電磁屏蔽結構的製作方法
2023-09-13 20:00:00 2
專利名稱：電磁屏蔽結構的製作方法
技術領域：
本發明涉及射頻領域，特別涉及一種電磁屏蔽結構。
背景技術：
在射頻技術領域，金屬導線的寬度常處於毫米、微米量級，而微波波長也為毫米、微米量級。由於金屬導線的寬度和微波波長相當，電磁幹擾成為射頻技術領域中的一個重要問題。在低溫共燒陶瓷工藝中，金屬導線分布於多層介質上，有時需要不同介質層上的金屬導線通過垂直耦合傳遞電磁能量。但有時又應避免不同介質層上的金屬導線產生垂直耦合，否則會產生電磁幹擾。
發明內容
本發明提出一種電磁屏蔽結構，解決了現有技術中呈垂直分布的金屬導線之間易產生電磁幹擾的問題。本發明的技術方案是這樣實現的一種電磁屏蔽結構，包括頂層金屬地和底層金屬地；電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層位於所述頂層金屬地與所述底層金屬地之間，所述電磁屏蔽層為金屬層，且所述電磁屏蔽層上開有耦合窗口 ；上層耦合金屬導線和下層耦合金屬導線，所述上層耦合金屬導線和所述下層耦合金屬導線關於所述耦合窗口呈上下對稱分布；以及上通孔和下通孔，所述上通孔和所述下通孔的一端分別連接至所述上層耦合金屬導線和所述下層耦合金屬導線，所述上通孔和所述下通孔的另一端分別連接至頂層金屬地和底層金屬地。可選地，所述電磁屏蔽結構還包括第一通孔以及通孔隔離窗口，所述第一通孔穿過所述通孔隔離窗口。可選地，所述第一通孔連接於頂層金屬地與底層金屬地之間。可選地，所述電磁屏蔽層上的金屬為銅。可選地，所述稱合窗口和所述通孔隔離窗口為同一窗口。本發明的有益效果是可在實現某些金屬導線的垂直耦合的同時，避免其它金屬導線之間產生電磁幹擾。
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對於本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發明一種電磁屏蔽結構一個實施例的立體結構示意圖。
具體實施例方式下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基於本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬於本發明保護的範圍。圖1為本發明一種電磁屏蔽結構一個實施例的立體結構示意圖。如圖1所示，電磁屏蔽結構I包括金屬地2和2'以及電磁屏蔽層3。電磁屏蔽層3為金屬層,在電磁屏蔽層3上開有耦合窗口 4以及通孔隔離窗口 5。電磁屏蔽結構I還包括耦合金屬導線6和6'，耦合金屬導線6和6'關於耦合窗口 4呈上下對稱分布。電磁屏蔽結構I還包括通孔7和V，通孔7和7'的一端分別連接至耦合金屬導線6和6'，通孔7和7'的另一端分別連接至金屬地2和2'。金屬地2和2'之間連接有通孔7"，通孔7"穿過通孔隔離窗口 5。由於電磁屏蔽層3上開有稱合窗口 4,且稱合金屬導線6和6'關於稱合窗口 4呈上下對稱分布。因此，耦合金屬導線6和6'可實現垂直耦合。而當電磁屏蔽層3其餘部分的兩側分布有其它金屬導線時，由於電磁屏蔽層3其餘部分為金屬，可隔離金屬導線，防止其產生垂直耦合，從而避免產生電磁幹擾。本技術領域的技術人員應當理解，在圖3所示實施例中，電磁屏蔽結構I包括通孔7"，通孔7"穿過通孔隔離窗口 5，然而，本技術領域的技術人員應當理解，電磁屏蔽結構I也可不包括通孔7"，相應地，電磁屏蔽層3上不具有通孔隔離窗口 5。另外，圖3所示實施例中，通孔7"連接於金屬地2和2'之間，在其它實施例中，通孔7"也可連接於金屬導線之間或金屬導線與金屬地之間。在一個實施例中,稱合窗口 4和通孔隔離窗口 5為同一窗口。在另一實施例中，電磁屏蔽層上刻蝕的金屬為銅。利用本發明提出的電磁屏蔽結構，在實現某些金屬導線的垂直耦合的同時，避免其它金屬導線之間產生電磁幹擾。以上所述僅為本發明的較佳實施例而已，並不用以限制本發明，凡在本發明的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發明的保護範圍之內。
權利要求
1.一種電磁屏蔽結構,其特徵在於,包括 頂層金屬地和底層金屬地； 電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層位於所述頂層金屬地與所述底層金屬地之間，所述電磁屏蔽層為金屬層，且所述電磁屏蔽層上開有耦合窗口 ； 上層耦合金屬導線和下層耦合金屬導線，所述上層耦合金屬導線和所述下層耦合金屬導線關於所述耦合窗口呈上下對稱分布；以及 上通孔和下通孔，所述上通孔和所述下通孔的一端分別連接至所述上層耦合金屬導線和所述下層耦合金屬導線，所述上通孔和所述下通孔的另一端分別連接至頂層金屬地和底層金屬地。
2.如權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特徵在於，所述電磁屏蔽結構還包括第一通孔以及通孔隔離窗口，所述第一通孔穿過所述通孔隔離窗口。
3.如權利要求2所述的電磁屏蔽結構，其特徵在於，所述第一通孔連接於頂層金屬地與底層金屬地之間。
4.如權利要求1所述的電磁屏蔽結構，其特徵在於，所述電磁屏蔽層上的金屬為銅。
5.如權利要求2所述的電磁屏蔽結構，其特徵在於，所述耦合窗口和所述通孔隔離窗口為同一窗口。
全文摘要
本發明提出了一種電磁屏蔽結構，包括頂層金屬地和底層金屬地；電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層位於所述頂層金屬地與所述底層金屬地之間，所述電磁屏蔽層為金屬層，且所述電磁屏蔽層上開有耦合窗口；上層耦合金屬導線和下層耦合金屬導線，所述上層耦合金屬導線和所述下層耦合金屬導線關於所述耦合窗口呈上下對稱分布；以及上通孔和下通孔，所述上通孔和所述下通孔的一端分別連接至所述上層耦合金屬導線和所述下層耦合金屬導線，所述上通孔和所述下通孔的另一端分別連接至頂層金屬地和底層金屬地。利用本發明提出的電磁屏蔽結構，在實現某些金屬導線的垂直耦合的同時，避免其它金屬導線之間產生電磁幹擾。
文檔編號H05K9/00GK103068214SQ20121056834
公開日2013年4月24日 申請日期2012年12月12日 優先權日2012年12月12日
發明者王玲 申請人:青島聯盟電子儀器有限公司