Yag晶體的清理方法
2023-05-25 02:37:41 2
專利名稱：Yag晶體的清理方法
技術領域：
本發明涉及一種清理方法，尤其是YAG晶體的清理方法。
背景技術：
YAG晶體是一種優秀的Nd和Yb雷射被動Q開關材料，由於它在0. 8 1. 2mm範圍內吸收穩定，YAG基質晶體導熱率聞，可聞重頻工作晶體被動Q開關，應用廣泛。YAG晶體機械光學加工完成，要及時清潔晶體加工過程中留下的殘留物。殘留物在機械運動中組合形成了凝膠狀，隨著晶體加工時間延長慢慢積累附著在晶體側面。晶體側面是精磨麵，相對拋光面顯得很粗糙，因此殘留物對晶體的附著力很大。一般選用超聲波清洗或手洗，超聲波清洗方便，資金成本大，固化物很難去掉，還是要用清洗劑清洗。手工清洗，工作效率低，容易造成劃傷通光平面，二次汙染嚴重，要反覆再清洗。造成晶體器件殘留物清洗難度主要是，凝膠狀殘留物的附著力，結痂後就更難去除。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種YAG晶體的清理方法，能有效去除YAG晶體表面的殘留物。本發明是通過以下技術方案來實現的。一種YAG晶體的清理方法，步驟包括(I)在容器內放置漆片，酒精、白灰粉，充分攪拌，其中按照重量百分比，漆片50%-60%，酒精 25%-30%、白灰粉 10%-20% ；(2)將YAG晶體放入上述容器，1-2分鐘取出分開晾乾；(3)反覆步驟(2) 3-5次，上述YAG晶體表面形成一層濁膜；(4)將上述YAG晶體放入爐中在150° C_200° C下加溫1-1. 5小時取出；(5 )將上述YAG晶體用水清洗；(6)將上述YAG晶體烘乾。進一步地，上述步驟(I)中，先在容器內放置漆片，然後加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態後，再加入白灰粉均勻攪拌。進一步地，上述步驟(4)中，上述爐為馬弗爐。進一步地,上述步驟(5)中，使用去離子水清洗上述YAG晶體。進一步地，上述步驟(5)中，使用去離子水清洗後，再用清洗液進行清洗。本發明的有益效果選用本發明的方法進行清洗，附著在晶體器件的有機物在高溫下燃燒乾淨，無機物和晶體器件被有機物隔離，高溫作用下自動脫離不留字跡。工藝簡單，加工方便快捷，成本低，收益提高15% -20%。
具體實施方式
下面根據實施例對本發明作進一步詳細說明。實施案例1:(I)在容器內放置漆片，酒精、白灰粉，充分攪拌，其中按照重量百分比，漆片50%，酒精30%、白灰粉20% ；具體是先在容器內放置漆片，然後加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態後，再加入白灰粉均勻攪拌；(2)將YAG晶體放入上述容器，1-2分鐘取出分開晾乾；(3)反覆步驟(2) 3-5次，上述YAG晶體表面形成一層濁膜；(4)將上述YAG晶體放入馬弗爐中在150° C_200° C下加溫1_1. 5小時取出；(5)將上述YAG晶體用水清洗，選用去離子水清洗上述YAG晶體，再用清洗液進行清洗；(6 )將上述YAG晶體烘乾。實施案例2 (I)在容器內放置漆片，酒精、白灰粉，充分攪拌，其中按照重量百分比，漆片60%，酒精30%、白灰粉10% ；具體是先在容器內放置漆片，然後加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態後，再加入白灰粉均勻攪拌；(2)將YAG晶體放入上述容器，1-2分鐘取出分開晾乾；(3)反覆步驟(2) 3-5次，上述YAG晶體表面形成一層濁膜；(4)將上述YAG晶體放入馬弗爐中在150° C_200° C下加溫1_1. 5小時取出；(5)將上述YAG晶體用水清洗，選用去離子水清洗上述YAG晶體，再用清洗液進行
清洗；(6 )將上述YAG晶體烘乾。實施案例3 (I)在容器內放置漆片，酒精、白灰粉，充分攪拌，其中按照重量百分比，漆片55%，酒精28%、白灰粉17% ；具體是先在容器內放置漆片，然後加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態後，再加入白灰粉均勻攪拌；(2)將YAG晶體放入上述容器，1-2分鐘取出分開晾乾；(3)反覆步驟(2) 3-5次，上述YAG晶體表面形成一層濁膜；(4)將上述YAG晶體放入馬弗爐中在150° C_200° C下加溫1_1. 5小時取出；(5)將上述YAG晶體用水清洗，選用去離子水清洗上述YAG晶體，再用清洗液進行
清洗；(6 )將上述YAG晶體烘乾。本發明，YAG晶體的清理方法，選用本發明的方法進行清洗，附著在晶體器件的有機物在高溫下燃燒乾淨，無機物和晶體器件被有機物隔離，高溫作用下自動脫離不留字跡。工藝簡單，加工方便快捷，成本低，收益提高15% -20%。上述實施例只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在於讓熟悉此領域技術的人士能夠了解本發明內容並加以實施，並不能以此限制本發明的保護範圍。凡根據本發明精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護範圍內。
權利要求
1.一種YAG晶體的清理方法，其特徵在於，步驟包括: (1)在容器內放置漆片，酒精、白灰粉，充分攪拌，其中按照重量百分比，漆片50%-60%，酒精 25%-30%、白灰粉 10%-20% ； (2)將YAG晶體放入所述容器，1-2分鐘取出分開晾乾； (3)反覆步驟(2)3-5次，所述YAG晶體表面形成一層濁膜； (4)將所述YAG晶體放入爐中在150°C-200。C下加溫1-1.5小時取出； (5)將所述YAG晶體用水清洗； (6 )將所述YAG晶體烘乾。
2.根據權利要求1所述的YAG晶體的清理方法，其特徵在於，所述步驟(I)中，先在容器內放置漆片，然後加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態後，再加入白灰粉均勻攪拌。
3.根據權利要求1所述的YAG晶體的清理方法，其特徵在於，所述步驟(4)中，所述爐為馬弗爐。
4.根據權利要求1所述的YAG晶體的清理方法，其特徵在於，所述步驟(5)中，使用去離子水清洗所述YAG晶體。
5.根據權利要求4所述的YAG晶體的清理方法，其特徵在於，所述步驟(5)中，使用去離子水清洗後，再用清洗液進行清洗。
全文摘要
本發明公開了一種YAG晶體的清理方法，步驟包括在容器內放置漆片，酒精、白灰粉，充分攪拌，其中按照重量百分比，漆片50%-60%，酒精25%-30%、白灰粉10%-20%；將YAG晶體放入上述容器，1-2分鐘取出分開晾乾；反覆步驟(2)3-5次，上述YAG晶體表面形成一層濁膜；將上述YAG晶體放入爐中在150°C-200°C下加溫1-1.5小時取出；將上述YAG晶體用水清洗；將上述YAG晶體烘乾。本發明的優點在於，選用本發明的方法進行清洗，附著在晶體器件的有機物在高溫下燃燒乾淨，無機物和晶體器件被有機物隔離，高溫作用下自動脫離不留字跡。工藝簡單，加工方便快捷，成本低，收益提高15% -20%。
文檔編號B08B7/00GK103071656SQ201310030370
公開日2013年5月1日 申請日期2013年1月25日 優先權日2013年1月25日
發明者萬文, 萬黎明 申請人:安徽環巢光電科技有限公司