一種氮化矽薄膜的高溫退火方法
2023-12-05 23:36:51
一種氮化矽薄膜的高溫退火方法
【專利摘要】本發明涉及一種氮化矽薄膜的高溫退火方法。將矽片表面製作氮化矽減反膜後在矽片表面進行高溫退火。本發明方法可以有效的提高氮化矽薄膜的均勻性以及緻密性，同時高溫退火減少了矽片中的微缺陷和雜質離子，增加了氮化矽薄膜的鈍化效果，這樣電池片的少數載流子壽命得到了一定提高；另外，經過高溫退火的電池片可以提高其抗PID的能力，具有重大的生產實踐價值，增強企業的競爭力。
【專利說明】一種氮化矽薄膜的高溫退火方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及太陽能電池製作【技術領域】，具體涉及一種氮化矽薄膜的高溫退火方 法。
【背景技術】
[0002] 在各種太陽電池中，晶體矽電池一直佔據著最重要的地位。近年來，在晶體矽太陽 電池提高效率和降低成本方面取得了巨大成就和進展，進一步提高了它在未來光伏產業中 的優勢地位。
[0003] 氮化矽薄膜作為傳統的晶體矽太陽能電池鈍化減反膜，其性能的變化直接影響 電池的轉化效率。目前，無論從生產方還是使用方，對晶體矽電池片的極化效應（PID)的 關注越來越多。2011年7月NREL在其發表的文章 ((System Voltage Potential Induced Degradation Mechanisms in PV Modules and Methods for Test))中對 PID 進行了詳細的說 明。目前PID現象已被更多的人所了解，並有越來越多的研究機構和組件製造商對其進行 了深入的研究和發表文章 。PID Free被許多組件廠和電池廠作為賣點之一，許多光伏組件 用戶也開始只接受PID Free的組件。
【發明內容】
[0004] 本發明的目的是針對上述問題提供的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，將矽片表 面製作氮化矽減反膜後在矽片表面進行高溫退火。本發明方法可以有效的提高氮化矽薄膜 的均勻性以及緻密性，同時高溫退火減少了矽片中的微缺陷和雜質離子，增加了氮化矽薄 膜的鈍化效果，這樣電池片的少數載流子壽命得到了一定提高；另外，經過高溫退火的電池 片可以提高其抗PID的能力，具有重大的生產實踐價值，增強企業的競爭力。
[0005] 本發明的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法採用的技術方案為，在矽片表面製作氮 化矽減反射膜後，將矽片進行高溫退火。
[0006] 所述的高溫退火是將沉積氮化矽薄膜後的矽片放入退火爐中，通入保護氣，在高 溫條件下保持一段時間。
[0007] 退火爐內的溫度為300-1000°C。
[0008] 進一步的，退火爐內的溫度為500-800°C。
[0009] 優選的，退火爐內的溫度為600_700°C。
[0010] 在高溫條件下保持時間為5_60min。
[0011] 在高溫條件下保持時間為15_30min。
[0012] 所述的保護氣為氨氣、矽烷、氫氣、氮氣中的一種。
[0013] 所述的矽片為多晶矽或多晶矽。
[0014] 本發明的有益效果是：本發明方法可以有效的提高氮化矽薄膜的均勻性以及致 密性，同時高溫退火減少了矽片中的微缺陷和雜質離子，增加了氮化矽薄膜的鈍化效果，這 樣電池片的少數載流子壽命得到了一定提高；另外，經過高溫退火的電池片可以提高其抗
【權利要求】
1. 一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於，在矽片表面製作氮化矽減反射膜後， 將矽片進行高溫退火。
2.根據權利要求1所述的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於：所述的高溫 退火是將沉積氮化矽薄膜後的矽片放入退火爐中，通入保護氣，在高溫條件下保持一段時 間。
3.根據權利要求2所述的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於：退火爐內的 溫度為 300-1000。。。
4.根據權利要求2所述的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於：退火爐內的 溫度為 500-800°C。
5.根據權利要求2所述的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於：退火爐內的 溫度為 600-700°C。
6.根據權利要求2所述的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於：在高溫條件 下保持時間為5-60min。
7.根據權利要求2所述的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於：在高溫條件 下保持時間為15-30min。
8.根據權利要求2所述的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於：所述的保護 氣為氨氣、娃燒、氫氣、氮氣中的一種。
9.根據權利要求2所述的一種氮化矽薄膜的高溫退火方法，其特徵在於：所述的矽片 為多晶矽或多晶矽。
【文檔編號】H01L31/18GK104051572SQ201410251456
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年6月9日 優先權日:2014年6月9日
【發明者】任現坤, 姜言森, 賈河順, 馬繼磊, 張春豔, 徐振華, 王光利, 尹蘭超, 黃國強 申請人:山東力諾太陽能電力股份有限公司