一種用丙基三乙氧基矽烷製備折射率可控的SiO2增透膜的方法與流程

2023-05-10 00:51:56 1

本發明屬於製備折射率可控的SiO2增透膜技術領域，具體涉及一種用丙基三乙氧基矽烷製備折射率可控的SiO2增透膜的方法。

背景技術：

單層的SiO2增透膜只能在某一特定波長實現較高的透過率，然而在實際應用中，如在太陽能光伏電池或高能雷射系統等，往往需要較大範圍的高透過。多層SiO2增透膜可以實現光的大範圍透過，當中是由不同折射率SiO2增透膜組合而成的。所以，製備出不同折射率的SiO2增透膜是設計寬頻SiO2增透膜的關鍵。一般通過引入模板劑來調節SiO2增透膜的孔隙率，最終製備出不同折射率的SiO2增透膜，但是該法較複雜，還要通過煅燒等方法除去模板劑。用丙基三乙氧基矽烷和正矽酸乙酯來製備折射率可控的SiO2增透膜，該法無需引入模板劑，方法簡便，效果顯著。

技術實現要素：

本發明的目的旨在提供一種用丙基三乙氧基矽烷製備折射率可控的SiO2增透膜的方法，為設計寬頻增透膜提供基礎，該法無需引入模板劑，方法簡便，效果顯著。

為了實現上述目的，本發明的技術方案是：

一種折射率可控的SiO2增透膜的製備方法的具體步驟如下：

（1）SiO2溶膠的製備：將正矽酸乙酯、丙基三乙氧基矽烷、無水乙醇和氨水按質量比11.0-15.6：1-8：130-200：3.6-6.6加入到密閉的玻璃容器中，在25-50℃磁力攪拌0.5-12 h，然後在20-40℃恆溫陳化3-30天。

（2）採用浸漬-提拉法以一定的提拉速度在基片上鍍膜，所得的膜層即為一定折射率的SiO2增透膜。

一種如所述的方法製得的折射率可控的SiO2增透膜，浸漬-提拉的速度為50-200 mm/min。

本發明的顯著優點：現有技術一般是通過引入模板劑來調節SiO2增透膜的孔隙率，最終製備出不同折射率的SiO2增透膜，但是該法較複雜，還要通過煅燒等方法除去模板劑。本發明用丙基三乙氧基矽烷和正矽酸乙酯來製備折射率可控的SiO2增透膜，該法無需引入模板劑，方法簡便，效果顯著。

具體實施方式

本發明用下列實驗例來進一步本發明，但本發明的保護範圍並不限於下列實驗例。

實施例1

（1）將正矽酸乙酯、丙基三乙氧基矽烷、無水乙醇、氨水按質量比為14.2：1.88：130：3.6加入到密閉的玻璃容器中，在25℃磁力攪拌2 h，20℃恆溫陳化5天。

（2）採用浸漬-提拉法以50 mm/min提拉速度在基片上鍍膜。

實施例2

（1）將正矽酸乙酯、丙基三乙氧基矽烷、無水乙醇、氨水按質量比為13：3.45：130：3.6加入到密閉的玻璃容器中，在35℃磁力攪拌12 h，30℃恆溫陳化30天。

（2）採用浸漬-提拉法以100 mm/min提拉速度在基片上鍍膜。

實施例3

（1）將正矽酸乙酯、丙基三乙氧基矽烷、無水乙醇、氨水按質量比為11.12：5.92：130：3.6加入到密閉的玻璃容器中，在50℃磁力攪拌0.5 h，40℃恆溫陳化3天。

（2）採用浸漬-提拉法以200 mm/min提拉速度在基片上鍍膜。

表1 不同質量比的原料下SiO2增透膜的中心波長、最大透過率和折射率

本發明製得的SiO2增透膜折射率的調控範圍為1.10-1.23。

以上所述僅為本發明的較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的涵蓋範圍。