半導體生產設備冷卻管路的滴漏水監測裝置的製作方法
2023-09-19 01:39:35
專利名稱：半導體生產設備冷卻管路的滴漏水監測裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及半導體製造裝備技術領域，尤其是一種生產設備冷卻管路的滴漏水監測裝置。
背景技術：
在半導體製造領域,去離子水(deionized water)常用作各種生產設備的冷卻水。參見附圖I中去離子水的冷卻管路示例，圖中以實線表示正常的水流方向，去離子水由入水管路輸送至生產設備頂部的冷卻圓頂(I)，再由若干外部管道(2)輸送至水箱(3)。冷卻管路在長期使用之後，不可避免的會產生滴漏的問題，例如外部管道的底部以及各類接頭位置都是易發生腐蝕進而產生滴漏現象的位置。為了對滴漏水進行監測，現 有方法是在生產設備的下方布置盛漏盤(5)，在生產設備的底部開設對準盛漏盤(5)的漏液口，並且在漏液口位置布置滴漏水傳感器出)。參見附圖I中的虛線，表示滴漏水的水流方向，當生產設備內部發生去離子水滴漏時，一方面盛漏盤能夠收集滴漏的去離子水，另一方面傳感器能夠監測到滴漏，並發出報警信號。然而，此方法具有一定的局限性，因其只能監測到生產設備內部的滴漏，當生產設備以外的管路發生滴漏時，由於滴漏水不會流經傳感器，因此不會觸發報警信號，進而可能導致影響正常生產的不良因素不能被及時探知。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是對半導體生產設備冷卻管路的滴漏水做到全方位的監測。為實現上述目的，本發明提出一種半導體生產設備冷卻管路的滴漏水監測裝置，該冷卻管路包括位於生產設備頂部的且與入水管路連接的冷卻圓頂，與冷卻圓頂連接的外部管道，與外部管道連接的水箱，位於生產設備下方的盛漏盤，以及開設在生產設備底部並對準盛漏盤的漏液口，尤其的，所述滴漏水監測裝置包括設置在盛漏盤內的滴漏水傳感器。本發明通過在盛漏盤內設置滴漏水傳感器，能夠全面監測各個位置的滴漏水，及時發出報警信號，避免危害的發生。
通過附圖中所示的本發明的優選實施例的更具體說明，本發明的上述及其它目的、特徵和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。並未刻意按實際尺寸等比例縮放繪製附圖，重點在於示出本發明的主旨。圖I是現有技術中生產設備的冷卻管路及滴漏水監測裝置示意圖；圖2是本發明提出的冷卻管路及滴漏水監測裝置示意圖。
具體實施例方式參見圖2所示，本實施例提出一種半導體生產設備冷卻管路的滴漏水監測裝置。該冷卻管路包括位於生產設備頂部的且與入水管路連接的冷卻圓頂1，與冷卻圓頂I連接的若干外部管道2，與外部管道2連接的水箱3，位於生產設備下方的盛漏盤5，以及開設在生產設備底部並對準盛漏盤5的漏液口 6』。在某些場合中，水箱3固定在地面，且水箱3的外圍設置有外部盛漏箱4。尤其的，在所述盛漏盤5的內設置有滴漏水傳感器7。當生產設備內部出現滴漏水時，滴漏水從漏液口 6』流入盛漏盤5 ;當生產設備外圍的外部管2出現滴漏水時，滴漏水直接從流入盛漏盤5。無論水的來源如何，當盛漏盤5內出現積水時，滴漏水傳感器7均能監測到，並且發出報警信號，必要時通知生產設備停機，因此能全方位的對任意位置的滴漏水進行監測。優選的滴漏水傳感器7位於靠近漏液口 6』位置，因此能更快的對生產設備內部的漏液做出響應。另外，盛漏盤5通過管路8連接至盛漏箱4，能夠及時將盛漏盤5內的積水引出，避免積水溢出汙染周圍環境。本發明雖然以較佳實施例公開如上，但其並不是用來限定權利要求，任何本領域技術人員在不脫離本發明的精神和範圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發明的 保護範圍應當以本發明權利要求所界定的範圍為準。
權利要求
1.一種半導體生產設備冷卻管路的滴漏水監測裝置，該冷卻管路包括位於生產設備頂部的且與入水管路連接的冷卻圓頂，與冷卻圓頂連接的外部管道，與外部管道連接的水箱，位於生產設備下方的盛漏盤，以及開設在生產設備底部並對準盛漏盤的漏液口，其特徵在於所述滴漏水監測裝置包括設置在盛漏盤內的滴漏水傳感器。
2.如權利要求I所述的滴漏水監測裝置，其特徵在於所述水箱固定在地面，水箱的外圍設置有外部盛漏箱。
3.如權利要求I所述的滴漏水監測裝置，其特徵在於所述滴漏水傳感器位於靠近漏液口的位置。
4.如權利要求2所述的滴漏水監測裝置，其特徵在於所述盛漏盤通過管路連接至盛漏箱。
全文摘要
本發明屬於半導體裝備技術領域，尤其是一種生產設備冷卻管路的滴漏水監測裝置。該冷卻管路包括位於生產設備頂部的且與入水管路連接的冷卻圓頂，與冷卻圓頂連接的外部管道，與外部管道連接的水箱，位於生產設備下方的盛漏盤，以及開設在生產設備底部並對準盛漏盤的漏液口，尤其的，所述滴漏水監測裝置包括設置在盛漏盤內的滴漏水傳感器。通過在盛漏盤內設置滴漏水傳感器，能夠全面監測各個位置的滴漏水，及時發出報警信號，避免危害的發生。
文檔編號G01M3/02GK102879152SQ20121036617
公開日2013年1月16日 申請日期2012年9月27日 優先權日2012年9月27日
發明者代勇 申請人:上海宏力半導體製造有限公司