改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法及集成電路製造方法與流程

2023-10-05 23:44:29 2

本發明涉及半導體製造領域，更具體地說，本發明涉及一種改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法、以及採用了該改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法的集成電路製造方法。

背景技術：

STI(Shallow Trench Isolation，改善淺溝槽隔離)工藝隨著集成電路的線寬逐漸降低越來越多的面臨填充空洞的問題，傳統純沉積的方式會造成空洞的發生。而新的工藝在引入NF3刻蝕的同時，也引入了金屬汙染的問題，而這些金屬尤其是重金屬(Cr、Ti、Zn、Cu、Fe、Mn)超規格後會造成產品良率的降低、其中重金屬Cr是主要影響因素之一。

由此，期望的是，能夠提供一種能夠有效地改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法。

技術實現要素：

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠有效地改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法。

為了實現上述技術目的，根據本發明，提供了一種改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法，包括：

第一步驟：將矽片布置在淺溝槽隔離工藝機臺內，其中採用靜電吸盤固定矽片；

第二步驟：執行淺溝槽隔離工藝的同時，在靜電吸盤的與矽片相對的表面通惰性氣體，以帶走靜電吸盤表面的重金屬元素。

優選地，所述改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法還包括第三步驟：利用真空泵抽走淺溝槽隔離工藝機臺內的空氣。

優選地，重金屬元素是Cr元素。

優選地，惰性氣體是He氣。

優選地，淺溝槽隔離工藝包括電漿轟擊。

優選地，淺溝槽隔離工藝包括NF3刻蝕。

優選地，淺溝槽隔離工藝包括沉積工藝。

為了實現上述技術目的，根據本發明，還提供了一種採用了上述改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法的集成電路製造方法。

在本發明中，在工藝執行時，通過在靜電吸盤表面通一定流量的He，將靜電吸盤表面的Cr元素吹走，並被真空泵抽走，從而達到降低金屬Cr汙染的目的。

附圖說明

結合附圖，並通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解並且更容易地理解其伴隨的優點和特徵，其中：

圖1示意性地示出了根據本發明優選實施例的改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法的流程圖。

需要說明的是，附圖用於說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能並非按比例繪製。並且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。

本發明的發明人通過分析淺溝槽隔離工藝機臺內部部件的成分，發現其關鍵部件靜電吸盤表面成分含有5％的Cr，而靜電吸盤本身就具有吸附作用，其表面因為電漿轟擊及NF3刻蝕而析出的Cr元素，就會因為靜電吸盤的吸附始終殘留在靜電吸盤表面，由此在矽片傳送時，Cr元素被揚起，進而汙染矽片。

相應地，本發明提出，在矽片沉積的時候，通過在靜電吸盤表面通一定流量的He，將靜電吸盤表面的Cr元素吹走，並被真空泵抽走，從而達到降低金屬Cr汙染的目的。

圖1示意性地示出了根據本發明優選實施例的改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法的流程圖。

如圖1所示，根據本發明優選實施例的改善淺溝槽隔離製程金屬汙染的方法包括：

第一步驟S1：將矽片布置在淺溝槽隔離工藝機臺內，其中採用靜電吸盤固定矽片；

第二步驟S2：執行淺溝槽隔離工藝的同時，在靜電吸盤的與矽片相對的表面通惰性氣體，以帶走靜電吸盤表面的重金屬元素(Cr元素)；

例如，惰性氣體是He氣。

例如，淺溝槽隔離工藝包括電漿轟擊。

例如，淺溝槽隔離工藝包括NF3刻蝕。

例如，淺溝槽隔離工藝包括沉積工藝。

第三步驟S3：利用真空泵抽走淺溝槽隔離工藝機臺內的空氣。

由此，如上所述，在工藝執行時，通過在靜電吸盤表面通一定流量的He，將靜電吸盤表面的Cr元素吹走，並被真空泵抽走，從而達到降低金屬Cr汙染的目的。

其中，第二步驟S2和第三步驟S3可以同步進行。

此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術語「第一」、「第二」、「第三」等描述僅僅用於區分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用於表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關係或者順序關係等。

可以理解的是，雖然本發明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例並非用以限定本發明。對於任何熟悉本領域的技術人員而言，在不脫離本發明技術方案範圍情況下，都可利用上述揭示的技術內容對本發明技術方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的內容，依據本發明的技術實質對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬於本發明技術方案保護的範圍內。