改進型大功率引線框架的製作方法

2023-12-06 04:54:16

專利名稱：改進型大功率引線框架的製作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種半導體分立器件，特別是一種用於製作半導體元件的改進型大功率引線框架。
背景技術：
現有技術中TO-220-5L引線框架的結構如圖4所示，引線框架的散熱固定部、晶片部、中間管腳及4個側管腳為一連續的整體結構，構成引線框架的各組成部分的形狀簡單、表面光滑。又因引線框架與塑封料所用材料特性的不同和熱膨脹係數的差異，引線框架與晶片和塑封料間的結合力很差，使其密封強度大大降低，直接影響了半導體元件的性能、質量和使用壽命。

發明內容
本實用新型所要解決的技術問題是，提供一種改進型大功率引線框架，既可增強引線框架與塑封料、晶片間的結合力和密封強度，又可延長其的使用壽命。
本實用新型解決上述問題所採用的技術方案為改進型大功率引線框架由散熱固定部、晶片部、中間管腳、側管腳連接成一體構成，所述晶片部的兩邊緣階梯面有缺口，晶片部上與晶片相對應位置上有由凹槽組成的邊框，邊框內又有由凹槽點經規則排列構成的凹點面。
與現有技術相比，本實用新型的優點在於，現有的引線框架形狀簡單、表面光滑、線條單一，因此和塑封料結合力很差、密封強度低，現在引線框架晶片部邊緣上增加半圓形的缺口，晶片部內與晶片相對應位置增加由凹槽組成的邊框，便於塑封料的填充和鑲嵌，這樣就增強了引線框架和塑封件的結合力和密封性。邊框內又有截面為梯形的凹槽點橫縱均布、規則排列構成的凹點面，增加了引線框架與晶片的結合強度，有效地防止分層現象的出現。本改進型大功率引線框架使整個半導體元件的抗機械衝擊、耐熱疲勞強度提高，從而延長了使用壽命。


圖1、本實用新型的結構示意圖。
圖2、圖1的A-A剖面放大圖。
圖2、圖1的A-A剖面放大圖。
圖3、凹槽點正面放大視圖。
圖4、現有技術結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的實施例作進一步描述。
引線框架由散熱固定部1、晶片部7和中間腳8連為一體的主體，在後續封裝工藝中再與4個側管腳9、10連為一體組成。
在晶片部7的兩邊緣階梯面2上有兩半圓形的缺口3，如圖1所示。
在晶片部7裝片面中間有由連續的V形凹槽11構成的方形邊框4，邊框4內有截面為梯形凹槽點5，如圖3所示，凹槽點5均布、橫縱向排列構成方形凹點面6，如圖1、圖2所示。
V形凹槽11的夾角θ在85～95度間，梯形凹槽5的深度h和底邊寬度相等，深度h在0.10～0.14毫米間。
塑封料在此引線框架上封裝晶片時，充滿晶片部7的兩邊緣階梯面缺口3內和邊框4內，由於這些填充和鑲嵌使得塑封料和引線框架的結合更加牢固、密封更為良好。晶片結合料填充進晶片部7上各梯形凹槽點5中，增強了引線框架與晶片之間的結合力。
權利要求1.一種改進型大功率引線框架，由散熱固定部(1)、晶片部(7)、中間管腳(8)、側管腳(9)、(10)連接成一體構成，其特徵在於所述晶片部(7)的兩邊緣階梯面(2)上有缺口(3)，晶片部(7)上與晶片相對應位置上有由凹槽(11)組成的邊框(4)，邊框(4)內又有由凹槽點(5)經規則排列構成的凹點面(6)。
2.根據權利要求1所述的改進型大功率引線框架，其特徵在於晶片部(7)的兩邊緣階梯面(2)上有兩半圓形的缺口(3)。
3.根據權利要求1所述的改進型大功率引線框架，其特徵在於晶片部(7)裝片處中間有由連續的V形凹槽(11)構成的方形邊框(4)，邊框(4)內有截面為梯形的凹槽點(5)橫縱向均布排列組成方形凹點面(6)。
4.根據權利要求1所述的改進型大功率引線框架，其特徵在於V形凹槽(11)的夾角θ在85～95度間，梯形凹槽(5)的深度h和底邊寬度相等，深度h在0.10～0.14毫米間。
專利摘要一種改進型大功率引線框架，由散熱固定部、晶片部、中間管腳、側管腳連接成一體構成，所述晶片部兩邊緣階梯面上有缺口，晶片部上與晶片相對應位置上有由凹槽組成的邊框，邊框內又有截面為梯形的由凹槽點縱橫向經規則排列構成的凹點面。這樣便於塑封料的填充和鑲嵌，增強了引線框架和塑封件的結合力和密封性。同時又增加了引線框架與晶片的結合強度，有效地防止分層現象的出現，使半導體元件的抗機械衝擊、耐熱疲勞強度提高，從而延長了使用壽命。
文檔編號H01L23/495GK2893922SQ200620102839
公開日2007年4月25日 申請日期2006年4月19日 優先權日2006年4月19日
發明者曹光偉, 段華平, 曹前龍, 何宏偉 申請人:寧波康強電子股份有限公司