一種納米金屬線導電薄膜的製作方法

2023-09-22 15:54:25 1

一種納米金屬線導電薄膜的製作方法
【專利摘要】一種納米金屬線導電薄膜，包括：基座、IC晶片、封裝件及用於與外部電連接的導線架，所述IC晶片固定設置於所述導線架上，所述封裝件包覆所述IC晶片，其特徵在於：所述基座開設有一凹型腔，所述凹型腔具有一開口端，所述導線架和所述IC晶片均設於所述凹型腔的內部，所述導線架及與所述導線架相連接的內腳和外腳形成一容置空間，散熱器設置於所述容置空間內。本實用新型使用的納米銀金屬線使用合成工藝可以控制金屬線直徑，從400納米到15納米等長度可以控制在1um-30um，而銀的導電性又是所有金屬中最好的，本工藝使用多元醇合成法直接合成出納米級銀線，具有節能環保、簡化工藝等優勢。
【專利說明】一種納米金屬線導電薄膜

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種導電薄膜，尤其涉及一種納米金屬線導電薄膜。

【背景技術】
[0002]導線架是封裝的三大原料導線架、金線、封裝膠中最重要的一種原料。集成電路中除了極少數的簡單功能晶片直接封裝外，每一個集成電路的每一片晶片都必須有一導線架配合，以組合成一個完整可使用的集成電路。導線架依功能可分為單體導線架和集成電路導線架，單體導線架中又含支持電晶體、二極體和發光二極體等產品；集成電路導線架則用於半導體封裝，作為晶片及印刷電路板線路連接之媒介，不同集成電路採用不同的封裝方式，所用的導線架亦不同。
[0003]目前IC製程已達到28納米，在未來更會突破至16納米，而其中的電子傳輸導管極其重要，目前使用的鋁濺鍍、銅製程都受限於線距線寬無法突破降至200納米，而且需要經過繁瑣的製程程序，如:濺鍍、曝光、蝕刻、離子清洗等。
實用新型內容
[0004]本實用新型所要解決的技術問題在於提供一種對電極耳和電池芯進行定位焊接的鋰離子電池極耳點焊定位夾具。
[0005]本實用新型的技術方案如下:
[0006]一種納米金屬線導電薄膜，包括:基座、IC晶片、封裝件及用於與外部電連接的導線架，所述IC晶片固設於所述導線架上，所述封裝件包覆所述IC晶片，所述基座開設有一凹型腔，所述凹型腔具有一開口端，所述導線架和所述IC晶片均設於所述凹型腔的內部，所述導線架及與所述導線架相連接的內腳及外腳形成一容置空間，散熱器設置於容置空間內。
[0007]所述散熱器包括與所述導線架的內腳連接的絕緣導熱層和與所述絕緣導熱層連接的散熱片。
[0008]所述基座為塑膠件，所述導線架為金屬件，所述基座與導線架一體成型。
[0009]所述導線架為銅箔或鐵箔所制。
[0010]本實用新型的有益效果:本實用新型使用的納米銀金屬線使用合成工藝可以控制金屬線直徑，從400奈米到15奈米等長度可以控制在lum-30um,而銀的導電性又是所有金屬中最好的，.本工藝使用多元醇合成法直接合成出奈米級銀線，具有節能環保、簡化工藝等優勢。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為所述納米金屬線導電薄膜結構示意圖
[0012]圖2為所述納米金屬線導電薄膜側視圖
[0013]附圖標記說明
[0014]I封裝件；2 IC晶片；3導線架.

【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖對本實用新型作進一步的詳細說明。
[0016]實施例1
[0017]如圖1和2所示，一種奈米金屬線導電薄膜，包括:基座、IC晶片2、封裝件I及用於與外部電連接的導線架3，所述IC晶片2固設於所述導線架3上，所述封裝件I包覆所述IC晶片2，所述基座開設有一凹型腔，所述凹型腔具有一開口端，所述導線架和所述IC晶片2均設於所述凹型腔的內部，所述導線架3及與所述導線架3相連接的內腳及外腳，散熱器設置於容置空間內，
[0018]所述散熱器包括與所述導線架3的內腳連接的絕緣導熱層和與所述絕緣導熱層連接的散熱片。
[0019]所述基座為塑膠件，所述導線架為金屬件，所述基座與導線架3 —體成型。
[0020]所述導線架3為銅箔或鐵箔所制。
[0021]儘管以上結合附圖對本實用新型的優選實施例進行了描述，但本實用新型不限於上述【具體實施方式】，上述【具體實施方式】僅僅是示意性的而不是限定性的，本領域的普通技術人員在本實用新型的啟示下，在不違背本實用新型宗旨及權利要求的前提下，可以作出多種類似的表示，這樣的變換均落入本實用新型的保護範圍之內。
【權利要求】
1.一種納米金屬線導電薄膜，包括:基座、IC晶片、封裝件及用於與外部電連接的導線架，所述IC晶片固定設置於所述導線架上，所述封裝件包覆所述IC晶片，其特徵在於:所述基座開設有一凹型腔，所述凹型腔具有一開口端，所述導線架和所述IC晶片均設於所述凹型腔的內部，所述導線架及與所述導線架相連接的內腳和外腳形成一容置空間，散熱器設置於所述容置空間內。
2.根據權利要求1所述的一種納米金屬線導電薄膜，其特徵在於:所述散熱器包括與所述導線架的內腳連接的絕緣導熱層和與所述絕緣導熱層連接的散熱片。
3.根據權利要求1所述的一種納米金屬線導電薄膜，其特徵在於，所述基座與導線架一體成型。
【文檔編號】H01L23/492GK203983262SQ201420277587
【公開日】2014年12月3日 申請日期:2014年5月28日 優先權日:2014年5月28日
【發明者】劉興棟 申請人:劉興棟