基片的洗滌方法
2023-10-08 10:47:19
>表面活性劑晶片粘附的粒子數(個/晶片)粒子除去率(％)結構式濃度洗滌前洗滌後無添加0ppm8690348060.OC9F17O-p-Ph-SO3H10ppm564019096.6C12H25N(CH2CH2OH)2200ppm9080376058.6C12H25O(CH2CH2O)9H200ppm8140193076.3實施例5除了將氨水-過氧化氫水-超純水的混合比定為X∶1∶5(NH4OH∶H2O2∶H2O)(X可參照表5)和將洗滌溫度定為25℃之外，其餘按照與實施例1同樣的步驟進行晶片的洗滌。所獲結果示於表5中。表5實施例6除了將氨水-過氧化氫水-超純水的混合比定為0.1∶1∶5(NH4OH∶H2O2∶H2O)和添加表6中所示的陰離子型表面活性劑以及將洗滌溫度定為25℃之外，其餘按照與實施例1同樣的步驟進行晶片的洗滌。所獲結果示於表6中。為了進行比較，把未添加表面活性劑或添加了陽離子型表面活性劑或非離子型表面活性劑時獲得的結果一起示於表6中。表6實施例7除了將氨水-過氧化氫水-超純水的混合比定為X∶1∶5(NH4OH∶H2O2∶H2O)(X可參照表5)和將洗滌溫度定為25℃之外，其餘按照與實施例1同樣的步驟進行晶片的洗滌。所獲結果示於表7中。權利要求1.一種用於從基片上除去粘附粒子的基片洗滌方法，該方法包括(1)用氨水-過氧化氫水洗滌；(2)用超純水漂洗；(3)使用含有陰離子表面活性劑的氫氟酸洗滌；以及(4)用超純水漂洗。2.如權利要求1所述的基片洗滌方法，其中所說的氨水-過氧化氫水含有陰離子表面活性劑。3.如權利要求1或2所述的基片洗滌方法，其中所說在氫氟酸中和氨水-過氧化氫水中的陰離子型表面活性劑的濃度至少為0.1ppm。4.如權利要求1～3中任一項所述的基片洗滌方法，其中，作為陰離子型表面活性劑，使用從式-COOH、-SO3H或-OSO3H及其金屬鹽、銨鹽和具有以伯、仲或叔胺鹽表示的親水性基團的羧酸型、磺酸型和硫酸酯型陰離子型表面活性劑中選擇的至少一種表面活性劑。全文摘要從基片、特別是從矽晶體基片上除去粘附粒子的方法，該方法包括用氨水-過氧化氫水洗滌、超純水漂洗、氫氟酸洗滌和超純水漂洗，在該方法中，向氫氟酸中，及如有必要，還向氨水-過氧化氫水混合液中添加陰離子型表面活性劑。採用該方法，可以使得在氨水-過氧化氫水洗滌工序中一旦脫離開的粒子在氫氟酸洗滌工序中不再被吸附，因此粒子的除去率顯著地提高。文檔編號C23F1/10GK1168194SQ96191411公開日1997年12月17日申請日期1996年1月11日優先權日1995年1月13日發明者板野充司,毛健彥,陶山誠申請人:大金工業株式會社