一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法

2023-09-17 19:36:55 1

一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法
【專利摘要】一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，屬於電子工藝領域，包括如下步驟：（1）將高濃度的N2氣體注入反應裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應，使孔壁清潔，同時對於印製板進行預熱，使得高分子材料處於一定的活化狀態；（2）以O2和CF4為原始氣體，將其混合反應後得到O、F等離子體，使其與樹脂反應，使得孔壁凹蝕反應；（3）以O2為原始氣體，產生的等離子體與反應殘餘物反應使孔壁達到清潔。所提供的基於等離子體的方法，對不同樹脂都具有均勻一致的蝕刻速度，在孔壁很容易形成優良的凹蝕效果，有效提高了複合基板中各類導通孔的孔壁金屬化質量及可靠性，為複合基板的電氣性提供了必要的保證，本發明所述方法操作簡單，易於推廣。
【專利說明】一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法

【技術領域】
[0001]本發明屬於電子工藝領域，尤其涉及一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法。

【背景技術】
[0002]在複合基板的製作過程中，金屬化孔的可靠性是保證天線電性能指標的關鍵，孔金屬化工藝是解決如何在孔截面上覆蓋一層均勻的和耐熱衝擊的金屬銅，而在進行孔金屬化前需首先都孔壁進行改性處理，通過凹蝕來實現，凹蝕能夠對孔壁PTFE樹脂改性的同時，增加孔內化學鍍銅層與內層銅環連接面積，從而增加金屬化孔的可靠性，目前同常的做法是採用化學方法處理，化學凹蝕由於受到孔徑和板材對水表面張力的影響，對孔厚徑比有一定的限制，尤其是盲孔的凹蝕；現有的工藝中多採用混合材料的高頻層壓板，實用的材料樹脂不盡相同，化學處理不能夠對所有的樹脂同時起到很好的凹蝕作用，難以對不同樹脂同樣提供均勻良好的附著力，在金屬化後經常出現孔壁空洞，嚴重時甚至出現開路短路現象。


【發明內容】

[0003]本發明旨在解決上述問題，提供一種有效對複合基板孔壁進行處理的方法。
[0004]一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特徵在於包括如下步驟:
(1)將高濃度的N2氣體注入反應裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應，使孔壁清潔，同時對於印製板進行預熱，使得高分子材料處於一定的活化狀態；
(2)以O2和CF4為原始氣體，將其混合反應後得到O、F等離子體，使其與樹脂反應，使得孔壁凹蝕反應；
(3)以O2為原始氣體，產生的等離子體與反應殘餘物反應使孔壁達到清潔。
[0005]本發明所述的一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特徵在於所述步驟(2)中O2的含量為85%?90% ；CF4的含量為15%?10%。
[0006]本發明所述的一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特徵在於所述步驟(2)中凹蝕反應後，孔壁的凹蝕深度為5μπΓ80μηι。
[0007]本發明所述的一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特徵在於步驟(I)中對印製板的預熱溫度為90°C?130°C。
[0008]本發明所述的一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，所提供的基於等離子體的方法，對不同樹脂都具有均勻一致的蝕刻速度，在孔壁很容易形成優良的凹蝕效果，有效提高了複合基板中各類導通孔的孔壁金屬化質量及可靠性，為複合基板的電氣性提供了必要的保證，本發明所述方法操作簡單，易於推廣。

【具體實施方式】
[0009]一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，包括如下步驟:
(I)將高濃度的N2氣體注入反應裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應，使孔壁清潔，同時對於印製板進行預熱，使得高分子材料處於一定的活化狀態；
(2)以O2和CF4為原始氣體，將其混合反應後得到O、F等離子體，使其與樹脂反應，使得孔壁凹蝕反應；
(3)以O2為原始氣體，產生的等離子體與反應殘餘物反應使孔壁達到清潔。
[0010] 本發明所述的一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，所述步驟(2)中O2的含量為85°/Γ90% ；CF4的含量為15°/Γ10%。所述步驟(2)中凹蝕反應後，孔壁的凹蝕深度為5 μ m^80 μ m0步驟(I)中對印製板的預熱溫度為90°C?130°C。在整個的反應過程中，N2提供了良好的反應條件，起到表面活化的作用；02作為反應氣體，進行氧化處理，主要用於高分子材料表面活化和有機汙染物的去除；CF4的作用是用於有機物的蝕刻和清除，真正起到蝕刻作用的是O原子，加入CF4氣體是為了引入F原子。
【權利要求】
1.一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特徵在於包括如下步驟: (1)將高濃度的N2氣體注入反應裝置，使得N2的自由基與孔壁附有的氣體分子反應，使孔壁清潔，同時對於印製板進行預熱，使得高分子材料處於一定的活化狀態； (2)以O2和CF4為原始氣體，將其混合反應後得到O、F等離子體，使其與樹脂反應，使得孔壁凹蝕反應； (3)以O2為原始氣體，產生的等離子體與反應殘餘物反應使孔壁達到清潔。
2.如權利要求1所述的一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特徵在於所述步驟(2)中O2的含量為85%?90% ；CF4的含量為15%" 10%ο
3.如權利要求1所述的一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特徵在於所述步驟(2)中凹蝕反應後,孔壁的凹蝕深度為5μπΓ80μηι。
4.如權利要求1所述的一種複合基板微盲孔孔壁的凹蝕方法，其特徵在於步驟(I)中對印製板的預熱溫度為90°C?130°C。
【文檔編號】H05K3/42GK104244611SQ201410408202
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年8月19日 優先權日:2014年8月19日
【發明者】賈衛東, 魏軍鋒 申請人:西安三威安防科技有限公司