功率電晶體的製作方法
2023-05-25 09:43:36 3
專利名稱：功率電晶體的製作方法
功率電晶體技術領域
本發明的實施例涉及一種功率電晶體，特別地一種具有多個電晶體單元的功率電晶體。
背景技術：
電晶體，諸如MOSFET (金屬氧化物半導體場效應電晶體)或者IGBT (絕緣柵雙極電晶體)，在不同種類的應用諸如逆變器、電壓調節器、電流調節器或者用於驅動電負載諸如燈、閥門、馬達等的驅動電路中被廣泛地用作電子開關。通常被採用作為電子開關的電晶體是具有被布置在電晶體單元場中並且被並聯連接的多個相同的電晶體單元的功率電晶體。
現代功率電晶體被優化為在高負載電流下具有低接通電阻(Rw)。然而，在這些電晶體中，當它們並不作為開關操作而是處於在低負載條件下的線性操作中時可能發生穩定性問題，這是當在高漏極到源極電壓(Vds)下低負載電流通過電晶體流動時。不可避免地，根據時間，能量在活動的電晶體中耗散。能量的耗散引起在其中實現電晶體的半導體本體被加熱。現代功率電晶體的特性曲線是使得在高負載條件下，當在給定的高驅動電壓(柵極-源極電壓Ves)下溫度增加時，負載電流降低。利用這個負的熱反饋，具有比其它電晶體單元更高的溫度的電晶體單元的進一步的加熱被減小。然而，在低負載條件下，存在正的熱反饋從而在給定的低驅動電壓下，溫度增加導致增加的負載電流。增加的負載電流導致溫度的進一步增加，等等。當存在具有比其它電晶體單元更高的溫度的電晶體單元時，通過這些電晶體單元的電流增加，從而導致總負載電流到各個電晶體單元的非平衡分布。在最差的情景中，總負載電流僅僅通過某些電晶體單元流動，這些電晶體單元最終受到破壞。這種現象被稱作電流絲化(current filamentation)。
因此，需要提供一種在高負載條件下以及在低負載條件下健壯的電晶體。發明內容
第一實施例涉及一種電晶體器件，該電晶體器件包括被布置在具有邊緣和中心的單元場中的多個器件單元，各個器件單元被並聯連接。該器件單元包括第一類型的器件單元並且包括第二類型的器件單元，該第一類型的器件單元具有帶有第一尺寸的本體區域和在本體區域中實現的、帶有第二尺寸的源極區域，該第二類型的器件單元具有本體區域，該本體區域具有第一尺寸並且在其中省略了源極區域或者在其中源極區域小於第二尺寸。該單元場包括多個非交迭單元區域，每一個非交迭單元區域包括相同多個器件單元，其中存在被布置在單元場的邊緣和中心之間的至少一個單元區域序列，在該至少一個單元區域序列中，第二類型的器件單元的頻率沿著中心的方向從單元區域到單元區域單調地增加，其中該單元區域序列中的一個單元區域包括或者鄰接該中心。
在閱讀以下詳細說明 時並且在查看附圖時，本領域技術人員將會認識到另外的特徵和優點。
現在將參考附圖解釋實例。附圖用於示意基本原理，從而僅僅示意了對於理解基本原理而言有必要的方面。附圖未按比例。在附圖中相同的附圖標記表示同樣的特徵。
圖1示意功率電晶體的示例性特性曲線。
圖2概略地示意在半導體本體中集成的功率電晶體的單元場，該單元場包括第一類型的電晶體單元和第二類型的電晶體單元。
圖3概略地示意根據第一實施例的第一類型和第二類型電晶體單元的豎直截面視圖。
圖4概略地示意根據第一實施例的第一類型和第二類型電晶體單元的水平截面視圖。
圖5概略地示意根據第二實施例的第一類型和第二類型電晶體單元的水平截面視圖。
圖6概略地示意根據第二實施例的第一類型和第二類型電晶體單元的豎直截面視圖。
圖7概略地示意根據第三實施例的第一類型和第二類型電晶體單元的豎直截面視圖。
圖8示意圖7的電晶體單元的水平截面視圖。
圖9示意根據第一實施例的第二類型的電晶體單元在單元場中的分布。
圖10概略地示意根據進一步的實施例的功率電晶體的單元場。
具體實施方式
在以下詳細說明中，對附圖進行參考，所述附圖形成它的一個部分並且在附圖中通過示意方式示出可以在其中實踐本發明的具體實施例。在這方面，方向術語諸如「頂」、「底」、「前」、「後」、「首」、「尾」等是參考所描述的圖的定向使用的。因為實施例的構件能夠被以多種不同的定向定位，所以方向術語是為了示意的意圖使用的而絕非加以限制。要理解，可以利用其它的實施例並且可以作出結構或者邏輯變化而不偏離本發明的範圍。因此，以下詳細說明不要被以限制性的意義理解，並且本發明的範圍由所附權利要求限定。要理解，在這裡描述的各種示例性實施例的特徵可以相互組合，除非具體地另有指出。
圖1概略地示意MOS電晶體諸如MOSFET或者IGBT的特性輸入曲線。在圖1中，示出了三條不同的特性曲線，每一條特性曲線示意了負載電流Ids關於驅動信號或者驅動電壓Ves的依賴性。負載 電流例如是MOSFET中的漏極-源極電流或者IGBT中的集電極-發射極電流。驅動信號例如是MOSFET中的柵極-源極電壓或者IGBT的柵極-發射極電壓。圖1示意在三個不同的溫度Tl、T2、T3下獲得的三條特性曲線，其中T1〈T2〈T3。如能夠從圖1看到地，是電晶體在此處開始傳導負載電流Ids的驅動電壓的閾值電壓依賴於溫度並且隨著溫度降低而降低。在驅動電壓Ves的更高的值下，當溫度T增加時，負載電流Ids降低。這起因於在更高溫度下電荷載流子遷移率更低。這兩個效應，即閾值電壓隨著溫度增加而降低和在溫度增加時負載電流Ids降低，導致由驅動信號Vestl限定的溫度穩定點，在該溫度穩定點處負載電流Ids獨立於溫度。
如能夠從圖1看到地，在低於Veso的驅動信號Ves下上升的溫度導致負載電流Ids增加。因為上升的負載電流可以導致電晶體的溫度上升，所以在低於穩定點Vestl的驅動信號下存在正的熱反饋。在高於Vestl的驅動信號Ves下，存在負的熱反饋，因為在這些驅動信號下，負載電流Ids隨著溫度增加而降低。
在低於穩定點Vestl的驅動信號Ves下操作電晶體可以導致不穩定性從而上升的負載電流Ids可以導致溫度上升，這再次可以導致電流增加。特別地在帶有單元結構的電晶體(這是具有並聯連接的多個電晶體單元的電晶體)中，在電晶體中的溫度分布可能不是均勻的。在此情形中，在正熱反饋可以發生所處的驅動信號下操作電晶體可能具有以下效應:具有最聞溫度的電晶體單兀佔有通過電晶體流動的電流的最聞份額。佔有電流的最聞份額可以導致這些電晶體單元的進一步加熱，這繼而可以導致通過這些電晶體單元流動的電流的更高的份額，直至某些電晶體單元受到破壞。這種效應被稱作電流絲化。
當驅動信號被產生為總是高於溫度穩定點\so時，能夠防止電流絲化問題。然而，例如當MOS電晶體在線性電流或者電壓調節器中或者在箝位電路(有源齊納電路)中操作時，可能發生其中這不能得到保證的MOS電晶體的操作情景，在所述箝位電路中MOS電晶體被用於耗散在電感負載中存儲的能量。此外，在某些類型的MOS電晶體中，溫度穩定點Vestl處於相當高的驅動信號Ves的值，這使得這個問題甚至更差。
雖然當電晶體在正熱反饋在此處可以發生的區域中操作時負載電流Ids是低的，但是負載電壓(在MOSFET中的漏極-源極電壓Vds)能夠是相當高的。在電晶體中耗散的功率由負載電流Ids和負載電壓Vds的乘積給出，從而即使在低負載電流下，當負載電壓Vds是高的時，也能夠在電晶體中耗散相當大的功率。
圖2概略地示意其中在單元場10中實現多個器件單元例如電晶體單元的半導體本體100的水平截面視圖。只是為了示意的意圖，在於圖2中示意的實施例中，單元場10具有矩形形狀。
該電晶體器件包括第一類型的器件單元13和第二類型的器件單元14。以下參考圖3到8解釋了在第一類型器件單 元13和第二類型器件單元14之間的差異。在圖2中，各個器件單元13、14被繪製成矩形。然而，這僅僅是一個實例並且僅僅用於示意第一類型器件單元13和第二類型器件單元14在單元場10中的分布。此外，在圖2中，各個器件單元13、14被繪製成是相互遠離的。然而，這僅僅是一個實例。器件單元13、14還能夠被實現為使得相鄰的器件單元彼此鄰接。
單元場10是半導體本體100的、其中實現器件單元13、14的區域。在於圖2中示意的實施例中，單元場10基本上具有矩形形狀。然而，這僅僅是一個實例。也能夠以除了矩形形狀之外的形狀實現單元場10。單元場10具有包圍單元場10的邊緣11和遠離邊緣11的中心12。邊緣11和中心12不是結構特徵，而是僅僅是由單元場10的形式限定的幾何特徵。中心11能夠包括僅僅一個點，能夠包括多個鄰接點(線)或者能夠包括遠離的兩個或者更多的點。中心12到邊緣11在單元場10的相對側上的至少兩個片段是等距的。在於圖2中示意的其中單元場10具有矩形形狀的實施例中，中心12是平行於在單元場10的相對側上的第一和第二邊緣片段Il1Ul11的線。中心線12到第一和第二邊緣片段Il1Ul11是等距的。中心線12的第一縱向端部面對第三邊緣片段Ilm，並且第二縱向端部面對第四邊緣片段Iliv，其中在第一縱向端部和第三邊緣片段Il111之間的距離等於在第二縱向端部和第四邊緣片段Iliv之間的距離，並且這些距離等於在中心線12與第一和第二邊緣片段Il1Ul11之間的距離。依賴於單元場10的幾何形狀，中心12的形狀當然可以改變。
如以下將進一步詳細解釋地，第二類型器件單元14被實現為使得在這些器件單元中，與在第一類型器件單元13中相比較少的能量被耗散。為了更加同等地在單元場10中分布能量的耗散，第二類型器件單元14的頻率朝向單元場10的中心12增加。具體地，單元場10包括多個非交迭單元區域15，其中每一個單元區域15包括相同多個器件單元。存在被布置在單元場10的邊緣11和中心12之間的至少一個單元區域序列，在該單元區域序列中，第二類型器件單元14的頻率沿著中心12的方向從單元區域15到單元區域15單調地增加，其中該單元區域序列中的一個單元區域包括或者鄰接中心12。在圖2中，為了示意的意圖，概略地示意了三個單元區域15的序列(以虛線示意)。這些單元區域15是非交迭的並且每一個包括相同數目的九個器件單元。在這些單元區域15中的第二類型器件單元14的數目單調地增加，其中在這個具體實施例中，鄰接邊緣11的第一單元區域15包括零個第二類型器件區域14，鄰接第一單元區域的第二單元區域包括兩個第二類型器件區域14，並且鄰接第二單元區域和中心12的第三單元區域包括三個第二類型器件單元14。利用九個器件單元實現各個單元區域15僅僅是一個實例。也能夠利用任何其它數目的器件單元實現各個單元區域15。「單調地增加」意味著在單元區域15的序列中，比相鄰單元區域15更加靠近中心12的一個單元區域具有比該相鄰單元區域15更多的第二類型器件單元14或者至少具有與該相鄰單元區域15相同數目的第二類型器件單元14。此外，該序列的、最遠離中心12的單元區域具有比包括中心12的單元區域15更少的第二類型器件區域14。
根據一個實施例，第二類型器件單元14的數目沿著中心12的方向嚴格單調地增力口。在此情形中，比相鄰單元區域15更加靠近中心12的一個單元區域具有比該相鄰單元區域15更多的第二類型器件單元14。
各個器件單元13、14每一個具有帶有第一尺寸的本體區域。第一類型器件13單元進一步每一個具有在本體區域中實現的、第二尺寸的源極區域，並且第二類型器件單元14或者具有小於第二尺寸的源極區域或者被實現為使得源極區域被省略(源極區域的尺寸為零)。本體和源極區域未在圖2中示意。以下參考圖3到8解釋了實現第一類型器件單元和第二類型器件單元的某些不同的實施例。
圖3概略地示意根據第一實施例的半導體本體100的豎直截面視圖。圖3示意單元場10的在其中實現四個器件單元13、14即三個第一類型器件單元13和一個第二類型器件單元14的片段。
圖3的電晶體器件被實現為豎直(功率)電晶體器件。第一類型和第二類型器件單元(電晶體單元)13,14中的每一個包括第一尺寸的本體區域22。本體區域22的「尺寸」是在水平平面中的尺度，該水平平面是垂直於圖3所示的豎直平面的平面。第一類型器件單元13每一個進一步包括在本體區域22中實現的源極區域23。源極區域23在水平平面中具有第二尺寸，其中第二尺寸小於本體區域22的第一尺寸。本體區域22和源極區域23是摻雜半導體區域。源極區域22被與本體區域22互補地摻雜，並且源極區域23的摻雜類型限定電晶體的類型。在η型電晶體(η型M0SFET)中，源極區域23是η摻雜的並且本體區域22是P摻雜的，而在P型電晶體(P型M0SFET)中，源極區域23是ρ摻雜的，而本體區域22是η摻雜的。
第二類型器件單元14或者具有小於第一類型器件單元中的源極區域23的第二尺寸的源極區域，或者(如在圖3中所示意地)並不包括源極區域(具有零尺寸的源極區域)。
參考圖3，各個器件單元13、14進一步包括漂移區域21和漏極區域25。漂移區域21鄰接本體區域22並且具有與源極區域23相同的摻雜類型，並且漏極區域25鄰接漂移區域21。漂移區域21位於漏極區域25和本體區域22之間。在於圖3中示意的實施例中，各個器件單元13、14共享一個公共漂移區域21並且共享一個公共漏極區域25。電晶體能夠被實現為MOSFET或者能夠被實現為IGBT。在MOSFET中，漏極區域25具有與源極區域23和漂移區域21相同的摻雜類型並且與漂移區域21相比被更加高度地摻雜。在IGBT中，漏極區域25具有與源極區域23和漂移區域21的摻雜類型互補的摻雜類型。
至少第一類型器件單元13進一步包括鄰近本體區域22並且被柵介質27從本體區域22以介電方式絕緣的柵電極26。以傳統的方式，柵電極26用於控制在源極區域23和漂移區域21之間在本體區域22中的導電溝道。在於圖3中示意的實施例中，各個電晶體單元被實現有平面柵電極26。在此情形中，在半導體本體100的第一表面101上方實現柵電極26。根據一個實施例，電晶體器件包括各個器件單兀公共的一個柵電極26。在圖3中，示出這個公共柵電極26的幾個片段。柵電極26被連接到電晶體器件的柵極端子G，漏極區域25被連接到漏極端子D並且源電極24形成或者被連接到源極端子S。源電極24被電連接到第一類型和第二類型器件單元13、14的本體區域22並且被連接到第一類型器件單元13中的源極區域23。當第二類型器件單元14也被實現有源極區域時，源電極24也被連接到第二類型器件單元14中的源極區域23。
在水平平面中，各個器件單元13、14的不同的形狀是可能的。參考在水平截平面A-A中示出圖3的電晶體器件的水平截面視圖的圖4，能夠以三角形形狀實現各個器件單元。在水平平面A-A中器件單元的形狀由在水平平面中本體區域22的形狀限定。在圖4的實施例中，各個器件單元被實 現為使得六個器件單元的本體區域22形成六邊形。然而，這僅僅是一個實例。也可以由多個三角形本體區域形成任何其它類型的多邊形。此外，各個器件單元不被限制於實現有三角形本體區域。各個器件單元也能夠被實現有矩形本體區域、圓形本體區域或者橢圓形本體區域。
在圖4中，示出一個第二類型器件單元14。在圖4中示意的其它器件單元是第一類型器件單元13。在圖4的實施例中，能夠在一個六邊形結構內實現不同類型的器件單元，從而一個六邊形結構包含在100%和0%之間的第一器件單元13比對在0%和100%之間的第二類型器件單元14。根據進一步的實施例，形成一個六邊形結構的各個器件單元具有相同的類型，從而一個六邊形結構或者包括第一類型器件單元13或者包括第二類型器件單元14。
在於圖4中示意的水平截平面中柵電極26不可見。這個柵電極26能夠被實現為使得它覆蓋各個器件單元並且包括在源極區域23上方的接觸孔，在接觸孔處源電極24接觸源極區域23和本體區域22。
圖5示意根據進一步的實施例的電晶體器件的截平面A-A中的水平視圖。在該實施例中，各個器件單元13、14的本體區域具有矩形形狀，其中多個器件單元的本體區域被布置成行從而形成細長本體結構。根據一個實施例，這些細長本體結構之一從單元場10的一個邊緣到相對的邊緣(未在圖5中示意)諸如在圖2的邊緣I1U11之間延伸。在圖5的實施例中，第一類型器件單元13的源極區域也具有矩形形狀。在第二類型器件單元14中，在該實施例中源極區域被省略。在圖5中，示意了六個第二類型器件單元14，在圖5中示意的其它器件單元是第一類型器件單元13。
圖6示意根據進一步的實施例的電晶體器件的豎直截面視圖。在這個電晶體器件中，在從第一表面101延伸到半導體本體100中的溝槽中實現柵電極26。在水平平面中，能夠利用以上參考圖4和5解釋的任何形狀實現如在圖6中所示意的電晶體器件。
圖7示意根據進一步的實施例的電晶體器件的豎直截面視圖。圖7的電晶體器件是橫向電晶體器件，這意味著各個器件單元13、14的本體區域22和漏極區域25沿著半導體本體100的橫向方向遠離。圖7示出具有公共漏極區域25的兩個器件單元的豎直截面視圖。根據在圖7中示意的該兩個器件單元，一個器件單元是第一類型器件單元13並且在本體區域22中包括源極區域23，並且另一個器件單元是其中省略了源極區域23的第二類型器件單元14。在該實施例中，漂移區域21從本體區域22延伸到漏極區域25並且包圍漏極區域25。可選地，與漂移區域21的摻雜類型互補的摻雜類型的半導體區域31沿著半導體本體100的豎直方向位於漂移區域21以下並且鄰接本體區域22。半導體本體100的其餘片段33可以具有與漂移區域21相同的摻雜類型的基本摻雜。然而，這些片段33的摻雜濃度能夠低於漂移區域21的摻雜濃度。
參考圖7，共享一個漏極區域25的器件單元能夠被沿著半導體本體100的豎直方向從第一表面101延伸的介電區域32從其它器件單兀(未被意)分離。
圖8示出圖7的電晶體器件的水平視圖。圖8在平行於第一表面101延伸並且通過本體區域22和源極區域23與漏極區域25的水平截平面B-B中示出圖7的電晶體器件。圖8示出兩個細長摻雜半導體區域，其中這些半導體區域中的每一個形成多個電晶體單元的本體區域22。第二類型電晶體單元14僅僅包括本體區域22，第一類型電晶體單元13包括本體區域22和源極區域23。在該實施例中，多個器件單元13、14沿著形成本體區域22的細長半導體區域的縱向方向相鄰。
帶有第一類型器件單元13和第二類型器件單元14的電晶體器件能夠如同傳統MOS電晶體地操作。以下簡要地解釋了操作原理。為了解釋的意圖，假設MOS電晶體是η型MOSFET0 MOSFET能夠被正向偏置和反向偏置。當在漏極端子D和源極端子S之間施加正電壓時，η型MOSFET被正向偏置。在正向偏置狀態中，通過向柵極端子G施加適當的驅動電勢，MOSFET能夠被接通和切斷。當被施加到柵極端子G的驅動電勢使得在源極區域23和漂移區域21之間在第一類型器件單元13的本體區域22中存在導電溝道時，MOSFET被接通。當被施加到柵極端子G的驅動電勢中斷本體區域22中的導電溝道時，MOSFET被切斷。當MOSFET處於正向偏置狀態中時，其中省略源極區域的第二類型器件區域14是不活動的，這意味著在第二類型器件單元14中沒有電流流動，從而在第二類型器件單元14中沒有耗散能量。因此，通過朝向在此處傳統電晶體器件被強烈地加熱的、單元場10的中心12增加第二類型器件單元14的頻率，有助於更加同等地在單元場10中分布溫度。
當在源極端子S和漏極端子D之間施加正電壓時，η型MOSFET被反向偏置。在此情形中，MOSFET具有二極體(被稱作體二極體)的功能並且獨立於被施加到柵極端子G的驅動電壓地傳導電流。在反向偏置狀態中，電流通過第一類型器件單元13和第二類型器件單元14流動。
參考圖9， 第二類型器件單元14的頻率能夠沿著單元區域15的序列正態地分布。圖9示意在沿著垂直於邊緣11並且從一個邊緣片段延伸到相對的片段的線諸如在圖2中示意的線L定位的單元區域15中第二類型器件單元的頻率N14。在圖9中，『xO』是一個邊緣片段諸如在圖2中的邊緣片段Il11的位置，『χΓ是相對的邊緣片段諸如在圖2中的邊緣片段Il1的位置，並且『x2』是單元場10的中心12的位置。各個單元場15的寬度『W，是沿著線L。N14是在各個單元場15中的第二類型器件單元14的頻率。因此，N14對應於相對於在單元場中的器件單元的總數的在一個單元場15中的第二類型器件單元14的數目。例如，N_MAX是第二類型器件單元14的最大頻率。在該實施例中這個最大值是在包括中心12的單元區域15中。為了示意的意圖，在圖9中，除了第二類型器件單元14的頻率，還示意了高斯曲線。在圖9的實施例中，根據高斯曲線選擇沿著線L的第二類型器件單元14的頻率。圖9描繪具有均勻環境條件(比如在電晶體之上、之下或者圍繞電晶體的恆定溫度)的理想電晶體。在影響電晶體的橫向或者豎直幹擾熱波的情形中，高斯形狀必須被以如下方式改變:在施加規定的能量之後實現恆定的表面溫度。
在一個單元場15中的器件單元13、14的數目是任意的。根據一個實施例，在各個單元區域15中的器件單元的數目在4和100之間。在單元場10中的器件單元的總數依賴於電晶體器件的所期電流阻攔能力。器件單元的總數能夠在幾千上至幾百萬之間。
參考圖10，單元場10能夠被細分成幾個子場IO1-1O515在此情形中，各個子場IO1-1O5的中心12^125被確定，並且第二類型器件區域14根據之前給出的解釋而分布在各個子場IO1-1O5中。
為了易於說明，使用了空間相對術語諸如「下面」、「之下」、「下」、「之上」、「上」等以解釋一個元件相對於第二元件的定位。除了不同於在圖中描繪的那些定向的定向，這些術語旨在涵蓋器件的不同的定向。此外，術語諸如「第一」、「第二」等也被用於描述各種元件、區域、片段等，並且也並非旨在是限制性的。貫穿說明書，同樣的術語提及同樣的元件。
如在這裡所使用地，術語「具有」、「含有」、「包含」、「包括」等是指示所陳述的元件或者特徵的存在但是並不排除另外的元件或者特徵的開放式術語。冠詞「一」、「一個」和「該」旨在包括複數以及單數，除非上下文清楚地另有指示。
考慮到以上改變和應用範圍，應該理解本發明不受前面的說明所限制，它也不受附圖所限制。相反， 本發明僅僅受所附權利要求和它們的法律等價物所限制。
權利要求
1.一種電晶體器件，包括:被布置在具有邊緣和中心的單元場中的多個器件單元，各個器件單元被並聯連接；所述器件單元包括第一類型的器件單元並且包括第二類型的器件單元，所述第一類型的器件單元具有帶有第一尺寸的本體區域和在所述本體區域中實現的、帶有第二尺寸的源極區域，所述第二類型的器件單元具有第一尺寸的並且其中省略了源極區域或者其中源極區域小於所述第二尺寸的本體區域； 所述單元場包括多個非交迭單元區域，每一個所述非交迭單元區域包括相同多個器件單元，其中存在被布置在所述單元場的所述邊緣和所述中心之間的至少一個單元區域序列，在所述至少一個單元區域序列中，所述第二類型的器件單元的頻率沿著所述中心的方向從單元區域到單元區域單調地增加，並且其中所述單元區域序列中的一個單元區域包括或者鄰接所述中心。
2.根據權利要求1所述的電晶體器件，其中在所述單元區域序列中所述第二類型器件單元的頻率嚴格單調地增加。
3.根據權利要求1所述的電晶體器件，其中所述單元場的所述中心到至少兩個相對的邊緣片段是等距的。
4.根據權利要求1所述的電晶體器件，其中所述第二類型器件單元的頻率的單調增加是根據高斯曲線。
5.根據權利要求1所述的電晶體器件，其中所述各個器件單元被實現為豎直器件單J Li ο
6.根據權利要求1所述的電晶體器件，其中所述各個器件單元被實現為橫向器件單J Li ο
7.根據權利要求1所述的電晶體器件，其中由於來自相鄰電路區域的橫向熱波幹擾，所述第二類型器件單元 的頻率的單調增加不是根據高斯曲線。
全文摘要
本發明涉及功率電晶體。一種單元場具有邊緣和中心，各個器件單元被並聯連接。第一類型的器件單元具有帶有第一尺寸的本體區域和在本體區域中實現的、帶有第二尺寸的源極區域，並且第二類型的器件單元具有第一尺寸的並且其中省略了源極區域或者源極區域小於第二尺寸的本體區域。該單元場包括非交迭單元區域，每一個非交迭單元區域包括相同多個的器件單元。至少一個單元區域序列被布置在單元場的邊緣和中心之間，其中第二類型的器件單元的頻率沿著中心的方向從單元區域到單元區域單調地增加，並且該單元區域序列中的一個單元區域包括或者鄰接該中心。
文檔編號H01L27/07GK103219338SQ20131002678
公開日2013年7月24日 申請日期2013年1月24日 優先權日2012年1月24日
發明者H.羅特萊特納 申請人:英飛凌科技奧地利有限公司