陣列基底、製造其的方法及具有其的顯示面板的製作方法
2023-09-11 12:49:55
專利名稱：陣列基底、製造其的方法及具有其的顯示面板的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種陣列基底、製造該陣列基底的方法及具有該陣列基底的顯示面板。更具體地講，本發明涉及一種能夠提高反射率的陣列基底、製造該陣列基底的方法及具有該陣列基底的顯示面板。
背景技術：
通常，液晶顯示(LCD)裝置通過利用具有液相和固相之間的中間性質的液晶來顯示圖像。在LCD裝置中，將電壓施加到介於兩個玻璃基底之間的液晶層(例如，顯示面板)，改變了液晶層的液晶分子的取向。因此，光透射過液晶層並從液晶層出射，以顯示圖像。
根據利用的光源，LCD裝置分類為透射式、反射式或透反式。透射式LCD裝置通過將來自背光的光透射過顯示面板來顯示圖像。反射式LCD裝置通過將外部光反射進入到顯示面板內來顯示圖像。透反式LCD裝置通過將顯示面板劃分成透射區和反射區，並隨後將來自背光的光透射過透射區並從反射區反射外部光來顯示圖像。
反射式LCD裝置和透反式LCD裝置具有反射外部光的反射電極。在反射式LCD裝置和透反式LCD裝置中，被反射電極反射的反射光的亮度最重要。通過提高反射電極的反射率來使LCD裝置的能耗最小化，並提高反射模式的顯示品質。
發明內容
本發明提供了一種能夠提高其反射率的陣列基底。
本發明還提供了一種製造上述陣列基底的方法。
本發明還提供了一種包括上述陣列基底的顯示面板。
在根據本發明的陣列基底的示例性實施例中，該陣列基底包括多條柵極線、多條源極線、多個像素部分、多個開關元件和多個像素電極。多條柵極線形成為在第一方向上延伸。多條源極線形成為在與第一方向交叉的第二方向上延伸。由多條柵極線和多條源極線來限定多個像素部分。各開關元件形成在各自的像素部分上，並電連接到柵極線的一條和源極線的一條。各像素電極電連接到各自的開關元件，並具有在中心部分具有凸起圖案的凹陷圖案。
在製造根據本發明的陣列基底的方法的示例性實施例中，製造陣列基底的該方法包括在基礎基底上形成開關元件，開關元件電連接到在第一方向上延伸的柵極線和在第二方向上延伸的源極線，其中，第二方向與第一方向交叉；在其上形成有開關元件的基礎基底上形成有機絕緣層；將有機絕緣層圖案化為具有相對於基準表面凹陷的圖案，並在凹陷圖案的中心部分具有相對於凹陷圖案的界面的凸起圖案；在其上形成有的凹陷圖案的有機絕緣層上形成與開關元件接觸的像素電極。
在根據本發明的顯示面板的示例性實施例中，顯示面板包括陣列基底和濾色器基底。陣列基底包括多個像素部分。像素部分的每個包括各自的開關元件和各自的像素電極，並電連接到各自的開關元件，所述像素電極具有在中心部分包括凸起圖案的凹陷圖案。濾色器基底與陣列基底相對，液晶層容納在陣列基底和濾色器基底之間。
因此，通過形成在凹陷圖案的中心部分具有凸起圖案的凹陷圖案來提高反射率。
通過參照附圖來描述本發明的示例性實施例，本發明的以上和其它特徵及優點將變得更加清楚，其中圖1是示出根據本發明示例性實施例的用於形成反射透鏡的掩模的平面圖；圖2是示出通過圖1中的掩模形成的反射透鏡的剖視圖；圖3是示出斯涅爾定律的概念視圖；圖4是示出根據圖2中透鏡圖案的傾斜角的反射光的出射角的曲線圖；圖5是示出根據本發明另一示例性實施例的透反式陣列基底的平面圖；圖6是沿著圖5的II-II′線截取的放大剖視圖；圖7是示出圖6中的反射電極的圖5的放大剖視圖；圖8A至圖8C是示出製造圖5中的透反式陣列基底的方法的剖視圖；圖9是示出根據本發明又一示例性實施例的反射式陣列基底的平面圖；
圖10是沿著圖9的III-III′線截取的剖視圖。
具體實施例方式
以下參照附圖來更加充分地描述本發明，在附圖中，示出了本發明的示例性實施例。然而，本發明可以以許多不同的形式來實施，並不應該被解釋為局限於在此闡述的示例性實施例。相反，提供這些實施例，使得本公開更加徹底和完全，並將向本領域技術人員充分傳達本發明的範圍。在附圖中，為清楚起見，可誇大層和區域的尺寸和相對尺寸。
應該理解，當元件或層被稱作在另一元件或層之「上」、「連接到」或「結合到」另一元件或層時，它可以直接在另一元件或層之上，直接連接到或直接結合到另一元件或層，或者可存在中間元件或層。相反，當元件或層被稱作「直接」在另一元件或層之「上」或者「直接連接到」另一元件或層時，不存在中間元件或層。相同的標號始終指代相同的元件。如在這裡使用的，術語「和/或」包括一個或多個相關所列項的任意和全部組合。
應該理解，雖然術語「第一」、「第二」、「第三」等在這裡可用於描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應該受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、組件、區域、層或部分區別於另一區域、層或部分。因此，在不脫離本發明教導的情況下，下述的第一元件、組件、區域、層或部分可被稱作第二元件、組件、區域、層或部分。
為了便於描述如附圖中示出的一個元件或零件相對於另一元件或零件的關係，在這裡可使用空間相對術語，例如「下方」、「下面」、「低於」、「上方」、「上面」等。應該理解，空間相對術語意在除包括附圖中示出的方位之外，還包括使用中或運行中的裝置的不同方位。例如，如果附圖中的裝置被翻轉，則被描述為在其他元件或零件的「下面」或「下方」的元件將隨後被定向為在其他元件或零件的「上方」。因此，示例性的術語「在...的下面」可包括上和下兩種方位。可另外定向裝置(旋轉90度或在其他方位上)，並相應地解釋在這裡使用的空間相對描述符。
在這裡使用的術語僅出於描述特定的示例性實施例的目的，並不意在成為本發明的限制。如在這裡使用的，除非上下文另外清楚地表明，否則單數形式意在也包括複數形式。還應理解，當術語「包括」和/或「包含」用在本說明書中時，特指所述的零件、整體、步驟、操作、元件和/或組件的存在，並不排除存在或添加一個或多個其他零件、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
在這裡參照剖視圖來描述本發明的示例性實施例，剖視圖是本發明理想實施例(和中間結構)的示意性說明。由此，將預料的是由例如製造技術和/或公差導致的圖例形狀的變化。因此，本發明的示例性實施例不應該被解釋為局限於在這裡示出的區域的特定形狀，而應包括由例如製造導致的形狀的偏差。例如，以矩形示出的注入區在它的邊緣處將典型地具有倒圓的或彎曲的特徵和/或注入濃度的梯度，而非從注入區到非注入區的二元變化。同樣地，通過注入形成的掩埋區可導致在掩埋區和表面之間的區域中的某些注入，其中，注入經由所述表面發生。因此，附圖中示出的區域本質上是示意性的，它們的形狀不意在示出裝置的區域的實際形狀，且不意在限制本發明的範圍。
除非另外定義，否則在這裡使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)的含義與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同。還應理解，除非在這裡特別定義，否則比如在通用詞典中定義的術語應被解釋為其含義與它們在相關領域的上下文中的含義一致，將不以理想化或過度正式的含義來解釋。
在下文中，將參照附圖來描述本發明的示例性實施例。
圖1是示出根據本發明示例性實施例的用於形成反射透鏡的掩模的平面圖。圖2是示出通過圖1中的掩模形成的反射透鏡的剖視圖。
參照圖1，掩模10包括阻擋部分11、開口部分13和局部開口部分15。阻擋部分11阻擋紫外(UV)光，開口部分13透射UV光通過其。局部開口部分15具有形成在其上的分散並衍射UV光的縫隙圖案或半色調圖案。另外，透射過局部開口部分15的UV光比透射過開口部分13的UV光少。
阻擋部分11的形狀為具有連接到彼此的多個圖案的網狀。例如，所述圖案可包括多邊形圖案、圓形圖案等。開口部分13是被阻擋部分11限定的多邊形圖案的每個的內部部分。局部開口圖案15形成在開口圖案13的中心部分。局部開口圖案15形成為具有縫隙圖案或半色調圖案。
參照圖2，將掩模10設置在感光樹脂層20上，以形成圖案。UV光穿過掩模10照射在感光樹脂層20上，並隨後在感光樹脂層20上形成所述圖案。
具體地講，反射透鏡的基準表面21形成在感光樹脂層20的對應於阻擋UV光的阻擋部分11的第一部分上。凹陷圖案23形成在感光樹脂層20的對應於完全透射UV光的開口部分13的第二部分上。另外，凹陷圖案23具有相對於基準表面21凹入的界面。凸起圖案25形成在感光樹脂層20的對應於局部開口部分15的第三部分上，其中，局部開口部分15具有形成在其上的縫隙圖案或半色調圖案且與開口部分13相比透射的UV光較少。另外，在凹陷圖案23的中心部分，凸起圖案25具有相對於凹陷圖案23凸起的界面。
通過開口部分13形成的凹陷圖案23具有在大約0°和大約20°之間的界面傾斜角，使得反射光以均勻的角度分布被反射。通過局部開口部分15形成的凸起圖案25具有在大約5°和大約15°之間的界面傾斜角，使得凸起圖案25增大在凹陷圖案23中的具有大約10°的界面傾斜角的區域的尺寸(例如，表面面積)。當凹陷圖案23不包括凸起圖案25時，沒有凸起圖案25的凹陷圖案23的中心部分的界面傾斜角為大約0°。然而，在圖2中，凹陷圖案23包括凸起圖案25。在圖2中，凹陷圖案23在中心部分具有界面傾斜角為大約10°的凸起圖案25，使得界面傾斜角為大約10°的區域的尺寸增大(例如，界面傾斜角為大約10°的表面面積增大)。當界面傾斜角為大約10°時，從凹陷圖案朝前表面反射的光的反射率被最大化。
因此，在中心部分具有凸起圖案25的凹陷圖案23極大地提高了光的反射率。
圖3是示出斯涅爾定律(Snell’s Law)的概念視圖。圖4是示出根據圖2中的透鏡的傾斜角的反射光的出射角的曲線圖。
參照圖3和圖4，通過方程式1說明了斯涅爾定律。當光從具有第一折射率n1的第一材料入射到具有第二折射率n2的第二材料中時，入射角θi1的正弦與第一折射角θo1的正弦之比為常數。
另外，當來自第二材料的反射光入射到第一材料中時，反射光的入射角θi2的正弦與第二折射角θo2的正弦之比也是常數。
方程式1(Sinθi1)/(Sinθo1)＝(n2)/(n1)，(Sinθi2)/(Sinθo2)＝(n1)/(n2)參照方程式1，通過下面的方程式2來表示第二折射角θo2θo2＝sin-1{(n2/n1)sinθi2}
θi2＝sin-1{(n1/n2)sinθi1}-2θt在方程式2中，θt表示透鏡圖案的界面傾斜角。
根據方程式2，如圖4所示，當透鏡圖案的界面傾斜角θt在大約0°和大約20°之間的範圍內時，第二折射角為具有在分別大約30°和大約-30°之間的範圍內的折射角的圓錐形狀。在方程式2和圖4中，當透鏡圖案的界面傾斜角θt為大約0°時，第二折射角θo2可以是大約0°，光可基本上垂直於第一材料和第二材料之間的表面出射。
因此，隨著界面傾斜角θt為大約10°的區域的尺寸增大，反射透鏡的反射性的效率增大。
圖5是示出根據本發明另一實施例的透反式陣列基底的平面圖。圖6是沿著圖5中的II-II′線截取的放大剖視圖。圖7是示出圖6中的反射電極的圖5的放大剖視圖。
參照圖5至圖7，顯示面板包括透反陣列基底100、濾色器基底200和液晶層300。
陣列基底100包括第一基礎基底101；多條柵極線GLn-1和GLn，在第一方向上延伸；多條源極線DLm-1和DLm，在與第一方向交叉的第二方向上延伸。柵極線GLn-1和GLn以及源極線DLm-1和DLm形成在第一基礎基底101上。通過源極線DLm-1和DLm與柵極線GLn-1和GLn交叉來限定多個像素部分P。像素部分P也形成在第一基礎基底101上。各像素部分P具有相應的開關元件TFT，電連接到柵極線GLn中的一條和源極線DLm中的一條；像素電極PE，電連接到開關元件TFT；存儲電容器CST。
開關元件TFT包括柵電極111、源電極113和漏電極114。柵電極111從柵極線GLn延伸，源電極113從源極線DLm延伸。另外，漏電極114通過接觸孔116電連接到像素電極PE。
柵極絕緣層102形成在柵極線GLn-1和GLn以及柵電極111上。溝道部分112對應於具有柵電極111的部分形成在柵極絕緣層102上。溝道部分112包括有源層112a和歐姆接觸層112b。去除歐姆接觸層112b在源電極113和漏電極114之間的部分，以限定開關元件TFT的溝道。保護層103形成在開關元件TFT和源極線DLm-1及DLm上。
像素部分PE包括透射電極117和反射電極118。透射電極117通過接觸孔116電連接到漏電極114，並形成像素部分P被限定在其上的部分上。反射電極118形成在透射電極117的一小部分上，並將像素部分P限定為反射區RA和透射區TA。
參照圖7最能看出，在凹陷圖案123的中心部分具有凸起圖案125的凹陷圖案123形成在反射電極118上。
在方程式1和方程式2中，各凹陷圖案123的界面傾斜角θt在一定範圍內，使得反射光的出射角相對於0°基準角的前表面均勻。例如，當界面傾斜角θt在大約0°和大約20°之間的範圍內時，反射光的出射角具有圓錐形形狀，相對於與前表面基本垂直的法線在大約-30°和大約30°之間的範圍內。法線對應於大約0°的角。在圖5至圖7中，界面傾斜角θt可以是大約10°，使得出射角為大約0°。
凹陷圖案123在中心部分具有凸起圖案125，凸起圖案125的界面傾斜角在大約5°和大約15°之間。因此，凸起圖案125增大了凹陷圖案123的界面傾斜角為10°的區域的尺寸。當界面傾斜角為大約10°時，從在中心部分具有凸起圖案125的凹陷圖案123朝前表面反射的光的反射率被最大化。
反射電極118形成在凹陷圖案123和凸起圖案125上，以極大地提高反射電極118的反射率。
有機絕緣層104形成在開關元件TFT和透射電極117之間。將有機絕緣層104的上表面圖案化，以形成在中心部分具有凸起圖案125的凹陷圖案123。可選地，可形成具有多個凸起圖案125的多個凹陷圖案123。換言之，反射電極118形成在具有凹陷圖案123的有機絕緣層104上，因此反射電極118的圖案與具有凸起圖案125的凹陷圖案123的圖案基本相同。
存儲電容器CST包括公共線131和電極圖案132。公共線131公共地形成在像素部分上。電極圖案132從漏電極114延伸，並與公共線131局部地疊置。柵極絕緣層102、保護絕緣層103和有機絕緣層104順序地形成在公共線131上。在圖5至圖7中，存儲電容器CST可形成在反射區RA中。
從圖7中最能看出，濾色器基底200包括第二基礎基底201、形成在第二基礎基底201上的濾色器層210和共電極層220。
局部地去除濾色器層210的對應於反射區RA的部分，以形成光孔211。光孔211增強了從反射電極118反射的第一光L1的亮度。
對應於反射區RA的濾色器層210具有第一深度t1。對應於透射區TA的濾色器層210具有比第一深度t1厚的第二深度t2。因此，對應於透射區TA的濾色器層210顯示的彩色圖像的純度比對應於反射區RA的濾色器層210顯示的彩色圖像的純度高。
反射區RA的第一光L1兩次穿過濾色器層210。然而，透射區TA的第二光L2僅穿過濾色器層210一次。由於透射區TA的濾色器層210比反射區RA的濾色器層210厚，所以透射區TA的顏色再現性與反射區RA的顏色再現性基本相同。
共電極層220形成在濾色器層210上，並與陣列基底100的像素電極117和118相對。
將液晶層300置於陣列基底100和濾色器基底200之間。液晶層300具有對應於反射區RA和透射區TA的不同的盒間隙(cell gap)。第一盒間隙d1是在反射區RA中共電極層220和反射電極118之間的間隙，第二盒間隙d2是在透射區TA中共電極層220和透射電極117之間的間隙。基於第一光L1出射反射區RA的光路和第二光L2出射透射區TA的光路，第一盒間隙d1大約為第二盒間隙d2的一半。第一光L1的光路和第二光L2的光路互不相同。
圖8A至圖8C是示出製造圖5中的透反式陣列基底的方法的剖視圖。
參照圖5和圖8A，將柵極金屬層沉積並圖案化在第一基礎基底101上，以形成柵極金屬圖案。柵極金屬圖案包括柵極線GLn-1和GLn、開關元件TFT的柵電極111和存儲電容器CST的公共線131。柵極金屬層是具有低電阻的金屬。例如，可用於柵極金屬層的金屬的示例包括鉻(Cr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)，但並不局限於此。可單獨使用這些金屬，也可使用這些金屬的合金或組合。另外，柵極金屬層可具有包括多於兩種物理上不同的材料的多層結構。例如，通過濺射工藝來沉積柵極金屬層，並通過光刻工藝來將柵極金屬層圖案化。
柵極絕緣層102形成在柵極金屬圖案上。通過等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)工藝來形成柵極絕緣層102。例如，柵極絕緣層102的厚度可以為大約4000。例如，柵極絕緣層102可包括絕緣材料，例如氮化矽(SiNx)。
有源層112a和歐姆接觸層112b順序地沉積並圖案化在柵極絕緣層102上，以形成溝道部分112。有源層112a包括非晶矽(a-Si∶H)，歐姆接觸層112b摻雜有高濃度的n+離子。溝道部分112形成在對應於開關元件TFT的柵電極111的柵極絕緣層102上。
源極金屬層沉積並圖案化在具有溝道部分112的第一基礎基底101上，以形成源極金屬圖案。
源極金屬圖案包括多條源極線DLm-1和DLm、開關元件TFT的源電極113和漏電極114。另外，源極金屬圖案還可包括與存儲電容器CST的公共線131局部疊置的電極圖案132。源極金屬層是具有低電阻的金屬。例如，可用於源極金屬層的金屬的示例包括鉻(Cr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)，但並不局限於此。可單獨使用這些金屬，也可使用這些金屬的合金或組合。另外，源極金屬層可具有具有多於兩種物理上不同的材料的多層結構。例如，通過濺射工藝來沉積源極金屬層，並通過光刻工藝來將源極金屬層圖案化。
保護絕緣層103形成在具有源極金屬圖案的基礎基底101上。通過PECVD工藝來形成保護絕緣層103。例如，保護絕緣層103的厚度可以是大約1000。保護絕緣層103可包括絕緣材料，例如氮化矽(SiNx)。
參照圖5和圖8B，有機絕緣層104形成在具有保護絕緣層103的第一基礎基底101上。有機絕緣層104包括絕緣材料，例如氮化矽(SiNx)，有機絕緣層104的深度為大約4μm。
通過掩模400來將有機絕緣層104圖案化。將對應於反射區RA的有機絕緣層104與對應於透射區TA的有機絕緣層104不同地圖案化。掩模400包括對應於反射區RA的阻擋部分410、第一開口部分430和局部開口部分450。通過阻擋部分410來限定第一開口部分430，局部開口部分450形成在第一開口部分430的中心部分。掩模400還可包括對應於透射區TA的第二開口部分470。第二開口部分470在透射區TA的基本上的整個區域中開口。局部開口部分450包括縫隙圖案或半色調圖案。
使用掩模400將有機絕緣層104曝光並顯影，以將有機絕緣層104圖案化。通過第一開口部分430將有機絕緣層104的一部分曝光來形成凹陷圖案123。通過局部開口部分450將有機絕緣層104的一部分曝光來形成從凹陷圖案123凸出的凸起圖案125。通過第二開口部分470將有機絕緣層104一部分曝光來局部地去除有機絕緣層104。
也就是說，凹陷圖案123形成在對應於反射區RA的絕緣層104上，凸起圖案125形成在凹陷圖案123的中心部分。
根據方程式1和方程式2，當凹陷圖案123的界面傾斜角θt在大約0°和大約20°之間的範圍內時，反射光的出射角具有圓錐形形狀，例如，相對於與第一基礎基底101的前表面基本垂直的法線在大約-30°和大約30°之間的範圍內。在圖8B中，凸起圖案125從凹陷圖案123的中心部分凸出，使得界面傾斜角θt為大約10°的區域的尺寸增大。
也就是說，凸起圖案125形成在凹陷圖案123的中心部分上。因此，界面傾斜角θt為大約10°的提高反射率的區域的尺寸增大。
去除對應於透射區TA的有機絕緣層104。此外，接觸孔116形成在有機絕緣層104對應於反射區RA的部分中，並暴露漏電極114的一部分。
參照圖5和圖8C，像素電極PE形成在圖案化的有機絕緣層104上，並通過接觸孔116電連接到漏電極114。透明導電材料沉積並圖案化在圖案化的有機絕緣層104上，以形成透射電極117。例如，可用於透射電極117的透明導電材料的示例包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)，但並不局限於此。
透射電極117通過接觸孔116電連接到漏電極114。反射金屬層沉積並圖案化在透射電極117上，以形成反射電極118。反射電極118包括金屬材料。例如，可用於反射電極118的金屬材料的示例包括鋁(Al)、釹(Nd)、鉬(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)。可單獨使用這些金屬，也可使用這些金屬的合金或組合。
反射電極118形成在具有凹陷圖案123和凸起圖案125的有機絕緣層104上。反射電極118的圖案與凹陷圖案123和凸起圖案125的圖案基本相同。凹陷圖案123的界面傾斜角在大約0°和大約20°之間。當界面傾斜角為10°時，反射率被最大化。凸起圖案125形成在凹陷圖案123的中心部分上，因此使界面傾斜角θt為大約10°的區域的尺寸(例如，表面面積)最大化，從而提高了反射電極118的反射率。
圖9是示出根據本發明又一實施例的反射式陣列基底的平面圖。圖10是沿著圖9的III-III′線截取的剖視圖。
參照圖9和圖10，顯示面板包括反射式陣列基底500、濾色器基底600和設置在反射式陣列基底500和濾色器基底600之間的液晶層700。
反射式陣列基底500包括第一基礎基底501、多條柵極線GLn-1和GLn、多條源極線DLm-1和DLm以及多個像素部分P。在第一方向上延伸的柵極線GLn-1和GLn形成在第一基礎基底501上。在與第一方向交叉的第二方向上延伸的源極線DLm-1和DLm也形成在第一基礎基底501上。通過形成在第一基礎基底501上的柵極線GLn-1和GLn以及源極線DLm-1和DLm來限定像素部分P。各像素部分P包括開關元件TFT、像素電極PE和存儲電容器CST。開關元件TFT電連接到柵極線GLn的一條和源極線DLm的一條。像素部分PE電連接到開關元件TFT。
開關元件TFT包括柵電極511、源電極513和漏電極514。柵電極511從柵極線GLn延伸，源極線513從源極線DLm延伸。另外，漏電極514通過接觸孔516電連接到反射電極518。
柵極絕緣層502形成在柵極線GLn-1和GLn以及柵電極511上。對應於包括柵電極511的區域，溝道部分512形成在柵極絕緣層502上。溝道部分512包括有源層512a和歐姆接觸層512b。去除歐姆接觸層512b的在源電極513和漏電極514之間的一小部分，以限定開關元件TFT的溝道。保護絕緣層503形成在開關元件TFT和源極線DLm-1及DLm上。
有機絕緣層504形成在開關元件TFT上，在中心部分具有凸起圖案525的凹陷圖案523形成在有機絕緣層504的上表面上。例如，有機絕緣層504可包括絕緣材料，例如氮化矽(SiNx)，有機絕緣層504的深度為大約4μm。
反射電極518包括金屬材料。例如，可用於反射電極518的金屬材料的示例包括鋁(Al)、釹(Nd)、鉬(Mo)、鎢(W)、銀(Ag)，但並不局限於此。可單獨使用這些金屬，也可使用這些金屬的合金或組合。
反射電極518形成在具有凹陷圖案523和凸起圖案525的有機絕緣層504上。反射電極518的圖案與凹陷圖案523和凸起圖案525的圖案基本相同。
根據方程式1和方程式2，當凹陷圖案523的界面傾斜角θt在大約0°和大約20°之間的範圍內時，反射光的出射角具有圓錐形形狀，例如，相對於與第一基礎基底501的前表面基本垂直的法線在大約-30°和大約30°之間的範圍內。在圖10中，凸起圖案525從凹陷圖案523的中心部分凸出，使得界面傾斜角θt為大約10°的區域的尺寸增大。
凸起圖案525形成在凹陷圖案523的中心部分上。因此，使界面傾斜角θt為大約10°的區域的尺寸(表面面積)最大化，因此提高了反射電極518的反射率。
存儲電容器CST包括公共線531和電極圖案532。公共線531公共地形成在像素部分上。
電極圖案532從漏電極514延伸，並與公共線531局部地疊置。柵極絕緣層502、保護絕緣層503和有機絕緣層504順序地形成在公共線531上。
柵極線GLn-1和GLn、源極線DLm-1和DLm、公共線531、電極圖案532、柵電極511、源電極513和漏電極514是具有低電阻的金屬。例如，可用於柵極金屬層的金屬的示例包括鉻(Cr)、鋁(Al)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)，但並不局限於此。可單獨使用這些金屬，也可使用這些金屬的合金或組合。
濾色器基底600包括第二基礎基底601和形成在第二基礎基底601上的濾色器層610及共電極層620。濾色器層610通過表現特定的顏色來顯示顏色梯度。共電極層620包括透明導電材料。例如，可用於共電極層620的透明導電材料的示例包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫鋅(ITZO)，但並不局限於此。
液晶層700設置在陣列基底500和濾色器基底600之間。陣列基底500的反射電極518和濾色器基底600的共電極層620之間的電勢差改變液晶分子的陣列角度。
根據本發明，凸起圖案形成在凹陷圖案的中心部分上，使得界面傾斜角為大約10°的區域的尺寸(表面面積)最大化，從而提高了反射電極118的反射率。
具體地講，當凹陷圖案的界面傾斜角θt在大約0°和大約20°之間的範圍內時，反射光的出射角具有圓錐形形狀，例如，相對於與前表面基本垂直的法線在大約-30°和大約30°之間的範圍內。法線對應於大約0°的角。凸起圖案形成在凹陷圖案的中心部分上，使得界面傾斜角為大約10°的區域的尺寸最大化，從而提高了反射電極的反射率。
已經描述了本發明的示例性實施例及其優點，應當注意，在不脫離如權利要求限定的本發明的精神和範圍的情況下，在這裡可作出各種改變、替換和變更。
權利要求
1.一種陣列基底，包括多條柵極線，在第一方向上延伸；多條源極線，在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸；多個像素部分，由所述柵極線和所述源極線來限定；開關元件，形成在各像素部分上，所述開關元件電連接到所述柵極線的一條和所述源極線的一條；像素電極，電連接到所述開關元件，所述像素電極包括凹陷圖案，所述凹陷圖案在中心部分具有凸起圖案。
2.如權利要求1所述的陣列基底，還包括形成在所述開關元件和所述像素電極之間的有機絕緣層，其中，所述凹陷圖案形成在所述有機絕緣層的上表面上。
3.如權利要求2所述的陣列基底，其中，所述像素電極是反射第一光的反射電極。
4.如權利要求1所述的陣列基底，其中，所述像素電極包括反射電極，反射第一光；透射電極，在與反射的第一光的方向相同的方向上透射第二光，其中，所述凹陷圖案形成在反射電極上。
5.如權利要求1所述的陣列基底，其中，所述凹陷圖案的界面傾斜角在大約0°和大約20°之間。
6.如權利要求5所述的陣列基底，其中，所述凸起圖案的界面傾斜界在大約5°和大約15°之間。
7.一種製造陣列基底的方法，包括在基礎基底上形成開關元件，所述開關元件電連接到在第一方向上延伸的柵極線和在與所述第一方向交叉的第二方向上延伸的源極線；在具有所述開關元件的基礎基底上形成有機絕緣層；將所述有機絕緣層圖案化為具有相對於基準表面凹陷的圖案，且在所述凹陷圖案的中心部分具有相對於所述凹陷圖案的界面的凸起圖案；在其上形成有凹陷圖案的有機絕緣層上形成與所述開關元件接觸的像素電極。
8.如權利要求7所述的方法，其中，使用掩模將所述有機絕緣層圖案化，所述掩模包括阻擋光的阻擋部分，位於對應於所述基準表面的部分；透射光的開口部分，位於對應於所述凹陷圖案的部分；局部地透射光的局部開口部分，位於對應於所述凸起圖案的部分。
9.如權利要求7所述的方法，其中，將所述有機絕緣層圖案化的步驟還包括形成接觸孔，所述接觸孔將所述開關元件與所述像素電極接觸。
10.如權利要求7所述的方法，其中，所述凹陷圖案的界面傾斜角在大約0°和大約20°之間。
11.如權利要求10所述的方法，其中，所述凸起圖案的界面傾斜角在大約5°和大約15°之間。
12.如權利要求7所述的方法，其中，將所述有機絕緣層圖案化的步驟包括對應於其上形成有反射電極的部分形成所述凹陷圖案和所述凸起圖案。
13.如權利要求7所述的方法，其中，形成所述像素電極的步驟包括在其上形成有凹陷圖案的有機絕緣層上形成與所述開關元件接觸的透射電極；在所述透射電極的一小部分中形成反射電極。
14.如權利要求7所述的方法，其中，所述像素電極是包括反射金屬材料的反射電極。
15.一種顯示面板，包括陣列基底，包括多個像素部分，所述像素部分的每個包括開關元件和像素電極，所述像素電極具有凹陷圖案並電連接到所述開關元件，所述凹陷圖案在中心部分包括凸起圖案；濾色器基底，與所述陣列基底相對；液晶層，設置在所述陣列基底和所述濾色器基底之間。
16.如權利要求15所述的顯示面板，其中，所述像素電極包括反射金屬材料，且是反射第一光的反射電極。
17.如權利要求15所述的顯示面板，其中，所述像素電極包括反射第一光的反射電極和透射第二光的透射電極，其中，所述反射電極具有形成在其上的凹陷圖案。
18.如權利要求17所述的顯示面板，其中，所述液晶層包括不同的在反射所述第一光的反射區和透射所述第二光的透射區之間的盒間隙。
19.如權利要求15所述的顯示面板，其中，所述凹陷圖案的界面傾斜角在大約0°和大約20°之間。
20.如權利要求19所述的顯示面板，其中，所述凸起圖案的界面傾斜角在大約5°和大約20°之間。
全文摘要
本發明公開了一種提高反射率的陣列基底、製造其的方法及具有其的顯示面板。該陣列基底包括多條柵極線、多條源極線、多個像素部分、多個開關元件和多個像素電極。柵極線在第一方向上延伸。源極線在與第一方向交叉的第二方向上延伸。由柵極線和源極線來限定像素部分。各開關元件形成在各自的像素電極上，並電連接到柵極線的一條和源極線的一條。各像素電極電連接到各自的開關元件，並包括在中心部分具有凸起圖案的凹陷圖案。在中心部分具有凸起圖案的凹陷圖案提高了陣列基底的反射率。
文檔編號H01L21/70GK1988163SQ20061013938
公開日2007年6月27日 申請日期2006年9月27日 優先權日2005年12月19日
發明者金宰賢 申請人:三星電子株式會社