高電流取出效率led的製作方法

2023-10-07 03:19:44 4

高電流取出效率led的製作方法
【專利摘要】本發明涉及一種高電流取出效率LED，包括位於底層的基底、沉積於所述的基底上方的金屬薄膜層、覆蓋於所述的金屬薄膜層上的SiO2層、以及沉積於所述的SiO2層上方的ITO和金屬電極。所述的基底為P-GaN層。在外延片表面沉積反射率大於70%的金屬薄膜，如銀，銅，銠等，然後製作成類似CBL的結構，然後沉積一層SiO2層正好覆蓋在金屬薄膜上，該層SiO2的作用是CBL，接著再沉積ITO和金屬電極。由於採用上述技術方案，本發明利用金屬薄膜的高反射率將射向電極的光大部分反射回LED體內，從而通過其他途徑出射到LED體外，提高了出光效率。
【專利說明】高電流取出效率LED
【技術領域】
[0001]本發明涉及LED晶片製造領域。
【背景技術】
[0002]現有技術中LED的構造，是在P型GaN上沉積電流阻擋層，然後在電流阻擋層上沉積電流擴展層和電極，這種結構會造成從電極下方發出的光被電極吸收的情況，從而導致現有技術中的LED的出光效率不高。

【發明內容】

[0003]本發明目的是增加電極下方的光反射能力，從而減少電極對光的吸收，提高出光效率。
[0004]為了達到以上以技術目的，本發明的技術方案為:一種高電流取出效率LED，包括位於底層的基底、沉積於所述的基底上方的金屬薄膜層、覆蓋於所述的金屬薄膜層上的SiO2層、以及沉積於所述的SiO2層上方的ITO和金屬電極。
[0005]優選地，所述的基底為P-GaN層。
[0006]優選地，在外延片表面沉積反射率大於70%的金屬薄膜，如銀，銅，銠等，然後製作成類似CBL的結構，然後沉積一層Si02層正好覆蓋在金屬薄膜上，該層Si02的作用是CBL，接著再沉積ITO和金屬電極。
[0007]由於採用上述技術方案，本發明利用金屬薄膜的高反射率將射向電極的光大部分反射回LED體內，從而通過其他途徑出射到LED體外，提高了出光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]附圖1為根據本發明的高電流取出效率LED的結構示意圖；
附圖2為根據本發明的高電流取出效率LED的製造流程示意圖。
【具體實施方式】
[0009]下面結合附圖對本發明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發明的優點和特徵能更易於被本領域技術人員理解，從而對本發明的保護範圍做出更為清楚明確的界定。
[0010]參見附圖1所示，為根據本發明的高電流取出效率LED的結構示意圖，它包括位於底層的基底、沉積於所述的基底上方的金屬薄膜層、覆蓋於所述的金屬薄膜層上的SiO2層、以及沉積於所述的SiO2層上方的ITO和金屬電極。本實施例中的基底為P-GaN層，在外延片表面沉積反射率大於70%的金屬薄膜，如銀，銅，銠等，利用金屬薄膜的高反射率將射向電極的光大部分反射回LED體內，從而通過其他途徑出射到LED體外，提高了出光效率。
[0011]參見附圖2所示，為根據本發明的高電流取出效率LED的製造流程示意圖。首先在外延片表面沉積反射率大於70%的金屬薄膜，如銀，銅，銠等製作成類似CBL——CBL=current blocking layer主要是為了讓不能出光(或擋光)的地方(PN結)不發光，或叫提高電流有效注入的結構，然後沉積一層Si02層正好覆蓋在金屬薄膜上，該層Si02的作用是CBL，接著再沉積ITO和金屬電極。
[0012]以上實施方式只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在於讓熟悉此項技術的人了解本發明的內容並加以實施，並不能以此限制本發明的保護範圍，凡根據本發明精神實質所做的等效變化或修飾，都應涵蓋在本發明的保護範圍內。
【權利要求】
1.一種高電流取出效率LED，其特徵在於:它包括位於底層的基底、沉積於所述的基底上方的金屬薄膜層、覆蓋於所述的金屬薄膜層上的SiO2層、以及沉積於所述的SiO2層上方的ITO和金屬電極。
2.根據權利要求1所述的高電流取出效率LED，其特徵在於:所述的金屬薄膜的反射率大於70%。
3.根據權利要求2所述的高電流取出效率LED，其特徵在於:所述的金屬薄膜選自銀、銅、銠中的一種。
4.根據權利要求1所述的高電流取出效率LED，其特徵在於:所述的基底為P-GaN層。
【文檔編號】H01L33/46GK103824922SQ201110458418
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2011年12月31日 優先權日:2011年12月31日
【發明者】魏臻 申請人:聚燦光電科技(蘇州)有限公司