有機電致發光元件及電子設備的製作方法與工藝

2023-11-07 01:25:38 1

本發明涉及有機電致發光元件及電子設備。

背景技術：
若對有機電致發光元件(以下，有時稱為有機EL元件。)施加電壓，則空穴從陽極、電子從陰極分別注入發光層。並且，在發光層中，注入的空穴與電子複合，形成激子。此時，根據電子自旋的統計法，單重態激子、和三重態激子以25％∶75％的比例生成。使用來自單重態激子發光的螢光型有機EL元件的內部量子效率的界限據稱為25％。螢光型有機EL元件正被應用於行動電話、電視等全彩顯示器，但期待著在單重態激子的基礎上利用三重態激子的進一步效率化。從這樣的背景出發，提出了利用遲滯螢光的高效率的螢光型有機EL元件，正在進行研究。例如，正在研究TADF(ThermallyActivatedDelayedFluorescence、熱活性化遲滯螢光)機理。該TADF機理是在使用單重態能級與三重態能級的能量差(ΔST)小的材料的情況下，利用從三重態激子向單重態激子的反向系間竄越在熱條件下發生的現象的機理。熱活性遲滯螢光記載於例如「安達千波矢編、《有機半導體的器件物性》、講談社、2012年3月22日、261-262頁」。利用該TADF機構的有機EL元件在例如專利文獻1～3中公開。專利文獻1中，公開了一種具備含有ΔST小的化合物作為主體材料、含有螢光發光性的化合物作為摻雜劑材料的發光層的有機EL元件。根據專利文獻1，記載了使用ΔST小的化合物作為主體材料，通過該主體材料體現TADF機理，從而內部量子效率提高。專利文獻2和專利文獻3中也公開了一種有機EL元件，其具備含有特定的化合物作為主體材料、含有螢光發光性的化合物作為摻雜劑材料的發光層。根據專利文獻2和專利文獻3，與專利文獻1同樣，利用TADF機理來實現有機EL元件的性能提高。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：國際公開第2012/133188號專利文獻2：國際公開第2013/180241號專利文獻3：中國專利申請公開第102709485號說明書

技術實現要素：
發明要解決的問題然而，作為有機EL元件，需要進一步提高發光效率。本發明的目的在於，提供一種能夠提高發光效率的有機電致發光元件。另外，本發明的另一目的在於，提供一種具備該有機電致發光元件的電子設備。用於解決問題的手段本發明的一個方案涉及的有機電致發光元件包含陽極、發光層、和陰極，上述發光層包含第一材料、第二材料和第三材料，上述第一材料為螢光發光性的發光材料，上述第二材料為遲滯螢光發光性的材料，上述第三材料的單重態能量大於上述第二材料的單重態能量。本發明的一個方案涉及的電子設備具備上述的本發明的一個方案涉及的有機電致發光元件。根據本發明，可以提供能夠提高發光效率的有機電致發光元件。附圖說明圖1是表示一個實施方式涉及的有機電致發光元件的一例的大致構成的圖。圖2是測定過渡PL的裝置的示意圖。圖3是表示過渡PL的衰減曲線的一例的圖。圖4是表示發光層中的第一材料、第二材料和第三材料的能級和能量轉移的關係的圖。具體實施方式以下，關於本發明的有機EL元件，舉出實施方式進行說明。[第一實施方式](有機EL元件的元件構成)對第一實施方式涉及的有機EL元件的構成進行說明。有機EL元件在一對電極間具備有機層。該有機層是由有機化合物構成的多個層層疊而成的。有機層可以進一步包含無機化合物。本實施方式的有機EL元件中，有機層之中的至少一層為發光層。因此，有機層例如可以由一個發光層構成，也可以具有空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層、阻擋層等在有機EL元件中採用的層。圖1中，示出本實施方式中的有機EL元件的一例的大致構成。有機EL元件1具有透光性的基板2、陽極3、陰極4、和在陽極3與陰極4之間配置的有機層10。有機層10具有發光層5、在發光層5與陽極3之間設置的空穴注入·傳輸層6、在發光層5與陰極4之間設置的電子注入·傳輸層7。本實施方式的有機EL元件中，發光層5含有第一材料.、第二材料和第三材料。發光層5可以包含磷光發光性的金屬絡合物。然而，本實施方式的有機EL元件即使在發光層5中不含磷光發光性的金屬絡合物，也可以得到超過以往的螢光型有機EL元件的發光性能。上述「空穴注入·傳輸層」是指「空穴注入層和空穴傳輸層之中的至少任一層」。「電子注入·傳輸層」是指「電子注入層和電子傳輸層之中的至少任一層」。此處，具有空穴注入層和空穴傳輸層的情況下，優選在陽極與空穴傳輸層之間設置有空穴注入層。另外，具有電子注入層和電子傳輸層的情況下，優選在陰極與電子傳輸層之間設置有電子注入層。另外，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、和電子注入層各自可以由一層構成，也可以是多個層的層疊。(發光層)·第一材料本實施方式涉及的第一材料為螢光發光性的發光材料。第一材料沒有必要特別限定發光色，但優選顯示主峰波長為550nm以下的螢光發光，更優選顯示主峰波長為480nm以下的螢光發光。特別是以往，藍色有機EL元件具有發光效率的提高這一課題，而本實施方式的有機EL元件被認為以更優異的發光效率發出藍光。主峰波長是指，對於以10-5摩爾/升以上且10-6摩爾/升以下的濃度溶解有第一材料的甲苯溶液測定的發光光譜中的發光強度最大的發光光譜的峰波長。第一材料優選顯示藍色的螢光發光。另外，第一材料優選為螢光量子產率高的材料。作為本實施方式涉及的第一材料，可以使用螢光發光性材料。作為螢光發光性材料，具體來說，可以舉出例如雙芳基氨基萘衍生物、芳基取代萘衍生物、雙芳基氨基蒽衍生物、芳基取代蒽衍生物、雙芳基氨基芘衍生物、芳基取代芘衍生物、雙芳基氨基衍生物、芳基取代衍生物、雙芳基氨基熒蒽衍生物、芳基取代熒蒽衍生物、茚並苝衍生物、苊並熒蒽衍生物、吡咯亞甲基硼配位化合物、具有吡咯亞甲基骨架的化合物、具有吡咯亞甲基骨架的化合物的金屬絡合物、二酮吡咯並吡咯衍生物、苝衍生物、和並四苯衍生物等。另外，作為本實施方式涉及的第一材料，可以使用下述通式(10)所示的化合物。[化1]上述通式(10)中，AD為取代或無取代的成環碳原子數為12～50的芳香族烴基。作為該AD中的成環碳原子數為12～50的芳香族烴基，可以列舉例如由萘、蒽、苯並蒽、菲、芘、熒蒽、苯並熒蒽、苝、苉、三亞苯、芴、苯並芴、芪、並四苯、和苊並熒蒽等衍生的基團。此外，作為AD，還可以列舉將成環碳原子數為12～50的芳香族烴基苯並化後的基團、和擴環後的基團。上述通式(10)中，BD為下述通式(11)所示的基團。上述通式(10)中，pa為1以上且4以下的整數，pb為0以上且4以下的整數。[化2]上述通式(11)中，Ar1、Ar2和Ar3分別獨立地為選自取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳香族烴基、取代或無取代的碳原子數為1～50的烷基、取代或無取代的烯基、取代或無取代的炔基、和取代或無取代的成環原子數為5～50的雜環基的取代基，pc為0以上且4以下的整數，上述通式(11)中，波浪線部分表示與上述AD表示的芳香族烴基的鍵合部位。上述通式(10)和(11)中，AD有多個時，相互可以相同或不同，BD有多個時，相互可以相同或不同，Ar1有多個時，相互可以相同或不同，Ar2有多個時，相互可以相同或不同，Ar3有多個時，相互可以相同或不同，pc有多個時，相互可以相同或不同。作為上述通式(10)所示的化合物，可以列舉例如下面列舉的通式的化合物，但上述第一材料不限定於這些例子。以下，AD1～AD4分別獨立地與上述AD同義，BD1～BD4分別獨立地與上述BD同義。[化3][化4][化5][化6][化7][化8][化9]作為上述AD中的芳香族烴基，優選成環碳原子數為12～30的芳香族烴基，更優選成環碳原子數為12～24的芳香族烴基，進一步優選成環碳原子數為18～20的芳香族烴基。作為上述AD中的芳香族烴基，可以舉出例如萘基苯基、萘基、苊基、蒽基、苯並蒽基、苯並苊基、菲基、苯並[c]菲基、非那烯基、芴基、苉基、五苯基、芘基、基、苯並[g]基、對稱引達省基、不對稱引達省基、熒蒽基、苯並[k]熒蒽基、三亞苯基、苯並[b]三亞苯基、苯並芴基、苯乙烯基苯基、並四苯基、苝基、以及將它們進一步苯並化後的基團或擴環後的基團等。作為上述AD中的芳香族烴基，優選蒽基、苉基、芘基、基、熒蒽基、苯並[k]熒蒽基、苯並芴基、苯乙烯基苯基、並四苯基、苝基以及將這些進一步苯並化的基團或擴環的基團，更優選蒽基、芘基、基、苯並[k]熒蒽基、苯並芴基、苯乙烯基苯基、苊並[1，2-k]熒蒽基以及將這些進一步苯並化的基團或擴環的基團，特別優選蒽基、芘基、基、苯並[k]熒蒽基、苯並芴基、苊並[1，2-k]熒蒽基、和並四苯基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的芳香族烴基(以下，有時稱為芳基)，分別獨立地優選成環碳原子數為6～24的芳香族烴基，更優選成環碳原子數為6～12的芳香族烴基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的芳香族烴基，分別獨立地可以舉出例如苯基、萘基苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、苊基、蒽基、苯並蒽基、苯並苊基、菲基、苯並[c]菲基、非那烯基、芴基、苉基、五苯基、芘基、基、苯並[g]基、對稱引達省基、不對稱引達省基、熒蒽基、苯並[k]熒蒽基、三亞苯基、苯並[b]三亞苯基、苯並芴基、苯乙烯基苯基、並四苯基、苝基、以及將它們進一步苯並化後的基團或擴環後的基團等，優選苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基，更優選苯基、聯苯基、三聯苯基，特別優選苯基。作為具有取代基的芳香族烴基，可以舉出例如苯基萘基、萘基苯基、甲苯基、二甲苯基、甲矽烷基苯基、三甲基甲矽烷基苯基、9，9-二甲基芴基、9，9-二苯基芴基、9，9』-螺雙芴基、和氰基苯基等，優選甲苯基、二甲苯基、三甲基甲矽烷基苯基、9，9-二甲基芴基、9，9-二苯基芴基、9，9』-螺雙芴基、氰基苯基、和甲矽烷基苯基等。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的烷基，分別獨立地優選碳原子數為1～10的烷基，更優選碳原子數為1～5的烷基。作為上述Ar1和Ar2中的烷基，可以舉出例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基(包括異構體)、己基(包括異構體)、庚基(包括異構體)、辛基(包括異構體)、壬基(包括異構體)、癸基(包括異構體)、十一烷基(包括異構體)、和十二烷基(包括異構體)等，優選甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、和戊基(包括異構體)，更優選甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、和叔丁基，特別優選甲基、乙基、異丙基和叔丁基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的烷基，可以分別獨立地為成環碳原子數為3～50的環烷基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的環烷基，分別獨立地優選成環碳原子數為3～6的環烷基、更優選成環碳原子數為5或6的環烷基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的環烷基，可以舉出例如環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基、和金剛烷基等，優選環戊基、和環己基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的烯基，分別獨立地優選碳原子數為2～20的烯基，更優選碳原子數為2～10的烯基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的烯基，可以舉出例如乙烯基、烯丙基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1，3-丁二烯基、1-甲基乙烯基、1-甲基烯丙基、1，1-二甲基烯丙基、2-甲基烯丙基、和1，2-二甲基烯丙基等。作為取代的烯基，可以舉出例如苯乙烯基、2，2-二苯基乙烯基、1，2-二苯基乙烯基、1-苯基烯丙基、2-苯基烯丙基、3-苯基烯丙基、3，3-二苯基烯丙基、1-苯基-1-丁烯基、和3-苯基-1-丁烯基等。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的炔基，分別獨立地優選碳原子數為2～20的炔基，更優選碳原子數為2～10的炔基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的炔基，可以舉出例如炔丙基、和3-戊炔基等。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的雜環基，分別獨立地優選成環原子數為5～24的雜環基，更優選成環原子數為5～18的雜環基。作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的雜環基，可以列舉包含1～5個雜原子的雜環基。作為雜原子，可以舉出例如氮原子、氧原子、和硫原子等。此外，作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的雜環基，分別獨立地可以舉出例如吡咯基、呋喃基、噻吩基、吡啶基、噠嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、咪唑基、噁唑基、噻唑基、吡唑基、異噁唑基、異噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吲哚基、異吲哚基、苯並呋喃基、異苯並呋喃基、苯並噻吩基、異苯並噻吩基、吲嗪基、喹嗪基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、酞嗪基、喹唑啉基、喹喔啉基、苯並咪唑基、苯並噁唑基、苯並噻唑基、吲唑基、苯並異噁唑基、苯並異噻唑基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、和噸基等，優選呋喃基、噻吩基、吡啶基、噠嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、苯並呋喃基、苯並噻吩基、二苯並呋喃基、和二苯並噻吩基，更優選苯並呋喃基、苯並噻吩基、二苯並呋喃基、和二苯並噻吩基。上述通式(10)所示的化合物中，提到「取代或無取代」時的可選的取代基優選選自：碳原子數為1～50(優選為1～10、更優選為1～5)的烷基；碳原子數為2～20(優選為2～10)的烯基；碳原子數為2～20(優選為2～10)的炔基；成環碳原子數為3～50(優選為3～6、更優選為5或6)的環烷基；成環碳原子數為6～50(優選為6～24、更優選為6～12)的芳香族烴基；具有成環碳原子數為6～50(優選為6～24、更優選為6～12)的芳香族烴基的碳原子數為1～50(優選為1～10、更優選為1～5)的芳烷基；氨基；具有碳原子數為1～50(優選為1～10、更優選為1～5)的烷基的單烷基氨基或二烷基氨基；具有成環碳原子數為6～50(優選為6～24、更優選為6～12)的芳香族烴基的單芳基氨基或二芳基氨基；具有碳原子數為1～50(優選為1～10、更優選為1～5)的烷基的烷氧基；具有成環碳原子數為6～50(優選為6～24、更優選為6～12)的芳香族烴基的芳氧基；具有碳原子數為1～50(優選為1～10、更優選為1～5)的烷基的烷硫基；具有成環碳原子數為6～50(優選為6～24、更優選為6～12)的芳香族烴基的芳硫基；具有選自碳原子數為1～50(優選為1～10、更優選為1～5)的烷基和成環碳原子數為6～50(優選為6～24、更優選為6～12)的芳香族烴基的基團的單取代甲矽烷基、二取代甲矽烷基或三取代甲矽烷基；環原子數為5～50(優選為5～24、更優選為5～18)且包含1～5個(優選為1～3個、更優選為1～2個)雜原子(例如氮原子、氧原子、硫原子)的雜環基；碳原子數為1～50(優選為1～10、更優選為1～5)的滷烷基；滷原子(氟原子、氯原子、溴原子、和碘原子、優選為氟原子)；氰基；硝基。上述取代基中，尤其優選選自由碳原子數為1～5的烷基、碳原子數為5或6的環烷基、成環碳原子數為6～12的芳香族烴基、和成環原子數為5～24且包含1～3個雜原子(氮原子、氧原子、和硫原子之中至少一個)的雜環基組成的組中的取代基。作為提到「取代或無取代」時的取代基的碳原子數為1～50的烷基與作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的烷基說明的基團同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的碳原子數為2～20的烯基與作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的烯基說明的基團同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的碳原子數為2～20的炔基與作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的炔基說明的基團同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的成環碳原子數為3～50的環烷基與作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的環烷基說明的基團同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的成環碳原子數為6～50的芳香族烴基與作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的芳香族烴基說明的基團同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的成環碳原子數為6～50的芳烷基具有成環碳原子數為6～50的芳香族烴基、和碳原子數為1～50烷基，該烷基部分的具體例與上述的烷基同樣，芳香族烴基部分的具體例與上述的芳香族烴基同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的單烷基氨基或二烷基氨基中，烷基部分的具體例與上述的烷基同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的單芳基氨基或二芳基氨基中，芳基(芳香族烴基)部分的具體例與上述的芳香族烴基同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的烷氧基中，烷基部分的具體例與上述的烷基同義，烷氧基優選例如甲氧基、乙氧基。作為提到「取代或無取代」時的取代基的芳氧基中，芳基(芳香族烴基)部分的具體例與上述的芳香族烴基同義，芳氧基可以舉出例如苯氧基等。作為提到「取代或無取代」時的取代基的烷硫基中，烷基部分的具體例與上述的烷基同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的芳硫基中，芳基(芳香族烴基)部分的具體例與上述的芳香族烴基同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的單取代甲矽烷基、二取代甲矽烷基或三取代甲矽烷基，可以列舉碳原子數為1～50的烷基甲矽烷基和成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基。作為碳原子數為1～50的烷基甲矽烷基，可以舉出例如單烷基甲矽烷基、二烷基甲矽烷基、和三烷基甲矽烷基。碳原子數為1～50的烷基甲矽烷基中的各烷基的具體例與上述的烷基同義。作為成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基，可以舉出單芳基甲矽烷基、二芳基甲矽烷基、和三芳基甲矽烷基。成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基中的各芳基的具體例與上述的芳基同樣，可以舉出例如三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、叔丁基二甲基甲矽烷基、乙烯基二甲基甲矽烷基、丙基二甲基甲矽烷基、異丙基二甲基甲矽烷基、三苯基甲矽烷基、苯基二甲基甲矽烷基、叔丁基二苯基甲矽烷基、和三甲苯基甲矽烷基等。作為提到「取代或無取代」時的取代基的雜環基與作為上述Ar1、Ar2和Ar3中的雜環基說明的基團同義。作為提到「取代或無取代」時的取代基的滷烷基可以列舉將上述的烷基滷代的基團，作為具體例，可以列舉例如三氟甲基等。另外，作為本實施方式涉及的第一材料，可以使用下述通式(12)所示的化合物。[化10]上述通式(12)中，R110～R121分別獨立地為氫原子或取代基，這些R110～R121中的取代基選自：滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～50的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的碳原子數為2～20的烯基、取代或無取代的碳原子數為2～20的炔基、取代或無取代的碳原子數為1～50的烷氧基、取代或無取代的碳原子數為1～50的烷硫基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳硫基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、氨基、具有取代或無取代的碳原子數為1～50的烷基的單烷基氨基或二烷基氨基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基。·第二材料本實施方式涉及的第二材料為遲滯螢光發光性的材料。·遲滯螢光發光性關於遲滯螢光(熱活性化遲滯螢光)，在《有機半導體的器件物性》(安達千波矢編、講談社發行)的261～268頁進行了解說。該文獻中闡明了若能減小螢光發光材料的激發單重態狀態與激發三重態狀態的能量差ΔE13，則通常躍遷機率低的從激發三重態狀態向激發單重態狀態的反向能量轉移以高效率發生，表現出熱活性化遲滯螢光(ThermallyActivateddelayedFluorescence，TADF)。此外，在該文獻中的圖10.38中，說明了遲滯螢光的發生原理。本實施方式中的第二材料是顯示以這樣的原理發生的熱活性遲滯螢光的化合物。遲滯螢光的發光可以通過過渡PL測定進行確認。圖2中示出用於測定過渡PL的示意性裝置的示意圖。本實施方式的過渡PL測定裝置100具備能夠照射指定波長的光的脈衝雷射部101、容納測定試樣的試樣室102、對由測定試樣放射的光進行分光的分光器103、用於成像出二維像的條紋相機104、和導入二維像進行分析的個人電腦105。需要說明的是，過渡PL的測定不限於本實施方式中說明的裝置。容納於試樣室102的試樣可以通過將以相對於基體材料為12質量％的濃度摻雜有摻雜材料的薄膜成膜於石英基板而得到。對於容納於試樣室102的薄膜試樣，由脈衝雷射部101照射脈衝雷射使其激發。由激發光的90度的方向提取發光，用分光器103進行分光，在條紋相機104內成像出二維像。其結果是，可以得到縱軸對應於時間、橫軸對應于波長、亮點對應於發光強度的二維圖像。若用指定的時間軸切割該二維圖像，則可以得到縱軸為發光強度、橫軸為波長的發光光譜。另外，若用波長軸切割該二維圖像，則可以得到縱軸為發光強度的對數、橫軸為時間的衰減曲線(過渡PL)。例如，使用下述參考化合物H1作為基體材料，使用下述參考化合物D1作為摻雜材料，按照上述方式製作薄膜試樣A，進行過渡PL測定。[化11]還可以基於由過渡PL測定得到的衰減曲線來解析遲滯螢光的行為。過渡PL是對試樣照射脈衝雷射使其激發並測定停止照射後的PL發光的衰減行為(過渡特性)的方法。TADF材料中的PL發光分為來自由最初的PL激發生成的單重態激子的發光成分、和來自經由三重態激子生成的單重態激子的發光成分。由最初的PL激發生成的單重態激子的壽命為納秒量級，非常短。因此，來自該單重態激子的發光在照射脈衝雷射後，快速衰減。另一方面，遲滯螢光是來自經由壽命長的三重態激子生成的單重態激子的發光，因此緩慢衰減。像這樣來自由最初的PL激發生成的單重態激子的發光和來自經由三重態激子生成的單重態激子的發光之間在時間上差別大。因此，可以求出來自遲滯螢光的發光強度。在此，使用前述的薄膜試樣A、和薄膜試樣B來解析衰減曲線。薄膜試樣B是使用下述參考化合物H2作為基體材料，使用上述參考化合物D1作為摻雜材料，按照上述方式來製作薄膜試樣。在圖3中，示出由對薄膜試樣A和薄膜試樣B測定的過渡PL得到的衰減曲線。[化12]按照上述方式，通過過渡PL測定，可以得到縱軸為發光強度、橫軸為時間的發光衰減曲線。基於該發光衰減曲線，可以估計由通過光激發生成的單重態激發態發出的螢光、與由經由三重態激發態通過反向能量轉移生成的單重態激發態發出的遲滯螢光之間的螢光強度比。對於遲滯螢光發光性的材料而言，相對於快速衰減的螢光的強度，緩慢衰減的遲滯螢光的強度的比例一定程度上大。本實施方式中的遲滯螢光發光量可以使用上述圖2的裝置求出。作為來自上述第二材料的發光，存在Prompt發光(瞬時發光)、和Delay發光(遲延發光)。Prompt發光(瞬時發光)是被該第二材料可吸收的波長的脈衝光(由脈衝雷射器照射的光)激發後，由該激發態立即觀察到的發光。Delay發光(遲延發光)是通過該脈衝光激發後，不會立即觀察到的在之後觀察到的發光。本實施方式中，Delay發光(遲延發光)的量相對於Prompt發光(瞬時發光)的量優選為5％以上。Prompt發光和Delay發光的量可以通過與「Nature492，234-238，2012」(參考文獻1)中記載的方法同樣的方法求出。需要說明的是，Prompt發光和Delay發光的量的計算中使用的裝置不限於上述參考文獻1中記載的裝置。另外，遲滯螢光發光性的測定中，可以使用通過以下所示方法製作的試樣。例如，將第二材料與後述的化合物TH-2按照第二材料的比例為12質量％共蒸鍍在石英基板上，形成膜厚100nm的薄膜來製作試樣。[化13]本實施方式中，優選第二材料在一個分子中具有下述通式(2)所示的局部結構和下述通式(2Y)所示的局部結構。[化14]上述通式(2)中，CN為氰基。n為1以上的整數。n優選為1以上且5以下的整數，更優選為2以上且4以下的整數。Z1～Z6分別獨立地為氮原子、與CN鍵合的碳原子、或與上述第二材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子。例如，Z1是與CN鍵合的碳原子時，剩餘的5個(Z2～Z6)之中的至少一個是與上述第二材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子。該其它原子可以是構成下述通式(2Y)所示的局部結構的原子，也可以是構成介於該局部結構之間的連接基團、取代基的原子。本實施方式涉及的第二材料可以具有由Z1～Z6構成的六元環作為局部結構，也可以具有在該六元環上進一步稠合有環而構成的稠環作為局部結構。[化15](上述通式(2Y)中，F和G分別獨立地表示環結構。m為0或1。m為1時，Y20表示單鍵、氧原子、硫原子、硒原子、碳原子、矽原子、或鍺原子。)上述通式(2Y)中m為0時，上述通式(2Y)由下述通式(20Y)表示。[化16]上述通式(20Y)中的環結構F和環結構G與上述通式(2Y)中的環結構F和環結構G同義。另外，上述通式(2Y)中，m為1時，上述通式(2Y)由下述通式(22)～(28)中的任一個表示。[化17]上述通式(22)～(28)中的環結構F和環結構G與上述通式(2Y)中的環結構F和環結構G同義。本實施方式中，上述環結構F和上述環結構G優選為五元環或六元環，該五元環或六元環優選為不飽和環，更優選為不飽和六元環。本實施方式涉及的第二材料優選為下述通式(20)所示的化合物。[化18]上述通式(20)中，A由上述通式(2)表示，其中，上述通式(2)中，CN為氰基，n為1以上的整數，Z1～Z6分別獨立地為氮原子、與CN鍵合的碳原子、與R鍵合的碳原子、與L鍵合的碳原子、或與D鍵合的碳原子，在Z1～Z6中，至少有一個與CN鍵合的碳原子，至少有一個與L或D鍵合的碳原子，上述R分別獨立地為氫原子、或取代基，該R中的取代基選自：滷原子、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳基、取代或無取代的成環原子數為5～30的芳香族雜環基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的碳原子數為3～30的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～60的芳基甲矽烷基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為2～30的烷基氨基、取代或無取代的成環碳原子數為6～60的芳基氨基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷硫基、和取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基。上述通式(20)中，D由上述通式(2Y)表示，其中，上述通式(2Y)中的環結構F和環結構G可以無取代也可以有取代基，m為0或1，m為1時，Y20表示單鍵、氧原子、硫原子、硒原子、羰基、CR21R22、SiR23R24或GeR25R26，R21～R26與上述R中舉出的基團同義。另外，上述通式(2Y)中，m為1時，上述通式(2Y)由上述通式(22)～(25)以及下述通式(21Y)～(24Y)中的任一個表示。[化19]上述通式(20)中，(i)L介於A與D之間時，L為單鍵、取代或無取代的成環碳原子數為6～14的芳香族烴基、取代或無取代的成環原子數為5～14的芳香族雜環基、CR81R82、NR83、O、S、SiR84R85、CR86R87-CR88R89、CR90＝CR91、取代或無取代的脂肪族烴環基、或取代或無取代的脂肪族雜環基，上述R81～R91分別獨立地與上述R同義。上述通式(20)中，(ii)L在上述第二材料的分子中位於末端時，L與上述R同義。上述通式(20)中，f為1以上的整數，e和g分別獨立地為0以上的整數。多個A相互可以相同也可以不同。多個D相互可以相同也可以不同。多個L相互可以相同也可以不同。上述通式(20)由例如下述通式(201)～(220)表示。[表1][表2][表3][表4]另外，上述通式(20)中，具有重複數f的括號內的重複單元中，可以是D經由L鍵合於A，也可以是A經由L鍵合於D。例如，可以如下述通式(221)～(228)那樣分支。[化20]本實施方式涉及的第二材料不限於上述通式(201)～(228)所示的化合物。需要說明的是，在上述通式(201)～(228)中省略L時，表示L為介於A與D之間的單鍵，或者L在第二材料的分子中是位於末端的氫原子。為了較小地保持一分子的ΔST，上述L在分子設計上優選不是稠合芳香族環，但在能夠得到熱活性遲滯螢光發光的範圍內也可以採用稠合芳香族環。另外，由於需要在一分子中精確配置A和D的分子設計，本實施方式涉及的第二材料優選為低分子材料。因此，本實施方式涉及的第二材料優選分子量為5000以下，更優選分子量為3000以下。本實施方式涉及的第二材料優選包含上述通式(2)和上述通式(2Y)的局部結構。包含第二材料的有機EL元件利用熱活性遲滯螢光機理髮光。本實施方式中，上述通式(2Y)優選由下述通式(2a)和下述通式(2x)之中至少一個表示。[化21][化22]上述通式(2x)中，A和B分別獨立地表示下述通式(2c)所示的環結構、或下述通式(2d)所示的環結構，環結構A和環結構B與鄰接的環結構在任意的位置稠合。px和py分別獨立地為0以上且4以下的整數，分別表示環結構A和環結構B的數量。px為2以上且4以下的整數時，多個環結構A相互可以相同或不同。py為2以上且4以下的整數時，多個環結構B相互可以相同或不同。因此，例如，px為2時，環結構A可以是2個下述通式(2c)所示的環結構，也可以是2個下述通式(2d)所示的環結構，還可以是1個下述通式(2c)所示的環結構、與1個下述通式(2d)所示的環結構的組合。[化23][化24]上述通式(2d)中，Z7表示碳原子、氮原子、硫原子、或氧原子。上述通式(2x)中，px為0，py為c個時，由下述通式(2b)表示。[化25]上述通式(2b)中，c為1以上且4以下的整數。c為2以上且4以下的整數時，多個環結構E相互可以相同或不同。上述通式(2b)中，E表示上述通式(2c)所示的環結構、或上述通式(2d)所示的環結構，環結構E與鄰接的環結構在任意的位置稠合。因此，例如，c為2時，2個環結構E可以是2個上述通式(2c)所示的環結構，也可以是2個上述通式(2d)所示的環結構，還可以是1個上述通式(2c)所示的環結構、與1個上述通式(2d)所示的環結構的組合。通過在一分子中同時保有上述通式(2)和上述通式(2Y)的局部結構，能夠有效地將ΔST設成較小。本實施方式涉及的第二材料在其分子中，優選具有下述通式(2e)所示的結構。[化26]上述通式(2e)中，R1～R9分別獨立地為氫原子、取代基、或與上述第二材料的分子中的其它原子鍵合的單鍵，該R1～R9中的取代基選自滷原子、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳基、取代或無取代的成環原子數為5～30的芳香族雜環基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的碳原子數為3～30的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～60的芳基甲矽烷基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為2～30的烷基氨基、取代或無取代的成環碳原子數為6～60的芳基氨基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷硫基、和取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基。其中，R1～R9之中至少一個是與上述第二材料的分子中的其它原子鍵合的單鍵。上述通式(2e)中，選自R1～R9的取代基彼此的組合之中至少1組可以相互鍵合，形成環結構。形成該環結構的情況是指，即，上述通式(2e)中，在R1～R9分別鍵合的六元環中碳原子或五元環中氮原子之內，選自分別鍵合於相鄰碳原子的R1～R8和鍵合於五元環中氮原子的R9的取代基彼此能夠形成環結構。具體來說，上述通式(2e)中，由R1和R2、R2和R3、R3和R4、R4和R5、R5和R6、R6和R7、R7和R8、R8和R9、R1和R9構成的取代基的組合之中，至少1組可以相互鍵合而形成環結構。本實施方式中，取代基彼此鍵合而形成的環結構優選為稠環。例如，作為上述通式(2e)中形成該環結構的情況，可以想到形成稠合六元環結構的情況。另外，本實施方式涉及的第二材料優選在其分子中具有下述通式(2y)所示的結構。[化27]上述通式(2y)中的R11～R19分別獨立地與上述通式(2e)中的R1～R9同義。其中，R11～R19之中至少一個是與上述第二材料的分子中的其它原子鍵合的單鍵。上述通式(2y)中，選自R11～R19的取代基彼此的組合之中至少1組可以相互鍵合而形成環結構。上述通式(2y)中，A和B分別獨立地表示下述通式(2g)所示的環結構、或下述通式(2h)所示的環結構，環結構A和環結構B與鄰接的環結構在任意的位置稠合。px為環結構A的數量，為0以上且4以下的整數。px為2以上且4以下的整數時，多個環結構A相互可以相同或不同。py為2以上且4以下的整數時，多個環結構B相互可以相同或不同。py為環結構B的數量，為0以上且4以下的整數。因此，例如，px為2時，2個環結構A可以是2個下述通式(2g)所示的環結構，也可以是2個下述通式(2h)所示的環結構，還可以是1個下述通式(2g)所示的環結構、與1個下述通式(2h)所示的環結構的組合。[化28][化29]上述通式(2g)中，R201和R202分別獨立地與上述R1～R9同義，R201和R202可以相互鍵合而形成環結構。R201和R202分別鍵合於上述通式(2g)的形成六元環的碳原子。上述通式(2h)中，Z8表示CR203R204、NR205、硫原子、或氧原子，R202～R205分別獨立地與上述R1～R9中的取代基同義。上述通式(2y)中，選自R11～R19、R201～R205的取代基彼此的組合之中至少1組可以相互鍵合而形成環結構。上述通式(2y)中，px為0，py為c個時，由下述通式(2f)表示。[化30]上述通式(2f)中的R11～R19分別獨立地與上述通式(2e)中的R1～R9同義。其中，R11～R19之中至少一個是與上述第二材料的分子中的其它原子鍵合的單鍵。上述通式(2f)中，選自R11～R19的取代基彼此的組合之中至少1組可以相互鍵合而形成環結構。上述通式(2f)中，E表示上述通式(2g)所示的環結構、或上述通式(2h)所示的環結構，該環結構E與鄰接的環結構在任意的位置稠合。c為環結構E的數量，為1以上且4以下的整數。c為2以上且4以下的整數時，多個環結構E相互可以相同或不同。因此，例如，c為2時，2個環結構E可以是2個上述通式(2g)所示的環結構，也可以是2個上述通式(2h)所示的環結構，還可以是1個下述通式(2g)所示的環結構、與1個上述通式(2h)所示的環結構的組合。本實施方式涉及的第二材料優選由下述通式(2A)表示。[化31]上述通式(2A)中，n為1以上的整數，t為1以上的整數，u為0以上的整數。LA為取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴環或成環原子數為6～30的芳香族雜環。CN為氰基。D1和D2分別獨立地由上述通式(2Y)表示，其中，上述通式(2Y)中的環結構F和環結構G可以無取代也可以有取代基，m為0或1，m為1時，Y20表示單鍵、氧原子、硫原子、硒原子、羰基、CR21R22、SiR23R24或GeR25R26，R21～R26與上述R同義。另外，m為1時，上述通式(2Y)由上述通式(22)～(25)以及上述通式(21Y)～(24Y)中的任一個表示。D1與D2可以相同或不同。t為2以上時，多個D1相互可以相同或不同。u為2以上時，多個D2相互可以相同或不同。本實施方式中，上述LA優選為取代或無取代的成環碳原子數為6～14的芳香族烴環。作為成環碳原子數為6～14的芳香族烴環，可以舉出例如苯、萘、芴、和菲等。上述LA進一步優選為成環碳原子數為6～10的芳香族烴環。另外，作為上述LA中的成環原子數為6～30的芳香族雜環，可以舉出例如吡啶、嘧啶、吡嗪、喹啉、喹唑啉、菲咯啉、苯並呋喃、和二苯並呋喃等。本實施方式中，上述通式(2A)中，上述D1或上述D2鍵合於形成LA表示的芳香族烴環的第1碳原子，上述CN可以鍵合於與上述第1碳原子相鄰的第2碳原子。例如，本實施方式涉及的第二材料中，可以如下述通式(2B)所示的局部結構那樣，上述D鍵合於第1碳原子C1、氰基鍵合於與第1碳原子C1相鄰的第2碳原子C2。下述通式(2B)中的D與上述D1或上述D2同義。下述通式(2B)中，波浪線部分表示與其它結構或原子的鍵合部位。[化32]通過具有上述通式(2a)、上述通式(2b)這樣的結構的D1或D2、和氰基相鄰地鍵合於上述LA表示的芳香族烴環，能夠減小化合物的ΔST的值。本實施方式中，上述t優選為2以上的整數。上述LA表示的芳香族烴環鍵合有2個以上的上述D1時，多個D1可以是相互同樣的結構也可以是不同的結構。本實施方式涉及的第二材料優選由下述通式(21)表示。[化33]上述通式(21)中，A21和B21分別獨立地表示取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、或取代或無取代的成環原子數為5～30的芳香族雜環基。X21～X28和Y21～Y28分別獨立地表示氮原子、與RD鍵合的碳原子、或與L23鍵合的碳原子。其中，X25～X28之中至少一個是與L23鍵合的碳原子，Y21～Y24之中至少一個是與L23鍵合的碳原子。RD分別獨立地為氫原子、或取代基，該RD中的取代基選自滷原子、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、取代或無取代的成環原子數為5～30的芳香族雜環基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、和取代或無取代的甲矽烷基。L21和L22分別獨立地為單鍵或連接基團，作為L21和L22中的連接基團，為取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基、選自上述芳香族烴基的2～4個基團鍵合而成的多重連接基團、選自上述雜環基的2～4個基團鍵合而成的多重連接基團、或選自上述芳香族烴基和上述雜環基的2～4個基團鍵合而成的多重連接基團。L23表示取代或無取代的成環碳原子數為6以下的單環烴基、或取代或無取代的成環原子數為6以下的單環雜環基。w表示0～3的整數。w為0時，X25～X28之中至少一個與Y21～Y24之中至少一個直接鍵合。需要說明的是，單環烴基不是稠環，是由單一的烴環(脂肪族環狀烴或芳香族烴)衍生的基團，單環雜環基是由單一的雜環衍生的基團。此外，上述通式(21)中，滿足下述(i)和(ii)的至少任一條件。(i)A21和B21的至少一個是被氰基取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、或被氰基取代的成環原子數為6～30的芳香族雜環基。(ii)X21～X24和Y25～Y28的至少一個是與RD鍵合的碳原子，該RD的至少一個是被氰基取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、或被氰基取代的成環原子數為6～30的芳香族雜環基。其中，RD存在多個時，多個RD可以分別相同或不同。上述通式(21)中，上述A21和B21表示的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基或成環原子數為6～30的芳香族雜環基具有取代基的情況下，該取代基優選為選自氰基、滷原子、碳原子數為1～20的烷基、碳原子數為3～20的環烷基、碳原子數為1～20的烷氧基、碳原子數為1～20的滷烷基、碳原子數為1～20的滷代烷氧基、碳原子數為1～10的烷基甲矽烷基、成環碳原子數為6～30的芳基、成環碳原子數為6～30的芳氧基、碳原子數為6～30的芳烷基、和成環原子數為5～30的雜環基中的一種以上基團。上述A21和B21具有多個取代基的情況下，取代基彼此可以分別相同或不同。上述通式(21)中優選滿足上述(i)的條件、不滿足上述(ii)的條件。或者上述通式(21)中優選滿足上述(ii)的條件、不滿足上述(i)的條件。或者優選滿足上述(i)的條件和上述(ii)的條件。上述通式(21)中，A21和B21的至少之一優選為被氰基取代的苯基、被氰基取代的萘基、被氰基取代的菲基、被氰基取代的二苯並呋喃基、被氰基取代的二苯並噻吩基、被氰基取代的聯苯基、被氰基取代的三聯苯基、被氰基取代的9，9-二苯基芴基、被氰基取代的9，9』-螺雙[9H-芴]-2-基、被氰基取代的9，9-二甲基芴基、或被氰基取代的三亞苯基。上述通式(21)中，X21～X24和Y25～Y28的至少1個為CRD，X21～X24和Y25～Y28中的RD的至少一個優選為被氰基取代的苯基、被氰基取代的萘基、被氰基取代的菲基、被氰基取代的二苯並呋喃基、被氰基取代的二苯並噻吩基、被氰基取代的聯苯基、被氰基取代的三聯苯基、被氰基取代的9，9-二苯基芴基、被氰基取代的9，9』-螺雙[9H-芴]-2-基、被氰基取代的9，9-二甲基芴基、或被氰基取代的三亞苯基。上述通式(21)中，優選X26與Y23經由L23鍵合、或直接鍵合。另外，上述通式(21)中，優選X26與Y22經由L23鍵合、或直接鍵合。另外，上述通式(21)中，優選X27和Y23經由L23鍵合、或直接鍵合。上述通式(21)中，w優選為0。或者上述通式(21)中，w優選為1。上述通式(21)中，L21和L22優選為單鍵、或者取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基。以下示出本實施方式涉及的第二材料的具體例。需要說明的是，本發明中的第二材料不限於這些具體例。[化34][化35][化36][化37][化38][化39][化40][化41]·第二材料的製造方法第二材料例如可以如下進行製造：在四(三苯基膦)鈀等催化劑和鹼的存在下，使具有上述通式(2)所示的局部結構且Z1～Z6之中至少1個是與滷原子鍵合的碳原子的市售的化合物、由通式(2Y)表示且在與環結構F和環結構G鍵合的氮原子上鍵合有氫原子的化合物進行反應，來進行製造。·第三材料本實施方式涉及的第三材料的單重態能量大於上述第二材料的單重態能量。本實施方式中，第三材料優選在一個分子中包含下述通式(31)所示的局部結構和下述通式(32)所示的局部結構之中的至少一個。[化42](上述通式(31)中，X31～X36分別獨立地為氮原子、或與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，其中，X31～X36之中至少一個是與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，上述通式(32)中，Y31～Y38分別獨立地為氮原子、或與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，其中，Y31～Y38之中至少一個是與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，Y39為氮原子、氧原子、或硫原子。)本實施方式中，優選上述通式(31)所示的局部結構以選自下述通式(33)和下述通式(34)中的至少一個基團的形式包含於上述第三材料中。如下述通式(33)和下述通式(34)所示，鍵合部位相互位於間位能夠較高地保持77[K]下的能隙Eg77K(M3)，因此作為上述第三材料是理想的。[化43](上述通式(33)和上述通式(34)中，X31、X32、X34、X36分別獨立地為氮原子、或CR31，R31為氫原子或取代基，該R31中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R31中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，上述通式(33)和上述通式(34)中，波浪線部分表示與上述第三材料的分子中的其它原子或其它結構的鍵合部位。)本實施方式中，上述R31為氫原子或取代基，該R31中的取代基優選選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，上述R31更優選為氫原子、氰基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、或取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基。本實施方式中，上述通式(33)中，上述X31、上述X32、上述X34、上述X36分別獨立地優選為CR31。另外，本實施方式中，上述通式(34)中，上述X32、上述X34、上述X36分別獨立地優選為CR31。本實施方式中，優選上述通式(32)所示的局部結構以選自下述通式(35)、下述通式(36)、下述通式(37)、下述通式(38)、下述通式(39)、和下述通式(30a)中的至少一個基團的形式包含於上述第三材料中。鍵合部位的位置如下述通式(35)、下述通式(36)、下述通式(37)、下述通式(38)、下述通式(39)、和下述通式(30a)那樣的情況能夠較高地保持77[K]下的能隙Eg77K，因此作為上述第三材料是理想的。[化44][化45](上述通式(35)～(39)、(30a)中，Y31～Y38分別獨立地為氮原子、或CR32，R32為氫原子或取代基，該R32中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R32中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，上述通式(35)～(36)中，Y39為氮原子，上述通式(37)～(39)、(30a)中，Y39為NR33、氧原子、或硫原子，R33為取代基，該R33中的取代基選自氰基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～20的環烷基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷硫基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基、取代或無取代的碳原子數為3～50的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R33中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，上述通式(35)～(39)、(30a)中，波浪線部分表示與上述第三材料的分子中的其它原子或其它結構的鍵合部位。)本實施方式中，上述R32為氫原子或取代基，該R32中的取代基優選選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，上述R32更優選為氫原子、或取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基。本實施方式中，上述通式(35)中，Y31～Y38分別獨立地優選為CR32。另外，上述通式(36)和上述通式(37)中，Y31～Y35、Y37、Y38分別獨立地優選為CR32。另外，上述通式(38)中，Y31、Y32、Y34、Y35、Y37、Y38分別獨立地優選為CR32。另外，上述通式(39)中，Y32～Y38分別獨立地優選為CR32。另外，上述通式(30a)中，Y32～Y37分別獨立地優選為CR32。這些情況下，多個R32可以相同或不同。本實施方式中，第三材料優選包含下述通式(30b)所示的基團。鍵合部位如下述通式(30b)那樣的情況能夠較高地保持77[K]下的能隙Eg77K，因此作為上述第三材料是理想的。[化46](上述通式(30b)中，X31、X32、X34、X36分別獨立地為氮原子、或CR31，Y31、Y32、Y34～Y38分別獨立地為氮原子、CR32、或與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，R31和R32分別獨立地為氫原子或取代基，該R31和R32中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R31和上述R32中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，Y39為NR33、氧原子、或硫原子，R33為取代基，該R33中的取代基選自氰基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～20的環烷基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷硫基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基、取代或無取代的碳原子數為3～50的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R33中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，X32和Y34可以經由氧原子、硫原子、或CR51R52而交聯，X34和Y32可以經由氧原子、硫原子、或CR53R54而交聯，R51～R54分別獨立地與上述R33中的取代基同義，上述通式(30b)中，波浪線部分表示與上述第三材料的分子中的其它原子或其它結構的鍵合部位。)例如，上述通式(30b)中，X32與Y34經由氧原子、硫原子、或CR51R52而交聯的情況由下述通式(30b-1)表示。[化47]其中，上述通式(30b-1)中，Z31為氧原子、硫原子、或CR51R52。本實施方式中，上述第三材料優選包含下述通式(30c)所示的基團。鍵合部位的位置如下述通式(30c)那樣的情況能夠較高地保持77[K]下的能隙Eg77K，因此作為上述第三材料是理想的。[化48](上述通式(30c)中，X31、X32、X34、X36分別獨立地為氮原子、或CR31，Y31、Y32、Y34、Y35、Y37、Y38分別獨立地為氮原子、或CR32，Y41～Y45、Y47、Y48分別獨立地為氮原子、CR34、或與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，R31、R32、R34分別獨立地為氫原子或取代基，該R31、R32、R34中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R31、上述R32、上述R34中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，Y39為NR33、氧原子、或硫原子，Y49為NR35、氧原子、或硫原子，R33、R35分別獨立地為取代基，該R33，R35中的取代基選自氰基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～20的環烷基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷硫基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基、取代或無取代的碳原子數為3～50的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R33、上述R35中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，X32和Y34可以經由氧原子、硫原子、或CR51R52而交聯，X34和Y32可以經由氧原子、硫原子、或CR53R54而交聯，R51～R54分別獨立地與上述R33、R35中的取代基同義，上述通式(30c)中，波浪線部分表示與上述第三材料的分子中的其它原子或其它結構的鍵合部位。)例如，上述通式(30c)中，X32與Y34經由氧原子、硫原子、或CR51R52而交聯的情況由下述通式(30c-1)表示。[化49]其中，上述通式(30c-1)中，Z32為氧原子、硫原子、或CR51R52。本實施方式中，上述第三材料優選包含下述通式(30d)所示的基團。鍵合部位的位置如下述通式(30d)那樣的情況能夠較高地保持77[K]下的能隙Eg77K，因此作為上述第三材料是理想的。[化50](上述通式(30d)中，X31、X32、X34、X36分別獨立地為氮原子、或CR31，X41、X43、X44、X45分別獨立地為氮原子、或CR36，R31、R36分別獨立地為取代基，該R31、R36中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R31、上述R36中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，X32和X41可以經由氧原子、硫原子、或CR55R56而交聯，X34和X45可以經由氧原子、硫原子、或CR57R58而交聯，R55～R58分別獨立地為取代基，該R55～R58中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～20的環烷基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷硫基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基、取代或無取代的碳原子數為3～50的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R55～R58中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，上述通式(30d)中，波浪線部分表示與上述第三材料的分子中的其它原子或其它結構的鍵合部位。)例如，上述通式(30d)中，X32與X41經由氧原子、硫原子、或CR55R56而交聯的情況由下述通式(30d-1)表示。[化51]其中，上述通式(30d-1)中，Z33為氧原子、硫原子、或CR55R56。本實施方式中，上述第三材料優選包含下述通式(30e)所示的基團。鍵合部位的位置如下述通式(30e)那樣的情況能夠較高地保持77[K]下的能隙Eg77K，因此作為上述第三材料是理想的。[化52](上述通式(30e)中，X31、X32、X34、X36分別獨立地為氮原子、或CR31，X41、X43、X44、X45分別獨立地為氮原子、或CR36，Y31～Y35、Y37、Y38分別獨立地為氮原子、CR32、或與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，R31、R32、R36分別獨立地為氫原子或取代基，該R31、R32、R36中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R31、上述R32、上述R36中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，Y39為NR33、氧原子、或硫原子，R33為取代基，該R33中的取代基選自氰基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～20的環烷基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷硫基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基、取代或無取代的碳原子數為3～50的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R33中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，X32和X41可以經由氧原子、硫原子、或CR55R56而交聯，X34和X45可以經由氧原子、硫原子、或CR57R58而交聯，X41和Y37可以經由氧原子、硫原子、或CR59R60而交聯，X43和Y35可以經由氧原子、硫原子、或CR61R62而交聯，R55～R62分別獨立地與上述R33中的取代基同義，上述通式(30e)中，波浪線部分表示與上述第三材料的分子中的其它原子或其它結構的鍵合部位。)例如，上述通式(30e)中，X32與X41經由氧原子、硫原子、或CR55R56而交聯的情況由下述通式(30e-1)表示。[化53]其中，上述通式(30e-1)中，Z34為氧原子、硫原子、或CR55R56。例如，上述通式(30e)中，X41和Y37經由氧原子、硫原子、或CR59R60而交聯的情況由下述通式(30e-2)表示。[化54]其中，上述通式(30e-2)中，Z35為氧原子、硫原子、或CR59R60。本實施方式中，上述第三材料優選包含下述通式(30f)所示的基團。鍵合部位的位置如下述通式(30f)那樣的情況能夠較高地保持77[K]下的能隙Eg77K，因此作為上述第三材料是理想的。[化55](上述通式(30f)中，Y31、Y32、Y34、Y35、Y37、Y38分別獨立地為氮原子、或CR32，Y41～Y45、Y47、Y48分別獨立地為氮原子、CR34、或與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，R32、R34分別獨立地為氫原子或取代基，該R32、R34中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R32、上述R34中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，Y39為NR33、氧原子、或硫原子，Y49為NR35、氧原子、或硫原子，R33、R35分別獨立地為氫原子或取代基，該R33、R35中的取代基選自氰基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～20的環烷基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷硫基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基、取代或無取代的碳原子數為3～50的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R33、上述R35中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，上述通式(30f)中，波浪線部分表示與上述第三材料的分子中的其它原子或其它結構的鍵合部位。)本實施方式中，上述第三材料可以包含下述通式(30g)、下述通式(30h)和下述通式(30i)之中至少一個表示的基團。[化56][化57][化58]上述通式(30g)、上述通式(30h)和上述通式(30i)中，Y31～Y38、Y41～Y48、Y51～Y58分別獨立地為氮原子、CR37、或與上述第三材料的分子中的其它原子鍵合的碳原子，R37分別獨立地為氫原子或取代基，該R37中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R37中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，Y49、Y59分別獨立地為NR38、氧原子、或硫原子，R38分別獨立地為氫原子或取代基，該R38中的取代基選自滷原子、氰基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～20的環烷基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷氧基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳氧基、取代或無取代的碳原子數為1～20的烷硫基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳硫基、取代或無取代的碳原子數為3～50的烷基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～50的芳基甲矽烷基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基、和取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基，其中，上述R38中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基是非稠環，上述通式(30g)、上述通式(30h)和上述通式(30i)中，波浪線部分表示與上述第三材料的分子中的其它原子或其它結構的鍵合部位。另外，上述通式(32)、上述通式(35)、上述通式(36)、上述通式(37)、上述通式(38)、上述通式(39)、上述通式(30a)、上述通式(30b)、上述通式(30c)、上述通式(30e)、上述通式(30f)、上述通式(30h)和上述通式(30i)中Y39、Y49各自獨立地為氧原子或硫原子的情況下，電離勢Ip變大，因此作為上述第三材料是理想的，是氧原子的情況下，電離勢Ip變得更大，因此是更理想的。本實施方式中，第三材料還優選為芳香族烴化合物、或芳香族雜環化合物。·第三材料的製造方法上述通式第三材料例如可以通過國際公開第2012/153780號(WO2012/153780A1)、國際公開第2013/038650號(WO2013-038650A1)中記載的方法進行製造。本實施方式涉及的第三材料中的取代基的具體例例如如下，但本發明不限於這些具體例。作為芳香族烴基(芳基)的具體例，可以舉出苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、菲基、芘基、基、苯並[c]菲基、苯並[g]基、苯並蒽基、三亞苯基、芴基、9，9-二甲基芴基、苯並芴基、二苯並芴基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、熒蒽基等，可以優選列舉苯基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、萘基、三亞苯基、芴基等。作為具有取代基的芳香族烴基，可以列舉甲苯基、二甲苯基、9，9-二甲基芴基等。如具體例所示，芳基包括稠合芳基和非稠合芳基這兩者。作為芳香族烴基，優選苯基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、萘基、三亞苯基、芴基。使發光層以藍色發光的有機EL元件的情況下，作為第三材料中的取代基的芳香族烴基優選為非稠合芳香族烴基。作為芳香族雜環基(雜芳基、雜芳香族環基、雜環基)的具體例，可以舉出吡咯基、吡唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吡啶基、三嗪基、吲哚基、異吲哚基、咪唑基、苯並咪唑基、吲唑基、咪唑並[1，2-a]吡啶基、呋喃基、苯並呋喃基、異苯並呋喃基、二苯並呋喃基、氮雜二苯並呋喃基、噻吩基、苯並噻吩基、二苯並噻吩基、氮雜二苯並噻吩基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、萘啶基(naphthyridinyl)、咔唑基、氮雜咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、呋咱基、苯並噁唑基、噻吩基、噻唑基、噻二唑基、苯並噻唑基、三唑基、四唑基等，可以優選列舉二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、氮雜二苯並呋喃基、氮雜二苯並噻吩基等。作為芳香族雜環基，優選二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、咔唑基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、氮雜二苯並呋喃基、氮雜二苯並噻吩基，進一步優選二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、氮雜二苯並呋喃基、氮雜二苯並噻吩基。作為三烷基甲矽烷基的具體例，可以列舉三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基等，作為取代或無取代的芳烷基甲矽烷基的具體例，可以列舉二苯基甲基甲矽烷基、二甲苯基甲基甲矽烷基、苯基二甲基甲矽烷基等，作為取代或無取代的三芳基甲矽烷基的具體例，可以列舉三苯基甲矽烷基、三甲苯基甲矽烷基等。作為二芳基氧化膦基的具體例，可以列舉二苯基氧化膦基、二甲苯基氧化膦基等。另外，R1、Ra、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4具有取代基的情況下，它們的取代基為取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、取代或無取代的成環碳原子數為3～30的環烷基、取代或無取代的三烷基甲矽烷基、取代或無取代的芳烷基甲矽烷基、取代或無取代的三芳基甲矽烷基、取代或無取代的二芳基氧化膦基、取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴環基、或取代或無取代的成環原子數為5～30的芳香族雜環基等，優選為取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳香族烴環基、或取代或無取代的成環原子數為5～30的芳香族雜環基，作為芳香族烴環基的具體例，可以舉出苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基、菲基、芘基、基、苯並[c]菲基、苯並[g]基、苯並蒽基、三亞苯基、芴基、9，9-二甲基芴基、苯並芴基、二苯並芴基、聯苯基、三聯苯基、四聯苯基、熒蒽基等，作為芳香族雜環基的具體例，可以舉出吡咯基、吡唑基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、吡啶基、三嗪基、吲哚基、異吲哚基、咪唑基、苯並咪唑基、吲唑基、咪唑並[1，2-a]吡啶基、呋喃基、苯並呋喃基、異苯並呋喃基、二苯並呋喃基、氮雜二苯並呋喃基、噻吩基、苯並噻吩基、二苯並噻吩基、氮雜二苯並噻吩基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、萘啶基、咔唑基、氮雜咔唑基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、噁唑基、噁二唑基、呋咱基、苯並噁唑基、噻吩基、噻唑基、噻二唑基、苯並噻唑基、三唑基、四唑基等。使發光層以藍色發光的有機EL元件的情況下，作為第三材料中的取代基的芳香族雜環基優選為非稠合芳香族雜環基。本實施方式涉及的第三材料的具體例示於以下。需要說明的是，本發明中的第三材料不限於這些具體例。[化59][化60][化61][化62](發光層中的第一材料、第二材料與第三材料的相關性)本實施方式中，可以認為第三材料具有作為在發光層中抑制上述的本實施方式涉及的第二材料彼此分子締合的分散材料的功能。本實施方式涉及的第二材料為熱活性遲滯螢光性的材料，因此容易發生分子締合。分子締合體的激發能量(單重態能量、三重態能量)與單體的激發能量相比較小。因此，若薄膜中第二材料的濃度變高，則預測分子締合會造成能量損失。因此，特別是將激發能量大的藍色螢光發光性材料用於發光層的情況下，通過使用第三材料，上述的分子締合導致的能量損失得到抑制，有機EL元件的效率提高。另外，將以從發出紅光的波長區域到發出黃光的波長區域的範圍的波長進行發光的發光材料用於發光層的情況下，通過使用第三材料，也使載流子平衡因子提高，有機EL元件的效率提高。以往的螢光發光型的有機EL元件、磷光發光型的有機EL元件中，即使將具有與作為主體材料的功能、作為發光材料的功能不同的功能的第三材料附加於發光層中，也難以認為發光效率會如本實施方式那樣提高。然而，本實施方式的熱活性遲滯螢光型有機EL元件中，處於擁有較小的單重態能量的熱活性遲滯螢光材料擔負發光層中的載流子傳輸而單重態能量大於第二材料的第三材料相對而言難以擔負載流子傳輸的關係，因此有可能大幅改變載流子平衡因子。其結果是，可以有助於有機EL元件的效率提高。由於第三材料的單重態能量大於第二材料的單重態能量，因此激發態的第三材料與第一材料、第二材料相比不穩定。因此，作為第三材料，優選在發光層中不參與激子生成、載流子傳輸。若從在以往的有機EL元件中選擇使發光層中含有的材料的基準出發，則這樣的第三材料是特別不同的。這是由於，以往的螢光發光型的有機EL元件中，選擇在電和光化學方面具有高功能的材料含有於發光層中，但在本實施方式中，反而使不參與激子生成、載流子傳輸的第三材料含有於發光層中。本實施方式中，優選第二材料的單重態能量EgS(M2)大於上述第一材料的單重態能量EgS(M1)。即，優選滿足EgS(M1)＜EgS(M2)＜EgS(M3)的關係。本實施方式中，優選上述第二材料的77[K]下的能隙Eg77K(M2)大於上述第一材料的77[K]下的能隙Eg77K(M1)、上述第三材料的77[K]下的能隙Eg77K(M3)大於上述第二材料的77[K]下的能隙Eg77K(M2)。即，優選滿足Eg77K(M1)＜Eg77K(M2)＜Eg77K(M3)的關係。本實施方式中，上述第二材料的單重態能量EgS(M2)與上述第二材料的77[K]下的能隙Eg77K(M2)之差ΔST(M2)優選滿足下述數式(數1)的關係。ΔST(M2)＝EgS(M2)-Eg77K(M2)＜0.3[eV]...(數1)ΔST(M2)優選小於0.2[eV]。本實施方式中，上述第一材料的單重態能量EgS(M1)與上述第一材料的77[K]下的能隙Eg77K(M1)之差ΔST(M1)優選滿足下述數式(數2)的關係。ΔST(M1)＝EgS(M1)-Eg77K(M1)＞0.3[eV]...(數2)本實施方式中，上述第三材料的單重態能量EgS(M3)、與上述第三材料的77[K]下的能隙Eg77K(M3)之差ΔST(M3)優選滿足下述數式(數3)的關係。ΔST(M3)＝EgS(M3)-Eg77K(M3)＞0.3[eV]...(數3)本實施方式中，上述第三材料的77[K]下的能隙Eg77K(M3)優選為2.9eV以上。第三材料通過具有這樣的能隙Eg77K(M3)，在發光層中可以使第三材料難以參與激子生成、載流子傳輸。·ΔST為了使等於單重態能量EgS與三重態能量T之差的ΔST減小，在量子化學上通過單重態能量EgS與三重態能量T的交換相互作用小來實現。關於ΔST與交換相互作用的相關性的物理方面的詳細內容，例如，記載於下面的參考文獻2、參考文獻3。參考文獻2：安達千波矢等、有機EL討論會第10次例會預稿集、S2-5，p11～12。參考文獻3：德丸克己、有機光化學反應論、東京化學同人出版、(1973)。這樣的材料可以通過量子計算進行分子設計來合成，具體來說，是按照LUMO和HOMO的電子軌道不重疊的方式局域化的化合物。作為用於本實施方式的第二材料的ΔST小的化合物的例子，是在分子內將供體要素與受體要素鍵合的化合物，此外考慮電化學穩定性(氧化還原穩定性)，可以舉出ΔST為0eV以上且小於0.3eV的化合物。另外，更優選的化合物是，在分子的激發態下形成的偶極(dipole)發生相互作用，形成交換相互作用能量變小的締合體的化合物。根據本發明人的研究，這樣的化合物的偶極(dipole)的方向大體一致，通過分子的相互作用，ΔST能夠進一步變小。這種情況下，ΔST能夠變得極小到0eV以上且0.2eV以下。·TADF機理本實施方式的有機EL元件中，優選使用ΔST(M2)小的化合物作為第二材料，藉助從外部給予的熱能，容易發生從第二材料的三重態能級向第二材料的單重態能級的反向系間竄越。有機EL元件內部的電激發出的激子的激發三重態狀態通過反向系間竄越發生向激發單重態狀態的自旋交換，這樣的能態轉變機理稱為TADF機理。圖4示出發光層中的第一材料、第二材料與第三材料的能級的關係的一例。圖4中，S0表示基態，S1(M1)表示第一材料的最低激發單重態狀態，T1(M1)表示第一材料的最低激發三重態狀態，S1(M2)表示第二材料的最低激發單重態狀態，T1(M2)表示第二材料的最低激發三重態狀態，S1(M3)表示第三材料的最低激發單重態狀態，T1(M3)表示第三材料的最低激發三重態狀態。圖4中的從S1(M2)向S1(M1)的虛線的箭頭表示從第二材料的最低激發單重態狀態向第一材料的最低激發單重態狀態的福斯特型(Forster-type)能量轉移。如圖4所示，若使用ΔST(M2)小的材料作為第二材料，則最低激發三重態狀態T1(M2)可以利用熱能向最低激發單重態狀態S1(M2)反向系間竄越。並且，發生從第二材料最低激發單重態狀態S1(M2)向第一材料的最低激發單重態狀態S1(M1)的福斯特型能量轉移。其結果是，能夠觀測來自第一材料的最低激發單重態狀態S1(M1)的螢光發光。認為通過利用該TADF機理帶來的遲滯螢光，也能在理論上將內部效率提高到100％。·三重態能量與77[K]下的能隙的關係此處，對三重態能量與77[K]下的能隙的關係進行說明。本實施方式中，77[K]下的能隙與通常定義的三重態能量有不同之處。關於成為測定對象的第一材料和第三材料，三重態能量的測定按如下方式進行。將成為測定對象的化合物按照濃度為10μmol/L溶解於EPA(二乙醚∶異戊烷∶乙醇＝5∶5∶2(體積比))中，將該溶液加入石英比色池中作為測定試樣。對於該測定試樣，在低溫(77[K])下測定磷光光譜(縱軸：磷光發光強度、橫軸：波長)，對該磷光光譜的短波長側的上升引出切線，基於該切線與橫軸的交點的波長值λedge[nm]，將由下面的換算式1算出的能量作為77[K]下的能隙Eg77K。換算式1：Eg77K[eV]＝1239.85/λedge磷光的測定中，使用株式會社日立高新技術制的F-4500型分光螢光光度計主體。需要說明的是，磷光測定裝置不限於此處使用的裝置。按以下方式對磷光光譜的短波長側的上升引出切線。在從磷光光譜的短波長側起至光譜的極大值之中最短波長側的極大值為止在光譜曲線上移動時，朝向長波長側考察曲線上的各點處的切線。該切線隨著曲線上升(即隨著縱軸增加)，而斜率增加。在該斜率的值取極大值的點處引出的切線(即拐點處的切線)作為對該磷光光譜的短波長側的上升的切線。需要說明的是，具有光譜的最大峰強度的15％以下的峰強度的極大點不包含於上述的最短波長側的極大值中，將在最接近最短波長側的極大值、且斜率的值取極大值的點處引出的切線作為對該磷光光譜的短波長側的上升的切線。關於成為測定對象的第二材料，三重態能量的測定按以下方式進行。將作為測定對象的化合物(第二材料)、和化合物TH-2共蒸鍍在石英基板上，製作封入NMR管內的試樣。需要說明的是，該試樣在下述的條件下製作。石英基板/TH-2：第二材料(膜厚100nm，第二材料濃度：12質量％)對於該測定試樣，在低溫(77[K])下測定磷光光譜(縱軸：磷光發光強度、橫軸：波長)，對該磷光光譜的短波長側的上升引出切線，基於該切線與橫軸的交點的波長值λedge[nm]，將由下面的換算式2算出的能量作為77[K]下的能隙Eg77K。換算式2：Eg77K[eV]＝1239.85/λedge磷光的測定中，使用株式會社日立高新技術制的F-4500型分光螢光光度計主體。需要說明的是，磷光測定裝置不限於此處使用的裝置。對磷光光譜的短波長側的上升的切線與第一材料和第三材料的磷光光譜中的切線的引出方法同樣地引出。此處，作為用於本實施方式的第二材料，優選為ΔST小的化合物。若ΔST小，則即使在低溫(77[K])狀態下，也容易發生系間竄越和反向系間竄越，激發單重態狀態與激發三重態狀態共存。其結果是，與上述同樣地測定的光譜包含來自激發單重態狀態和激發三重態狀態這兩者的發光，難以區別是由哪個狀態發光的，但基本上可以認為三重態能量的值是決定性的。因此，本實施方式中，測定方法與通常的三重態能量T相同，但為了在其嚴格意義上區分出不同，將按以下方式測定的值稱為能隙Eg77K。·單重態能量EgS單重態能量EgS按如下方式測定。製備作為測定對象的化合物的10μmol/L甲苯溶液，加入石英比色池中，在常溫(300K)下測定該試樣的吸收光譜(縱軸：發光強度、橫軸：波長。)。對該吸收光譜的長波長側的下降引出切線，將該切線與橫軸的交點的波長值λedge[nm]代入以下所示換算式3中算出單重態能量。換算式3：EgS[eV]＝1239.85/λedge本實施例中，吸收光譜使用日立公司制的分光光度計(裝置名：U3310)進行測定。需要說明的是，吸收光譜測定裝置不限於此處使用的裝置。本實施方式中，將單重態能量EgS與能隙Eg77K之差定義為ΔST。本實施方式中，上述第三材料的電離勢Ip(M3)、與上述第二材料的電離勢Ip(M2)優選滿足下述數式(數4)的關係。通過滿足此關係，在發光層中可以使第三材料難以參與激子生成、載流子傳輸。Ip(M3)≥Ip(M2)...(數4)本實施方式中，上述第三材料的電離勢Ip(M3)優選為6.3eV以上。第三材料通過具有這樣的電離勢Ip(M3)，在發光層中可以使第三材料難以參與激子生成、載流子傳輸。需要說明的是，電離勢的測定可以在大氣下使用光電子分光裝置進行測定。具體來說，通過對材料照射光，測定此時由於電荷分離產生的電子量從而進行測定。作為測定裝置，可以舉出例如理研計器株式會社制的光電子分光裝置(裝置名：AC-3)等。本實施方式中，上述第三材料的電子親和勢Af(M3)、與上述第二材料的電子親和勢Af(M2)優選滿足下述數式(數5)的關係。通過滿足此關係，在發光層中可以使第三材料難以參與激子生成、載流子傳輸。Af(M3)≤Af(M2)...(數5)本實施方式中，上述第三材料的電子親和勢Af(M3)優選為2.8eV以上。第三材料通過具有這樣的電子親和勢Af(M3)，在發光層中可以使第三材料難以參與激子生成、載流子傳輸。電子親和勢(affinity)可以利用上述的方法中測定的化合物的電離勢Ip、和單重態能量EgS的測定值，由以下計算式(數8)算出。Af＝Ip-EgS...(數8)·發光層的膜厚本實施方式的有機EL元件中的發光層的膜厚優選為5nm以上且50nm以下、更優選為7nm以上且50nm以下、最優選為10nm以上且50nm以下。低於5nm時，有難以形成發光層、難以調整色度的風險，若超過50nm則有驅動電壓上升的可能性。·發光層中的材料的含量本實施方式的有機EL元件中，發光層中，第一材料的含量優選為0.01質量％以上且10質量％以下，第二材料的含量優選為1質量％以上且75質量％以下，第三材料的含量優選為1質量％以上且75質量％以下。發光層中的第一材料、第二材料和第三材料的合計含量的上限為100質量％。需要說明的是，本實施方式並不排除在發光層中包含除了第一材料、第二材料和第三材料以外的材料。(基板)基板被用作有機EL元件的支撐體。作為基板，可以使用例如玻璃、石英、塑料等。另外，也可以使用撓性基板。撓性基板是指，能夠彎折的(柔性的)基板，可以舉出例如包含聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚碸、聚丙烯、聚酯、聚氟乙烯、聚氯乙烯、聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯的塑料基板等。另外，還可以使用無機蒸鍍膜。(陽極)在基板上形成的陽極中，優選使用功函數大的(具體來說4.0eV以上)金屬、合金、導電性化合物、和這些的混合物等。具體來說，可以舉出例如氧化銦-氧化錫(ITO：IndiumTinOxide)、含有矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫、氧化銦-氧化鋅、氧化鎢、和含有氧化鋅的氧化銦、石墨烯等。除此之外，可以舉出金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、或金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。這些材料通常通過濺射法成膜。例如，氧化銦-氧化鋅可以通過使用相對於氧化銦加入1質量％以上且10質量％以下的氧化鋅的靶，以濺射法形成。另外，例如，含有氧化鎢、和氧化鋅的氧化銦可以通過使用相對於氧化銦含有氧化鎢0.5質量％以上且5質量％以下、含有氧化鋅0.1質量％以上且1質量％以下的靶，以濺射法形成。除此之外，可以通過真空蒸鍍法、塗布法、噴墨法、旋塗法等而製作。在陽極上形成的EL層之中，與陽極鄰接形成的空穴注入層由於使用與陽極的功函數無關且容易注入空穴(hole)的複合材料形成，因此可以使用能夠作為電極材料的材料(例如，金屬、合金、導電性化合物、和它們的混合物、除此之外，還包括屬於元素周期表的第1族或第2族的元素)。還可以使用作為功函數小的材料的、屬於元素周期表的第1族或第2族的元素、即鋰(Li)、銫(Cs)等鹼金屬、和鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等鹼土金屬、和包含這些的合金(例如，MgAg、AlLi)、銪(Eu)、鐿(Yb)等稀土類金屬和包含這些的合金等。需要說明的是，使用鹼金屬、鹼土金屬、和包含這些的合金形成陽極的情況下，可以利用真空蒸鍍法、濺射法。此外，使用銀糊料等的情況下，可以利用塗布法、噴墨法等。(陰極)陰極中，優選使用功函數小的(具體來說3.8eV以下)金屬、合金、導電性化合物、和它們的混合物等。作為這樣的陰極材料的具體例，可以舉出屬於元素周期表的第1族或第2族的元素、即鋰(Li)、銫(Cs)等鹼金屬、和鎂(Mg)、鈣(Ca)、鍶(Sr)等鹼土金屬、和包含這些的合金(例如，MgAg、AlLi)、銪(Eu)、鐿(Yb)等稀土類金屬和包含這些的合金等。需要說明的是，使用鹼金屬、鹼土金屬、包含它們的合金形成陰極的情況下，可以利用真空蒸鍍法、濺射法。另外，使用銀糊料等的情況下，可以利用塗布法、噴墨法等。需要說明的是，通過設置電子注入層，與功函數的大小無關，可以使用含有Al、Ag、ITO、石墨烯、矽或氧化矽的氧化銦-氧化錫等各種各樣的導電性材料形成陰極。這些導電性材料可以利用濺射法、噴墨法、旋塗法等成膜。(空穴注入層)空穴注入層是包含空穴注入性高的物質的層。作為空穴注入性高的物質，可以使用鉬氧化物、鈦氧化物、釩氧化物、錸氧化物、釕氧化物、鉻氧化物、鋯氧化物、鉿氧化物、鉭氧化物、銀氧化物、鎢氧化物、錳氧化物等。另外，作為空穴注入性高的物質，還可以舉出作為低分子的有機化合物的4，4』，4」-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(簡稱：TDATA)、4，4』，4」-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(簡稱：MTDATA)、4，4』-雙[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DPAB)、4，4』-雙(N-{4-[N』-(3-甲基苯基)-N』-苯基氨基]苯基}-N-苯基氨基)聯苯(簡稱：DNTPD)、1，3，5-三[N-(4-二苯基氨基苯基)-N-苯基氨基]苯(簡稱：DPA3B)、3-[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCAl)、3，6-雙[N-(9-苯基咔唑-3-基)-N-苯基氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCA2)、3-[N-(1-萘基)-N-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(簡稱：PCzPCN1)等芳香族胺化合物等、二吡嗪並[2，3-f：20，30-h]喹喔啉-2，3，6，7，10，11-六甲腈(HAT-CN)。另外，作為空穴注入性高的物質，還可以使用高分子化合物(低聚物、樹狀高分子、聚合物等)。例如，可以舉出聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)、聚[N-(4-{N』-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-N』-苯基氨基}苯基)甲基丙烯醯胺](簡稱：PTPDMA)、聚[N，N』-雙(4-丁基苯基)-N，N』-雙(苯基)聯苯胺](簡稱：Poly-TPD)等高分子化合物。另外，還可以使用聚(3，4-亞乙二氧基噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(PAni/PSS)等添加了酸的高分子化合物。(空穴傳輸層)空穴傳輸層是包含空穴傳輸性高的物質的層。空穴傳輸層中，可以使用芳香族胺化合物、咔唑衍生物、蒽衍生物等。具體來說，可以使用4，4』-雙[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：NPB)、N，N』-雙(3-甲基苯基)-N，N』二苯基-[1，1』-聯苯]-4，4』-二胺(簡稱：TPD)、4-苯基-4』-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(簡稱：BAFLP)、4，4』-雙[N-(9，9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：DFLDPBi)、4，4』，4」-三(N，N-二苯基氨基)三苯胺(簡稱：TDATA)、4，4』，4」-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯胺(簡稱：MTDATA)、4，4』-雙[N-(螺-9，9』-雙芴-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(簡稱：BSPB)等芳香族胺化合物等。此處所述的物質主要是具有10-6cm2/(V·s)以上的空穴遷移率的物質。空穴傳輸層中，可以使用CBP、9-[4-(N-咔唑基)]苯基-10-苯基蒽(CzPA)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)這樣的咔唑衍生物、t-BuDNA、DNA、DPAnth這樣的蒽衍生物。還可以使用聚(N-乙烯基咔唑)(簡稱：PVK)、聚(4-乙烯基三苯胺)(簡稱：PVTPA)等高分子化合物。但是，只要是與電子相比對空穴的傳輸性更高的物質，就可以使用這些以外的物質。需要說明的是，包含空穴傳輸性高的物質的層不僅可以是單層的，也可以是兩層以上的包含上述物質的層的層疊。配置兩層以上空穴傳輸層的情況下，優選將能隙更大的材料配置於靠近發光層的一側。作為這樣的材料，可以舉出後述的實施例中使用的HT-2。(電子傳輸層)電子傳輸層是包含電子傳輸性高的物質的層。電子傳輸層中，可以使用1)鋁絡合物、鈹絡合物、鋅絡合物等金屬絡合物、2)咪唑衍生物、苯並咪唑衍生物、吖嗪衍生物、咔唑衍生物、菲咯啉衍生物等雜芳香族化合物、3)高分子化合物。具體來說，作為低分子的有機化合物，可以使用Alq、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁(簡稱：Almq3)、雙(10-羥基苯並[h]喹啉)鈹(簡稱：BeBq2)、BAlq、Znq、ZnPBO、ZnBTZ等金屬絡合物等。另外，除了金屬絡合物以外，還可以使用2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑(簡稱：PBD)、1，3-雙[5-(對叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡稱：OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1，2，4-三唑(簡稱：TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-聯苯基)-1，2，4-三唑(簡稱：p-EtTAZ)、紅菲咯啉(簡稱：BPhen)、浴銅靈(簡稱：BCP)、4，4』-雙(5-甲基苯並噁唑-2-基)芪(簡稱：BzOs)等雜芳香族化合物。本實施方式中，可以適宜地使用苯並咪唑化合物。此處所述的物質主要是具有10-6cm2/(V·s)以上的電子遷移率的物質。需要說明的是，只要是與空穴傳輸性相比電子傳輸性更高的物質，就可以使用上述以外的物質作為電子傳輸層。另外，電子傳輸層可以由單層構成，也可以是包含上述物質的層層疊兩層以上而構成的。另外，電子傳輸層中，還可以使用高分子化合物。可以使用例如：聚[(9，9-二己基芴-2，7-二基)-co-(吡啶-3，5-二基)](簡稱：PF-Py)、聚[(9，9-二辛基芴-2，7-二基)-co-(2，2』-聯吡啶-6，6』-二基)](簡稱：PF-BPy)等。(電子注入層)電子注入層是包含電子注入性高的物質的層。電子注入層中，可以使用鋰(Li)、銫(Cs)、鈣(Ca)、氟化劑(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)、鋰氧化物(LiOx)等那樣的鹼金屬、鹼土金屬、或它們的化合物。除此之外，可以使用在具有電子傳輸性的物質中含有鹼金屬、鹼土金屬、或它們的化合物的物質，具體來說可以使用在Alq中含有鎂(Mg)的物質等。需要說明的是，這種情況下，可以更高效地從陰極注入電子。或者在電子注入層中，可以使用將有機化合物和電子供體(donor)混合而成的複合材料。這樣的複合材料通過電子供體在有機化合物中產生電子，因而電子注入性和電子傳輸性優異。這種情況下，作為有機化合物，優選為產生的電子的傳輸優異的材料，具體來說，可以使用例如上述的構成電子傳輸層的物質(金屬絡合物、雜芳香族化合物等)。作為電子供體，只要是對有機化合物顯示供電子性的物質既可。具體來說，優選鹼金屬、鹼土金屬、稀土類金屬，可以舉出鋰、銫、鎂、鈣、鉺、鐿等。另外，優選鹼金屬氧化物、鹼土金屬氧化物，可以舉出鋰氧化物、鈣氧化物、鋇氧化物等。另外，還可以使用氧化鎂那樣的路易斯鹼。另外，還可以使用四硫富瓦(Tetrathiafulvalene簡稱：TTF)等有機化合物。(層形成方法)作為本實施方式的有機EL元件的各層的形成方法，除了上述特別提及的以外沒有限制，可以採用真空蒸鍍法、濺射法、等離子法、離子鍍法等乾式成膜法；旋塗法、浸漬法、流塗法、噴墨法等溼式成膜法等公知的方法。(膜厚)本實施方式的有機EL元件的各有機層的膜厚除了上述特別提及的以外沒有限制，一般而言若膜厚過薄則容易產生針孔等缺陷，相反，若過厚則需要高的施加電壓而效率變差，因此通常優選為幾nm到1μm的範圍。本說明書中，成環碳原子數表示原子鍵合成環狀的結構的化合物(例如，單環化合物、稠環化合物、交聯化合物、碳環化合物、雜環化合物)的構成該環自身的原子中的碳原子的數量。該環被取代基取代的情況下，取代基中所含碳不包括在成環碳原子數中。下文中所述的「成環碳原子數」只要沒有特別註明就是同樣的。例如，苯環的成環碳原子數為6，萘環的成環碳原子數為10，吡啶基的成環碳原子數為5，呋喃基的成環碳原子數為4。另外，在苯環、萘環上作為取代基取代有例如烷基的情況下，該烷基的碳原子數不包括在成環碳原子數中。另外，在芴環上作為取代基鍵合有例如芴環的情況下(包括螺芴環)，作為取代基的芴環的碳原子數不包括在成環碳原子數的數量中。本說明書中，成環原子數表示原子鍵合成環狀的結構(例如單環、稠環、集合環)的化合物(例如單環化合物、稠環化合物、交聯化合物、碳環化合物、雜環化合物)的構成該環自身的原子的數量。不構成環的原子(例如將構成環的原子的結合鍵封端的氫原子)、該環被取代基取代時的取代基中所含原子不包括在成環原子數中。以下記述的「成環原子數」只要沒有特別註明就是同樣的。例如，吡啶環的成環原子數為6，喹唑啉環的成環原子數為10，呋喃環的成環原子數為5。關於分別鍵合於吡啶環、喹唑啉環的碳原子的氫原子、構成取代基的原子，不包括在成環原子數的數量中。另外，在芴環上作為取代基鍵合有例如芴環的情況下(包括螺芴環)，作為取代基的芴環的原子數不包括在成環原子數的數量中。下面對上述通式所述的各取代基進行說明。作為本實施方式中的成環碳原子數為6～30的芳香族烴基，可以舉出例如苯基、聯苯基、三聯苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、芘基、基、熒蒽基、苯並[a]蒽基、苯並[c]菲基、三亞苯基、苯並[k]熒蒽基、苯並[g]基、苯並[b]三亞苯基、苉基、苝基等。作為本實施方式中的芳基，優選成環碳原子數為6～20，更優選為6～12。上述芳基中，特別優選苯基、聯苯基、萘基、菲基、三聯苯基、芴基。對於1-芴基、2-芴基、3-芴基和4-芴基，優選在9位的碳原子上取代有後述的本實施方式中的取代或無取代的碳原子數為1～30的烷基、或取代或無取代的成環碳原子數為6～18的芳基。成環原子數為5～30的雜環基(有時稱為雜芳基、雜芳香族環基、或芳香族雜環基。)中，作為雜原子，優選包含選自氮、硫、氧、矽、硒原子、和鍺原子中的至少一種原子，更優選包含選自氮、硫、和氧中的至少一種原子。作為本實施方式中的成環原子數為5～30的雜環基(雜芳基)，可以舉出例如吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、異喹啉基、萘啶基、酞嗪基、喹喔啉基、喹唑啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、三唑基、四唑基、吲哚基、苯並咪唑基、吲唑基、咪唑並吡啶基、苯並三唑基、咔唑基、呋喃基、噻吩基、噁唑基、噻唑基、異噁唑基、異噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯並呋喃基、苯並噻吩基、苯並噁唑基、苯並噻唑基、苯並異噁唑基、苯並異噻唑基、苯並噁二唑基、苯並噻二唑基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、哌啶基、吡咯烷基、哌嗪基、嗎啉基、吩嗪基、吩噻嗪基、吩噁嗪基等。本實施方式中的雜環基的成環原子數優選為5～20，進一步優選為5～14。上述雜環基中，特別優選1-二苯並呋喃基、2-二苯並呋喃基、3-二苯並呋喃基、4-二苯並呋喃基、1-二苯並噻吩基、2-二苯並噻吩基、3-二苯並噻吩基、4-二苯並噻吩基、1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基、4-咔唑基、9-咔唑基。對於1-咔唑基、2-咔唑基、3-咔唑基和4-咔唑基，優選在9位的氮原子上，取代有本實施方式中的取代或無取代的成環碳原子數為6～30的芳基或取代或無取代的成環原子數為5～30的雜環基。另外，本實施方式中，雜環基可以是例如由下述通式(XY-1)～(XY-18)所示的局部結構衍生的基團。[化63][化64][化65]上述通式(XY-1)～(XY-18)中，X和Y分別獨立地為雜原子，優選為氧原子、硫原子、硒原子、矽原子、或鍺原子。上述通式(XY-1)～(XY-18)所示的局部結構在任意的位置具有結合鍵而成為雜環基，該雜環基可以具有取代基。另外，本實施方式中，作為取代或無取代的咔唑基，例如，還可以包含下述式所示那樣的在咔唑環上進一步稠合有環的基團。這樣的基團可以具有取代基。另外，結合鍵的位置也可以適當變更。[化66]作為本實施方式中的碳原子數為1～30的烷基，可以是直鏈、支鏈或環狀的任一種。作為直鏈或支鏈的烷基，可以舉出例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、新戊基、戊基、異戊基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、1-戊基己基、1-丁基戊基、1-庚基辛基、3-甲基戊基。本實施方式中的直鏈或支鏈的烷基的碳原子數優選為1～10，進一步優選為1～6。上述直鏈或支鏈的烷基中，特別優選甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、仲丁基、異丁基、叔丁基、正戊基、正己基、戊基、異戊基、新戊基。作為本實施方式中的環烷基，可以舉出環丙基、環丁基、環戊基、環己基、4-甲基環己基、金剛烷基、降冰片基等。環烷基的成環碳原子數優選為3～10，進一步優選為5～8。上述環烷基中，特別優選環戊基、環己基。作為烷基被滷原子取代的滷代烷基，可以舉出例如上述碳原子數為1～30的烷基被1個以上的滷基取代的基團。具體來說，可以舉出氟甲基、二氟甲基、三氟甲基、氟乙基、三氟甲基甲基、三氟乙基、五氟乙基等。作為本實施方式中的碳原子數為3～30的烷基甲矽烷基，可以舉出具有在上述碳原子數為1～30的烷基中例示的烷基的三烷基甲矽烷基、具體來說，可以舉出三甲基甲矽烷基、三乙基甲矽烷基、三正丁基甲矽烷基、三正辛基甲矽烷基、三異丁基甲矽烷基、二甲基乙基甲矽烷基、二甲基異丙基甲矽烷基、二甲基正丙基甲矽烷基、二甲基正丁基甲矽烷基、二甲基叔丁基甲矽烷基、二乙基異丙基甲矽烷基、乙烯基二甲基甲矽烷基、丙基二甲基甲矽烷基、三異丙基甲矽烷基等。三烷基甲矽烷基中的3個烷基可以分別相同或不同。作為本實施方式中的成環碳原子數為6～30的芳基甲矽烷基，可以舉出二烷基芳基甲矽烷基、烷基二芳基甲矽烷基、三芳基甲矽烷基。二烷基芳基甲矽烷基可以舉出例如，具有2個在上述碳原子數為1～30的烷基中例示的烷基、具有1個上述成環碳原子數為6～30的芳基的二烷基芳基甲矽烷基。二烷基芳基甲矽烷基的碳原子數優選為8～30。烷基二芳基甲矽烷基可以舉出例如，具有1個在上述碳原子數為1～30的烷基中例示的烷基、具有2個上述成環碳原子數為6～30的芳基的烷基二芳基甲矽烷基。烷基二芳基甲矽烷基的碳原子數為優選為13～30。三芳基甲矽烷基可以舉出例如，具有3個上述成環碳原子數為6～30的芳基的三芳基甲矽烷基。三芳基甲矽烷基的碳原子數為優選為18～30。本實施方式中的碳原子數為1～30的烷氧基表示為-OZ1。作為該Z1的例子，可以舉出上述碳原子數為1～30的烷基。烷氧基可以舉出例如甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基。烷氧基的碳原子數優選為1～20。作為烷氧基被滷原子取代的滷代烷氧基，可以舉出例如，上述碳原子數為1～30的烷氧基被1個以上滷基取代後的基團。本實施方式中的成環碳原子數為6～30的芳氧基表示為-OZ2。作為該Z2的例子，可以舉出上述成環碳原子數為6～30的芳基。芳氧基的成環碳原子數優選為6～20。作為該芳氧基，可以舉出例如苯氧基。碳原子數為2～30的烷基氨基表示為-NHRV、或-N(RV)2。作為該RV的例子，可以舉出上述碳原子數為1～30的烷基。成環碳原子數為6～60的芳基氨基表示為-NHRW、或-N(RW)2。作為該RW的例子，可以舉出上述成環碳原子數為6～30的芳基。碳原子數為1～30的烷硫基表示為-SRV。作為該RV的例子，可以舉出上述碳原子數為1～30的烷基。烷硫基的碳原子數優選為1～20。成環碳原子數為6～30的芳硫基表示為-SRW。作為該RW的例子，可以舉出上述成環碳原子數為6～30的芳基。芳硫基的成環碳原子數優選為6～20。本說明書中，「成環碳」是指構成飽和環、不飽和環、或芳環的碳原子。「成環原子」是指構成雜環(包括飽和環、不飽和環、和芳環)的碳原子和雜原子。本說明書中，氫原子包括中子數不同的同位素，即氕(Protium)、氘(Deuterium)、氚(Tritium)。本說明書中，作為提到「取代或無取代的」時的取代基、在環結構A、環結構B、環結構E、環結構F、環結構G中的取代基等本實施方式中的取代基，除了上述那樣的芳基、雜環基、烷基(直鏈或支鏈的烷基、環烷基、滷烷基)、烷基甲矽烷基、芳基甲矽烷基、烷氧基、芳氧基、烷基氨基、芳基氨基、烷硫基、芳硫基以外，還可以舉出烯基、炔基、芳烷基、滷原子、氰基、羥基、硝基、和羧基。此處舉出的取代基中，優選芳基、雜環基、烷基、滷原子、烷基甲矽烷基、芳基甲矽烷基、氰基，進一步優選在各取代基的說明中作為優選的具體取代基。這些取代基上可以進一步被上述取代基所取代。另外，這些取代基可以多個相互鍵合而形成環。作為烯基，優選碳原子數為2～30的烯基，可以是直鏈、支鏈或環狀中的任一種，可以舉出例如乙烯基、丙烯基、丁烯基、油烯基、二十碳五烯基、二十二碳六烯基、苯乙烯基、2，2-二苯基乙烯基、1，2，2-三苯基乙烯基、2-苯基-2-丙烯基、環戊二烯基、環戊烯基、環己烯基、環己二烯基等。作為炔基，優選碳原子數為2～30的炔基，可以是直鏈、支鏈或環狀中的任一種，可以舉出例如乙炔基、丙炔基、2-苯基乙炔基等。作為芳烷基，優選成環碳原子數為6～30的芳烷基，表示為-Z3-Z4。作為該Z3的例子，可以舉出與上述碳原子數為1～30的烷基對應的亞烷基。作為該Z4的例子，可以舉出上述成環碳原子數為6～30的芳基的例子。該芳烷基優選為碳原子數為7～30的芳烷基(芳基部分的碳原子數為6～30、優選為6～20、更優選為6～12)，烷基部分的碳原子數為1～30(優選為1～20、更優選為1～10、進一步優選為1～6)。作為該芳烷基，可以舉出例如苄基、2-苯基丙烷-2-基、1-苯基乙基、2-苯基乙基、1-苯基異丙基、2-苯基異丙基、苯基叔丁基、α-萘基甲基、1-α-萘基乙基、2-α-萘基乙基、1-α-萘基異丙基、2-α-萘基異丙基、β-萘基甲基、1-β-萘基乙基、2-β-萘基乙基、1-β-萘基異丙基、2-β-萘基異丙基。作為滷原子，可以舉出氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等，優選為氟原子。本說明書中，提到「取代或無取代的」時的「無取代」是指未被上述取代基取代，而鍵合有氫原子。本說明書中，「取代或無取代的碳原子數為XX～YY的ZZ基」這一表達中的「碳原子數為XX～YY」表示ZZ基無取代時的碳原子數，不包括被取代時的取代基的碳原子數。此處，「YY」大於「XX」，「XX」和「YY」分別表示1以上的整數。本說明書中，「取代或無取代的原子數為XX～YY的ZZ基」這一表達中的「原子數為XX～YY」表示ZZ基無取代時的原子數，不包括被取代時的取代基的原子數。此處，「YY」大於「XX」，「XX」和「YY」分別表示1以上的整數。以下說明的化合物或其局部結構中，提到「取代或無取代的」時，也與上述同樣。本說明書中，作為選自上述芳香族烴基的2個到4個基團鍵合而成的多重連接基團、選自上述雜環基的2個到4個基團鍵合而成的多重連接基團、或選自上述芳香族烴基和上述雜環基的2個到4個基團鍵合而成的多重連接基團的例子，可以舉出選自上述芳香族烴基和上述雜環基的2個到4個基團鍵合而成的二價基團。作為選自上述芳香族烴基和上述雜環基的2個到4個基團鍵合而成的多重連接基團，可以舉出雜環基-芳香族烴基、芳香族烴基-雜環基、芳香族烴基-雜環基-芳香族烴基、雜環基-芳香族烴基-雜環基、芳香族烴基-雜環基-芳香族烴基-雜環基、雜環基-芳香族烴基-雜環基-芳香族烴基等。優選為上述芳香族烴基和上述雜環基各一個鍵合而成的二價基團、即雜環基-芳香族烴基、和芳香族烴基-雜環基。需要說明的是，作為這些多重連接基團中的芳香族烴基和雜環基的具體例，可以舉出對芳香族烴基和雜環基進行說明的上述基團。本實施方式涉及的有機EL元件可以用於電子設備。作為電子設備，可以舉出例如顯示裝置、和發光裝置等。作為顯示裝置，可以舉出例如有機EL面板模塊等顯示部件、電視、行動電話、平板電腦、和個人電腦等。作為發光裝置，可以舉出例如照明、和車輛用燈具等。[實施方式的變形]需要說明的是，本發明不限於上述實施方式。能夠達成本發明的目的的範圍內的變更、改良等包含於本發明中。發光層不限於1層，也可以層疊多個發光層。有機EL元件具有多個發光層的情況下，至少1個發光層包含上述第一材料、第二材料和第三材料即可，其它發光層可以是螢光發光型的發光層，也可以是利用由三重態激發態直接向基態的電子躍遷導致的發光的磷光發光型的發光層。另外，有機EL元件具有多個發光層的情況下，這些發光層可以相互鄰接設置，也可以是隔著中間層層疊多個發光單元的、所謂串聯型的有機EL元件。另外，例如，可以在發光層的陽極側、陰極側鄰接設置阻擋層。阻擋層優選與發光層鄰接配置，阻止空穴、電子、激子和激基複合物中的至少一個。例如，在發光層的陰極側鄰接配置有阻擋層的情況下，該阻擋層傳輸電子，並阻止空穴到達比該阻擋層更靠近陰極側的層(例如，電子傳輸層)。另外，在發光層的陽極側鄰接配置有阻擋層的情況下，該阻擋層傳輸空穴，並阻止電子到達比該阻擋層更靠近陽極側的層(例如，空穴傳輸層)。另外，為了使激發能量不從發光層向其周邊層洩露，可以與發光層鄰接地設置阻擋層。阻止在發光層生成的激子向比該阻擋層更靠近電極側的層(例如，電子傳輸層、空穴傳輸層)移動。優選發光層與阻擋層接合。此外，本發明的實施中的具體結構和形狀等在能夠達成本發明的目的的範圍內可以設為其它結構等。實施例以下，對本發明涉及的實施例進行說明。本發明不受這些實施例限定。本實施例中使用的化合物如下。[化67][化68][化69]接著，測定本實施例中使用的化合物的物性。測定方法和算出方法示於以下，並將測定結果和算出結果示於表5。·單重態能量EgS單重態能量EgS按如下方式測定。製備成為測定對象的化合物的10μmol/L甲苯溶液，加入石英比色池中，在常溫(300K)下測定該試樣的吸收光譜(縱軸：發光強度、橫軸：波長)。對該吸收光譜的長波長側的下降引出切線，將該切線與橫軸的交點的波長值λedge[nm]代入以下所示換算式3中算出單重態能量。換算式3：EgS[eV]＝1239.85/λedge本實施例中，用日立公司制的分光光度計(裝置名：U3310)測定吸收光譜。需要說明的是，對吸收光譜的長波長側的下降的切線按以下方式引出。從吸收光譜的極大值之中最長波長側的極大值起沿長波長方向在光譜曲線上移動時，考察曲線上的各點處的切線。該切線隨著曲線下降(即隨著縱軸的值減小)，而反覆發生斜率減小隨後增加。將在斜率的值在最長波長側(其中不包括吸光度為0.1以下的情況)取極小值的點處引出的切線作為對該吸收光譜的長波長側的下降的切線。需要說明的是，吸光度的值為0.2以下的極大點不包括在上述最長波長側的極大值中。·77[K]下的能隙Eg77K對於成為測定對象的第一材料和第三材料，三重態能量的測定按如下方式進行。在此，將化合物MT-1和化合物MT-3作為測定對象。將成為測定對象的化合物按照濃度為10μmol/L溶解於EPA(二乙醚∶異戊烷∶乙醇＝5∶5∶2(體積比))中，將該溶液加入石英比色池中作為測定試樣。對於該測定試樣，在低溫(77[K])下測定磷光光譜(縱軸：磷光發光強度、橫軸：波長)，對該磷光光譜的短波長側的上升引出切線，基於該切線與橫軸的交點的波長值λedge[nm]，將由下面的換算式1算出的能量作為77[K]下的能隙Eg77K。換算式1：Eg77K[eV]＝1239.85/λedge對於成為測定對象的第二材料，三重態能量的測定按如下方式進行。在此，將化合物MT-2作為測定對象。將成為測定對象的化合物(第二材料)、和化合物TH-2共蒸鍍於石英基板上，並封入NMR管內來製作試樣。需要說明的是，該試樣在下述的條件下製作。石英基板/TH-2：第二材料(膜厚100nm，第二材料濃度：12質量％)對於該測定試樣，在低溫(77[K])下測定磷光光譜(縱軸：磷光發光強度、橫軸：波長)，對該磷光光譜的短波長側的上升引出切線，基於該切線與橫軸的交點的波長值λedge[nm]，將由下面的換算式2算出的能量作為77[K]下的能隙Eg77K。換算式2：Eg77K[eV]＝1239.85/λedge磷光的測定中，使用株式會社日立高新技術制的F-4500型分光螢光光度計主體。對磷光光譜的短波長側的上升的切線按以下方式引出。從磷光光譜的短波長側起到光譜的極大值之中最短波長側的極大值為止在光譜曲線上移動時，朝向長波長側考察曲線上的各點處的切線。該切線隨著曲線上升(即隨著縱軸增加)，而斜率增加。該斜率的值取極大值的點處引出的切線(即拐點處的切線)作為對該磷光光譜的短波長側的上升的切線。需要說明的是，具有光譜的最大峰強度的15％以下的峰強度的極大點包括在上述的最短波長側的極大值中，將最接近最短波長側的極大值且斜率的值取極大值的點處引出的切線作為對該磷光光譜的短波長側的上升的切線。磷光的測定中，使用株式會社日立高新技術制的F-4500型分光螢光光度計主體。·電離勢在大氣下使用光電子分光裝置(理研計量儀器株式會社制：AC-3)進行測定。具體來說，通過對成為測定對象的化合物照射光，測定此時因電荷分離而產生的電子量從而進行測定。·電子親和勢(親和勢，Affinity)使用上述方法中測定的化合物的電離勢Ip和單重態能量EgS的測定值，由下面的計算式算出。Af＝Ip-EgS·遲滯螢光發光性遲滯螢光發光性通過利用圖2所示裝置測定過渡PL來確認。將上述化合物MT-2和上述化合物TH-2按照化合物MT-2的比例為12質量％共蒸鍍於石英基板上，形成膜厚100nm的薄膜從而製作試樣。遲滯螢光發光可以使用上述圖2的裝置求出。被上述化合物MT-2所吸收的波長的脈衝光(從脈衝雷射照射的光)激發後，存在由該激發態立即觀察到的Prompt發光(瞬時發光)、和在該激發後沒有立即觀察到而隨後觀察到的Delay發光(遲延發光)。本實施例中的遲滯螢光發光是指，Delay發光(遲延發光)的量相對於Prompt發光(瞬時發光)的量為5％以上，確認到化合物MT-2的Delay發光(遲延發光)的量相對於Prompt發光(瞬時發光)的量有5％以上。Prompt發光和Delay發光的量可以通過與「Nature492，234-238，2012」中記載的方法同樣的方法求出。需要說明的是，用於計算Prompt發光和Delay發光的量的裝置不限於上述圖2所示裝置、上述參考文獻1中記載的裝置。[表5]按以下方式製作有機EL元件，並進行評價。(實施例1)將25mm×75mm×1.1mm厚的帶ITO透明電極(陽極)的玻璃基板(吉奧馬公司制)在異丙醇中進行5分鐘超聲波清洗後，進行UV臭氧清洗30分鐘。ITO的膜厚設為130nm。將清洗後的帶透明電極線的玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置的基板架，首先在形成有透明電極線的一側的面上按照覆蓋透明電極的方式蒸鍍化合物HI，形成膜厚5nm的空穴注入層。接著，在空穴注入層上，蒸鍍化合物HT-1，在HI膜上形成膜厚80nm的第一空穴傳輸層。接著，在該第一空穴傳輸層上，蒸鍍化合物HT-2，形成膜厚15nm的第二空穴傳輸層。此外，在該第二空穴傳輸層上，共蒸鍍作為第一材料的化合物MT-1、作為第二材料的化合物MT-2、和作為第三材料的化合物MT-3，形成膜厚25nm的發光層。將發光層中的化合物MT-1的濃度設為1質量％，將化合物MT-2的濃度設為50質量％，將化合物MT-3的濃度設為49質量％。接著，在該發光層上，蒸鍍化合物HB-1，形成膜厚5nm的阻擋層。接著，在該阻擋層上，蒸鍍化合物ET-1，形成膜厚20nm的電子傳輸層。接著，在該電子傳輸層上，蒸鍍氟化劑(LiF)，形成膜厚1nm的電子注入性電極(陰極)。並且，在該電子注入性電極上，蒸鍍金屬鋁(Al)，形成膜厚80nm的金屬Al陰極。若簡略示出實施例1的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(130)/HI(5)/HT-1(80)/HT-2(15)/MT-1：MT-2：MT-3(25，1％：50％：49％)/HB-1(5)/ET-1(20)/LiF(1)/Al(80)需要說明的是，括弧內的數字表示膜厚(單位：nm)。另外，同樣在括弧內，百分比顯示的數字表示發光層中的各材料的比例(質量％)。(比較例1)比較例1的有機EL元件除了共蒸鍍作為第一材料的化合物MT-1、和作為第二材料的化合物MT-2而形成膜厚25nm的發光層代替實施例1中的發光層以外，與實施例1同樣地製作。比較例1的有機EL元件的發光層中，將發光層中的化合物MT-1的濃度設為1質量％，將化合物MT-2的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例1的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(130)/HI(5)/HT-1(80)/HT-2(15)/MT-1：MT-2(25，1％：99％)/HB-1(5)/ET-1(20)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例1和比較例1中製作的有機EL元件，進行以下的評價。評價結果示於表6。·驅動電壓測量按照電流密度為0.1mA/cm2、1mA/cm2或10mA/cm2在ITO透明電極與金屬Al陰極之間通電時的電壓(單位：V)。·亮度、和CIE1931色度使用分光輻射亮度計CS-1000(KonicaMinolta株式會社制)測量按照電流密度為0.1mA/cm2、1mA/cm2或10mA/cm2對元件施加電壓時的亮度、以及CIE1931色度坐標(x，y)。·電流效率L/J、以及功率效率η用上述分光輻射亮度計測量按照電流密度為0.1mA/cm2、1mA/cm2或10mA/cm2對元件施加電壓時的分光輻射亮度光譜，由所得到的分光輻射亮度光譜，算出電流效率(單位：cd/A)、及功率效率η(單位：lm/W)。·主峰波長λp由所得到的上述分光輻射亮度光譜求出主峰波長λp。·外部量子效率EQE用上述分光輻射亮度計測量按照電流密度為0.1mA/cm2、1mA/cm2或10mA/cm2對元件施加電壓時的分光輻射亮度光譜。根據所得到的上述分光輻射亮度光譜，假定進行了朗伯(Lambertian)輻射，算出外部量子效率EQE(單位：％)。[表6]如表6所示，實施例1涉及的有機EL元件在以任何電流密度驅動的情況下，與比較例1涉及的有機EL元件相比，電流效率L/J、功率效率小以及外部量子效率EQE都變高。比較例1涉及的有機EL元件在發光層中僅含有第一材料和第二材料，認為發光效率低。認為實施例1涉及的有機EL元件在發光層中不僅含有第一材料和第二材料，還含有第三材料，因此與比較例1相比發光效率提高。另外，實施例1與比較例1相比短波長化，觀測到淡藍色的強的發光。即，認為這是由於使第二材料分散而造成的。可見，根據實施例1，能夠提供以高效率進行藍色發光的有機EL元件。接著，使用上述實施例和比較例中使用的化合物、以及下述化合物，製作其它有機EL元件。[化70][化71][化72][化73][化74][化75]接著，測定從上述化合物MT-4到化合物MT-13的物性。測定方法和算出方法示於以下，並將測定結果和算出結果示於表7。測定方法和算出方法與前述的方法同樣。化合物MT-9、和化合物MT-12的Delay發光(遲延發光)的量相對於Prompt發光(瞬時發光)的量為5％以上，是遲滯螢光發光性的化合物。[表7](實施例2)將25mm×75mm×1.1mm厚的帶ITO透明電極(陽極)的玻璃基板(吉奧馬公司制)在異丙醇中進行5分鐘超聲波清洗後，進行UV臭氧清洗30分鐘。ITO的膜厚設為70nm。將清洗後的帶透明電極線的玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置的基板架，首先在形成有透明電極線的一側的面上按照覆蓋透明電極的方式蒸鍍化合物HI，形成膜厚5nm的空穴注入層。接著，在空穴注入層上，蒸鍍化合物HT-1，在HI膜上形成膜厚65nm的第一空穴傳輸層。接著，在該第一空穴傳輸層上，蒸鍍化合物HT-2，形成膜厚10nm的第二空穴傳輸層。此外，在該第二空穴傳輸層上，共蒸鍍化合物MT-4、化合物MT-9、和化合物MT-10，形成膜厚25nm的發光層。發光層中的化合物MT-10的濃度設為1質量％，化合物MT-9的濃度設為50質量％，化合物MT-4的濃度的49質量％。接著，在該發光層上，蒸鍍化合物HB-2，形成膜厚5nm的阻擋層。接著，在該阻擋層上，蒸鍍化合物ET-1，形成膜厚30nm的電子傳輸層。接著，在該電子傳輸層上，蒸鍍氟化劑(LiF)，形成膜厚1nm的電子注入性電極(陰極)。並且，該電子注入性電極上，蒸鍍金屬鋁(Al)，形成膜厚80nm的金屬Al陰極。若簡略示出實施例2的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-4：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例3)實施例3的有機EL元件除了使用化合物MT-6代替實施例2的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例2同樣地製作。若簡略示出實施例3的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-6：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例4)實施例4的有機EL元件除了使用化合物MT-5代替實施例2的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例2同樣地製作。若簡略示出實施例4的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-5：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例5)實施例5的有機EL元件除了使用化合物MT-7代替實施例2的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例2同樣地製作。若簡略示出實施例5的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-7：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例6)實施例6的有機EL元件除了使用化合物MT-8代替實施例2的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例2同樣地製作。若簡略示出實施例6的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-8：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(比較例2)比較例2的有機EL元件除了共蒸鍍化合物MT-9、和化合物MT-10而形成膜厚25nm的發光層代替實施例2中的發光層以外，與實施例2同樣地製作。比較例2的有機EL元件的發光層中，發光層中的化合物MT-10的濃度設為1質量％，化合物MT-9的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例2的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-9：MT-10(25，99％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例2～6、比較例2中製作的有機EL元件，與前述同樣地進行評價。評價項目為驅動電壓、亮度、CIE1931色度、電流效率L/J、功率效率η、主峰波長λp、以及外部量子效率EQE。評價結果示於表8。[表8]如表8所示，實施例2～6的有機EL元件與比較例2的有機EL元件相比，發光效率更高。比較例2的有機EL元件在發光層中僅含有化合物MT-9、和化合物MT-10。相對於比較例2的有機EL元件，實施例2～6的有機EL元件在發光層還含有第三材料。具體來說，實施例2中在發光層中含有化合物MT-4、實施例3中在發光層中含有化合物MT-6、實施例4中在發光層中含有化合物MT-5、實施例5中在發光層中含有化合物MT-7、實施例6中在發光層中含有化合物MT-8作為第三材料。其結果是，實施例2～6的有機EL元件與比較例2的有機EL元件相比，電流效率、外部量子效率更高。(實施例7)實施例7的有機EL元件除了使用化合物HB-3代替實施例2的阻擋層中的化合物HB-2以外，與實施例2同樣地製作。若簡略示出實施例7的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-4：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例8)實施例8的有機EL元件除了使用化合物MT-6代替實施例7的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例7同樣地製作。若簡略示出實施例8的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-6：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例9)實施例9的有機EL元件除了使用化合物MT-5代替實施例7的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例7同樣地製作。若簡略示出實施例9的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-5：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例10)實施例10的有機EL元件除了使用化合物MT-7代替實施例7的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例7同樣地製作。若簡略示出實施例10的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-7：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例11)實施例11的有機EL元件除了使用化合物MT-8代替實施例7的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例7同樣地製作。若簡略示出實施例11的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-8：MT-9：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(比較例3)比較例3的有機EL元件除了共蒸鍍化合物MT-9、和化合物MT-10而形成膜厚25nm的發光層代替實施例7中的發光層以外，與實施例7同樣地製作。比較例3的有機EL元件的發光層中，發光層中的化合物MT-10的濃度設為1質量％，化合物MT-9的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例3的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-9：MT-10(25，99％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例7～11、比較例3中製作的有機EL元件，與前述同樣地進行評價。評價項目為驅動電壓、亮度、CIE1931色度、電流效率L/J、功率效率η、主峰波長λp、以及外部量子效率EQE。評價結果示於表9。[表9]如表9所示，實施例7～11的有機EL元件與比較例3的有機EL元件相比，發光效率更高。比較例3的有機EL元件在發光層中僅含有化合物MT-9、和化合物MT-10。相對於比較例3的有機EL元件，實施例7～11的有機EL元件在發光層中還含有第三材料。具體來說，實施例7中將化合物MT-4、實施例8中將化合物MT-6、實施例9中將化合物MT-5、實施例10中將化合物MT-7、實施例11中將化合物MT-8分別作為第三材料含有於發光層中。其結果是，實施例7～11的有機EL元件與比較例3的有機EL元件相比，電流效率、外部量子效率更高。(實施例12)實施例12的有機EL元件除了使用化合物MT-11代替實施例2的發光層中的化合物MT-10以外，與實施例2同樣地製作。若簡略示出實施例12的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-4：MT-9：MT-11(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例13)實施例13的有機EL元件除了使用化合物MT-6代替實施例12的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例12同樣地製作。若簡略示出實施例13的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-6：MT-9：MT-11(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例14)實施例14的有機EL元件使用化合物MT-7除了代替實施例12的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例12同樣地製作。若簡略示出實施例14的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-7：MT-9：MT-11(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例15)實施例15的有機EL元件除了使用化合物MT-8代替實施例12的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例12同樣地製作。若簡略示出實施例15的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-8：MT-9：MT-11(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(比較例4)比較例4的有機EL元件除了共蒸鍍化合物MT-9、和化合物MT-11而形成膜厚25nm的發光層代替實施例12中的發光層以外，與實施例12同樣地製作。比較例4的有機EL元件的發光層中，發光層中的化合物MT-11的濃度設為1質量％，化合物MT-9的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例4的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-9：MT-11(25，99％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例12～15、比較例4中製作的有機EL元件，與前述同樣地進行評價。評價項目為驅動電壓、亮度、CIE1931色度、電流效率L/J、功率效率η、主峰波長λp、以及外部量子效率EQE。評價結果示於表10。[表10]如表10所示，實施例12～15的有機EL元件與比較例4的有機EL元件相比，發光效率更高。比較例4的有機EL元件在發光層中僅含有化合物MT-9、和化合物MT-11。相對於比較例4的有機EL元件，實施例12～15的有機EL元件在發光層中還含有第三材料。具體來說，實施例12中將化合物MT-4、實施例13中將化合物MT-6、實施例14中將化合物MT-7、實施例15中將化合物MT-8分別作為第三材料含有於發光層中。其結果是，實施例12～15的有機EL元件與比較例4的有機EL元件相比，電流效率、外部量子效率更高。(實施例16)實施例16的有機EL元件除了使用化合物HB-3代替實施例12的阻擋層中的化合物HB-2以外，與實施例12同樣地製作。若簡略示出實施例16的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-4：MT-9：MT-11(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例17)實施例17的有機EL元件除了使用化合物MT-6代替實施例16的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例16同樣地製作。若簡略示出實施例17的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-6：MT-9：MT-11(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例18)實施例18的有機EL元件除了使用化合物MT-7代替實施例16的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例16同樣地製作。若簡略示出實施例18的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-7：MT-9：MT-11(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例19)實施例19的有機EL元件除了使用化合物MT-8代替實施例16的發光層中的化合物MT-4以外，與實施例16同樣地製作。若簡略示出實施例19的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-8：MT-9：MT-11(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(比較例5)比較例5的有機EL元件除了共蒸鍍化合物MT-9、和化合物MT-11而形成膜厚25nm的發光層代替實施例16中的發光層以外，與實施例16同樣地製作。比較例5的有機EL元件的發光層中，發光層中的化合物MT-11的濃度設為1質量％，化合物MT-9的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例5的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(10)/MT-9：MT-11(25，99％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例16～19、比較例5中製作的有機EL元件，與前述同樣地進行評價。評價項目為驅動電壓、亮度、CIE1931色度、電流效率L/J、功率效率η、主峰波長λp、以及外部量子效率EQE。評價結果示於表11。[表11]如表11所示，實施例16～19的有機EL元件與比較例5的有機EL元件相比，發光效率更高。比較例5的有機EL元件在發光層中僅含有化合物MT-9、和化合物MT-11。相對於比較例5的有機EL元件，實施例16～19的有機EL元件在發光層中還含有第三材料。具體來說，實施例16中將化合物MT-4、實施例17中將化合物MT-6、實施例18中將化合物MT-7、實施例19中將化合物MT-8分別作為第三材料含有於發光層中。其結果是，實施例16～19的有機EL元件與比較例5的有機EL元件相比，電流效率、外部量子效率更高。(實施例20)將25mm×75mm×1.1mm厚的帶ITO透明電極(陽極)的玻璃基板(吉奧馬公司制)在異丙醇中進行5分鐘超聲波清洗後，進行UV臭氧清洗30分鐘。ITO的膜厚設為70nm。將清洗後的帶透明電極線的玻璃基板安裝於真空蒸鍍裝置的基板架，首先在形成有透明電極線的一側的面上按照覆蓋透明電極的方式蒸鍍化合物HI，形成膜厚5nm的空穴注入層。接著，在空穴注入層上，蒸鍍化合物HT-1，在HI膜上形成膜厚65nm的第一空穴傳輸層。接著，在該第一空穴傳輸層上，蒸鍍化合物HT-2，形成膜厚5nm的第二空穴傳輸層。此外，在該第二空穴傳輸層上，蒸鍍化合物CBP，形成膜厚5nm的第一阻擋層。接著，在該第一阻擋層上共蒸鍍化合物MT-13、化合物MT-12、和化合物MT-10，形成膜厚25nm的發光層。發光層中的化合物MT-10的濃度設為1質量％，化合物MT-12的濃度設為50質量％，化合物MT-13的濃度設為49質量％。接著，在該發光層上，蒸鍍化合物HB-2，形成膜厚5nm的第二阻擋層。接著，在該第二阻擋層上，蒸鍍化合物ET-1，形成膜厚30nm的電子傳輸層。接著，在該電子傳輸層上，蒸鍍氟化劑(LiF)，形成膜厚1nm的電子注入性電極(陰極)。並且，在該電子注入性電極上，蒸鍍金屬鋁(Al)，形成膜厚80nm的金屬Al陰極。若簡略示出實施例20的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-13：MT-12：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例21)實施例21的有機EL元件除了對於實施例20的發光層中所含化合物的濃度，將化合物MT-10的濃度設為1質量％，將化合物MT-12的濃度設為25質量％，將化合物MT-13的濃度設為74質量％以外，與實施例20同樣地製作。若簡略示出實施例21的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-13：MT-12：MT-10(25，74％：25％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例22)實施例22的有機EL元件使用化合物MT-5代替實施例20的發光層中的化合物MT-13，對於發光層中所含化合物的濃度，將化合物MT-10的濃度設為1質量％、將化合物MT-12的濃度設為24質量％、將化合物MT-5的濃度設為75質量％，除此以外，與實施例20同樣地製作。若簡略示出實施例22的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-5：MT-12：MT-10(25，75％：24％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(比較例6)比較例6的有機EL元件除了共蒸鍍化合物MT-12、和化合物MT-10而形成膜厚25nm的發光層代替實施例20中的發光層以外，與實施例20同樣地製作。比較例6的有機EL元件的發光層中，將發光層中的化合物MT-10的濃度設為1質量％，將化合物MT-12的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例6的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-12：MT-10(25，99％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例20～22、比較例6中製作的有機EL元件，與前述同樣地進行評價。評價項目為驅動電壓、亮度、CIE1931色度、電流效率L/J、功率效率η、主峰波長λp、以及外部量子效率EQE。評價結果示於表12。[表12]如表12所示，實施例20～22的有機EL元件與比較例6的有機EL元件相比，發光效率更高。比較例6的有機EL元件在發光層中僅含有化合物MT-10、和化合物MT-12。對於比較例6的有機EL元件，實施例20～22的有機EL元件在發光層中還含有第三材料。具體來說，實施例20、21中將化合物MT-13、實施例22中將化合物MT-5分別作為第三材料含有於發光層中。其結果是，實施例20～22的有機EL元件與比較例6的有機EL元件相比，電流效率、功率效率和外部量子效率更高。(實施例23)實施例23的有機EL元件除了使用化合物HB-3代替實施例20的阻擋層中的化合物HB-2以外，與實施例20同樣地製作。若簡略示出實施例23的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-13：MT-12：MT-10(25，49％：50％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例24)實施例24的有機EL元件除了對於實施例23的發光層中所含化合物的濃度，將化合物MT-10的濃度設為1質量％、將化合物MT-12的濃度設為25質量％、將化合物MT-13的濃度設為74質量％以外，與實施例23同樣地製作。若簡略示出實施例24的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-13：MT-12：MT-10(25，74％：25％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(實施例25)實施例25的有機EL元件使用化合物MT-5代替實施例23的發光層中的化合物MT-13，對於發光層中所含化合物的濃度，將化合物MT-10的濃度設為1質量％、將化合物MT-12的濃度設為24質量％、將化合物MT-5的濃度設為75質量％，除此以外，與實施例23同樣地製作。若簡略示出實施例25的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-5：MT-12：MT-10(25，75％：24％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(比較例7)比較例7的有機EL元件除了共蒸鍍化合物MT-12、和化合物MT-10而形成膜厚25nm的發光層代替實施例23中的發光層以外，與實施例23同樣地製作。比較例7的有機EL元件的發光層中，將發光層中的化合物MT-10的濃度設為1質量％，將化合物MT-12的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例7的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-12：MT-10(25，99％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例23～25、比較例7中製作的有機EL元件，與前述同樣地進行評價。評價項目為驅動電壓、亮度、CIE1931色度、電流效率L/J、功率效率η、主峰波長λp、以及外部量子效率EQE。評價結果示於表13。[表13]如表13所示，實施例23～25的有機EL元件與比較例7的有機EL元件相比，發光效率更高。比較例7的有機EL元件在發光層中僅含有化合物MT-10、和化合物MT-12。相對於比較例7的有機EL元件，實施例23～25的有機EL元件在發光層中還含有第三材料。具體來說，實施例23、24中將化合物MT-13、實施例25中將化合物MT-5分別作為第三材料含有於發光層中。其結果是，實施例23～25的有機EL元件與比較例7的有機EL元件相比，電流效率、功率效率和外部量子效率更高。(實施例26)實施例26的有機EL元件使用化合物MT-11代替實施例20的發光層中的化合物MT-10，對於發光層中所含化合物的濃度，將化合物MT-11的濃度設為1質量％、將化合物MT-12的濃度設為25質量％、將化合物MT-13的濃度設為74質量％，除此以外，與實施例20同樣地製作。若簡略示出實施例26的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-13：MT-12：MT-11(25，74％：25％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(比較例8)比較例8的有機EL元件除了共蒸鍍化合物MT-12、和化合物MT-11而形成膜厚25nm的發光層代替實施例26中的發光層以外，與實施例26同樣地製作。比較例8的有機EL元件的發光層中，將發光層中的化合物MT-11的濃度設為1質量％，將化合物MT-12的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例8的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-12：MT-11(25，99％：1％)/HB-2(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例26、和比較例8中製作的有機EL元件，與前述同樣地進行評價。評價項目為驅動電壓、亮度、CIE1931色度、電流效率L/J、功率效率η、主峰波長λp、以及外部量子效率EQE。評價結果示於表14。[表14]如表14所示，實施例26的有機EL元件與比較例8的有機EL元件相比，發光效率更高。比較例8的有機EL元件在發光層中僅含有化合物MT-11、和化合物MT-12。相對於比較例8的有機EL元件，實施例26的有機EL元件在發光層中還含有化合物MT-13。其結果是，實施例26的有機EL元件與比較例8的有機EL元件相比，電流效率、功率效率和外部量子效率更高。(實施例27)實施例27的有機EL元件除了使用化合物HB-3代替實施例26的阻擋層中的化合物HB-2以外，與實施例26同樣地製作。若簡略示出實施例27的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-13：MT-12：MT-11(25，74％：25％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)(比較例9)比較例9的有機EL元件除了共蒸鍍化合物MT-12、和化合物MT-11而形成膜厚25nm的發光層代替實施例27中的發光層以外，與實施例27同樣地製作。比較例9的有機EL元件的發光層中，將發光層中的化合物MT-11的濃度設為1質量％、將化合物MT-12的濃度設為99質量％。若簡略示出比較例9的有機EL元件的元件構成，則如下所示。ITO(70)/HI(5)/HT-1(65)/HT-2(5)/CBP(5)/MT-12：MT-11(25，99％：1％)/HB-3(5)/ET-1(30)/LiF(1)/Al(80)〔有機EL元件的評價〕對於實施例27、和比較例9中製作的有機EL元件，與前述同樣地進行評價。評價項目為驅動電壓、亮度、CIE1931色度、電流效率L/J、功率效率η、主峰波長λp、以及外部量子效率EQE。評價結果示於表15。[表15]如表15所示，實施例27的有機EL元件與比較例9的有機EL元件相比，發光效率更高。比較例9的有機EL元件在發光層中僅含有化合物MT-11、和化合物MT-12。相對於比較例9的有機EL元件，實施例27的有機EL元件在發光層中還含有化合物MT-13。其結果是，實施例27的有機EL元件與比較例9的有機EL元件相比，電流效率、功率效率和外部量子效率更高。符號說明1...有機EL元件、2...基板、3...陽極、4...陰極、5...發光層、6...空穴注入·傳輸層、7...電子注入·傳輸層、10...有機層。