便於fib修改時定位的集成電路版圖結構的製作方法
2023-05-24 19:07:26 1
專利名稱：便於fib修改時定位的集成電路版圖結構的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種集成電路版圖結構，尤其涉及一種便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構。
背景技術：
目前，集成電路晶片在社會生活的各個領域得到了廣泛的應用。與分立元件電路相比，集成電路晶片電路的修改相對困難，如果產品性能未達到設計要求，或者需要修改產品功能定義，就要重新製版，重新流片。而製作掩模板、重新流片的費用昂貴，增加了產品研發成本，多次流片也增加了產品研發周期。
FIB(Focused Ion Beam聚焦離子束)技術可以在不破壞晶片整體功能的前提下，修改晶片局部的金屬連線，對金屬做切斷、連接或跳線處理，達到與通過修改掩模板重新流片相同的性能和效果。利用該技術對晶片進行修改可以降低開發成本，縮短研發周期，還可以對設計修改進行事先驗證。
FIB修改也存在失敗的可能。失敗的重要原因之一是不能準確定位和描述修改對象。
已有技術的可通過FIB進行修改電阻阻值的電阻結構圖如圖1所示，電阻R1、電阻R2、電阻R3和電阻R4分別被金屬連線A、金屬連線B、金屬連線C、金屬連線D短路，M、N兩點間電阻值等於R0電阻阻值。電路修改時，通過FIB切斷金屬連線A、金屬連線B、金屬連線C、金屬連線D中一處或多處金屬連線，可以改變M、N兩點間的電阻阻值。以達到修改電路性能的目的。
然而，當流片完成後(圖3)，電阻被覆蓋在金屬下，無法通過觀察晶片來準確定位金屬連線A、金屬連線B、金屬連線C、金屬連線D的位置，這將導致FIB修改失敗。
另外，隨著集成電路工藝水平的發展，特徵尺寸不斷減小，也使FIB準確定位越來越困難。如圖4所示。
圖4表示四個尺寸相同的MOS管並聯，通過FIB切斷A、B、C處金屬連線，可改變並聯的MOS管數目，從而改變電路中MOS管的寬長比。當特徵尺寸很小時，如果不能準確定位FIB修改的位置，很可能損壞臨近的電路結構，如接觸孔等，導致晶片失效。
另外，如果特徵尺寸較小，在FIB修改連接金屬時，也存在定位不準確導致FIB修改失敗的可能。
如果在版圖設計時，考慮到便於FIB修改時定位的設置規則，可以令FIB修改的成功率保持很高水平。
實用新型內容本實用新型要解決的技術問題是提供一種便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構，在進行FIB修改時方便操作者進行定位。
為解決上述技術問題，本實用新型在需要FIB修改的位置處設置不影響電路功能和性能的、便於FIB定位的標誌。
本實用新型由於在需要FIB修改的切斷、連接金屬連線設計了標誌，使得FIB修改時便於定位。
圖1是已有技術的一種可以通過FIB修改金屬連線來修改電阻阻值的電路結構；圖2是已有技術的用CMOS工藝多晶矽電阻實現圖1中電路結構的剖面圖；圖3是已有技術的用CMOS工藝多晶矽電阻實現圖1中電路結構的俯視圖；圖4是已有技術的一種可以通過FIB修改金屬連線來修改MOS管寬長比的電路結構；圖5是本實用新型便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構的一個電路結構的實施例；圖6是本實用新型便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構的另一個電路結構的實施例；圖7是本實用新型便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構的又一個電路結構的實施例。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型作進一步詳細的說明。
為提高FIB成功率，建議採用較高層次的金屬進行修改。
圖5是本實用新型一個電路結構的實施例的俯視圖。如圖1所示，電阻R1、R2、R3和R4通過金屬連線短路，M、N兩點間電阻等於R0電阻阻值，通過切斷A、B、C、D任意一處或多處金屬連線，可以修改M、N兩點間電阻阻值。在金屬連線A處，將金屬繪製成兩側凸起形狀作為標誌，該設計不會影響電路性能，卻給FIB修改時定位帶來了方便，可以提高FIB修改的成功率。同理，在金屬連線B處，將金屬繪製成兩側凸起形狀作為標誌，在金屬連線C處和金屬連線D處，將金屬繪製成兩側凹進形狀作為標誌。都可以收到上述效果。
圖6是本實用新型一個電路結構的實施例的示意圖。如圖4所示，當特徵尺寸較小時，器件間距較小，為避免FIB修改時損壞臨近MOS管器件結構，如接觸孔等，可以應用本實用新型的設計方法，按照圖6所示，用凸起的金屬形狀標示出MOS器件柵極和接觸孔的位置，這種版圖設計不影響電路性能，卻可以提高FIB修改時定位的成功率。
圖7是依據本實用新型一個實施例的示意圖。如圖7所示，當特徵尺寸較小時，金屬連線寬度較小，如果採用本實用新型的設計方法，將待連接的金屬線端點處設計為特殊形狀作為標誌，圖7所示標誌形狀為正方形。標誌面積越大，FIB定位越容易，但標誌面積過大可能會給布局布線帶來困難。因此實現時應綜合電路情況做具體設計。
雖然圖5、圖6、圖7中示意性地示出了便於FIB修改版圖設計方法，但本實用新型不限於此。可根據版圖具體情況，採用不同形狀的標誌方式。標誌形狀需符合版圖設計規則。本領域內的技術人員可理解。
很明顯，根據以上的說明，對本實用新型還可以進行不少的改變和變化。因此不難理解，在所附權利要求書的範圍內，可以與說明書特定的描述有所不同來實施本實用新型。
權利要求1.便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構，其特徵在於在需要FIB修改的位置處設置不影響電路功能和性能的、便於FIB定位的標誌。
2.根據權利要求1所述的便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構，其特徵在於在需要FIB修改時切斷金屬連線的位置處設置標誌。
3.根據權利要求2所述的標誌，其特徵在於所述標誌呈凸起或凹進的形狀。
4.根據權利要求1所述的便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構，其特徵在於在需要FIB修改時連接金屬連線的位置處設置標誌。
5.根據權利要求4所述的標誌，其特徵在於，所述標誌為矩形、正方形、多邊形、圓形。
專利摘要本實用新型便於FIB修改時定位的集成電路版圖結構在需要FIB修改的位置處設置不影響電路功能和性能的、便於FIB定位的標誌。在需要FIB進行切斷修改的位置處的標誌設置成凹形或凸形；在需要FIB進行連接修改的位置處的標誌設置成矩形、正方形、多邊形、圓形。使得設置成的集成電路版圖結構便於FIB進行日後的修改時的定位。
文檔編號H01L23/544GK2886804SQ20062004000
公開日2007年4月4日 申請日期2006年3月8日 優先權日2006年3月8日
發明者劉穎 申請人:上海華虹集成電路有限責任公司