在線計量系統及方法

2023-05-10 20:58:26 1

專利名稱：在線計量系統及方法
技術領域：
本發明涉及一種用於測量基底上的半導體材料的計量系統。
背景技術：
橢圓率計和分光光度計可用於預測半導體膜的厚度。類似的工具可以基於入射光的吸收或通過測量半導體的漫反射率來測量半導體的帶隙。期望功能比已知系統更強大的系統。


圖1是示出了計量系統的視圖。圖2是示出了計量系統的視圖。圖3是示出了計量系統的視圖。圖4是示出了計量系統的視圖。圖5是示出了計量系統的操作步驟的流程圖。圖6是不出了計量系統和沉積系統的視圖。圖7是示出了計量系統的控制原理的視圖。圖8是示出了實時光學測量的視圖。圖9是示出了從光學測量得到的裝置參數的視圖。圖10是示出了從光學測量得到的半導體質量的視圖。
具體實施例方式光伏裝置可以包括在基底上構建的多個層(或覆蓋物)。例如，光伏裝置可以包括在基底上堆疊形成的阻擋層、透明導電氧化物(TCO)層、緩衝層和半導體層。每個層進而可以包括多於一個的層或膜。例如，半導體層可以包括:第一膜，包括形成在緩衝層上的諸如硫化鎘層的半導體窗口層；第二膜，包括形成在半導體窗口層上的諸如碲化鎘層的半導體吸收體層。另外，每個層可以覆蓋裝置的全部或一部分和/或覆蓋在該層下面的層或基底的全部或一部分。例如，「層」可以包括與表面的全部或一部分接觸的任何量的任何材料。可以基於入射光的吸收或通過測量半導體的漫反射率來測量半導體的帶隙。可用的工具包括分光光度計、橢圓率計和量子效率測量裝置。這些裝置表徵被測量的材料的光學性質。存在一些用於在薄膜光伏製造中來監測和控制半導體膜沉積以及退火工藝的測量裝置；這些裝置包括真空壓力表、熱電偶以及用於自動化處理的先進的電子控制系統。然而，不存在可以基於包括測量的光學性質的輸入與工藝變量的狀態的結合來預測半導體裝置的最終性能的統一測量系統。開發了用於測量半導體材料的計量系統和相關方法。所述系統可以測量裝置的光學性質，其中，光學性質是在半導體裝置(例如，光伏)製造工藝中的特定操作水平的工藝變量的結果。因此可以使用得到的光學信息和工藝信息來控制裝置結構(電子摻雜、結形成)和最終的裝置性能。一個方面，用於在半導體膜沉積和退火工藝中測量基底上的半導體材料的計量系統可以包括:光源，產生光福射來照射半導體材料的一部分；傳感器，測量光福射在半導體材料中的吸收或反射；以及處理模塊，用於分析傳感器測量以獲得包括但不限於帶隙或吸收帶邊、半導體材料的厚度以及甚至表面粗糙度的信息。處理模塊可以基於傳感器測量提供對裝置性能的評估。計量系統可以包括分光光度計。計量系統可以包括橢圓率計。計量系統可以包括量子效率測量機構。入射到半導體材料上的光信號可以轉換為電信號以測量半導體材料的量子效率。半導體材料可以包括碲化鎘。半導體材料可以包括硫化鎘。計量系統可以涉及對產生入射到待測量樣品上的探測光束的光源的使用。計量系統可以包括光學組件以從基底收集漫反射或鏡面反射。計量系統可以包括光學組件以收集透射半導體的光。傳感器可以包括分光計以將光解析成波長的組成。傳感器可以包括光電二極體或光電倍增管以將光信號轉換為用於處理的電信號。半導體材料可以包括雙層半導體材料。可以在傳送裝置上傳送基底。將計量系統構造成在基底移動時測量半導體材料。當半導體膜沉積和退火工藝脫離其期望基準時，系統可以通過反饋控制迴路調節半導體膜沉積和退火工藝。另一個方面，在半導體膜沉積和退火工藝中測量基底上的半導體材料的方法可以包括:產生光輻射以照射半導體材料的一部分；測量從半導體材料吸收或反射的光輻射；以及分析測量數據以獲得關於半導體材料的光學帶隙或吸收限、厚度和表面粗糙度的信息。所述方法可以包括在傳送裝置上傳送基底。所述方法可以包括測量半導體材料的量子效率。所述方法可以包括測量半導體材料的折射率。所述方法可以包括使光學性質相互關聯，以將材料的物理變化(如半導體層的相互擴散)量化。半導體材料可以包括碲化鎘。半導體材料可以包括硫化鎘。所述方法可以包括基於傳感器測量和一同預測的材料性質的變化來評估裝置的性能。所述方法可以包括在半導體膜沉積和退火工藝脫離其期望基準時利用反饋控制迴路調節半導體膜沉積和退火工藝。另一方面，製造光伏裝置的方法在半導體膜沉積和退火工藝中對基底上的半導體材料進行測量和空間描繪，該方法可以包括:在傳送裝置上傳送基底；在基底上沉積半導體材料；使基底上的半導體材料退火；產生光輻射以照射半導體材料的一部分；測量半導體材料的光學性質；以及分析測量數據以獲得關於半導體材料的帶隙、厚度和表面粗糙度的信息。所述方法可以包括測量半導體材料的折射率。所述方法可以包括基於傳感器測量和預測模型來評估裝置的性能。所述方法可以包括測量半導體材料中的雜質比例。半導體材料可以包括互相擴散的雙層半導體材料。所述方法可以包括在半導體材料沉積和退火工藝脫離其期望基準時利用反饋控制迴路調節半導體材料沉積和退火工藝。所述方法可以包括調節半導體材料的測量位置以對半導體材料進行空間描繪。所述方法可以包括使用測量的半導體材料的帶隙來控制半導體裝置的電子結的形成並影響半導體裝置的性能。計量系統可以將半導體裝置(例如，光伏模塊)製造工藝中的特定的工藝變量與裝置的光學性質相互關聯。由此，計量系統可以利用特定半導體裝置中的帶隙測量結果來控制結的形成並影響裝置的性能。例如，計量系統可以測量在目標區域中的精確的帶隙並直接將帶隙與結被限定的製造碲化鎘(CdTe)光伏裝置的半導體沉積和擴散退火工藝相互關聯。計量系統還可以評估構成裝置的特定層的厚度。另外，當工藝脫離其期望基準時，計量系統可以使用反饋控制迴路調節工藝。計量系統還可以提供基於測量指標對裝置性能進行的評估。參照圖1，計量系統100可以包括光源10，光源10產生光輻射11以照射基底40上的半導體材料50的一部分。計量系統100可以包括測量半導體材料50的光學性質的傳感器20。濾光器23可以位於傳感器20的前面以控制入射輻射21的檢測波長光譜。可以包括電纜22來將測量結果傳輸至處理模塊30，以獲得半導體材料50的帶隙和厚度的信息。基底40可以在傳送裝置60上傳送。計量系統100可以提供對薄膜計量的測量。在一些實施例中，計量系統100中可以不包括濾光器23。在其他實施例中，濾光器23可以位於光源10的輸出側。光源10可以相對於基底法線以範圍為2度-90度的角度設置。相似地，傳感器20可以相對於基底法線以2度-90度的角度設置。可以將系統100封起以防止環境光線幹擾測量。可以存在檢測面板的存在的如攝影眼的附件以開始測量。另一個附件可以是紅外線高溫計以測量基底的溫度。由於材料性質隨著溫度而改變，所以溫度信息對於將在被測量的任何光學數據標準化來講是必不可少的。光源10和傳感器20可以安裝在平移安裝件上並自動化成相對於基底映射。可以存在多於一對的10-20進行同時測量。對於圖1中示出的反射測量機構，計量系統100可以包括至少一個偏光器，以實現用於研究薄膜的介電性質(復折射率或介電函數)的橢圓偏振技術。根據對從半導體材料50的樣品部分反射的光的偏振變化的分析，處理模塊30可以產生關於半導體材料50中的比探測光束本身的波長更薄並且甚至薄至單原子層的層的信息。計量系統100可以探測復折射率或介電函數張量，這提供了半導體材料50的基本物理參數的信息並且可以涉及包括形態、結晶質量、化學組成及其空間變化、導電性、光學帶隙和表面形貌在內的各種樣品性質。它可以用來表徵範圍從幾埃或十分之幾納米到幾微米的單層或複合多層堆疊的膜的厚度。參照圖2，使用透射測量機構，計量系統100可以實現用於研究薄膜的介電性質(復折射率或介電函數)的分光光度法技術。由此，計量系統100可以測量光的吸收、漫反射或鏡面反射。計量系統100可以使用包含衍射光柵的單色器(未在圖2中示出)以產生分析光譜。計量系統100還可以包括用於紅外或低頻電磁譜的測量裝置和處理單元。計量系統100可以使用傅立葉變換技術以更快地獲得光譜信息。在一些實施例中，計量系統100可以定量地比較穿過參考樣品和測試樣品的光的分數。來自光源10的光輻射11可以穿過單色器，單色器將光衍射成為波長的「彩虹」，並輸出此衍射光譜的窄帶寬。離散頻率可以傳輸通過半導體材料50的測試部分。然後，使用諸如光電二極體或任何其他合適的光傳感器的傳感器20測量透射光21的強度。然後將此波長的透光率值與通過參考樣品(圖2中未示出)的透射進行比較。將單色器放置在30中以在分析儀側研究對尚散頻率的響應。計量系統100可以獲得多層半導體材料的信息。參照圖3和圖4，在多晶CdTe基光伏模塊的製造中，通常通過控制各個層(CdS層52和CdTe層51)的厚度，在半導體塗覆工藝過程中開始對主結進行描繪。在隨後的滷素介導熱工藝中，可以摻雜半導體材料50，可以鈍化晶界，並且窗口層(CdS) 52與吸收層(CdTe) 51存在一些混合。相互混合導致CdS變薄並導致三元(CdSxTe1J層53形成。CdS層52的精確厚度尤其在光譜的藍光區域中控制光伏裝置的光響應。相互混合確定結的質量(Jsc、FF、Roc和Voc)並且甚至可能確定裝置的穩定性。在一些實施例中，計量系統100可以量化這種相互混合的程度。當很好地限定CdTe和CdS的帶隙時，相互混合可以獲得帶隙可以在從 1.4eV(低於CdTe)到
2.4eV(CdS)的範圍內的混合物。精確的帶隙取決於精確的層化學計量。後者取決於由工藝變量控制的元素的相互擴散。計量·系統100可以測量CdS層52、CdTe層51和相互混合層53的帶隙，以預測相互混合的程度和最終的模塊性能特性。另外，計量系統100可以用於測量各個層的厚度(CdTe、CdS和相互混合層)或一些總厚度。這些信息和相互混合信息可以用於實時控制沉積和擴散退火工藝。在另一實施例中，該系統可以用於CdTe-CdS光伏裝置製造工藝控制。不同層的相互混合量以及測量的帶隙還取決於可以添加到各個層的特定雜質。計量系統100可以用於將雜質添加和進行雜質添加的工藝的功效量化。可以將對處理的裝置堆疊測量的上述信息輸入到預測模型中來評估後續的裝置參數(例如，Voc和Jsc)。這將需要輸入一些例如銅摻雜的後續下遊工藝。使用基於自動工藝控制的機構，甚至可以將下遊工藝調整為補充上遊工藝變量。參照圖5，半導體裝置製造工藝可以包括:步驟(I)，將裝置傳送到測量位置；步驟
(2)，啟動光源；步驟(3)，測量沉積的半導體材料的光學性質；步驟(4)，評估沉積的半導體材料的厚度和帶隙；步驟(5)，評估裝置的性能；步驟￠)，確定是否需要對前面的製造工藝(例如，沉積或退火)進行調整；以及步驟(7)，結束測量並將裝置傳送到下面的製造工藝。計量系統還可以包括在半導體膜沉積和退火工藝脫離其期望基準時，用於調整半導體膜沉積和退火工藝的反饋控制迴路。在一些實施例中，計量系統可以調整半導體材料的測量位置，以對半導體材料進行空間描繪。在如Si和GaAs的基於單晶的系統中，很好地建立了預測裝置行為，其中，通過如注入和快速熱退火的工藝精確地控制結位置。然而，對結位置的限定和控制在多晶裝置中不是個小問題。本計量系統可以測量對結形成至關重要的物理參數。因此，計量系統在半導體裝置製造工藝中可以具有多種應用。例如，在光伏裝置製造中，該系統可以用作:I)吸收體純度監測儀/半導體沉積工藝監測儀:如果雜質濃度在確定的窗口內，則用選擇的雜質摻雜吸收體可以使轉換效率增加半個百分點。可以通過濃度優化研究限定摻雜劑濃度的加工(或廢料)限和作用限(engineering(or scrap)and action limit)。確保吸收體純度落入作用限的有效方法是通過在半導體沉積工藝下遊設置計量系統。該計量系統應該能夠實時測量摻雜劑濃度並提供對半導體沉積工藝性能的即時反饋。不期望情形的示例是假設沉積工藝由於偏差而開始過渡摻雜吸收體。這樣的偏差的一個常見原因是硬體故障或崩潰。由於層的相互混合，CdTe-CdS裝置的帶隙寬度在退火工藝中可以改變。還可以通過加入特定的雜質或合金元素改變這裡描述的雙層裝置和其他相似裝置中的帶隙。從在零偏差下測量的黑QE曲線中得到帶隙能。在一些實施例中，還可以通過應用庫貝爾卡-芒克(KM)轉換從半導體的漫反射的分光測量中得到光帶隙。假設半導體能帶結構是拋物線形且半導體帶隙是直的，則計量系統可以使吸收係數、帶隙能和漫反射係數相互關聯。結果可以是對帶隙能的評估。計量系統可以是實時應用慢反射光譜的KM轉換以得到吸收體帶隙的反射計。帶隙變窄可以對內量子效率產生負面影響。另外，吸收體中的雜質和摻雜劑可以顯著地影響其顯微結構並增加體積和界面複合，導致VtxZFF顯著下降。2)吸收體厚度監測儀:可以從光共振腔中產生的連續的幹涉條紋之間的波長周期得到吸收體的厚度，光共振腔由空氣、吸收體和其下面的層形成。3)表面粗糙度或形貌監測儀:使用合適範圍的光波長，可以基於反射光和透射光的相對強度測量表面粗糙度或與粗糙度有關的度量。4)擴散退火工藝監測儀=CdCl2退火工藝的溫度的改變以及將Si添加至CdTe的影響可以導致帶隙的變化。測量的帶隙可以用於做出關於CdS-CdTe相互混合的結論。5)自動化工藝控制器:計量系統作為自動化工藝控制系統可以以前饋模式或反饋模式運行。閉環反饋控制系統(FCS)是計算機集成控制系統，其利用來自不同太陽能電池板子模塊處理傳感器的多反饋迴路來積極地影響退火爐和氣相沉積塗布機的工藝控制機制。製造的關鍵工藝指標包括膜厚度、粗糙度和帶隙。從子模塊的光透射和反射特性得到這些值。可以從包括但不限於熱線掃描儀、點高溫計(spot pyrometers)、溼度計和熱電偶的傳感器中得到其他關鍵工藝指標。將這些不同的輸入源用電線接入控制系統所在的控制PC。這些輸入用作被監測且用於控制考慮的產品數據。例如，參照圖6，沉積系統可以包括帶邊檢測器100、氣相沉積塗布機200、退火爐300和諸如膜厚度檢測器的其他合適的傳感器400。通過控制PC500來監測和控制沉積工藝。參照圖7，可以存在對應於每個控制機制(塗布機720、退火爐加熱控制和氣流控制730以及退火爐線速度控制740 (即，傳送速度))的控制迴路。熱迴路可以包括在爐的整個長度內用於上下加熱元件的二級控制迴路，也允許在爐的整個長度內左右對稱地控制。控制系統基於位於控制PC(圖6中的500)上的數學模型控制710來使用合適的控制迴路。用戶屏幕具有操作界面、網絡以及用於反饋控制系統(FCS)的控制量的完全工藝監測、控制和調節。還可以將SPC控制用於建立可接受的控制限以及對失控情況進行警告。塗布機和爐行為的數學模型組成FCS算法，並且作為進程狀態的函數用於在任何時間「調節」由系統施加的實時控制的量和類型。來自傳感器的輸入被儲存在FCS PC中，並且通過長時間形成的數學化歸(mathematics reduction)來確定操作中的真正改變何時發生。觀察尖峰和脈衝信號，相對於已知的工藝狀態條件進行測量，如果完全確定是異常情況則進行濾除。數學模型以協調多輸出意識方式(coordinated mult1-output aware fashion)將對應的工藝反應時間常量、滯後時間、空載時間以及工藝間關係考慮在內。本發明的目的在於對氣相沉積塗布機工藝630和爐退火工藝610進行智能自動控制，以在整個長期生產運行過程中，無論外部影響或長期不穩定或工藝裝置660的偏差，從實際的太陽能電池板的子模塊的角度逐件地穩定它們各自的輸出關鍵工藝指標620。它還可以包括來自帶邊檢測器750的帶邊輸出640以及來自其他傳感器760的其他傳感器輸出650。這使工藝的連貫性和控制得到改善，這意味著最終產品質量更好、產量提高並且允許在沒有使爐工藝不穩定的情況下提高了生產能力。如果沒有這樣的控制系統，則光伏模塊的性能受到不受控制的外部因素和工藝裝置改變(可以包括環境溫度、大氣條件、加熱元件故障、不對稱和其他不平均以及產品生產的間斷)的影響。這些間斷(或者缺少通過爐的子模塊)打破爐工藝的平衡狀態，使得爐被加熱到不期望的程度。通過使用FCS系統，消除了這些外部因素和工藝偏差的影響。另外，控制系統可以包括所有的相關因子，諸如來自塗布機的層厚度(A)、來自爐設定點和氣流的熱影響(B)、來自爐線速度的子模塊駐留時間(C)和期望的產品性能特性(D)。在前饋模式中，計量系統可以將上遊偏差的信息提供給下遊的處理工具以做出調節和改正。6)裝置性能預測器:可以通過基於CdCl2的擴散退火溫度進行裝置調節。系統變量的準確性可以取決於系統性能與用於測量系統性能的測量器的精確匹配。製造工藝(例如，將熱電偶粘合到穿過爐的基底、在正在被塗覆的窗口上使用高溫計等)的局限性也經常阻礙系統變量的準確性。計量系統可以提供避免需要將裝置行為與系統度量直接關聯的「缺失的環節」。層厚度和帶隙是可以以更高準確度確定的物理和材料特性，測量工藝本身可以獨立於製造工藝進行。在一些實施例中，將裝置測量與裝置的物理度量相關聯可以得到自動工藝控制。在一些實施例中，除了基於傳感器測量和伴隨的對材料性質改變的預測來評估裝置性能之外，當半導體膜沉積和退火工藝脫離其期望基準時，計量系統還可以利用反饋控制迴路調節半導體膜沉積和退火工藝。參照圖8，隨著板在計量系統的探針下面移動，可以實時收集光學測量數據。參照圖9，光學測量趨勢可以用於推斷諸如線光電流(A)和表面形態(B)的裝置度量。如圖9中(A)和⑶所示，可以使用簡單的線性模型進行模擬。對模塊物理度量的測量可以幫助評估模塊的性能和可靠性。例如，可以基於傳感器測量和預測模型評估裝置的性能。參照圖10，通過合適的後續分析，可以測量光伏模塊的半導體質量。例如，可以使用導出的模塊物理度量來評估半導體的雜質水平。由此，當半導體膜沉積和退火工藝脫離其期望基準時，可以使用諸如反饋控制迴路的任何合適的控制機制調節半導體膜沉積和退火工藝。在一些實施例中，計量系統還可以用於基於光伏裝置的CIGS或ClS中，其中，通常添加Ga來控制帶隙。在一些實施例中，計量系統可以用於任何半導體裝置(例如，光電裝置)的製造工藝中，其中，裝置性能可以由如帶隙的光學性質引起，如厚度和粗糙度的物理性質可以使用該技術。已經描述了本發明的多個實施例。然而，將理解的是，在不脫離本發明的精神和範圍的情況下，可以做出各種改變。還應該理解的是，附圖不必按比例繪出，其在某種程度上簡單地表現出說明本發明基本原理的各種優選特徵。
權利要求
1.一種用於在半導體膜沉積和退火工藝中測量基底上的半導體材料的計量系統，所述計量系統包括: 光源，用於產生光輻射以照射半導體材料的一部分； 傳感器，用於測量光輻射在半導體材料中的吸收或反射；以及處理模塊，用於分析傳感器測量以獲得半導體材料的帶隙、吸收帶邊、厚度和表面粗糙度的信息。
2.根據權利要求1所述的計量系統，其中，在傳送裝置上傳送基底。
3.根據前述權利要 求任意一項所述的計量系統，其中，計量系統被構造為在基底移動時測量半導體材料。
4.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，所述計量系統還包括反饋控制迴路，其中，當半導體膜沉積和退火工藝脫離其期望基準時，所述計量系統調節半導體膜沉積和退火工藝。
5.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，其中，處理模塊基於傳感器測量提供對裝置性能的評估。
6.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，所述計量系統還包括分光光度計。
7.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，所述計量系統還包括橢圓率計。
8.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，所述計量系統還包括量子效率測量機構，其中，入射到半導體材料上的光學信號被轉換為電信號以測量半導體材料的量子效率。
9.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，其中，半導體材料包括碲化鎘。
10.根據權利要求1-8任意一項所述的計量系統，其中，半導體材料包括硫化鎘。
11.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，所述計量系統還包括產生入射到待測樣品上的探測光束的光源。
12.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，所述計量系統還包括光學組件，以從基底收集漫反射或鏡面反射。
13.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，所述計量系統還包括光學組件，以收集透射半導體的光。
14.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，其中，傳感器包括分光計以將光解析成波長的組成。
15.根據權利要求1-13任意一項所述的計量系統，其中，傳感器包括光電二極體或光電倍增管以將光信號轉換為用於處理的電信號。
16.根據前述權利要求任意一項所述的計量系統，其中，半導體材料包括雙層半導體材料。
17.一種在半導體膜沉積和退火工藝中測量基底上的半導體材料的方法，所述方法包括: 產生光輻射以照射半導體材料的一部分； 測量來自半導體材料的光輻射的吸收或反射；以及 分析測量數據以獲得關於半導體材料的光學帶隙、吸收限、表面粗糙度和厚度的信息。
18.根據權利要求17所述的方法，所述方法還包括在傳送裝置上傳送基底。
19.根據權利要求17-18任意一項所述的方法，所述方法還包括測量半導體材料的量子效率。
20.根據權利要求17-19任意一項所述的方法，所述方法還包括測量半導體材料的折射率。
21.根據權利要求17-20任意一項所述的方法，所述方法還包括將半導體材料的光學性質相互關聯，以將半導體材料中的諸如相互擴散的物理變化量化。
22.根據權利要求17-21任意一項所述的方法，所述方法還包括基於傳感器測量和伴隨的材料性質的變化的預測來評估裝置性能。
23.根據權利要求17-22任意一項所述的方法，所述方法還包括在半導體膜沉積和退火工藝脫離其期望基準時，利用反饋控制迴路調節半導體膜沉積和退火工藝。
24.一種製造光伏裝置的方法，在半導體膜沉積和退火工藝中對基底上的半導體材料進行測量和空間描繪，所述方法包括: 在傳送裝置上傳送基底； 在基底上沉積半導體材料； 使基底上的半導體材料退 火； 產生光輻射以照射半導體材料的一部分； 測量半導體材料的光學性質；以及 分析測量數據以獲得關於半導體材料的帶隙、吸收限、表面粗糙度和厚度的信息。
25.根據權利要求24所述的方法，所述方法還包括基於傳感器測量和預測模型評估裝置性能。
26.根據權利要求24-25任意一項所述的方法，所述方法還包括測量半導體材料中的雜質比例。
27.根據權利要求24-26任意一項所述的方法，所述方法還包括測量半導體材料的折射率。
28.根據權利要求24-27任意一項所述的方法，其中，半導體材料包括相互擴散的雙層半導體材料。
29.根據權利要求24-28任意一項所述的方法，所述方法還包括在半導體材料沉積和退火工藝脫離其期望基準時，利用反饋控制迴路調節半導體材料沉積和退火工藝。
30.根據權利要求24-29任意一項所述的方法，所述方法還包括調節半導體材料的測量位置以對半導體材料進行空間描繪。
31.根據權利要求24-30任意一項所述的方法，所述方法還包括使用半導體材料中測量的帶隙來控制半導體裝置的電子結的形成並影響半導體裝置的性能。
全文摘要
用於對基底上的半導體材料進行測量和空間描繪的計量系統可以用於控制沉積和熱活化工藝。
文檔編號H01L21/66GK103119704SQ201180046072
公開日2013年5月22日 申請日期2011年7月25日 優先權日2010年7月23日
發明者阿諾德·阿萊林克, 史蒂芬保羅·Ii·喬治, 斯瑞瓦斯·賈亞拉曼, 歐蕾·卡爾盆庫, 林忠維 申請人:第一太陽能有限公司