沉積裝置及利用其的發光顯示裝置的製造方法與流程

2024-03-30 04:01:05

本發明涉及沉積裝置以及利用該沉積裝置的發光顯示裝置的製造方法。

背景技術：

在發光顯示裝置之中，有機發光顯示裝置作為自發光型顯示器件，其不僅具有視角寬、對比度優秀的優點，而且還具有響應速度快的優點，因此作為下一代顯示裝置而備受矚目。

有機發光顯示裝置包括在陽電極與陰電極之間由有機發光物質構成的發光層。隨著陽極電壓和陰極電壓分別施加到這些電極，從陽電極注入的空穴(hole)經由空穴注入層和空穴傳輸層移動至發光層，而電子從陰電極經由電子注入層和電子傳輸層移動至發光層，從而使得電子與空穴在發光層中複合。通過這種複合生成激子(exiton)，並且隨著該激子從激發態躍遷至基態而從發光層放射出光，從而顯示圖像。

有機發光顯示裝置包括像素限定膜，其中該像素限定膜具有開口部以暴露以像素為單位形成的陽電極，並且空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰電極形成在通過該像素限定膜的開口部暴露的陽電極上。其中，空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層可通過各種方法形成，其中一種方式為沉積方法。

技術實現要素：

另外，用於執行沉積方法的沉積裝置具有沉積源，該沉積源包括儲存沉積物質的坩堝、加熱坩堝的加熱部件、包括多個噴嘴的噴嘴部以及收納坩堝和加熱部件的殼，其中上述多個噴嘴形成供在坩堝中被加熱的沉積物質朝著襯底方向噴射的路徑。此外，沉積裝置還可具有角度限制板，該角度限制板設置在多個噴嘴的周圍並且限制經由多個噴嘴朝著襯底方向噴射的沉積物質的沉積區域。

然而，由於角度限制板在沉積物質經由多個噴嘴朝著襯底方向噴射時作用為障礙物，因此經由多個噴嘴朝著襯底方向噴射的沉積物質可能無法被沉積在襯底上而是堆積在角度限制板上。由此，可能需要更大量的沉積物質以在襯底上形成薄膜，從而降低沉積物質的利用效率。

對此，本發明要解決的技術問題在於提供能夠提高沉積工藝中的沉積物質的利用效率的沉積裝置。

此外，本發明要解決的另一技術問題在於提供利用能夠提高沉積工藝中的沉積物質的利用效率的沉積裝置製造發光顯示裝置的方法。

本發明的問題不限於上文中提及的技術問題，並且本領域技術人員可通過下面的記載明確理解未提及的其它的技術問題。

用於解決上述技術問題的、根據本發明一實施方式的沉積裝置包括：坩堝，配置成沿著第一方向延伸並且其上部具有開口部以將沉積物質容納在其內部空間中；加熱部件，布置在所述坩堝的側部並且對所述坩堝進行加熱；蓋，覆蓋所述坩堝的所述開口部；以及多個噴嘴，從所述蓋朝著上方突出並且在所述蓋上沿著所述第一方向布置，其中，所述多個噴嘴分別具有一對槽，所述一對槽從所述噴嘴的上端沿著側壁以一定深度形成，並且所述一對槽布置成彼此相對。

布置於所述多個噴嘴中的所有的槽可位於沿著所述第一方向延伸的同一個延長線上。

所述槽可具有其寬度在從所述噴嘴的上端朝著所述蓋的方向上逐漸變窄的形態。

所述槽的截面形狀可以是倒梯形。

所述槽可具有其寬度在從所述噴嘴的上端朝著所述蓋的方向上相同的形態。

所述槽的截面形狀可以是四邊形。

所述槽可具有其寬度在從所述噴嘴的上端朝著所述蓋的方向上逐漸變寬的形態。

所述槽的截面形狀可以是梯形。

所述槽可在從所述噴嘴的上端朝著所述蓋的方向上具有彼此不同的圖形的組合。

所述槽的截面形狀可具有四邊形和半圓形的組合或四邊形和七邊形的組合。

此外，所述沉積裝置還可包括角度限制部件，所述角度限制部件包括第一角度限制部件和第二角度限制部件，所述第一角度限制部件和所述第二角度限制部件配置成在所述蓋上沿著所述第一方向延伸，並且所述第一角度限制部件和所述第二角度限制部件在與所述第一方向垂直相交的第二方向上布置在所述多個噴嘴的兩側且彼此相對。

此外，所述沉積裝置還可包括設置在所述坩堝內部的至少一個內板，並且所述內板可具有多個孔。

此外，所述沉積裝置還可包括殼和反射件，所述殼容納所述坩堝和所述加熱部件，並且所述反射件以暴露所述多個噴嘴的方式布置在所述蓋的上方並結合至所述殼。

用於解決上述另一技術問題的、利用根據本發明一實施方式的沉積裝置製造發光顯示裝置的方法包括以下步驟：準備沉積裝置；將襯底布置成與所述多個噴嘴相對；以及在與所述第一方向垂直相交的第二方向上移動所述坩堝或所述襯底期間，經由所述多個噴嘴將所述沉積物質噴射至所述襯底上以在所述襯底上形成薄膜，其中，所述沉積裝置包括坩堝、加熱部件、蓋和多個噴嘴，其中，所述坩堝配置成沿著第一方向延伸並且具有開口部以將沉積物質容納在其內部，所述加熱部件布置成圍繞所述坩堝的側部並且對所述坩堝進行加熱，所述蓋覆蓋所述坩堝的所述開口部，所述多個噴嘴從所述蓋朝著上方突出並且在所述蓋上沿著所述第一方向布置，以及其中，所述多個噴嘴分別具有一對槽，所述一對槽從所述噴嘴的上端沿著側壁以一定深度形成，並且所述一對槽布置成彼此相對。

布置於所述多個噴嘴中的所有的槽可位於沿著所述第一方向延伸的同一個延長線上。

準備所述沉積裝置的步驟可包括以下步驟：將角度限制部件設置在所述蓋上，其中，所述角度限制部件配置成沿著所述第一方向延伸並且包括第一角度限制部件和第二角度限制部件，所述第一角度限制部件和所述第二角度限制部件在與所述第一方向垂直相交的第二方向上將所述多個噴嘴插置於其間而彼此面對。

所述薄膜可以是發光顯示裝置的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層中的至少任意一個。

其它實施方式的具體內容包括在詳細的說明和附圖中。

根據本發明的實施方式，至少具有如下效果。

根據本發明一實施方式的沉積裝置能夠提高沉積工藝中的沉積物質的利用效率。

根據本發明的效果並不限於上文中所例示的內容，並且更加多樣的效果包括在本說明書中。

附圖說明

圖1是根據本發明一實施方式的沉積裝置的立體圖。

圖2是沉積裝置的分解立體圖。

圖3是圖1的i-i'線的剖視圖。

圖4是圖1的噴嘴的放大立體圖。

圖5是在『a』方向上觀察圖4的噴嘴的圖。

圖6是由圖4的噴嘴噴射的沉積物質在ii-ii'線上的剖視圖。

圖7是在圖4的『a』方向上觀察不具有槽的現有噴嘴的圖。

圖8是由圖7的現有噴嘴噴射的沉積物質中與圖6對應的部分的剖視圖。

圖9至圖12是示出噴嘴的多種實施方式的圖。

圖13至圖14是用於說明利用根據本發明一實施方式的沉積裝置的製造發光顯示裝置的方法的立體圖和剖視圖。

具體實施方式

參照下文中結合附圖詳細描述的實施方式，本發明的優點和特徵以及實現所述優點和特徵的方法將變得明確。但是，本發明不限定於下文中所公開的實施方式，而是可實現為彼此不同的多種形態。這些實施方式只是為了使本發明的公開完整並且為了將發明的範圍完整地告知給本發明所屬技術領域的技術人員而提供，並且本發明僅由權利要求書的範圍來定義。

當元件(elements)或層被稱為在其它元件或層「上(on)」時，該元件或層直接位於其它元件上、或者在中間插置有其它層或其它元件。在整篇說明書中，相同的附圖標記指代相同的構成要素。

應明確，雖然第一、第二等用於敘述多種構成要素，但這些構成要素並不受這些措辭限制。這些措辭僅用於將一個構成要素與其它構成要素區分開。因此，應明確，在不背離本發明的技術思想的情況下，下文中提及的第一構成要素也可稱為第二構成要素。

以下，將參照附圖說明本發明的實施方式。

圖1是根據本發明一實施方式的沉積裝置的立體圖，圖2是沉積裝置的分解立體圖，並且圖3是圖1的i-i'線的剖視圖。

參照圖1至圖3，根據本發明一實施方式的沉積裝置1可包括沉積源100、角度限制部件200、沉積掩模300以及襯底支承部400。雖然未圖示，但是沉積裝置1的結構可布置在提供用於執行沉積工藝的空間的腔的內部。上述腔可提供真空環境。

沉積源100配置成加熱沉積物質dm並使其蒸發。蒸發的沉積物質dm沉積在襯底s上從而形成薄膜。沉積源100可包括坩堝110、加熱部件120、內板130、140、蓋150、多個噴嘴160、反射件170以及殼180。襯底s可以是用於發光顯示裝置的襯底，但是不限於此。沉積物質dm可以是發光顯示裝置的空穴注入層物質、空穴傳輸層物質、發光層物質、電子傳輸層物質和電子注入層物質等，但是不限於此。

坩堝110配置成在其上部具有開口部110a以將沉積物質dm容納在內部空間中，例如可形成為上部被開口的盒子形態。坩堝110的上側內部可具有用於提供供內板130、140結合的空間的階梯狀部。此外，坩堝110的上側端部可布置有用於提供與蓋150結合的空間的翼部。在本實施方式中，例示了坩堝110配置成具有沿著第一方向x延伸的形態的線形坩堝。坩堝110可由具有優異的導熱性的物質，例如，石墨(graphite)形成。這種坩堝110可通過利用由加熱部件120提供的熱來提高加熱沉積物質dm的效率。

加熱部件120可布置在坩堝110的側部，並且可配置為沿著第一方向x延伸的多個加熱板。加熱部件120通過提供用於加熱坩堝110的熱，例如提供輻射熱來加熱坩堝110。這種加熱部件120使容納在坩堝110中的沉積物質dm蒸發，並使其沉積在待形成薄膜的襯底s上。

雖然在圖2中例示了加熱部件120配置為加熱板，但是不限於這種結構。例如，加熱部件120可以是如發熱線圈的部件。此外，雖然在圖2中示出了加熱部件120布置於坩堝110的側部的一部分處，但是加熱部件120也可布置於坩堝110的整個側部處。即，加熱部件120不僅可以布置成在第一方向x上延伸，而且還可布置成在與第一方向x垂直相交的第二方向y上延伸。此外，雖然在圖2中加熱部件120具有沿著與第一方向x垂直的第三方向z劃分的形態，但是加熱部件120也可具有一體的形態。

內板130、140設置在坩堝110的上側內部。內板130、140可區分為第一內板130和第二內板140。

第一內板130可在坩堝110的內部布置於沉積物質dm的上方，並且可包括多個貫通孔。第一內板130可通過增加坩堝110的內壓來提高在坩堝110中被加熱而蒸發的沉積物質dm沉積至襯底(圖1的s)的沉積效率，並且可防止成塊的沉積物質dm向坩堝110的上方向濺射。

第二內板140可在坩堝110的內部布置在第一內板130的上方，並且可包括多個貫通孔。第二內板140可通過使在坩堝110中被加熱而蒸發的沉積物質dm釋放的移動路徑變得複雜，從而有效地防止沉積物質dm附著至蓋150上或釋放出成塊的沉積物質dm。這裡，第二內板140的貫通孔的大小可小於第一內板130的貫通孔的大小。這是為了使在坩堝110中被加熱而蒸發的沉積物質dm通過第一內板130的貫通孔被一次性地大量噴射。

蓋150結合至坩堝110的被打開的上部以覆蓋坩堝110的開口部110a。蓋150在與坩堝110的延伸方向(即，第一方向x)相同的方向上延伸，並且可具有板的形態。蓋150可由與坩堝110的材料相同的材料形成，但是不限於此。另外，雖然在圖2中示出了蓋150配置成具有階梯狀部的板，但是不限於這種結構。例如，蓋150也可配置成一個平坦的板。此外，雖然蓋150示出為與坩堝110分離的形態，但是也可形成為一體。

多個噴嘴160朝著蓋150的上方突出，並且在蓋150上沿著第一方向x布置。多個噴嘴160可具有包括開口的管的形態，使得釋放從坩堝110中蒸發的沉積物質dm。雖然在圖2中示出了多個噴嘴160布置成其一部分具有相同的間隔並且另一部分具有不同的間隔，但是也可布置成其整體具有相同的間隔或其整體具有不同的間隔。此外，雖然在圖2中示出了多個噴嘴160中位於第一方向x上的邊緣部分處的一部分噴嘴具有通過沿著第一方向x連接的側壁連接的形態，但是也可具有彼此分離的形態。

另外，多個噴嘴160分別具有從上端沿著側壁形成為具有一定深度的一對槽161、162，並且一對槽161、162布置成彼此相對。此外，布置在多個噴嘴160上的所有的槽161、162位於沿著第一方向x延伸的同一個延長線上。

在這種情況下，由多個噴嘴160噴射的沉積物質dm行進至以多個噴嘴160為中心布置於第二方向y上的角度限制部件200的情況可被減少，並且行進至襯底s中沿著第一方向x形成的沉積區域的情況可被增加。

因此，因為能夠減少堆積到角度限制部件200上的沉積物質dm的量並且能夠將沉積物質dm集中噴射至襯底s上的待沿著第一方向x形成的沉積區域中，因此能夠提高將沉積物質dm沉積到襯底s上而形成薄膜時的沉積物質dm的利用效率。

與此同時，因為減少了經由如上所述的多個噴嘴160的沉積物質dm在第二方向y上行進的情況，因此能夠省略用於限制第二方向y上的沉積區域的角度限制部件200，其中該角度限制部件200在第二方向上布置在將多個噴嘴160的兩側。

將在下文中詳細地描述如上所述的多個噴嘴160的結構和效果。

反射件170以暴露多個噴嘴160的方式布置在蓋150的上方，並且與殼180結合。反射件170可沿著坩堝110的延伸方向(即，第一方向x)延伸，並且可配置為使多個噴嘴160貫穿的板。反射件170可由隔熱材料形成。這種反射件170能夠防止加熱部件120的熱或坩堝110上方的熱釋放至外部。

殼180配置成可容納坩堝110和加熱部件120。例如，殼180可形成為上方被開口的盒子形態，並且與反射件170結合。這種殼180起到從外部保護容納在內部的結構的作用。另外，殼180可由隔熱材料形成，並且配置成防止內部的熱向外部流出。例如，殼180的內部可安裝有冷卻管，冷卻管提供供冷卻水流動的路徑。

角度限制部件200包括第一角度限制板210和第二角度限制板220，第一角度限制板210和第二角度限制板220配置成位於蓋150上並且在第二方向y上彼此相對且在第一方向x上延伸，其中，多個噴嘴160位於第一角度限制板210和第二角度限制板220之間。這種角度限制部件200限制經由多個噴嘴160朝著襯底s方向噴射的沉積物質dm的沉積區域。具體地，在將沉積物質dm沉積到襯底s上的工藝中沿著第二方向y移動坩堝110或襯底s的情況下，角度限制部件200可相對於第二方向y限制沉積物質dm的沉積區域。另外，雖然圖2中示出了角度限制部件200包括第一角度限制板210和第二角度限制板220，但是角度限制部件200還可包括在第一方向x上布置在多個噴嘴160的兩側並且彼此相對的角度限制板。

沉積掩模300可布置在沉積源100與襯底s之間，並且可與襯底s緊貼。沉積掩模300可具有沉積開口，沉積開口與將從沉積源100蒸發的沉積物質dm沉積到襯底s上而形成的薄膜的圖案相對應。這種沉積掩模300可使從沉積源100蒸發的沉積物質dm沉積到襯底s的期望位置處，從而在襯底s上形成具有期望圖案的薄膜。雖然未圖示，但是沉積掩模300上可結合有支承沉積掩模300的掩模框。

襯底支承部400起到在從沉積源100蒸發的沉積物質dm被沉積到襯底s上時將襯底s布置於沉積源100的上方的作用。襯底支承部400可以是靜電卡盤，並且可以是能夠移動的。

以下，將詳細地說明關於多個噴嘴160的結構及效果。

圖4是圖1的噴嘴的放大立體圖，圖5是在『a』方向上觀察圖4的噴嘴的圖，圖6是由圖4的噴嘴噴射的沉積物質在ii-ii'線上剖視圖，圖7是在圖4的『a』方向上觀察不具有槽的現有噴嘴的圖，並且圖8是由圖7的現有噴嘴噴射的沉積物質中與圖6對應的部分的剖視圖。以下，將以多個噴嘴160中的一個噴嘴為例進行說明。

參照圖4和圖5，布置於噴嘴160上的一對槽161、162可具有在其寬度在從噴嘴160的上端至蓋150的方向上逐漸變窄的形態。例如，布置於噴嘴160上的一對槽161、162的截面形狀可以是倒梯形。在這種情況下，在坩堝110中被加熱而蒸發的沉積物質dm能夠通過噴嘴160朝著上方向順暢地噴射，並且能夠使噴嘴160的製造變得容易。此外，能夠減少在坩堝110中被加熱而蒸發的沉積物質dm堆積在一對槽161、162的上方而堵塞噴射沉積物質dm的通道的情況。

另外，參照圖6，具有一對槽161、162的噴嘴160使經由噴嘴160噴射的沉積物質dm在第二方向y上的中央區域c處的密度高於在邊緣區域e處的密度，並且使經由噴嘴160噴射的沉積物質dm的截面在第二方向y上的寬度小於在第一方向x上的寬度。由此可知，在通過具有一對槽161、162的噴嘴160將沉積物質dm沉積到襯底s上而形成薄膜時，由於沉積物質dm朝著布置在第二方向y上的角度限制部件(圖2的200)行進而堆積至角度限制部件200上的情況得到減少，並且沉積物質dm被集中噴射至襯底s上的待沿著第一方向x形成的沉積區域中。由此可知，在應用具有一對槽161、162的噴嘴160的情況下，沉積物質dm的利用效率得到提高。

相反地，參照圖7和圖8，現有的噴嘴16不具有槽，並且使經由噴嘴16噴射的沉積物質dm在第二方向y上的中央區域c1處的密度高於在邊緣區域e1處的密度，並且使經由噴嘴16噴射的沉積物質dm的截面在第二方向y上的寬度與在第一方向x上的寬度相似。由此可知，在通過不具有槽的噴嘴16將沉積物質dm沉積到襯底s上而形成薄膜時，可能由於沉積物質dm朝著布置於第二方向y上的角度限制部件(圖2的200)行進而導致大量的沉積物質dm堆積在角度限制部件200上。由此可知，在應用不具有槽的現有的噴嘴16的情況下，沉積物質dm的利用效率低下。

如上所述，根據本發明一實施方式的沉積裝置1包括具有一對槽161、162的多個噴嘴160，而一對槽161、162從上端沿著側壁以一定深度形成並且彼此相對，因此能夠減少沉積物質dm行進至以多個噴嘴160為中心布置在第二方向y上的角度限制部件200的情況，並且能夠增加沉積物質dm行進至襯底s中沿著第一方向x形成的沉積區域的情況。

因此，能夠減少堆積至角度限制部件200上的沉積物質dm的量，並且沉積物質dm能夠集中噴射至襯底s上的待沿著第一方向x形成的沉積區域中，因而能夠提高在將沉積物質dm沉積到襯底s上而形成薄膜時的沉積物質dm的利用效率。

此外，根據本發明一實施方式的沉積裝置1通過具有一對槽161、162的多個噴嘴160來減少沉積物質dm在第二方向y上行進的情況，因此能夠省略用於限制第二方向y上的沉積區域的角度限制部件200，其中該角度限制部件200在第二方向y上布置在多個噴嘴160的兩側。

因此，省去了關於角度限制部件200的製造費用，從而能夠減少沉積裝置1的製造成本。

圖9至圖12是示出噴嘴的多種實施方式的圖。

在圖9中，噴嘴160a的槽162a可具有其寬度在從噴嘴160a的上端至蓋150的方向上相同的形態。例如，噴嘴160a的槽162a的截面形狀可以是四邊形。這種噴嘴160a可提供與圖4的噴嘴160所提供的效果相同的效果。

在圖10中，噴嘴160b的槽162b可具有其寬度在從噴嘴160b的上端至蓋150的方向上逐漸變寬的形態。例如，噴嘴160b的槽162b的截面形狀可以是梯形。這種噴嘴160b由於存在著在坩堝(圖3的110)中被加熱而蒸發的沉積物質(圖3的dm)堆積在槽162b的上部處的可能性，因此能夠應用於在沉積物質(圖3的dm)的噴射量少的小型襯底上形成薄膜的情形中。

圖11和圖12例示了噴嘴160c、160d的槽162c、162d在從噴嘴160c、160d的上端至蓋150的方向上具有彼此不同的圖形的組合的情形。

例如，如圖11中所示，噴嘴160c的槽162c的截面形狀可在從噴嘴160c的上端至蓋150的方向上具有四邊形和半圓形的組合。這種噴嘴160c可提供與圖4的噴嘴160所提供的效果相同的效果。

此外，如圖12所示，噴嘴160d的槽162d的截面形狀可在從噴嘴160d的上端至蓋150的方向上具有四邊形和七邊形的組合。這種噴嘴160d可提供與圖10的噴嘴160b所提供的效果相同的效果。

在下文中，將對利用根據本發明一實施方式的沉積裝置製造發光顯示裝置的方法進行說明。

圖13和圖14是用於說明利用根據本發明一實施方式的沉積裝置製造發光顯示裝置的方法的立體圖和剖視圖。

首先，參照圖13，準備沉積裝置1，其中該沉積裝置1包括坩堝(圖2的110)、加熱部件(圖2的120)、蓋(圖2的150)以及多個噴嘴160，其中，坩堝(圖2的110)配置成沿著第一方向x延伸並且具有開口部(圖2的110a)以在內部容納沉積物質(圖3的dm)，加熱部件(圖2的120)布置在坩堝(圖2的110)的側部並對坩堝(圖2的110)進行加熱，蓋(圖2的150)覆蓋坩堝(圖2的110)的開口部(圖2的110a)，並且多個噴嘴160從蓋(圖2的150)朝著上方突出並在蓋(圖2的150)上沿著第一方向x布置。

這裡，多個噴嘴160分別具有一對槽161、162，一對槽161、162從上端沿著側壁以一定深度形成，並且一對槽161、162布置成彼此相對。此外，布置於多個噴嘴160中的所有的槽161、162位於沿著第一方向x延伸的同一個延長線上。

由於已在前文中詳細地描述了沉積裝置1的結構，因此省略重複的說明。

另外，準備沉積裝置1的步驟還可包括將角度限制部件200設置在蓋150上，其中，角度限制部件200配置成沿著第一方向x延伸並且在第二方向y上彼此相對地設置在多個噴嘴160的兩側。由於已在前文中詳細地描述了角度限制部件200，因此省略重複的說明。

接下來，將襯底s布置成與多個噴嘴160相對。這時，襯底s可由襯底支承部400支承。此外，可將沉積掩模300布置在多個噴嘴160與襯底s之間，其中沉積掩模300可與襯底s緊貼。由於已在前文中詳細地描述了襯底支承部400和沉積掩模300，因此省略重複的說明。

接下來，在在第二方向y上移動坩堝110或襯底s期間，經由多個噴嘴160將沉積物質(圖3的dm)噴射至襯底s上以在襯底s上形成薄膜。

參照圖14，上述薄膜可以是發光顯示裝置中布置於第一電極10與第二電極80之間的空穴注入層30、空穴傳輸層40、發光層50、電子傳輸層60和電子注入層70中的至少任意一個，其中第一電極10通過布置於襯底s上的像素限定膜20的像素開口部21暴露，並且第二電極80布置於第一電極10的上方。

襯底s可由透明的絕緣性物質形成。例如，襯底s可由玻璃、石英、陶瓷、塑料等形成。襯底s可以是平坦的板狀。根據一些實施方式，襯底s也可由能夠易於被外力彎曲的材料形成。襯底s可支承布置於襯底s上的其它結構。雖然未圖示，但是襯底s可包括多個薄膜電晶體。多個薄膜電晶體中的至少一部分薄膜電晶體的漏電極可與第一電極10電連接。

第一電極10可以以各像素為單位布置在襯底s上。第一電極10可以是接收施加至薄膜電晶體的漏電極上的信號並向發光層50提供空穴的陽電極，或提供電子的陰電極。

第一電極10可用作透明電極、反射電極或半透半反射電極。當第一電極10用作透明電極時，第一電極10可由氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化鋅(zno)或in2o3形成。當第一電極10用作反射電極時，第一電極10可在使用ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及其化合物等形成反射膜之後在該反射膜上形成ito、izo、zno或in2o3而構成。當第一電極10用作半透半反射電極時，第一電極10可在使用ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及其化合物等以薄的厚度形成反射膜之後在該反射膜上形成ito、izo、zno或in2o3而構成。第一電極10可利用圖1的沉積裝置通過沉積方法形成，但是不限於此。

像素限定膜20在襯底s上布置成具有暴露第一電極10的開口部21，並且在襯底s上劃分各像素。像素限定膜20可由絕緣物質構成。例如，像素限定膜20可配置為包括選自苯並環丁烯(benzocyclobutene；bcb)、聚醯亞胺(polyimide；pi)、聚醯胺(polyamide；pa)、丙烯酸樹脂及酚樹脂等的至少一種有機物質。此外，作為另一示例，像素限定膜20也可配置為包括如氮化矽等的無機物質。像素限定膜20可通過光刻工藝形成，但是不限於此。

空穴注入層30形成在通過像素限定膜20的開口部21暴露的第一電極10上，並且可形成為覆蓋整個像素限定膜20。空穴注入層30作為降低第一電極10與空穴傳輸層40之間的能量勢壘的緩衝層，其起到使由第一電極10提供的空穴容易地注入進空穴傳輸層40的作用。空穴注入層30可由例如4,4',4」-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(mtdata)、銅酞菁(cupu)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(pedot/pss)等的有機化合物構成，但是不限於此。

空穴傳輸層40形成在空穴注入層30上。空穴傳輸層40起到將經由空穴注入層30接收到的空穴傳遞至發光層50的作用。這種空穴傳輸層40可由例如n,n'-二苯基-n,n'-雙[3-甲基苯基]-1,1'-聯苯-4,4'-二胺(tpd)或n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基-聯苯胺(npb)等的有機化合物構成，但是不限於此。

發光層50形成在空穴傳輸層40上。發光層50將由第一電極10提供的空穴與由第二電極80提供的電子重新結合而發射光。更詳細地，當空穴和電子提供至發光層50時，空穴和電子結合而形成激子，並且隨著該激子從激發態躍遷至基態而發射光。這種發光層50可包括發射紅光的紅色發光層、發射綠光的綠色發光層以及發射藍光的藍色發光層。

上述紅色發光層可形成為包括一種紅色發光物質，或包括主體和紅色摻雜劑。上述紅色發光層的主體例如可使用：三-(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、4,4'-n,n'-二咔唑-聯苯(cbp)、聚(n-乙烯基咔唑)(pvk)、9,10-二(萘-2-基)蒽(adn)、1,3,5-三(n-苯基苯並咪唑-2-基)苯(tpbi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(tbadn)、聯苯乙烯基亞芳基(dsa)等，但是不限於此。此外，上述紅色摻雜劑可使用ptoep、ir(piq)3、btp2ir(acac)等，但是不限於此。

上述綠色發光層可形成為包括一種綠色發光物質，或包括主體和綠色摻雜劑。上述綠色發光層的主體可使用上述紅色發光層的主體。並且上述綠色摻雜劑可使用ir(ppy)3、ir(ppy)2(acac)、ir(mpyp)3等，但並不限於此。

上述藍色發光層可形成為包括一種藍色發光物質，或包括主體和藍色摻雜劑。上述藍色發光層的主體可使用上述紅色發光層的主體。並且上述藍色摻雜劑可使用f2irpic、(f2ppy)2ir(tmd)、ir(dfppz)3、三芴、4,4,-雙(4-二對甲苯基氨基苯乙烯基)聯苯(dpavbi)、2,5,8,11-四-叔丁基苝(tbpe)等，但並不限於此。

電子傳輸層60形成在發光層50上，並且起到將從第二電極80接收到的電子傳遞至發光層50的作用。這種電子傳輸層60可使用例如4,7-二苯基-1,10-鄰二氮菲(bphen)、鋁(iii)雙(2-甲基-8-羥基喹啉)4-苯基苯酚酯(balq)、三-(8-羥基喹啉)鋁(alq3)、(雙(10-羥基苯並[h]羥基喹啉)鈹(bebq2)、1,3,5-三(n-苯基苯並咪唑-2-基)苯(tpbi)等的有機化合物材料，但是不限於此。

電子注入層70形成在電子傳輸層60上，並且作為降低電子傳輸層60與第二電極80之間的能量勢壘的緩衝層，其起到使由第二電極80提供的電子容易地注入到電子傳輸層60中的作用。這種電子注入層70可由例如lif或csf等形成，但是不限於此。

第二電極80可布置在電子注入層70上。第二電極80可由與第一電極10相同的材料形成，但是不一定限於此。根據一些實施方式，第二電極80可以是布置於包括在發光顯示裝置中的多個像素上的公共電極。根據一些實施方式，第二電極80也可布置在電子注入層70的上方以及像素限定膜20的上方整體上。發光層50的發光可根據在第一電極10與第二電極80之間流經的電流來控制。

雖然在上文中參照附圖對本發明實施方式進行了說明，但在本發明所屬技術領域的技術人員可以理解，本發明可在不改變本發明的技術思想或必要特徵的情況下實施為其它具體形態。因此，應理解，上文中所記載的實施方式在所有方面均為例示性的，而非限定性的。

附圖標記的說明

1：沉積裝置100：沉積源

110：坩堝120：加熱部件

130、140：內板150：蓋

160、160a、160b、160c、160d：多個噴嘴

170：反射件180：殼

200：角度限制部件300：沉積掩模

400：襯底支承部