制單一變量法。
[0011]本研究具有如下顯著優點:
[0012]1.對比出了硝酸、氫氟酸在制絨過程中的獨立影響。
[0013]2.提供了一種低濃度的制絨液配比,降低了生產成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]下面結合附圖和具體實施例對本研究作進一步介紹,但不作為對本發明專利的限定。
[0015]圖1是制絨減重隨制絨時間的變化

【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖對本發明作進一步的介紹,但是不作為對本研究的限定。
[0017]如附圖1所示,從數據中可以看出,在最初的15s內,矽片腐蝕速率較大,隨著腐蝕的進行,腐蝕速率變慢,在最後的45秒內,腐蝕速率基本恆定。主要是由於原始矽片經過線切割後會在表面形成存在機械損傷層。機損傷層的存在會造成矽片表面存在各種缺陷,表面原子的能量較高,反應較容易進行,腐蝕速率較大。隨著腐蝕的進行,機械損傷層的厚度越來越薄,而且由於表面的腐蝕,整個矽片的表面會出現凸凹不平的腐蝕坑,這在一定程度上降低了機械損傷層對腐蝕速率的影響,使整個矽片表面特徵趨於一致化,所以反應速度會有所降低。當矽片經過8次腐蝕後,損傷層已經完全腐蝕殆盡,整個矽片表面情況基本完全相同,故腐蝕速率不再發生變化。
[0018]本研究專利的特定實施例已對本研究專利的內容做了詳盡說明。對本領域一般技術人員而言,在不背離本研究專利精神的前提下對它所做的任何顯而易見的改動,都構成對本研究專利的侵犯,將承擔相應的法律責任。
【權利要求】
1.如權利要求1所述,採用了槽式制絨設備。
2.如權利要求2所述,採用了低濃度制絨液。
3.如權利要求3所述,制絨減重穩定性好。
【文檔編號】H01L31/18GK104300034SQ201310305755
【公開日】2015年1月21日 申請日期:2013年7月18日 優先權日:2013年7月18日
【發明者】劉漢清 申請人:北京中科信電子裝備有限公司

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