膜厚測量裝置的製作方法
2023-09-10 11:01:05
專利名稱：膜厚測量裝置的製作方法
技術領域：
本發明涉及一種膜厚測量裝置，通過使檢查頭相對於檢查試樣的表面保持設定間隔地進行掃描而測量膜厚。
背景技術：
作為對在薄料狀材料的表面形成導電性薄膜的薄膜膜厚進行測量的單元，通常都是使用如專利文獻1所記載的裝置。專利文獻1為非接觸式電阻率測量裝置。如圖2所示，該非接觸式電阻率測量裝置包括磁心42，形成為C字形，其兩端部以朝向半導體晶片41的兩側面的方式配置；勵磁線圈43，用於勵磁該磁心42；檢測用線圈44，被設置在磁心42的一側端部；恆流發生裝置45；以及運算機46。根據該構成，半導體晶片41從C字形的磁心42的兩端部之間通過，從而測量電阻率。此時，磁心42的兩端部在與半導體晶片41的表面保持有微小間隙的狀態下，沿半導體晶片41的表面正確地掃描。
通過該構成，在上述的非接觸式電阻率測量裝置中測量電阻率，但是如果預先知曉電阻率(ρ)和薄料電阻(ρs)，則可以通過關係算式〔t＝ρ/ρs〕測量膜厚。即，可以測量薄料狀材料表面的導電性薄膜的膜厚。
專利文獻1日本特開平01-92666號公報但是，上述非接觸式電阻率測量裝置無法對應寬幅的檢查試樣或者長的檢查試樣。
對此，只能在檢查試樣的一面使上述磁心42和檢測用線圈44等進行掃描，在這種情況下，難以調整與檢查試樣表面的導電性薄膜之間的間隙，從而導致需要體積比較龐大的裝置。
發明內容
鑑於上述問題，本發明目的在於提供一種膜厚測量裝置，該膜厚測量裝置可通過簡單的結構對長帶狀或長大形的檢查試樣容易且準確地進行膜厚的測量。
為了解決上述問題，本發明第一方面涉及的膜厚測量裝置用於對在基材上形成有導電性薄膜的檢查試樣測量該導電性薄膜的膜厚，包括檢查頭，相對於上述檢查試樣的表面，以相隔設定的間隔的狀態下被保持；以及隔離膜，介於上述檢查試樣的導電性薄膜和上述檢查頭之間的同時，通過直接或者間接地接觸上述導電性薄膜，從而將該導電性薄膜和上述檢查頭10之間的間隙保持為上述設定的間隔。
根據上述結構，上述隔離膜直接或者間接地接觸上述導電性薄膜，並將該導電膜和上述檢查頭10之間的間隔保持為上述設定的間隔，從而可以通過該檢查頭對上述導電性薄膜的膜厚進行測量。
根據本發明第二方面涉及的膜厚測量裝置，還包括在內部安裝有一個或多個上述檢查頭、並將上述隔離膜粘貼於外側表面的旋轉輥。
根據上述結構，通過使旋轉輥接觸上述檢查試樣的表面並使其旋轉，可以對整個上述檢查試樣的導電性薄膜的膜厚進行測量。
根據本發明第三方面涉及的膜厚測量裝置，上述旋轉輥通過連接一個或多個內置有上述檢查頭的厚壁的圓盤狀的測量單元而構成。
根據上述結構，只相互連接與檢查試樣的寬度對應的個數的厚壁圓盤狀的測量單元而構成上述旋轉輥。
根據本發明第四方面涉及的膜厚測量裝置，通過集電環連接上述旋轉輥內的上述檢查頭和外部裝置。
根據上述結構，雖然上述檢查頭也與旋轉輥一同旋轉，但是，該檢查頭輸出的檢測信號通過集電環向外部裝置可靠地輸出。
根據本發明第五方面涉及的膜厚測量裝置，還包括在內部安裝有一個或多個上述檢查頭、並將上述隔離膜粘貼於上述檢查試樣側的表面的平板狀主體。
根據上述結構，通過使上述平板狀主體的隔離膜接觸上述檢查試樣，從而對上述檢查試樣的表面的導電性薄膜的膜厚進行測量。當上述平板狀主體的大小大於上述檢查試樣的大小時，使上述平板狀主體在移動的同時接觸上述檢查試樣，從而對上述導電性薄膜的膜厚進行測量。
根據本發明第六方面涉及的膜厚測量裝置，上述基材是長帶狀的合成樹脂薄料或者是長大的硬質板材。
根據上述結構，在由長帶狀的合成樹脂薄料或者長大的硬質的板材構成的上述基材的表面上，使輥狀的膜厚測量裝置旋轉的同時、或者使平板狀的膜厚測量裝置接觸的同時，對整個檢查試樣的薄膜的膜厚進行測量。
如上詳述，根據本發明的膜厚測量裝置，可以達到如下的效果。
(1)上述隔離膜直接或間接地接觸上述導電性薄膜，將該導電性薄膜和上述檢查頭之間的間隔保持為上述設定的間隔，並通過該檢查頭對上述導電性薄膜的膜厚進行測量，所以，可以容易且準確地對上述導電性薄膜的膜厚進行測量。
(2)通過使旋轉輥接觸上述檢查試驗的表面並使其旋轉，可以簡單地測量整個上述檢查試樣的導電性薄膜的膜厚，所以即使是寬幅的薄膜時，也可以在短時間內容易、且準確地測量整個膜厚。
(3)只有多個與檢查試樣的寬度對應的個數的厚壁圓盤狀的測定單元相互連接而構成上述旋轉輥，所以，通過將旋轉輥抵接檢查試樣，並從該檢查試樣的一端到另一端僅旋轉一次，或者將上述檢查試樣抵接上述旋轉輥，並從該檢查試樣的一端到另一端僅移動一次，就可以容易地測量上述檢查試樣的導電性薄膜的膜厚。
(4)雖然上述檢查頭也與旋轉輥共同地旋轉，但是，由於該檢查頭中的檢測信號通過集電環向外部裝置可靠地輸出，因此可以在旋轉輥式的膜厚測量裝置中準確地測量膜厚。
(5)通過使上述平板狀主體的隔離膜接觸上述檢查試樣，對上述檢查試樣的表面的導電性薄膜的膜厚進行測量，所以，可以準確地測量上述導電性薄膜的膜厚。當上述平板狀主體的大小大於上述檢查試樣的大小時，使上述平板狀主體在移動的同時接觸上述檢查試樣，從而可以正確地測量寬幅的上述導電性薄膜的膜厚。
(6)在由長帶狀的合成樹脂薄料或者長大的硬質的板材構成的上述基材的表面上，使輥狀的膜厚測量裝置旋轉的同時，或者使平板狀的膜厚測量裝置接觸的同時，對整個檢查試樣的薄膜的膜厚進行測量，所以，可以在短時間內有效地測量長形或者長大形的檢查試樣的膜厚。
圖1是表示本發明涉及的膜厚測量裝置的輥式檢查部的立體圖；圖2是表示現有的非接觸式電阻率測量裝置的概略結構圖；圖3是表示本發明涉及的膜厚測量裝置的輥式檢查部的詳圖；圖4是表示本發明涉及的膜厚測量裝置的輥式檢查部和聚酯薄膜接觸狀態的概略側視圖；圖5是表示本發明涉及的膜厚測量裝置的輥式檢查部和聚酯薄膜接觸狀態的概略側視圖；圖6是表示本發明涉及的膜厚測量裝置的電路示例的電路圖；圖7是表示本發明涉及的膜厚測量裝置的電路示例的電路圖；圖8是表示檢查頭與聚酯薄膜的導電性薄膜之間的間隔變化、和傳感器輸出電壓的減少率之間關係的曲線圖；圖9是表示本發明涉及的膜厚測量裝置的使用例的示意圖；圖10是表示本發明涉及的變形例的立體圖；以及圖11是表示本發明涉及的變形例的立體圖。
具體實施例方式
下面，根據附圖對本發明的實施例涉及的膜厚測量裝置進行說明。
本實施例涉及的膜厚測量裝置用於對在基材的表面上形成有導電性薄膜的檢查試樣測量該導電性薄膜的膜厚。在此，作為基材，以長帶狀的合成樹脂薄料為例進行說明。並且，作為該合成樹脂薄料，使用聚酯薄膜。作為該聚酯薄膜表面的導電性薄膜，使用Cu蒸鍍膜。
本實施例的膜厚測量裝置為旋轉輥式的裝置。如圖1所示，該膜厚測量裝置1包括輥式檢查部2、控制部3(參照圖9)。
如圖1、圖3～圖5所示，輥式檢查部2主要包括主體部4、旋轉軸5。主體部4主要包括測量單元6、電源單元7、連接部8。
測量單元6是內置有檢查頭10等的單元。測量單元6的整體形成為厚壁的圓盤狀，只相互連接與作為檢查試樣的聚酯薄膜11的寬度對應的個數。在此，通過連接五個測量單元6構成輥。此外，作為測量單元6的個數，根據希望檢查的間隔而有所不同。在這種情況下，將後述的間隔調整板12插入各測量單元6之間，調整測量單元6的間隔，從而設定與聚酯薄膜11的寬度相符合的測量單元6的個數。
測量單元6主要包括厚壁的圓盤狀的框體部6A、該框體部6A內收容的測量設備(除檢查頭10以外未圖示)。
框體部6A是構成測量單元6外殼的部件。互相連接有多個該框體部6A。各框體部6A通過連接棒或者螺紋棒等連接工具(未圖示)而互相連接。各框體部6A之間適當地設置有間隔調整板12，用於適當地調整聚酯薄膜11上的測量位置。當希望擴大測量位置的間隔時，則增加間隔調整板12的厚度或者個數，當希望將測量位置的間隔調窄時，則減少間隔調整板12的厚度或者個數。而且，當調整聚酯薄膜11的全長方向的測量位置時，通過改變框體部6A的直徑、或者改變檢查頭10的個數，都可以調整聚酯薄膜11的全長方向的測量位置。在框體部6A的外周面上，其全周粘貼有後述的隔離膜14。
框體部6A內的檢查設備是一種用於測量聚酯薄膜11的導電性薄膜膜厚的裝置。該檢查設備包括檢查頭10和其周邊設備(未圖示)等。檢查頭10在被安裝在框體部6A內的狀態下，被準確定位設置。具體而言，在檢查頭10被安裝於框體部6A內的狀態下，按照相對於框體部6A外周面的隔離膜14的外側表面而設定的間隔，準確定位設置檢查頭10。這是為了在上述隔離膜14的外側表面和上述聚酯薄膜11抵接時，準確地把握該聚酯薄膜11的導電性薄膜的位置。即，若正確地知道了檢查頭10和上述隔離膜14的外側表面之間的距離S1(參照圖5)，則通過確定該隔離膜14的外側表面和上述聚酯薄膜11的導電性薄膜之間的間隔，就可以確定上述檢查頭10和導電性薄膜之間的距離。此外，對於上述隔離膜14的外側表面和上述聚酯薄膜11的導電性薄膜之間的間隔，當上述隔離膜14的外側表面直接與上述聚酯薄膜11的導電性薄膜抵接時為「0」，當上述隔離膜14的外側表面與上述聚酯薄膜11的另一面抵靠時，則為「上述聚酯薄膜11的膜厚S2」。因此，正確地定位設置檢查頭10，以便形成相對於主體部4的隔離膜14的外側表面而設定的間隔。
此外，上述隔離膜14是一種介於聚酯薄膜11的導電性薄膜和檢查頭10之間、並通過直接或者間接地接觸上述導電性薄膜而將該導電性薄膜和上述檢查頭10之間的間隔保持為設定間隔的膜。上述導電性薄膜直接或間接地接觸該隔離膜14，從而將這些檢查頭10和導電性薄膜正確地調整為設定的間隔。
與上述現有技術同樣，檢查頭10也是由磁心(core)、勵磁線圈、檢測用線圈等構成的。在此，在測量單元6的框體部6A內僅內置一個檢查頭10，但是，若在框體部6A內的空間有多餘的空間，也可以設置2個以上。並且，也可以將配置位置適當設置在圓周方向和軸方向上。也可以是，例如，如果是2個，則在圓周方向上錯開180°等間隔地配置；如果是3個時，在圓周方向上錯開120°，等間隔地配置。而且，也可以空出一定間隔地沿軸方向並排設置。也可以沿軸方向和圓周方向分別錯開地配置。而且，在測量單元6的框體部6A內，還適當地配置有用於調整漂移的舌簧接點開關或者磁體等。
該測量單元6為5個，根據需要，使間隔調整板12介於其間，並通過連接工具相互連接，從而與電源單元7及連接部8一起固定為一體。
電源單元7是用於向各測量單元6提供電源的部件。各測量單元6通過互相連接實現電連接，並從電源單元7接受電源的供給。電源單元7直接與5個連接的測量單元6的一端部連接，從一端部的測量單元6到另一端部的測量單元6全部提供電源。而且，同樣，檢測信號也通過連接的各測量單元6連接至外部的控制部3。該電路的一個示例如圖6及圖7所示。在此，由於連接有5個測量單元6，所以，並列連接5個具有由線圈組成的傳感器16的讀出放大器17。正確定位設置各傳感器16，以便使與上述隔離膜14的外側表面之間的距離為設定值。各讀出放大器17互相電連接並為其提供電源，同時，向外部輸出檢測信號。
並且，各讀出放大器17通過外部裝置和集電環(未圖示)連接。該集電環是一種將輥檢查部2內的檢查頭10和外部裝置在允許相互旋轉的狀態下進行電連接的裝置。通過該集電環，向外部裝置可靠地輸出通過檢查頭的傳感器16及讀出放大器17檢測出的檢測信號。
作為集電環可以使用公知的裝置。在此，作為一個示例，使用其中一種集電環。如圖7所示，該集電環主要包括高頻振蕩器19、絕緣變壓器20、自動電壓調整器21、V/F轉換器22、光電轉換元件(未圖示)、光纖旋轉接頭(未圖示)。由此，由於絕緣變壓器20和光纖旋轉接頭允許旋轉，所以電連接輥式檢查部2和外部裝置。
在電源單元7中，用於與旋轉軸5連接的連接部7A設置為一體。該連接部7A包括軸插入部7B和凸緣部7C。軸插入部7B是用於插入旋轉軸5並相互固定的筒部。凸緣部7C是連接於5個被連接的測量單元6的一端部的測量單元6的部件。
連接部8是用於連接旋轉軸5的部件。該連接部8與上述電源單元7的連接部7A一樣，包括軸插入部8A和凸緣部8B。軸插入部8A是用於插入旋轉軸5並相互固定的筒部。凸緣部8B是連接於5個連接的測量單元6的另一端部的測量單元6的部件。凸緣部8B形成為與測量單元6的大小相同的圓盤狀，並可旋轉地支撐另一端部的測量單元6。而且，通過該連接部8和上述電源單元7的連接部7A，可旋轉地支撐全部5個連接的測量單元6。
旋轉軸5是用於可旋轉地支撐主體部4的軸。該旋轉軸5分別固定於主體部4兩側的連接部7A、連接部8，並且，通過外部裝置的支撐臂(未圖示)可旋轉地支撐旋轉軸5。在旋轉軸5內配置有信號線24等。
控制部3是用於處理由輥式檢查部2檢測的檢測信號、並計算導電性薄膜的膜厚的處理部。在該控制部3中進行如下所述的處理。
首先，對導電性薄膜的膜厚測量原理進行說明。
該膜厚測量的原理是，通過電磁感應作用，利用發生於導電性薄膜表面的渦電流測量電阻率，根據與預先知曉的導電性薄膜的薄料電阻之比，測量導電性薄膜的膜厚。
若在線圈上施加高頻電壓，則由該線圈產生根據高頻周期而變化的磁場。若將導電性薄膜放置於該磁場中，則在該導電性薄膜的表面發生渦電流。渦電流是在放置於隨時間變化的磁場中的導電性薄膜內部因電磁感應而產生的渦狀電流。電流沿磁通方向渦狀地流過垂直的面內，並產生焦耳熱，從而引起電磁能量的熱損失。通過利用該電磁感應作用，可以測量導電性薄膜的電阻率/薄料電阻。
通過高頻振蕩器19在檢查頭10上施加數MHz的高頻，因此，在各檢查頭10的間隙處產生根據高頻而變化的磁場。所以，當將粘貼有導電性薄膜的聚酯薄膜11放入該檢查頭10的間隙處時，根據高頻電感耦合，在導電性薄膜上產生渦電流。產生的渦電流通過變為焦耳熱而消失。即，在導電性薄膜內，高頻功率的一部分以轉換為焦耳熱的方式被吸收。而且，導電性薄膜內的高頻功率的吸收、導電率(電阻率的倒數)及試樣的形狀(厚度)由於持有正相關，所以，可通過利用該正相關來測量導電性薄膜的「電阻率/薄料電阻」。
在上述導電性薄膜中消耗的高頻功率通過下式求得P＝E×I＝E(Ie+Io).......(1)其中，
P＝高頻功率E＝高頻電壓I＝高頻電流Io＝無導電性薄膜時的高頻電流Ie＝因放入導電性薄膜而增加的高頻電流因在間隙處放入導電性薄膜而增加的高頻功率為Pe＝E×Ie......(2)若試樣的導電率＝σ，導電性薄膜的膜厚＝t，線圈耦合係數＝k，則Pe＝E×Ie＝K×E2×σ×t......(3)由上式Ie＝K×E×σ×t＝K×E×(t/ρ)......(4)因此，電阻率為ρ＝K×(E/Ie)×t(Ω-cm)......(5)其中，電阻率(ρ)、薄料電阻(ρs)和膜厚(t)的關係為t＝ρ/ρs＝K×(E/Ie)/ρs......(6)
因此，使用預先已知電阻率(ρ)的導電性薄膜，只要測量薄料電阻(ρs)，則可以通過上述算式(6)，計算出導電性薄膜的膜厚t。
根據以上原理，構成了控制部3的處理部。
具體的尺寸的例子如下所示。聚酯薄膜11的厚度為100μm～120μm，聚酯薄膜的寬度為700～1000mm，作為導電性薄膜可以使用Cu蒸鍍膜，該Cu蒸鍍膜的厚度為1μm，移動速度為1000mm/分(16mm/秒)，電阻率約為0.1Ω-cm，聚酯薄膜的寬度方向的測量位置為5點。
導電性薄膜和檢查頭10之間的間隔根據如圖8所示的曲線圖而設定。圖8是表示上述間隔變化和傳感器輸出電壓的減少率之間關係的曲線圖。在「0」～「600」μm之間的間隔的減少率中，若間隔接近「0」，則會導致接觸的問題，若過於遠離，則傳感器的輸出電壓過小。因此，在此，將間隔設定在300μm±50μm的範圍內。根據在此設定的範圍調整隔離膜14的膜厚。
例如如圖9所示，使用如上所述設定的膜厚測量裝置1。圖9是測量Cu蒸鍍膜的膜厚的裝置，其中，該Cu蒸鍍膜被蒸鍍在卷繞於輥上的長帶狀的聚酯薄膜11的一側面上。
圖中的26是卷繞上述聚酯薄膜11的輸送輥。27是在聚酯薄膜11的表面蒸鍍Cu蒸鍍膜的蒸鍍裝置。28是卷繞被蒸鍍的聚酯薄膜11的卷繞輥。膜厚測量裝置1被設置在蒸鍍裝置27的下遊側。膜厚測量裝置1的輥式檢查部2在蒸鍍裝置27的下遊側，如圖5所示，檢查部2以與聚酯薄膜11接觸的方式配置。控制部3根據輥式檢查部2輸出的檢測信號，計算出Cu蒸鍍膜的膜厚，並向蒸鍍裝置27輸出用於校正偏離設定值的偏移量的控制信號。在蒸鍍裝置27中，根據來自控制部3的控制信號調整蒸鍍膜的膜厚。
此時，輥式檢查部2在旋轉的同時，常與聚酯薄膜11接觸，從而測量聚酯薄膜11的全面的Cu蒸鍍膜的膜厚。即，5個檢查頭10在聚酯薄膜11的橫向的5個位置上，以輥式檢查部2圓周的長度的間隔，測量聚酯薄膜11的全面的Cu蒸鍍膜的膜厚。
而且，此時，通過隔離膜14將檢查頭10和聚酯薄膜11的Cu蒸鍍膜的間隔可靠地維持在300μm±50的範圍內，所以，在聚酯薄膜11的整個面上可以簡單而可靠地測量Cu蒸鍍膜。
如上所述，隔離膜14直接或者間接地接觸聚酯薄膜11的導電性薄膜，並將該導電性薄膜和上述檢查頭10的間隔保持為上述設定的間隔，通過該檢查頭10測量上述導電性薄膜的膜厚，所以能夠容易且可靠地測量上述導電性薄膜的膜厚。
通過使旋轉輥式的輥式檢查部2接觸聚酯薄膜11的表面並旋轉，從而能夠容易地測量上述整個聚酯薄膜11的導電性薄膜的膜厚，因此，可以在短時間內容易且可靠地對寬薄膜的整個膜厚進行測量。
厚壁圓盤狀的測量單元6隻互相連接與聚酯薄膜11的寬度對應的個數，並構成上述旋轉輥式的輥式檢查部2，所以，通過將輥式檢查部2抵靠聚酯薄膜11，從該聚酯薄膜11的一端到另一端僅旋轉一次，或者將聚酯薄膜11抵靠上述輥式檢查部2，從該聚酯薄膜11的一端到另一端僅移動一次，就可以容易地測量上述聚酯薄膜11的導電性薄膜的膜厚。
而且，雖然檢查頭10與輥式檢查部2共同旋轉，但是通過集電環向外部裝置可靠地輸出該檢查頭10中的檢測信號，因此，可以使用旋轉輥式的膜厚測量裝置1準確地測量膜厚。
變形例在上述實施例中，是以在作為基材的聚酯薄膜11的正反面中的一側面上形成Cu蒸鍍膜的實施例為例進行了說明。但是，例如像層疊薄料，本發明也可以適用於在內部的中間層上形成導電性薄膜的情況。此時，可以發揮與上述的實施例相同的作用、達到相同的效果。
在上述實施例中，作為膜厚測量裝置1，使用圓形狀的輥，但是也可以使用多面體狀的輥。
而且，在上述實施例中，作為檢測試樣使用了柔軟的帶狀的合成樹脂，但是本發明並不只限於此，也可以適用於玻璃基板等長而大的硬質板材。在這種情況下，如圖10所示，在板材31的表面轉動輥式檢查部2，從而掃描整個板材31。當為特長帶狀的板材時，按照該板材的寬度構成輥式檢查部2，從特長板材的一端向另一端掃描一次。這種情況也可以與上述的實施例發揮相同的作用、達到相同的效果。
而且，在上述的實施例中，使用圓形狀的輥作為膜厚測量裝置1。但是如圖11所示，也可以使用平板狀的裝置。在該平板狀的膜厚測量裝置32的內部安裝有一個或者多個檢查頭(未圖示)，在檢查試樣33側的表面(下側面)粘貼有隔離膜。該膜厚測量裝置32比檢查試樣33大。而且，膜厚測量裝置32從檢查試樣33的上側面與其只接觸一次，並測量整個檢查試樣33的導電性薄膜的膜厚。由此，可以容易且準確地測量檢查試樣33的全面的導電性薄膜的膜厚。
而且，在上述的實施例中，使用圓形狀的輥作為膜厚測量裝置1，但是當膜厚測量裝置1的直徑遠遠大於檢查試樣時，也可以不是圓形狀的輥，也可以是作為該輥的一部分而形成圓弧狀。這種情況也可以與前述的實施例發揮相同的作用、達到相同的效果。
附圖標記1膜厚測量裝置2輥式檢查部3控制部 4主體部5旋轉軸 6測量單元7電源單元8連接部10檢查頭 11聚酯薄膜12間隔調整板 14隔離膜16傳感器 17讀出放大器19高頻振蕩器 20絕緣變壓器21自動電壓調整器 22V/F轉換器24信號線 26輸送輥27蒸鍍裝置 28卷繞輥31板材 32膜厚測量裝置33檢查試樣
權利要求
1.一種膜厚測量裝置，對於在基材上形成導電性薄膜的檢查試樣，測量該導電性薄膜的膜厚，其特徵在於，包括檢查頭，相對於所述檢查試樣的表面，在相隔設定的間隔的狀態下保持所述檢查頭；以及隔離膜，介於所述檢查試樣的導電性薄膜和所述檢查頭之間，同時，通過與所述導電性薄膜直接或者間接地接觸，而將該導電性薄膜和所述檢查頭之間的間隔保持為設定的間隔。
2.根據權利要求1所述的膜厚測量裝置，其特徵在於，包括在內部安裝有一個或多個所述檢查頭、並將所述隔離膜粘貼於外側表面的旋轉輥。
3.根據權利要求2所述的膜厚測量裝置，其特徵在於，所述旋轉輥通過連接一個或多個內置所述檢查頭的厚壁的圓盤狀的測量單元而構成。
4.根據權利要求2所述的膜厚測量裝置，其特徵在於，通過集電環連接所述旋轉輥內的所述檢查頭和外部裝置。
5.根據權利要求1所述的膜厚測量裝置，其特徵在於，包括在內部安裝有一個或多個所述檢查頭、並將所述隔離膜粘貼於所述檢查試樣側的表面的平板狀主體。
6.根據權利要求1所述的膜厚測量裝置，其特徵在於，所述基材是長帶狀的合成樹脂薄料、或者長大形的硬質板材。
全文摘要
本發明提供一種膜厚測量裝置，通過簡單的構成，對長帶狀或長大形的檢查試樣容易、且準確地進行膜厚的測量。該膜厚測量裝置用於對於在聚酯薄膜(11)上形成導電性薄膜的檢查試樣測量該導電性薄膜的膜厚。其包括檢查頭(10)，在輥式檢查部(2)中，面對上述聚酯薄膜(11)的表面，在相隔設定的間隙的狀態下被保持；以及隔離膜(14)，在介於上述聚酯薄膜(11)的導電性薄膜和上述檢查頭(10)之間的狀態下，被設置在輥式檢查部(2)的外周上，同時直接或者間接地接觸上述導電性薄膜，並將該導電膜和上述檢查頭(10)之間的間隔保持為設定的間隔。
文檔編號H01L21/66GK101033935SQ20071007940
公開日2007年9月12日 申請日期2007年3月5日 優先權日2006年3月10日
發明者細川理彰 申請人:奈普森株式會社